專利名稱：一種石墨熱場的導流筒結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及石墨熱場技術領域，具體涉及一種石墨熱場的導流筒結構。
背景技術：
切克勞斯基法即CZ直拉單晶法，通過電阻加熱，將石英坩堝中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔點的溫度，在惰性氣體的保護下，經過引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾、晶體取出等步驟，完成晶體生長。眾所周知，硅的熔點是1420°C，如果是在20寸開放式熱場裝置、投料量105kg，要維持這個溫度，每小時需消耗IOOkw左右的電能。目前世界能源緊張，能源成本所占比重日益增加。如何降低生產能耗，直接關系到企業的生存大計。傳統的石墨熱場的熱屏外的導流筒上沒有反射裝置，熱輻射反射率低。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是，針對現有技術的不足，提供一種熱輻射反射率高的石墨熱場的導流筒結構。為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，所述的導流筒本體的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層。所述的熱輻射反射層為鑰層。所述的鑰層厚度為O. 5-0. 6mm。本實用新型采用上述結構，具有以下優點1、耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長；2、鑰層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明；圖I為本實用新型的結構示意圖；在圖I在，I、導流筒本體；2、熱輻射反射層。
具體實施方式
如圖I所示一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，導流筒本體I的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層2。熱輻射反射層2為鑰層。鑰層可為鑰片，其厚度為
O.5-0. 6mm。鑰片作為反射層，耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長，鑰層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果。該石墨熱場耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長。鑰層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果，以上技術方案的應用使20寸傳統封閉式熱場維持1420°C的拉制條件需要每小時消耗電能75 70KW降低至5(T45KW/h，節能超過35% ；相對原始的開放式熱場節能超過55%。同時進一步改變了單晶生長時晶體的縱向溫度梯度，相對傳統的封閉式熱場，拉速增加O. 15mm/min。極大提高了設備生產效率，降低生產成本。[0014] 上面結合附圖對本實用新型進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現并不受 上述方式的限制，只要采用了本實用新型的技術方案進行的各種改進，或未經改進直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，其特征在于所述的導流筒本體(I)的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層(2)。
2.根據權利要求I所述的一種石墨熱場的導流筒結構，其特征在于所述的熱輻射反射層(2)為鑰層。
3.根據權利要求I所述的一種石墨熱場的導流筒結構，其特征在于所述的鑰層厚度為 O. 5-0. 6mm。
專利摘要本實用新型公開了一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，所述的導流筒本體的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層。采用上述結構，本實用新型具有以下優點1、耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長；2、鉬層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果。
文檔編號C30B29/06GK202671711SQ20122029663
公開日2013年1月16日 申請日期2012年6月21日 優先權日2012年6月21日
發明者孫平川, 楊江華, 王賢福, 韓冰, 計冰雨 申請人:蕪湖昊陽光能股份有限公司