專利名稱:一種半導體真空加熱管的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體 地說是涉及一種三碲化ニ鉍結晶的裝置,也就是ー種半導體真空加熱管。
背景技術:
現有技術中,半導體真空加熱管使用的是一端開孔的,將半導體原料放置其中,抽真空封閉死,這樣的真空管具有封閉時費勁、浪費燃料、封閉效果欠佳的缺點。
發明內容本實用新型的目的就是針對上述缺點,提供ー種封閉簡單、效果好、節省原材料的半導體真空加熱管。本實用新型的技術方案是這樣實現的一種半導體真空加熱管,其特征是它包括一管和ニ管,一管和ニ管都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管,在一管和ニ管的開ロ處具有相互嚙合的結構。進ー步的講,所述的一管或ニ管至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結構。進ー步的講,所述的一管或ニ管其一的長度是5-10厘米。本實用新型的有益效果是這樣結構的半導體真空加熱管具有封閉簡單、效果好、節省原材料的優點。
圖I是本實用新型半導體真空加熱管的剖面結構示意圖。其中1、一管2、ニ管。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進ー步的描述。如圖I所示,一種半導體真空加熱管,其特征是它包括一管I和ニ管2,一管I和ニ管2都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管,在一管I和ニ管2的開ロ處具有相互哨合的結構。進ー步的講,所述的一管I或ニ管2至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結構。這樣就很容易完好封閉。進ー步的講,所述的一管I或ニ管2其一的長度是5 — 10厘米。這樣這個管可以作為蓋子,具有減少破損的優點。
權利要求1.一種半導體真空加熱管,其特征是它包括一管和ニ管,一管和ニ管都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管,在一管和ニ管的開ロ處具有相互哨合的結構。
2.根據權利要求I所述的半導體真空加熱管,其特征是所述的一管或ニ管至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結構。
3.根據權利要求I或2所述的半導體真空加熱管,其特征是所述的一管或ニ管其一的長度是5-10厘米。
專利摘要本實用新型涉及半導體制造技術領域,是一種半導體真空加熱管,其特征是它包括一管和二管,一管和二管都是一端開口另一端閉口的盲管,在一管和二管的開口處具有相互嚙合的結構,所述的一管或二管至少其一在開口處具有嚙合的雙層結構,所述的一管或二管其一的長度是5-10厘米,這樣結構的半導體真空加熱管具有封閉簡單、效果好、節省原材料的優點。
文檔編號C30B23/00GK202643906SQ20122023738
公開日2013年1月2日 申請日期2012年5月16日 優先權日2012年5月16日
發明者劉寶成 申請人:河南恒昌電子有限公司