專利名稱：一種藍寶石晶片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及LED照明應用領域，尤其是一種藍寶石晶片。
背景技術：
LED照明產業技術發展的基石是襯底材料，目前常用于GaN異質外延襯底有藍寶石A1203襯底、碳化硅SiC襯底以及Si襯底，除了美國Cree公司用SiC作為外延襯底和少數廠家用Si襯底外，絕大多數廠家均以藍寶石為襯底，為了提高LED發光亮度，越來越多的廠家開始運用PSS技術，以前的藍寶石襯底的背面粗糙度要求為I. O μ m±0. 2 μ m，這種背粗的藍寶石晶片和制備PSS中的設備，尤其是勻曝機的載臺結合不十分緊密，PSS制程的良率不高。·
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種藍寶石襯底晶片，克服背面粗糙度偏大，藍寶石晶片和PSS制程中的載臺結合不緊密的缺點，提高制備PSS制程的良率。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是一種藍寶石晶片，包括晶片本體，所述的晶片本體的背面粗糙度為O. 6^0. 8微米。本實用新型的有益效果是，解決了背景技術中存在的缺陷，采用本實用新型的晶片在做圖形化襯底(PSS)時，晶片和勻曝機的載臺結合緊密，做PSS的成品率比較高，同時，該背粗的藍寶石晶片易于清洗。
以下結合附圖
和實施例對本實用新型進一步說明。圖I是本實用新型的優選實施例的結構示意圖；圖中1、晶片本體；2、背面粗糙度。
具體實施方式
現在結合附圖和優選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。如圖I所示的一種藍寶石晶片，包括晶片本體，所述的晶片本體的背面粗糙度為O. 7微米。加工時，選取藍寶石襯底雙面研磨片，在雙面研磨機上，用280#，粒徑52±4微米的B4C、SiC或金剛石研磨液進行研磨。以上說明書中描述的只是本實用新型的具體實施方式
，各種舉例說明不對本實用新型的實質內容構成限制，所屬技術領域的普通技術人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實施方式
做修改或變形，而不背離實用新型的實質和范圍。
權利要求1.一種藍寶石晶片，包括晶片本體，其特征在于所述的晶片本體的背面粗糙度為O.6^0. 8 微米。
專利摘要本實用新型涉及一種藍寶石晶片，其背面粗糙度要求為0.6~0.8微米，采用該規格粗糙度的晶片在做圖形化襯底(PSS)時，晶片和勻曝機的載臺結合緊密，做PSS的成品率比較高，同時，該背粗的藍寶石晶片易于清洗。
文檔編號C30B25/18GK202610394SQ20122020903
公開日2012年12月19日 申請日期2012年5月11日 優先權日2012年5月11日
發明者石劍舫 申請人:江蘇鑫和泰光電科技有限公司