專利名稱：控制led溫升的電路結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及LED照明技術領域，特別涉及一種高亮LED照明中控制LED溫升的電路結構。
背景技術：
近年來，在LED照明技術領域，高亮度LED成為LED照明產品的趨勢，諸多LED廠商紛紛推出高亮LED照明產品。眾所周知，因為LED的亮度與驅動電流成線性關系，要實現LED的高亮度照明要求，就必須盡量使用最大電流驅動，但如此一來，LED的溫度就會上升，而LED的平均壽命取決于工作溫度，工作溫度僅上升10°C便可使其壽命縮短一半。這種情況迫使設計人員必須降低調節電流，犧牲亮度來延長使用壽命；如果要求LED在較高的環境溫度下工作，則必須進一步降低電流來最小化環境到芯片溫升，以保證使用壽命。但是由于存在溫度上限，這樣做會降低中低環境溫度范圍的照明亮度，達不到高亮度的使用要求。
發明內容
針對現有技術存在的問題，本發明提出一種控制LED溫升的電路結構，在保證LED的驅動電流盡可能大以保證高亮度的情況下，控制LED的溫升來保證其使用壽命。為達到本發明的目的，本發明的控制LED溫升的電路結構包括調節LED陣列電流的檢測電阻器R7，包括一電阻R9的運算放大器電路以及熱敏電阻RT1，所述檢測電阻器R7同時作為控制器的反饋控制，所述運算放大器的輸出電壓通過所述檢測電阻器R7的電壓調節來控制；所述熱敏電阻RTl靠近驅動電路板上的中央LED連接。本發明的電路結構中使用了熱敏電阻控制運算放大器的LED驅動電路，其在LED電路板溫度上升時降低驅動電流，從而降低LED的功耗，并最終降低LED的溫升。這種電路結構可以延長LED在極端環境下的有效使用壽命。
通過下面結合附圖的詳細描述，本發明前述的和其他的目的、特征和優點將變得顯而易見。其中圖1所示為本發明的控制LED溫升的電路結構的結構原理圖。
具體實施例方式如圖1所示的本發明的一實施例的控制LED溫升的電路結構的結構原理圖，所述的電路結構中，包括調節LED陣列電流的檢測電阻器R7，包括電阻R9的運算放大器電路以及熱敏電阻RTl，所述檢測電阻5器R7同時作為控制器的反饋控制，所述運算放大器的輸出電壓通過所述檢測電阻器R7的電壓調節來控制；所述熱敏電阻RTl靠近驅動電路板上的中央LED連接。結合圖1詳述本發明的LED溫升的控制原理如下LED陣列電流通過檢測電流檢測電阻器R7的電壓來調節，并用作控制器的反饋控制；運算放大器電路(包括R9)，向反饋節點(FB)注入一個電流以降低調節電流，或者灌入它的電流來增加調節電流；FB節點電壓保持0.26V恒定不變。提高運算放大器輸出(TPl)的電壓，必須通過降低R7電壓來獲得補償，從而降低LED電流；當運算放大器輸出剛好為O. 26V時，注入電流為零，而LED調節不受影響。熱敏電阻RTl是一個負溫度系數(NTC)器件。25°C下它的標稱電阻為IOK歐姆，但在-40°C下增加至300K歐姆以上，而在100°C下則降低至IK歐姆以下，并且是以一種非線性的方式。電阻器R8和RlO將5V偏置電壓調低接近FB電壓，而R9的值則控制電流隨高溫變化減小的快慢。使用較好調節的偏置電壓非常重要，因為電路的精確度受到偏置容限的影響。電阻器R9必須盡可能地靠近電流模式增壓控制器放置，目的是最小化噪聲敏感度。使用熱環氧，將熱敏電阻RTl盡可能靠近PWB上的中央LED連接。高溫環境下，使用驅動高功率LED會使LED亮度退化、使用壽命縮短，這種情況下熱反饋電路便非常有用。它可以降低LED的電流，從而降低LED的功耗，并最終降低LED的溫升。本發明的這種電路結構可以延長LED在極端環境下的有效使用壽命。本發明并不局限于所述的實施例，本領域的技術人員在不脫離本發明的精神即公開范圍內，仍可作一些修正或改變，故本發明的權利保護范圍以權利要求書限定的范圍為準。
權利要求
1.一種控制LED溫升的電路結構，其特征在于，所述電路結構包括調節LED陣列電流的檢測電阻器，包括一電阻的運算放大器電路以及熱敏電阻，所述檢測電阻器同時作為控制器的反饋控制，所述運算放大器的輸出電壓通過所述檢測電阻器R7的電壓調節來控制；所述熱敏電阻RTl靠近驅動電路板上的中央LED連接。
全文摘要
本發明提出一種控制LED溫升的電路結構，包括調節LED陣列電流的檢測電阻器R7，包括電阻R9的運算放大器電路以及熱敏電阻RT1，所述檢測電阻器R7同時作為控制器的反饋控制，所述運算放大器的輸出電壓通過所述檢測電阻器R7的電壓調節來控制；所述熱敏電阻RT1靠近驅動電路板上的中央LED連接。本發明的電路結構中使用了熱敏電阻控制運算放大器的LED驅動電路，其在LED電路板溫度上升時降低驅動電流，從而降低LED的功耗，并最終降低LED的溫升。這種電路結構可以延長LED在極端環境下的有效使用壽命。
文檔編號H05B37/02GK103052213SQ201210504939
公開日2013年4月17日 申請日期2012年11月30日 優先權日2012年11月30日
發明者黃方 申請人:無錫中鉑電子有限公司