專利名稱：高頻基板結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種高頻基板結構，尤指一種在兩金屬層之間夾置復合膜的高頻基板結構。
背景技術：
印刷電路板是電子產品中不可或缺的材料，而隨著消費性電子產品需求成長，對于印刷電路板的需求亦是與日俱增。由于軟性印刷電路板具有可撓曲性及可三度空間配線等特性，在科技化電子產品強調輕薄短小、可撓曲性的發展驅勢下，目前被廣泛應用計算機及其外圍設備、通訊產品以及消費性電子產品等等。近來，由于電子產品已走向高速及高頻的應用趨勢，使得現今電子產品都需要使用高頻電路用印刷電路基板來支持，以達到高頻及高速的運作功效。在眾多被用作為高頻 電路用印刷電路基板的材料中，除了陶瓷和發泡材料外，以氟系樹脂居多，其原因在于氟系樹脂具有低介電常數(Dk)和低介電損耗(Df )，如聚四氟乙烯(PTFE)基板在頻率IOGHz下具有Dk值2. I、Df值O. 0004，與低吸水率O. 0003等優異的電氣性質。但是，PTFE基板低玻璃轉移溫度Tg是19 °C，耐熱性不足。因此，仍需要開發能夠改善制程加工性，同時具有低介電常數與低介電損耗以及耐熱性佳的高頻基板結構。
實用新型內容為了克服上述缺陷，本實用新型提供了一種高頻基板結構，本實用新型的高頻基板結構制程加工性好，且具有低介電常數、低介電損耗以及良好的耐熱性。本實用新型為了解決其技術問題所采用的技術方案是一種高頻基板結構，包括復合膜，所述復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。較佳地，所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。較佳地，所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層(polytetrafIuorethylene)。優選的是,所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)層或四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層。較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。較佳地，所述氟系聚合物層的厚度介于25至50微米之間。[0014]較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于12至36微米之間。較佳地，所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。本實用新型的有益效果是本實用新型的高頻基板結構，包括復合膜，復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層，還包括第一金屬層，第一金屬層形成于第一子層上，還包括第二金屬層，第二金屬層形成于第三子層上，本實用新型的高頻基板結構制程加工性好，且經測試結果可知本實用新型的高頻基板結構具有低介電常數、低介電損耗以及良好的耐熱性。
圖I為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
以下通過特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，本領域普通技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本實用新型的優點及功效。本實用新型也可以其它不同的方式予以實施，即，在不悖離本實用新型所揭示的范疇下，能予不同的修飾與改變。須知，本說明書的附圖所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域普通技術人員了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“第一”及“第二”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本實用新型可實施的范疇。實施例請參照圖1，為顯示本實用新型的高頻基板結構100，包括第一金屬層110 ;復合膜120，該復合膜具有第一子層121、第二子層122及第三子層123 ;第二金屬層130 ;該第一金屬層110形成于該復合膜120的第一子層121上,使該第一子層121夾置于該第二子層122與第一金屬層110之間；該第二金屬層130形成于該第三子層123上,使該第三子層123夾置于該第二子層122與第二金屬層130之間。本實用新型的高頻基板結構100的第二子層122是使用具有低介電常數材質的氟系聚合物層，其實例包括但非限于聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物、四氟乙烯與乙烯的共聚物或聚四氟乙烯。因氟系樹脂材料本身具有分子墮性與低表面能特性，因此，為提高其與第一子層和第三子層黏著特性，第二子層最佳使用為表面粗化處理的表面改質氟系樹脂膜。具體實施時，該氟系聚合物層的材質可以是聚四氟乙烯或四氟乙烯與乙烯的共聚物。一般而言，該第二子層22的厚度為25至50微米。本實用新型的高頻基板結構100的第一金屬層110及第二金屬層130是銅層，且該第一金屬層110及第二金屬層130層之厚度系各自介于12至36微米之間。本實用新型的第一子層121與第三子層123可為為聚酰亞胺層，其厚度系各自介于6至25微米。本實施例的高頻基板的制造方法如下[0026]復合膜的第二子層使用一厚度為25微米的雙面改質聚四氟乙烯膜(迪渥工業型號SD-222)，其中，第一金屬層和第二金屬層是銅箔，在各銅箔上涂布聚酰胺酸并經烘箱干燥以及亞酰胺化后形成由第一金屬層以及第一子層構成的單面無膠的第一覆銅板以及由第二金屬層以及第三子層構成的單面無膠的第二覆銅板，其中，第一子層和第三子層為聚酰亞胺層且其厚度皆為12微米，將該聚四氟乙烯膜的兩面熱壓合第一覆銅板以及第二覆銅板后即可得到如圖I所示的高頻基板結構。比較例I及2 :在比較例I中，復合膜的第二子層使用厚度為25微米的杜邦Kapton聚酰亞胺膜，首先，是將25微米的雙面改質聚四氟乙烯膜(迪渥工業型號SD-222)做為第一子層與第三子層。接著，將該兩單面聚四氟乙烯膜熱壓合Kapton聚酰亞胺膜后形成復合膜，將該復合膜上下兩面熱壓12微米銅箔后形成比較例I的高頻基板結構。另外，比較例2是將50微米聚四氟乙烯膜相對上下兩面熱壓18微米銅箔后形成比較例2的高頻基板結構。測試例高頻基板的電氣特性測試根據表I所示資料制備高頻基板樣品，并對該樣品進行機械特性與電氣特性測試，測試項目包括熱應力試驗(Thermal stress test)，采用IPC-TM-65022的熱應力試驗方法，評估基板材料在高溫錫爐下了解材料的耐熱能力；介電常數和介電損耗量測則系依據ASTM 2520波導諧振腔(Waveguide Resonators)測試方式，并將結果記錄于表I。表I
權利要求1.一種高頻基板結構，其特征在于包括復合膜，所述復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。
2.如權利要求I所述的高頻基板結構，其特征在于所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。
3.如權利要求I所述的高頻基板結構，其特征在于所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層。
4.如權利要求3所述的高頻基板結構，其特征在于所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯層或四氟乙烯與乙烯的共聚物層。
5.如權利要求I所述的高頻基板結構，其特征在于所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。
6.如權利要求I所述的高頻基板結構，其特征在于所述氟系聚合物層的厚度介于25至50微米之間。
7.如權利要求I所述的高頻基板結構，其特征在于所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于12至36微米之間。
8.如權利要求2所述的高頻基板結構，其特征在于所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。
專利摘要本實用新型公開了一種高頻基板結構，包括復合膜，所述復合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個子層構成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個子層中至少有一個子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間，本實用新型的高頻基板結構制程加工性好，且經測試結果可知本實用新型的高頻基板結構具有低介電常數、低介電損耗以及良好的耐熱性。
文檔編號H05K1/03GK202773176SQ20122042851
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月28日 優先權日2012年8月28日
發明者林志銘, 洪金賢, 林惠峰, 李建輝 申請人:昆山雅森電子材料科技有限公司