專利名稱：直拉單晶爐保溫結構的制作方法
技術領域：
直拉單晶爐保溫結構技術領域[0001]本實用新型涉及一種半導體及光伏材料制備設備，尤其涉及一種直拉單晶爐保溫結構。
背景技術：
[0002]直拉單晶硅爐是一種硅的定向凝固設備，其功能是將單晶硅按照設定工藝經過熔料、引晶、放肩、轉肩、等徑和收尾幾個階段后成為有一定晶體生長方向的晶棒。直拉單晶爐是一種能耗較高、工時較長的生產設備，在同樣的晶體方向及晶體尺寸條件下，縮短工時、 減少能耗是希望得到改善的。在現有的直拉單晶爐中，為了減少能耗在拉晶爐內的加熱器的周圍設置隔熱材料，如設計有保溫罩，現有技術中在加熱器的周圍設計保溫罩的技術方案存在如下不足在融化階段加熱器底部向 下方散熱而浪費熱能并使熔料時間加長，且無法根據需要對保溫材料的厚度進行調節，達到提高保溫效果的目的。實用新型內容[0003]本實用新型的主要目的是提供一種直拉單晶爐，旨在防止熱能從加熱器的下方流失，達到減少能耗并縮短熔料時間的目的。[0004]本實用新型提供了一種直拉單晶爐保溫結構，包括加熱器和設置在所述加熱器下方的保溫組件，所述保溫組件包括保溫體、將所述保溫體固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡設在所述下反射板環形臺階上的擋環。所述保溫體的材料為軟氈或者硬氈。[0005]優選地，所述保溫組件還包括固定所述上反射板和下反射板的螺桿和調節螺母， 所述上反射板上設置有第一上通孔，所述下反射板上設置有與所述第一上通孔對應的第一下通孔，所述螺桿穿過所述第一上通孔和所述第一下通孔與所述調節螺母配合將所述上反射板和下反射板固定連接。[0006]優選地，所述第一上通孔和第一下通孔同軸，其數量均為2個以上，且分別均勻分布在所述上反射板和下反射板上。[0007]優選地，所述上反射板的外周邊凸出形成圍框。所述圍框的高度為lmnT50mm，厚度為 Imm 50mmo[0008]優選地，所述上反射板的材料為C/C復合材料、硬氈或石墨，所述下反射板的材料為C/C復合材料、硬氈或石墨。[0009]優選地，所述上反射板的中心設置有供外部構件穿過的第二上通孔，所述下反射板中心設置有與所述第二上通孔對應的第二下通孔，所述第二下通孔設置有環形臺階，所述擋環穿過所述第二上通孔并卡設在所述環形臺階上。[0010]本實用新型通過在加熱器的下方設置保溫組件，且保溫組件包括起保溫作用的保溫體及用于將保溫體固定在其中的上反射板和下反射板，有效地減少熱能從加熱器的下方流失，達到減少能耗并縮短熔料時間的目的。
圖I為本實用新型實施例中直拉單晶爐保溫結構的剖視圖；圖2為圖I中A部分的放大示意圖；圖3為本實用新型實施例中保溫組件的結構示意圖。本實用新型目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施方式
應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖I和圖2，圖I為本實用新型實施例中直拉單晶爐保溫結構的剖視圖，圖2為圖I中A部分的放大示意圖。本實用新型直拉單晶爐保溫結構包括加熱器I和設置在加熱器I下方的保溫組件，保溫組件包括上反射板21、下反射板22、起保溫作用的保溫體(圖中未示出)和擋環25，優選地，保溫體的材料為軟氈或者硬氈。保溫體設置在上反射板21和下反射板22之間，上反射板21和下反射板22用于將保溫體固定。上反射板21的中部設置有供外部構件穿過的第二上通孔212，下反射板22上設置有與第二上通孔212對應的第二下通孔221，第二下通孔221設置有環形臺階222，擋環25穿過第二上通孔212并卡設在環形臺階222上。設置擋環的目的是不僅能保護在工作轉動時的托桿等部件，還能在調節保溫體的厚度或調節上反射板21和下反射板22之間的距離時起到導向作用時，防止它們上反射板21和下反射板22發生相對運動從而保護螺桿。為了實現調節保溫體的厚度，達到調節保溫效果的目的，在具體實施例中，保溫組件還包括固定上反射板21和下反射板22的螺桿23和調節螺母24，上反射板21上設置有第一上通孔，下反射板22上設置有與第一上通孔對應的第一下通孔，螺桿23穿過第一上通孔和第一下通孔與調節螺母24配合將上反射板21和下反射板22固定連接。當增加保溫體的厚度時，通過擰松調節螺母24，將上反射板21和下反射板22之間的間距調大；當減少保溫體的厚度時，通過擰緊調節螺母24，將上反射板21和下反射板22之間的間距縮短。優選地，第一上通孔和第一下通孔同軸，其數量均為2個以上，且分別均勻分布在上反射板21和下反射板22上。具體地，第一上通孔的數量為4個，第一下通的數量為4個。在其他變形實施例中，第一上通孔不限于均勻分布在上反射板21上，對應的第一下通孔不限于均勻分布在下反射板22上。在拉晶的生成過程中，溫度過高或其他原因可能出現漏硅現象，為了在出現漏硅現象時保護其他構件，如保護直拉單晶爐中的支撐角及電極頭等。在具體實施例中，結合參照圖3，圖3為本實用新型實施例中保溫組件的結構示意圖，上反射板21的外周邊凸出形成圍框211。圍框211的設置一方面可有效阻止硅料流向加熱器的支撐角及電極頭等構件上；另一方面可起到導流作用，可將漏出的硅料引導至直拉單晶爐中的底板，減少發生安全事故的風險。優選地，圍框的高度為lmnT50mm,厚度為lmnT50mm。為了進一步防止熱量從加熱器I的下方流失，在具體實施例中，上反射板21的材料為石墨、C/C復合材料或硬氈，下反射板22的材料為石墨、C/C復合材料或硬氈。本實用新型通過在加熱器I的下方設置保溫組件，且保溫組件包括起保溫作用的保溫體及用于將保溫體固定在其中的上反射板21和下反射板22，有效地減少熱能從加熱器I的下方流失且可增加經反射而輻射至坩堝的熱能，達到減少能耗并縮短熔料時間的目的。以上所述僅為本實用新型的優選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
權利要求1.一種直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，包括加熱器和設置在所述加熱器下方的保溫組件，所述保溫組件包括保溫體、將所述保溫體固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡設在所述下反射板環形臺階上的擋環。
2.根據權利要求I所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述保溫體的材料為軟氈或者硬氈。
3.根據權利要求I所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述保溫組件還包括固定所述上反射板和下反射板的螺桿和調節螺母，所述上反射板上設置有第一上通孔，所述下反射板上設置有與所述第一上通孔對應的第一下通孔，所述螺桿穿過所述第一上通孔和所述第一下通孔與所述調節螺母配合將所述上反射板和下反射板固定連接。
4.根據權利要求3所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述第一上通孔和第一下通孔同軸，其數量均為2個以上，且分別均勻分布在所述上反射板和下反射板上。
5.根據權利要求I至4任一項所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述上反射板的外周邊凸出形成圍框。
6.根據權利要求5所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述圍框的高度為 Imm 50mm,厚度為 Imm 50mmo
7.根據權利要求6所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述上反射板的材料為 C/C復合材料、硬氈或石墨，所述下反射板的材料為C/C復合材料、硬氈或石墨。
8.根據權利要求7所述的直拉單晶爐保溫結構，其特征在于，所述上反射板的中心設置有供外部構件穿過的第二上通孔，所述下反射板中心設置有與所述第二上通孔對應的第二下通孔，所述第二下通孔設置有環形臺階，所述擋環穿過所述第二上通孔并卡設在所述環形臺階上。
專利摘要本實用新型公開了一種直拉單晶爐保溫結構，其包括加熱器和設置在所述加熱器下方的保溫組件，所述保溫組件包括保溫體、將所述保溫體固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡設在所述下反射板環形臺階上的擋環。通過在加熱器的下方設置保溫組件，且保溫組件包括起保溫作用的保溫體及用于將保溫體固定在其中的上反射板和下反射板，有效地防止熱能從加熱器的下方流失，達到減少能耗并縮短熔料時間的目的。
文檔編號C30B15/00GK202786494SQ20122042805
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月27日 優先權日2012年8月27日
發明者皎晶晶 申請人:深圳市石金科技有限公司