一種盲孔加工方法
【專利摘要】本發明公開了一種盲孔加工方法，包括：采用控深鉆工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鉆深度為b，其中，a大于3OZ，a減去b小于1OZ；采用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔；采用激光鉆工藝將所述盲孔下方的介質層去除。本發明技術方案由于先采用控深鉆工藝加工盲孔至一定深度，再采用蝕刻工藝繼續加工；可以防止因控深鉆精度差在介質層厚度小于4mil的情況下對銅箔層的傷害，并減輕側蝕的影響，很容易加工出小孔徑的合格盲孔。
【專利說明】一種盲孔加工方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電路板【技術領域】，具體涉及一種盲孔加工方法。
【背景技術】
[0002]盲孔加工技術是電路板發展的關鍵技術之一。通常使用的盲孔加工技術包括蝕亥IJ、機械鉆和激光鉆等。但是，對于銅箔厚度大于30Z且介質厚度小于4mil的厚銅電路板，現有技術很難加工出合格的盲孔。
[0003]采用控深鉆工藝時，如果銅厚大于30Z，則控深鉆的精度就無法有效控制，在介質厚度小于4mil時，容易傷害到盲孔下層的銅箔。。采用激光鉆工藝時，厚度大于30Z的銅箔很難被鉆穿。采用蝕刻工藝時，如果銅厚大于30Z，則側蝕的問題會很嚴重，無法加工孔徑較小，例如小于8密耳(mil)的盲孔。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供一種盲孔加工方法，以解決現有技術對于厚銅電路板很難加工出合格盲孔的技術問題。
[0005]一種盲孔加工方法,包括:
[0006]采用控深鉆工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鉆深度為b，其中，a大于30Z，a減去b小于IOZ ；
[0007]采用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔；
[0008]采用激光鉆工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
[0009]本發明實施例技術方案先采用控深鉆工藝加工盲孔至一定深度，再采用蝕刻工藝繼續加工，可以減少如介質厚度太薄時控深鉆精度不足對銅箔層造成的傷害，并減輕側蝕的影響，很容易加工出小孔徑的合格盲孔。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明實施例提供的盲孔加工方法的流程圖；
[0011]圖2至圖7是本發明實施例方法加工過程中各個步驟的電路板的示意圖。
【具體實施方式】
[0012]本發明實施例提供一種盲孔加工方法，可以解決現有技術對于厚銅電路板很難加工出合格盲孔的技術問題。以下進行詳細說明。
[0013]實施例一、
[0014]請參考圖1，本發明實施例提供一種盲孔加工方法，包括:
[0015]101、采用控深鉆工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鉆深度為b，其中，a大于30Z，a減去b小于10Z。
[0016]所說的電路板可以包括多層子板，其外層銅箔的厚度a大于30Z。本實施例中，盲孔加工過程分幾個階段進行。首先，采用控深鉆工藝在外層銅箔上鉆設盲孔，但不鉆穿該外層銅箔。假設控深鉆的深度為b，則應使a減去b小于10Z，即，外層銅箔留下小于IOZ —層不被鉆穿。
[0017]102、采用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔。
[0018]本步驟中，采用外用蝕刻工藝去除盲孔底部未被鉆穿的外層銅箔，使盲孔貫穿外層銅箔，具體步驟包括:先采用干膜保護所述外層銅箔上除所述盲孔以外的區域；再采用蝕刻工藝將所述盲孔蝕刻加深，直到貫穿所述外層銅箔；然后去除所述干膜。本步驟中，由于蝕刻深度小于10Z，側蝕的影響被降低到很小，不會對盲孔孔徑造成大的不良影響。
[0019]103、采用激光鉆工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
[0020]本步驟中，采用激光鉆工藝沿著盲孔繼續加工盲孔下方的介質層，將外層銅箔和次外層銅箔之間的介質層燒蝕去除。該介質層的厚度優選為小于4mil。激光鉆過程中，部分介質層會被去除，但也可能有部分介質層會碳化，形成碳化物遺留在盲孔中。于是，需要清除盲孔內因激光鉆工藝產生的碳化物。具體應用中，可以采用高錳酸鉀藥水清除所述碳化物。然后，還可以采用清水等對盲孔做進一步清洗。
[0021]至此，貫穿外層銅箔和緊鄰外層銅箔的介質層的盲孔已經加工完畢。后續，可以繼續采用常規工藝進行電路板加工，例如，沉銅電路，圖形轉移，阻焊加工等。
[0022]綜上，本發明實施例提供了一種盲孔加工方法，該方法先采用控深鉆工藝加工盲孔至一定深度，再采用蝕刻工藝繼續加工，使盲孔貫穿厚度大于30Z的外層銅箔，可以減少控深鉆深度過大、精度不足時對銅箔層造成的傷害，并減輕側蝕的影響，很容易加工出孔徑較小，例如小于8密耳(miI)的合格盲孔。
[0023]實施例二、
[0024]下面，結合加工過程中各個步驟的電路板的示意圖，對本發明實施例方法做進一步詳細的說明，包括以下步驟:
[0025]下料和層壓:如圖2所示，根據產品需要，提供若干依次間隔排列的介質層和銅箔層壓合到一起，最外側的兩面都是銅箔層，且外層銅箔201的厚度大于30Z ；
[0026]鉆孔:如圖3所示，在壓合后的電路板上鉆設出需要的通孔202 ；
[0027]控深鉆:如圖4所示，采用控深鉆工藝鉆穿部分層銅箔201，形成具有一定深度的盲孔203，此步驟中，盲孔203的加工深度小于外層銅箔201的厚度，盲孔203底部距離外層銅箔201的底部不超過IOZ ；
[0028]外層圖形:如圖5所不,在銅箔201表面設置干膜204,但露出盲孔203,以保護盲孔203以外的區域；
[0029]外層蝕刻:如圖6所示，蝕刻所述盲孔203，將盲孔203底部的外層銅箔201蝕刻掉，使盲孔203加深至貫穿外層銅箔201，然后去除干膜204 ；
[0030]激光鉆:如圖7所示，采用激光鉆工藝加工盲孔203底部，將下方的介質層205燒除掉或碳化，這里所說的介質層205是外層銅箔201和次外層銅箔之間的介質層；
[0031]去鉆污:將盲孔203內激光鉆燒過形成的碳化物用高猛酸價藥水去除干凈；
[0032]內層清洗:采用清水等清洗盲孔203內殘留的污物；
[0033]其它流程:例如沉銅電路，圖形轉移，阻焊加工等。
[0034]采用上述流程加工盲孔，可以減輕側蝕的影響，加工出孔徑小于8密耳(mil)的合格盲孔。
[0035]本發明實施例方法特別適用于銅箔較厚而介質較薄，例如銅箔厚度超過30Z，介質厚度小于4mil的電路板。
[0036]以上對本發明實施例所提供的盲孔加工方法進行了詳細介紹，但以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想，不應理解為對本發明的限制。本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種盲孔加工方法，其特征在于，包括: 采用控深鉆工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鉆深度為b，其中，a大于30Z，a減去b小于IOZ ; 采用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔； 采用激光鉆工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 清除所述盲孔內因激光鉆工藝產生的碳化物。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述的清除所述盲孔內因激光鉆工藝產生的碳化物包括: 采用高錳酸鉀藥水清除所述碳化物。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的采用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔包括: 采用干膜保護所述外層銅箔上除所述盲孔以外的區域； 采用蝕刻工藝將所述盲孔蝕刻加深，直到貫穿所述外層銅箔； 然后去除所述干膜。
5.根據權利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于: 所述盲孔的孔徑不大于8mil。
6.根據權利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于: 所述盲孔下方的介質層的厚度小于4mil。
【文檔編號】H05K3/40GK103813653SQ201210447393
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月9日 優先權日:2012年11月9日
【發明者】劉寶林, 郭長峰, 崔榮 申請人:深南電路有限公司