專利名稱：晶體爐隨爐退火裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種晶體生長爐，具體說就是一種晶體爐隨爐退火裝置。
背景技術：
在現有的晶體生長爐或冶煉設備(高頻或中頻感應爐)中，當晶體生長結束后，晶體從坩堝中提出，由于坩堝外溫度較低，溫度梯度比較大，晶體容易受到很大的熱沖擊，且晶體的降溫過程始終處于一個比較大的溫度梯度場中，晶體內部容易集聚比較大的熱應力，造成晶體開裂，而且，即使晶體當時沒有開裂，由于 晶體內部集聚的熱應力始終沒有釋放，晶體的后續加工過程中也很容易碎裂。所以，通常的對晶體處理采取的方式是，努力使晶體在爐內降溫過程中不發生破裂，然后取出晶體，將其放置在另外一個專門的晶體退火爐中再進行能夠晶體退火處理。這種方法需要專門的晶體退火設備、花費額外的時間對晶體進行退火處理，而且，這種方法本身需要保證從晶體爐內生長后、降溫取出來這個過程中晶體的完整性，這對整個設備及工藝都帶來很大的挑戰。
發明內容本實用新型為了克服現有技術的不足，提供了一種設置在晶體爐上方的隨爐退火
>J-U裝直。為了實現上述目的，本發明設計了一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長爐，其特征在于還包括一個位于晶體生長爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個感應線圈，以及置于感應線圈內的圓柱形后感應保溫筒，還包括一個位于圓柱形后感應保溫筒上的梯形后感應保溫筒，以及一個測溫熱電偶，測溫熱電偶的端部插入圓柱形后感應保溫筒內。所述感應線圈為中頻或高頻感應線圈。所述感應線圈的橫截面為方形或圓形，壁厚為0. 5-2_。所述梯形后感應保溫筒的底面直徑與圓柱形后感應保溫筒的直徑相同。所述圓柱形后感應保溫筒與梯形后感應保溫筒的壁厚為0. 5_3mm。所述測溫熱電偶的端部插入圓柱形后感應保溫筒內，其插入深度為10mm。本實用新型同現有技術相比，保證了晶體生長完后、從晶體爐中提拉出來后處于一個和晶體本身溫度基本相同的溫度場中，而且，這個溫度場比較均勻，只有很小的溫度梯度，這樣，保證了晶體在降溫過程中整體處于均勻的溫場下均勻降溫，最大限度的減少了晶體內部產生的熱應力，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專門的退火設備和退火時間，提聞了效率。
圖I為實用新型的結構示意圖。參見圖I，I為晶體生長爐；2為感應線圈；3為圓柱形后感應保溫筒；4為梯形后感應保溫筒；5為測溫熱電偶；6為晶體。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步描述。如圖I所示，本實用新型包括晶體生長裝爐1，還包括一個位于晶體生長爐I頂部的隨爐退火裝置，該隨爐退火裝置包括一個感應線圈2，該感應線圈2為中頻或高頻感應線圈，其截面為方形或圓形，壁厚為0. 5-2_。以及置于感應線圈2內的圓柱形后感應保溫筒 3。還包括一個位于圓柱形后感應保溫筒3上的梯形后感應保溫筒4，梯形后感應保溫筒4的底面直徑與圓柱形后感應保溫筒3的直徑相同，且兩個感應筒的壁厚為0. 5-3_。以及一個測溫熱電偶5，測溫熱電偶5的端部插入圓柱形后感應保溫筒3內，其插入深度為10mm。使用時，當晶體生長爐I準備工作完成后，將圓柱形后感應保溫筒3以及梯形后感應保溫筒4放置在感應線圈2內，且置于爐體上方，開始晶體生長過程。將晶體6向上提拉，使晶體6脫離爐體液面約5mm。然后啟動后感應線圈電源，使測溫熱電偶5溫度較沒有啟動熱感應線圈電源時的溫度要高，本實施例中溫度高約50 V，然后繼續提拉晶體6至圓柱形后感應保溫筒3內，此時通過控制感應線圈2使整個筒體開始降溫，當筒內溫度降到室溫后，即可開爐取出晶體5。同現有技術相比，保證了晶體生長完后、從晶體爐中提拉出來后處于一個和晶體本身溫度基本相同的溫度場中，而且，這個溫度場比較均勻，只有很小的溫度梯度，這樣，保證了晶體在降溫過程中整體處于均勻的溫場下均勻降溫，最大限度的減少了晶體內部產生的熱應力，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專門的退火設備和退火時間，提聞了效率。
權利要求1.一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長爐，其特征在于還包括一個位于晶體生長爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個感應線圈，以及置于感應線圈內的圓柱形后感應保溫筒，還包括一個位于圓柱形后感應保溫筒上的梯形后感應保溫筒，以及一個測溫熱電偶，測溫熱電偶的端部插入圓柱形后感應保溫筒內。
2.根據權利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述感應線圈為中頻或高頻感應線圈。
3.根據權利要求I或2所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述感應線圈的橫截面為方形或圓形，壁厚為O. 5-2mm。
4.根據權利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述梯形后感應保溫筒的底面直徑與圓柱形后感應保溫筒的直徑相同。
5.根據權利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述圓柱形后感應保溫筒與梯形后感應保溫筒的壁厚為O. 5-3mm。
6.根據權利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述測溫熱電偶的端部插入圓柱形后感應保溫筒內，其插入深度為10_。
專利摘要本實用新型涉及一種晶體生長爐，具體說就是一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長爐，其特征在于還包括一個位于晶體生長爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個感應線圈，以及置于感應線圈內的圓柱形后感應保溫筒，還包括一個位于圓柱形后感應保溫筒上的梯形后感應保溫筒，以及一個測溫熱電偶，測溫熱電偶的端部插入圓柱形后感應保溫筒內。本實用新型同現有技術相比，晶體生長完后、從晶體爐中提拉出來后處于一個和晶體本身溫度基本相同的溫度場中，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專門的退火設備和退火時間，提高了效率。
文檔編號C30B33/02GK202465959SQ20122001524
公開日2012年10月3日 申請日期2012年1月13日 優先權日2012年1月13日
發明者華偉, 李艷, 陳偉, 高超 申請人:上海贏奔晶體科技有限公司