專利名稱：高頻天線單元、有其的磁共振裝置以及用于其的制造方法
技術領域：
本發明涉及ー種具有高頻天線和屏蔽單元的高頻天線単元，其特別是用于磁共振裝置。
背景技術：
磁共振裝置的梯度線圈在磁共振測量期間流過用于產生變化的梯度磁場的脈沖的電流。該脈沖的電流或變化的電流與磁共振裝置的恒定磁場在 用于容納患者的容納區域內部互相作用并且從而產生了不期望的振動和噪聲。借助梯度線圈產生的并且是交變的梯度磁場，在磁共振裝置的高頻天線的高頻導體內部和/或在磁共振裝置的高頻屏蔽裝置內部感應出渦流。該感應出的渦流與靜態的磁場互相作用并且從而導致在高頻天線、高頻導體和高頻屏蔽裝置內部的不期望的振動，該振動又產生附加的噪聲。此外，該感應出的渦流可以在高頻天線和/或高頻屏蔽裝置內部產生熱。該在高頻天線和/或高頻屏蔽裝置中所產生的熱可以導致在容納區域和/或患者內部的不期望的溫升。從而例如可以不利地影響對于患者的舒適性和/或由于特別是熱噪聲和/或高頻天線的功率損耗的增加而減小磁共振測量的效率。
發明內容
本發明要解決的技術問題是，提供ー種用于磁共振設備的高頻天線単元，其中降低和/或防止了渦流的感應。本發明從具有高頻天線和屏蔽單元的高頻天線単元出發，其特別是用于磁共振裝置。本發明建議，屏蔽単元和/或高頻天線至少部分地由具有至少ー種導電材料和不導電材料的復合材料形成。有利地，可以利用高頻天線和/或屏蔽單元防止交變的梯度場和/或交變的梯度脈沖的感應并且從而至少降低和/或防止在高頻天線和/或屏蔽單元內部的不期望的渦流的感應。此外，由于在高頻天線和/或屏蔽單元內部渦流的降低，還可以至少降低和/或防止在成像期間聲學噪聲和/或熱產生和/或偽影的形成。就此而論，應當特別地將屏蔽単元理解為被構造為用于向外屏蔽(特別是梯度單元的)高頻信號和/或用于將高頻天線與外部的干擾信號屏蔽的単元。優選地，這樣構造屏蔽單元，使得高頻天線的高頻信號在屏蔽單元上被反射。為此，將屏蔽單元沿著在高頻天線和梯度單元之間的徑向方向布置。優選地，屏蔽單元和/或高頻天線這樣構造，使得利用高頻天線和/或屏蔽單元通過與梯度場和/或梯度脈沖的相互作用產生的渦流的感應，由于復合材料的電特性、特別是導電性，在高頻單元和/或屏蔽單元內部可以被抑制。此外，特別應當將復合材料理解為包括了兩個或多個互相連接的材料和/或原料的原料，其中其原料特性可以構造為與復合材料的單個的材料和/或原料的材料特性不同。特別是對于復合材料的材料特性，單個成分和/或材料的物質特征和/或幾何特征(例如微粒大小)是重要的。例如，在纖維復合材料的情況下纖維和/或微粒嵌入到復合材料的，例如復合材料的陣列的另ー個成分中。不導電材料優選地包括絕緣體，后者可以至少部分地具有陶瓷和/或環氧樹脂和/或玻璃和/或云母和/或陽極化的銅和/或金屬氧化物和/或天然橡膠和/或合成橡膠和/或硅。此外，本發明建議，導電材料具有為至少SOXlO6Q-1Hr1的值的電導率，由此可以實現在高頻情況下、特別是在高頻天線的高頻信號的頻率范圍中的復合材料的有利的傳導。導電材料在20°c的溫度和直流電流情況下具有至少30 X IO6^r1nT1的電導率的值。如果在磁共振裝置中采用高頻天線単元，則該導電材料在20°c的溫度的情況下和在直流條件下優選地具有至少SS.OXKfQ—inT1的值的電導率。例如，高頻天線的高頻信號的頻率范圍，在具有主磁場的大約I. 5T的磁場強度的磁共振設備中位于大約63MHz,并且在具有主磁場的大約3. OT的磁場強度的磁共振設備中位于大約123MHz。此外，本發明建議，導電材料包括至少部分地互相分離地布置在復合材料內部的導電材料成分(Werkstoffelemente),由此可以有利地產生在復合材料內部單個導電材料元件之間的電容分離。單個導電材料成分的電容分離產生復合材料的取決于頻率的電導率，從而優選地實現在兆赫茲范圍內的頻率范圍中的頻率信號的電傳導和在千赫茲范圍中 的頻率范圍中的頻率信號的電不傳導和/或絕緣。優選地，至少部分地互相分離布置的導電材料成分形成三維的、特別是不規則的框架和/或三維的、特別是不規則的結構，其至少是部分地中斷的并且其嵌入在由不導電材料所包括的陣列內部。在此，導電材料的單個導電材料成分在復合材料內部通過不導電材料分離。例如，可以由單個微粒和/或單個粒子形成互相分離的導電材料成分。然而特別有利的是，導電材料包括至少部分地由纖維和/或線形成的導電材料成分。由此，可以特別有利地實現在復合材料內部對于屏蔽功能重要的網絡結構。優選地，纖維和/或線包括至少大約I y m的長度和大約2000 u m的最大長度、然而優選為大約200 u m的最大長度。在此,纖維和/或線的橫截面可以包括大約IOiim的最大值，優選大約I. Oiim的最大值并且特別優選地包括大約0. 5 ii m的最大值。特別優選地，導電材料包括至少部分由碳納米管和/或石墨材料(Graphen-Werkstoff)形成的導電材料成分，由此，可以為屏蔽單元和/或高頻天線提供具有在高頻情況下、特別是在兆赫茲范圍內的頻率情況下具有非常小的歐姆損耗的導電材料成分的復合材料。在此，特別應當將碳納米管理解為這樣的導電材料，其至少部分地由碳的微小管型結構、特別是由分子的納米管(carbon nanotubes=CNT)形成。在本發明的另ー個構造中建議，高頻天線具有包括了布置在高頻天線的天線片段內部的至少ー個導體元件的高頻天線失諧單元。就此而論，特別應當將高頻天線失諧單元理解為可以用來將在被動的(passiv)和/或非主動的(nicht-aktiv)運行模式中的高頻天線的失諧頻率范圍關于在主動的運行模式中的頻率范圍失諧的単元。在此，失諧頻率范圍被構造為與在主動的運行模式中的頻率范圍不同，其中，該頻率范圍可以由高頻天線的發送頻率范圍和/或接收頻率范圍形成。在此，可以將高頻天線構造為發射機天線和/或構造為接收機天線。高頻天線優選地包括多個天線片段。通過按照本發明的構造可以有利地對于高頻天線的失諧實現非線性的電組件、例如PIN ニ極管的接通，方法是，借助導體元件可以將失諧電流與高頻信號重疊。優選地，對于每個非線性電組件和/或一組非線性電組件設置具有導體元件的失諧電路，其中將該導體元件布置在復合材料內部。
如果至少一個導體元件至少部分地具有銅絲，則可以特別簡單和有效地實現高頻天線的失諧。由于該至少ー個導體元件作為銅絲的構造，提供適合于高頻天線的失諧的好的導體，其特別是對至少部分地由具有相對于失諧的高的電阻的復合材料形成的高頻天線提供失諧電壓。借助直流電流的饋入來進行高頻天線的失諧，其中復合材料具有相對于直流電流的高的電阻。然而，可以特別有利地借助銅絲來抑制該高的電阻。優選地，銅絲具有至少0. 5mm2的橫截面，由此可以有利地防止銅絲的過熱，特別是在銅絲中施加的電流強度為至少數百mA吋。此外，由于小的橫截面還可以抑制在銅絲內部的渦流的感應。作為至少一個導體元件作為銅絲的構造的替換或附加，該至少一個導體元件還可以至少部分地以薄導體層的形式布置在天線片段內部。優選地，薄導體層的橫截面積為至少0. 5_2，從而在此同樣可以防止薄導體層的過熱和/或不期望的損壞，特別是在薄導體層中施加的至少數百mA的電流強度的情況下。此外，由于薄導體層的小的橫截面，可以抑制在導體層內部的渦流的感應。特別優選地，薄導體層可以至少部分地由金屬粉末和/或金屬薄片和/或銀材料和/或包含石墨的材料和/或氧化銦錫和/或摻氟的氧化錫和/或摻雜的氧化錫和/或由碳納米管構成的有機導體層和/或石墨材料(Graphen-Werkstoff)形成。在此，可以將該薄的導體層嵌入地布置在復合材料內部。 此外，本發明還從ー種具有包括了高頻天線単元、主磁體和梯度單元的磁體單元和分析単元的磁共振裝置出發。此外，本發明還從ー種用于制造高頻天線単元的方法出發，其中，屏蔽單元和/或高頻天線由具有至少ー種導電材料和不導電材料的復合材料制造。本發明建議,將復合材料噴涂到載體單元上。優選地,該載體單元具有載體材料，該載體材料由電絕緣的材料形成，以便防止對屏蔽単元和/或高頻天線的不期望的損害。載體單元例如可以由在環氧樹脂中澆注的圓柱形梯度線圈的內側形成。通過按照本發明的構造，可以有利地實現屏蔽單元和/或高頻天線的特別低成本的和快速的制造。此外，本發明建議，將復合材料在液體的聚集態和/或在溶劑中溶解地噴涂到載體単元上。可以將特別薄的復合材料層以均勻厚的層厚噴涂到載體単元上。例如，可以將復合材料按照復合材料墨水的形式通過噴墨エ序噴涂到載體単元上。復合材料的層厚優選地取決于復合材料的材料。然而特別地，這樣構造復合材料的最小層厚，使得最小層厚為電磁波的大約1-2個入射深度，其中在復合材料中的ー個入射深度之后，電磁波的振幅還相應于擊中屏蔽單元的電磁波的振幅的1/e。如果將具有40% (體積百分比)并且優選最大30% (體積百分比)至40% (體積百分比)的最大比例導電材料的復合材料噴涂到載體單元上，則可以實現對在高頻天線內部不期望的渦流的特別有利的降低。特別優選地，噴涂具有包括了石墨材料和/或碳納米管的導電材料的復合材料，由此可以對于屏蔽單元和/或高頻天線提供具有在高頻情況下，特別是在兆赫茲范圍中的頻率情況下具有非常小的歐姆損耗的導電材料的復合材料。優選地，具有包括了石墨材料和/或碳納米管的導電材料的復合材料的層的最小厚度至少為2 ii m。在本發明的ー種優選擴展中建議，將高頻天線失諧單元的至少ー個導體元件定位在載體單元上，并且然后將復合材料噴涂到載體單元上。可以與高頻天線失諧單元一起特別簡單地制造高頻天線單元、特別是高頻天線。
替換地，本發明從一種用于制造高頻天線単元的方法出發，其中，屏蔽單元和/或高頻天線由具有至少ー種導電材料和至少ー種不導電材料的復合材料制造。本發明建議，通過注塑成型エ藝來制造屏蔽單元和/或高頻天線由復合材料，由此可以實現屏蔽單元和/或高頻天線的特別簡單和成本低的制造。
本發明的其他優點、特征和細節從以下結合附圖對實施例的描述中得出。附圖中，圖I以示意圖示出了按照本發明的磁共振裝置，圖2示出了具有按照本發明的高頻天線単元的磁體單元，圖3示出了具有高頻天線失諧單元的高頻天線單元,和
圖4示出了按照本發明的制造方法。
具體實施例方式圖I示出了按照本發明的磁共振裝置10。磁共振裝置10包括具有用于產生強的和特別是恒定的主磁場13的磁體單元11 (圖I和2)。磁體單元11的主磁體12為此包括超導勵磁線圈40。此外，磁共振裝置10還具有用于容納患者15的圓柱形容納區域14，其中容納區域14在圓周方向上由磁體單元11包圍。患者15可以借助磁共振裝置10的患者臥榻16被移動到容納區域中。患者臥榻16為此可移動地布置在磁共振裝置10內部。磁體單元11還具有用于產生磁場梯度的梯度線圈17，其用于在成像期間的位置編碼。借助梯度控制単元18控制梯度線圈17。此外磁體単元11具有勻場單元19，其沿著徑向方向20布置在梯度線圈17和主磁體12之間。借助勻場單元19均衡主磁場13的非均勻性，從而提供用于磁共振檢查的盡可能均勻的主磁場13 (圖I和2)。磁體單元11還包括高頻天線單元21,其包括高頻天線22和高頻天線控制單元23，用于激勵在由主磁體12所產生的主磁場13中建立的極化。高頻天線22由高頻天線控制單元23控制并且將高頻的磁共振序列入射到基本上由容納區域14形成的檢查空間中。由此將磁化從其均衡位置偏轉。此外，借助高頻天線22接收磁共振信號。高頻天線単元21此外還具有屏蔽單元24 (圖2)。為了控制主磁體12、梯度控制單元18和為了控制高頻天線控制單元23，磁共振裝置10具有由計算單元所形成的控制單元25。控制單元25中央地控制磁共振裝置10，例如實施預定的成像梯度回波序列。此外，控制單元25包括用于分析圖像數據的分析単元。控制信息(諸如成像參數)以及重建的磁共振圖像可以在磁共振裝置10的顯示單元26上，例如在至少ー個監視器上顯示給磁共振裝置10的操作者。此外，磁共振裝置10還具有輸入単元27，借助該輸入単元可以由操作者在測量過程期間輸入信息和/或參數。輸入單元27例如可以包括鍵盤和/或計算機鼠標和/或其他輸入元件。所示出的磁共振裝置10當然還可以包括磁共振裝置10通常具有的其他組件。磁共振裝置10的一般性工作原理對于專業人員是公知的，從而對一般的組件不作詳細描述。屏蔽單元24沿著徑向方向20布置在高頻天線22和梯度線圈17之間。此外屏蔽単元24圓柱形地構造并且布置在梯度線圈17的圓柱形的載體單元29的內側。借助圓柱形的載體單元29放置梯度線圈17，其中圓柱形的載體單元29由電絕緣的材料、特別是由環氧樹脂形成。在此，將梯度線圈17澆注在圓柱形的載體單元29內，其中載體單元例如由環氧樹脂或玻璃纖維增強塑料(GFK)形成。在高頻天線單元21的一種替換的構造中，屏蔽單元24可以獨立于梯度線圈17和/或在可以實現有利的屏蔽的其他區域上，布置在高頻天線單元21內部。高頻天線22具有高頻天線導線31，其構造為用于對高頻天線22傳輸和/或提供高頻信號。高頻天線導線31被布置在由高頻天線22的高頻天線支架形成的圓柱形載體單元32上。高頻天線22的圓柱形載體單元32由電絕緣的和/或不導電材料，例如環氧樹脂和/或玻璃纖維增強塑料形成。為了高頻信號的有效信號傳導和在直到數千赫茲的頻率范圍中感應的 渦流的有效抑制，屏蔽單元24和高頻天線22至少部分地由具有導電的第一材料和不導電的第二材料的復合材料形成。在本發明的一種替換的構造中，復合材料還可以具有其他導電材料和/或不導電材料。不導電材料例如由陶瓷形成。此外，不導電材料在高頻、特別是在高頻天線的高頻信號的頻率下，具有小的介電損耗tan( S)，其中，損耗角8反正切定義了不導電材料的有功功率與無功功率的比例。替換地或附加地，不導電材料還可以由環氧樹脂和/或玻璃和/或云母和/或陽極氧化的銅和/或金屬氧化物和/或天然橡膠和/或合成橡膠和/或硅和/或其他專業人員認為是有意義的材料形成。不導電材料在復合材料內部形成不導電陣列，其中導電材料的導電材料成分嵌入和/或布置在不導電陣列內部。導電材料具有如下的電導率該電導率在大約20°C的溫度和直流電流情況下具有至少58. OX IO6Q-1HT1的值，以便使得在高頻天線22和屏蔽單元24內部、特別是復合材料內部具有在兆赫茲范圍中的頻率的信號的傳導成為可能。在高頻天線単元21的用于磁共振裝置10的替換的應用中，導電材料還可以具有在20°C和在直流電流情況下至少30 X IO6 Q 的電導率。此外，導電材料由單個的導電材料成分形成，后者在由不導電材料形成的不導電陣列內部被至少部分互相分離地布置。導電材料的導電材料成分優選由線和/或纖維形成。優選地，導電材料的導電材料成分由碳納米管(CNT)和/或石墨材料形成，從而呈現對于導電材料的具有小的歐姆損耗的特別有利的電導率和/或在高頻天線22和屏蔽單元24內部具有在兆赫茲范圍中的頻率的信號的有利的傳導。由碳納米管和/或由石墨材料構成的纖維和/或線具有大約10 ii m的最大橫截面、優選大約I. 0 ii m的最大橫截面并且特別優選大約0. 5 y m的最大橫截面值。由碳納米管和/或由石墨材料構成的纖維和/或線的長度為I 和最大大約2000 iim之間，然而優選在I ii m和最大200 之間。導電材料的導電材料成分在復合材料或由不導電材料形成的陣列內部被布置為三維的不規則框架和/或三維的不規則結構，從而導電材料成分在不導電陣列內部形成網狀的框架和/或網狀的結構。然而，三維的不規則框架和/或三維的不規則結構中斷，使得單個導電材料成分至少部分地在空間上互相分離地布置在三維不規則框架和/或三維不規則結構內部。但是，單個導電材料成分的布置是不規則的，從而在單個導電材料成分之間的間隔也是不規則的。在單個導電材料成分之間的中間空間由不導電材料填滿。由于在單個導電材料成分之間的空間分離，在單個導電材料成分之間形成電容分離。在此，這樣選擇在單個導電材料成分之間的間隔，使得對于在兆赫茲范圍中的頻率信號進行頻率信號傳導并且對于在赫茲范圍直到千赫茲范圍的頻率信號在復合材料內部的頻率信號傳導被阻止。在此，在單個導電材料成分之間的間隔取決于復合材料內部的導電材料成分的長度和/或橫截面積和/或濃度。復合材料內部的導電材料成分的濃度為最大40% (體積百分比)、但優選為最大30% (體積百分比)至40% (體積百分比)。對于在低頻范圍中的頻率信號，特別是在赫茲范圍至千赫茲范圍中的頻率信號，復合材料由于中斷的三維不規則框架和/或中斷的三維不規則結構而具有低的電導率，從而降低和/或阻止了通過具有優選在千赫茲范圍中的頻率的梯度場和/或梯度脈沖感應出的電渦流。優選地，復合材料的電導率在該頻率范圍具有絕緣體的電導率值。相反，在高頻天線的頻率信號情況下，特別是在兆赫茲范圍中的頻率信號的情況下，復合材料具有聞的電導率，從而這樣在數兆赫茲的頻率范圍中進行聞頻天線22和屏蔽單兀24的聞頻信號的傳導。這樣構造復合材料的組合，使得在兆赫茲范圍中的比電阻(spezif ischerWiderstand)最小，但是在赫茲范圍和千赫茲范圍中取最大的值。此外，高頻天線単元21包括高頻天線失諧單元33，其構造為用于在高頻天線22的 被動的運行模式中和/或在非運行(Nichtbetrieb)中高頻天線22的失諧(圖3)。高頻天線失諧単元33具有多個導體元件34，其分別布置在天線片段35中，其中在圖3中示例性示出了具有導體元件34的天線片段35。導體元件34由細銅絲形成。細銅絲的橫截面積為至少0. 5mm2，從而在高頻天線失諧單元33的運行中抑制細銅絲的變熱并且因此防止細銅絲的損壞。在高頻天線失諧單元33的運行中至少數百mA的直流電流流過導體元件34。銅絲由復合材料包圍地布置在天線片段35內部(圖3)。銅絲在高頻天線失諧單元33的失諧電路36內部在第一端與PIN ニ極管37導電相連并且在第二端經過線圈41與偏置電壓源38相連。線圈41具有高的阻抗以抑制在失諧電路36中高頻信號的不期望的耦合。高頻天線22的天線片段35集成在高頻信號電路39中。在高頻天線22的被動運行模式和/或非運行期間，借助高頻天線失諧單元33在天線片段上施加失諧電流，從而在高頻天線22的被動運行模式和/或非運行的當前頻率與在天線元件22的運行模式、例如發送運行模式和/或接收運行模式中高頻天線22的運行頻率相區別。作為高頻天線失諧単元33的導體元件34作為銅絲的構造的替換，導體元件34還可以構造為薄的導體層，其中薄的導體層優選地由具有諸如銅的電導率的類似的好的電導率的材料形成。在此，薄的導體層可以由金屬粉末和/或金屬薄片和/或銀材料和/或包含石墨的材料和/或氧化銦錫和/或摻氟的氧化錫和/或摻雜氧化錫和/或由碳納米管構成的有機導體層和/或石墨材料和/或專業人員認為是有意義的其他材料形成。在此，薄的導體層的橫截面積應當為至少0. 5_2，從而在這里高頻天線失諧單元33的運行同樣可以防止薄的導體層的變熱并且由此防止薄的導體層的損壞。對于上面描述的具有屏蔽單元24的高頻天線元件21的制造，在圖4中描述了用于制造高頻天線單元21的方法。在該方法中，在噴涂エ序101中將復合材料為了制造屏蔽単元21和高頻天線22借助未詳細示出的噴涂裝置噴涂到載體單元29、32上。在此，將復合材料在噴涂エ序101中噴涂到梯度線圈17的圓柱形載體單元29的在徑向方向20上位于內部的側面上。此外，將復合材料在噴涂エ序101中噴涂到高頻天線22的圓柱形載體單元32的在徑向方向20上位于外部的側面上。在噴涂エ序101之前,將復合材料轉換到液體的聚集態(Aggregatzustand)和/或在溶劑中溶解然后以噴液的形式在噴涂エ序中借助噴涂裝置噴涂到載體單元29、32上。噴液例如可以是具有液體的和/或溶解的復合材料的墨狀的液體，其借助噴涂的墨水束被噴涂到載體単元29、32上。還可以考慮噴液的其他構造。復合材料在液體聚集態和/或在溶解狀態具有大約40% (體積百分比)的最大比例導電材料并且優選最大30%至40% (體積百分比)，其中導電材料優選包括碳納米管和/或石墨材料。通過噴涂在液體聚集態和/或在溶劑中溶解的狀態的復合材料，實現了在高頻天線22和屏蔽單元24內部對于復合材料的均勻厚的層厚。為了在高頻天線22內部集成高頻天線失諧單元33,在定位エ序100中將高頻天線失諧單元33的導體元件34預先定位在圓柱形載體單元32上并且然后噴涂按照液體聚集態和/或在溶解狀態的復合材料。在噴涂エ序101之后，在干燥エ序102中干燥復合材料的噴涂的層。在此，在圓柱形載體單元29上的復合材料的層厚對于高頻天線22以及對于 屏蔽單元24都為至少2 ym，但是優選直至數百ym。然而，復合材料的層厚構造得越厚，則屏蔽單元24和高頻天線22構造得越堅固和穩定，從而層厚可以為直至數毫米。作為復合材料到載體單元的載體元件上的噴涂的替換，還可以按照注塑成型方法來制造屏蔽單元24和高頻天線22。
權利要求
1.一種具有高頻天線(22)和屏蔽單元(24)的高頻天線單元，特別是用于磁共振裝置(10)，其特征在于，所述屏蔽單元(24)和/或所述高頻天線(22)至少部分地由具有至少一種導電材料和至少一種不導電材料的復合材料形成。
2.根據權利要求I所述的高頻天線單元，其特征在于，所述導電材料具有如下的電導率該電導率具有至少Soxio6Q-1Iir1的值。
3.根據權利要求I或2所述的高頻天線單元，其特征在于，所述導電材料包括至少部分地互相分離地布置在復合材料內部的導電材料成分。
4.根據權利要求I至3中任一項所述的高頻天線單元，其特征在于，所述導電材料包括至少部分地由纖維和/或線形成的導電材料成分。
5.根據權利要求I至4中任一項所述的高頻天線單元，其特征在于，所述導電材料包括至少部分由碳納米管形成的導電材料成分。
6.根據上述權利要求I至5中任一項所述的高頻天線單元，其特征在于，所述導電材料包括至少部分由石墨材料形成的導電材料成分。
7.根據上述權利要求I至6中任一項所述的高頻天線單元,其特征在于，所述高頻天線(22)具有包括了布置在天線片段(35)內部的至少一個導體元件(34)的高頻天線失諧單元(33)。
8.根據權利要求7所述的高頻天線單元，其特征在于，所述至少一個導體元件(34)至少部分地具有銅絲。
9.根據權利要求7所述的高頻天線單元，其特征在于，至少一個導體元件(34)至少部分地以薄導體層的形式被布置在天線片段(35)內部。
10.根據權利要求9所述的高頻天線單元，其特征在于，所述薄導體層至少部分地由金屬粉末和/或金屬薄片和/或銀材料和/或包含石墨的材料和/或氧化銦錫和/或摻氟的氧化錫和/或摻雜氧化錫和/或由碳納米管構成的有機導體層和/或石墨材料形成。
11.一種具有磁體單元(11)和分析單元的磁共振裝置，該磁體單元包括了按照權利要求I所述的高頻天線單元(21)、主磁體(12)和梯度單元(17)。
12.一種用于制造按照權利要求I所述的高頻天線單元(21)的方法，其中，屏蔽單元(24)和/或高頻天線(22)由具有至少一個導電材料和至少一種不導電材料的復合材料制造，其特征在于，將復合材料噴涂到載體單元(29，32)。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，將復合材料在液體的聚集態和/或在溶劑中溶解地噴涂到所述載體單元(29，32 )上。
14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，噴涂具有40%(體積百分比)的最大比例導電材料的復合材料。
15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，噴涂具有包括了石墨材料和/或碳納米管的導電材料的復合材料。
16.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，將高頻天線失諧單元(33)的至少一個導體元件(34)定位在所述載體單元(29，32)上并且然后將復合材料噴涂到該載體單元(29,32)上。
17.一種用于制造按照權利要求I所述的高頻天線單元(21)的方法，其中屏蔽單元(24)和/或高頻天線(22)由具有至少一種導電材料和至少一種不導電材料的復合材料制造，其 特征在于，所述屏蔽單元(24)和/或高頻天線(22)由復合材料通過注塑成型工藝制造。
全文摘要
高頻天線單元、有其的磁共振裝置以及用于其的制造方法。本發明涉及一種具有高頻天線(22)和屏蔽單元(24)的高頻天線單元，特別是用于磁共振裝置(10)，其特征在于，所述屏蔽單元(24)和/或所述高頻天線(22)至少部分地由具有至少一種導電材料和至少一種不導電材料的復合材料形成。
文檔編號H05K9/00GK102810724SQ20121017415
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月30日 優先權日2011年5月30日
發明者S.波佩斯庫 申請人:西門子公司