專利名稱：選擇性金屬化基底的方法以及根據該方法制備的電路板的制作方法
選擇性金屬化基底的方法以及根據該方法制備的電路板本發明涉及一種選擇性金屬化具有由容納或承載添加劑的塑料組成的主要材料成分的基底的方法，其中在待金屬化區域內借助燒蝕法蝕刻掉基底近表面層。此外，本發明涉及根據該方法制備的電路板。自從上世紀六十年代初首次實現強粘附性濕化學法金屬化由ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)形成的注塑塑料零件以來，出現了大量方法革新來另外出于功能化和/或裝飾性表面精加工目的而強粘附性金屬化工程塑料，例如具有直到約150°C的連續使用溫度的聚酰胺(PA)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)或聚碳酸酯(PC)和可負荷更高熱的高性能塑料，例如聚醚酰亞胺(PD、聚苯硫醚(PPS)、聚醚醚酮(PEEK)或液晶聚合物(LCP)。一般而言，可以將塑料表面在其金屬化之前的預處理分成精整、引晶和活化的方法步驟。專業文獻中描述了全系列用于塑料表面的表面預處理的不同的機械、化學和物理方法，尤其在化學法的情況下經常使這些方法與塑料表面的特性相協調。所有這些方法的本質在于塑料-基底表面的消溶(AufschliePen),以產生對于待沉積的金屬層而言必需的粘附底層。在化學法的情況下，通過從表面中浸蝕或溶脹和溶出成分實現粗糙化處理，所述粗糙化處理同時顯示出往往與親水化聯系的表面增大。因此,專利申請DE 100 54 544A1公開了化學金屬化表面，尤其是由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)及其與其它聚合物的混合物(共混物)組成的表面的方法，其中將其表面在Cr(VI)離子于硫酸中的高濃度溶液中浸蝕。屬于本領域技術人員通常理解的是(也見于Schriftenreihe Galvanotechnik des Eugen G. Leuze Verlags ；Schuchentrunk, R. et al. ;“Kunststoffmetallisierung，，， Bad Saulgau 2007 ；ISBN3-87480-225-6)，這些溶液的侵入性浸蝕攻擊將從ABS基底基質表面氧化性地分解丁二烯組分并且氧化產物選擇性地從表面溶出，并因此允許產生多孔的、帶有孔穴的基底表面，所述基底表面對于隨后的貴金屬引晶和化學金屬化而言由于所謂的“按鈕效應”導致良好的粘附強度。文獻EP 0 146 724B1公開了為了預處理由聚酰胺構成的模制品的表面，在無電流金屬化之前，在非腐蝕性有機溶脹劑或溶劑中的元素周期表第IA或IIA族的元素的鹵化物與元素周期表第IIIA、IIIB、IVA、IVB, VIA和VIIA族的硫酸鹽、硝酸鹽或氯化物，或者第 VIIIA族的非貴金屬的硫酸鹽、硝酸鹽或氯化物，和元素周期表第IB和VIIIA族元素的金屬有機絡合物的混合物中進行處理。文獻DE 10 2005 051 632B4也致力于在化學金屬化之前預處理塑料、特別是聚酰胺的目的，其采用以含有由Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca和Zn組成的組的鹵化物和/或硝酸鹽的浸蝕溶液處理塑料表面的方法，其中該溶液含有通式M1 (HF2) 的配位化合物形式的可溶氟化物。為制備選擇性金屬化的塑料零件，過去經常利用雙組份注塑工藝。特別是在上世紀90年代，為制備例如注塑三維電路板(3-D MID)，形成兩種可能的方法途徑，即SKW 法(Sankyo Kasei Wiring)和 PCK 法(Printed Circuit Board Kollmorgan),也見于“Proceedings of 1st International Congress Molded Interconnect Devices，，，1994 年 9 月 28-29 日，Erlangen, Germany, Research Association Interconnect Devices 3-D MID e. V.出版，ISBN 3-87525-062-1。這兩種方法的特征是使用能金屬化的或對金屬化而言能活化的塑料材料與不能金屬化的或不能預處理成對金屬化而言能活化的材料的組合。在這種技術的進一步發展的過程中，在這期間使用核心催化(kernkatalytisch) 塑料作為用于能金屬化的組分的材料，所述塑料例如用鈀摻雜。在由鈀摻雜的和非鈀摻雜的塑料進行雙組分注塑之后，必須如此預處理其中存在核心催化塑料組分的注塑件的表面區域，使得無電流金屬化浴可到達嵌入塑料中的鈀晶核。在將LCP作為經常用于MID-零件的高性能材料的情況下，這通過將表面在強堿性溶液中浸蝕來進行。因此，尤其由文獻DE 100 54 088C1已知，可以在雙組分注塑工藝中如此制備由高性能材料(如LCP)和間規聚苯乙烯的有利的組合所組成的三維電路板(3-D MID)，即可以使核心催化LCP組分的選擇性金屬化在10-15當量濃度的氫氧化鈉溶液中在介于60和 90°C的溫度浸蝕之后進行。通過這種浸蝕步驟溶解了 LCP的注塑結皮(Spritzhaut)，并將塑料中包埋的礦物填料顆粒溶出。以這種方式又產生多孔的表面，所述表面導致隨后沉積的金屬化的良好粘附底層。在精整塑料表面之后進行引晶。在引晶時發生鈀化合物在經精整的塑料表面上的吸附。這大多在含有離子型或膠體型鈀的鹽酸溶液中發生。離子型引晶大多借助二價的 Pd2+，主要以四氯鈀酸(II)離子[PdCl4]2_的形式進行。而膠體型引晶包含通過保護膠體保持在溶液中的金屬型鈀。作為保護膠體，大多使用氯化錫(II) SnCl2。其在鈀-錫簇周圍形成帶負電荷的保護殼，所述保護殼可以與水分子的偶極發生相互作用，由此將金屬簇保持在溶液中。簇直徑在介于2和IOnm之間的范圍內變動。膠體溶解的鈀-錫簇的結構例如描述于 R. L. Cohen ；K. ff. West, J. Electrochem. Soc. 120，502 (1973)中。在最后步驟中，在真正金屬化塑料表面之前，引晶之后接著活化，即在經預處理的表面上產生金屬鈕晶核。如果是離子型引晶，則通過還原劑，例如次磷酸鈉NaH2PO2或二甲氨基硼烷 (CH3) 2NH-BH3將吸附的鈀化合物還原為金屬鈀。在膠體型鈀(金屬鈀已經存在，但結合在保護膠體中)引晶之后，在金屬鈀吸附于塑料表面上的同時，在基底表面上進行保護膠體的破壞。本領域技術人員在此稱為促進。作為促進劑，采用例如草酸H00C-C00H或四氟硼酸HBF4,它們除去保護膠體的SnCl2外殼，并因此導致脫除了保護殼的鈀簇直接積聚在塑料表面上。在隨后的這里僅應當視為無外電流并因此是化學金屬化步驟的金屬化步驟中，緊隨著離子型或膠體型引晶而產生的鈀原子通過催化處于電介液中的金屬離子與還原劑之間的還原反應而干擾電介質的亞穩平衡。如果所述反應先被引發，則金屬沉積自催化地繼續進行，并且所沉積的金屬此后本身催化還原反應，類似鈀簇。塑料零件的選擇性金屬化在三維注塑電路板(Molded Interconnect Devices, 3-D MID)領域扮演特別重要的角色。這種技術在近年來越來越具重要性，因為它們在機械電子系統的設計時能夠理想地將幾乎任意的塑料注塑工藝的設計自由度及其機械功能性與電路板生產可能性聯系起來。
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有關MID的不同制造方法的概況見于手冊“Herstellungsverfahren, Gebrauchsanforderungen und Materialkennwerte Rauml icher Elektronischer Baugruppen 3-DMID”，Herausgeber For schungsvereinigung Raumliche Elektronische Baugruppen 3-D MID e. V. D—Erlangen, Carl Hanser Verlag, Miinchen 2004(ISBN 3-446-22720-2)。除已經提及的雙組分注塑工藝(其中將可金屬化和不可金屬化的塑料整合在零件中，然后可以選擇性地金屬化在表面上大多作為印制導線形成的由可金屬化的組分組成的電路區域)以外，所謂的激光直接結構化在近年來在制造MID時已獲得了顯著的市場份額。制造印制導線的基本原則和它的制造方法公開于文獻EP I 274288B1中。在此， 將添加劑混入用作電路板的塑料中，所述添加劑一般由周期表的d族和f 族的金屬氧化物組成，在特別的實施方式中由尖晶石組成，和在進一步的詳細說明中由含銅的尖晶石組成； 并將所獲得的塑料零件隨后用激光的電磁輻射加工。在這種情況下，在塑料零件的表面上實現關系到聚合物表面的碎裂的輕微蝕刻，所述蝕刻伴隨同時形成催化活性的晶核，所述晶核來源于激光輻射與塑料中納入的添加劑的作用。如此活化的零件可以隨后在無電流銅浴中選擇性鍍銅。盡管在制造MID時且尤其是在制造移動通信天線領域巨大的市場成功，但所述方法也有缺點，所使用的添加劑具有黑色的固有色并因此在為了產生對隨后的金屬化而言足夠的活性而必需的濃度時，經添加的塑料或者由此制造的注塑件本身呈現黑色的顏色。這如下限制了例如在移動電話領域的設計自由度，即殼(可適宜地在內側加載金屬天線結構)在外側僅可以制備為黑色，并且必須在額外的步驟中根據設計要求，例如通過涂漆技術將它們染色。所述方法的另一缺點在于這樣的事實，材料(并且屬于此的尤其是幾乎只用于制造移動電話的天線的ABS和PC/ABS-共混物)在激光結構化或者激光活化期間特別容易傾向于形成熔體，并因此也許會部分地將經活化的添加劑再次包封，而非常難于金屬化。在實踐中經常對這些激光結構化的零件進行兩步銅金屬化過程，其中第一銅浴由高活性的化學銅電解液組成，在其中將零件用約1-3 U m的銅“強化鍍銅(anverkupfert) ”,以使它們此后在標準活化的銅電解液中再次鍍銅直至額定層厚度。本領域技術人員可知，高度活化的銅浴的壽命非常快速地達到且之后這些銅浴變質并且必須加以清除。這種兩步的銅浴結果因此是昂貴的并需要額外的銅罐容量，這需要更長的金屬化路徑或者與一步操作方式相比減少了容量。在WO 2008/119359A1 中和在 “Proceedings of 8th International Congress Molded Interconnect Devices”，2008 年 9 月 24-25 日，Nuremberg-Fuerth, Germany,由 Research Association Interconnect Devices 3-D MID e. V.出版中同樣公開了激光支持的選擇性金屬化塑料表面用于制造三維電路板的方法，其中僅進行塑料的表面粗糙化處理，而塑料不含在激光結構化之后可能會對化學鍍銅起催化劑作用的添加劑。在這種情況下，激光處理在液體內部進行，最簡單的情形是在水下進行。隨后的鈀活化和金屬化之后再次遵循已知的和以前描述過的現有技術。顯然，在液體內部采用激光對零件頻繁三維結構化是實踐中僅可繁瑣地實現的做法，并且該方法顯得不經濟。鑒于所述激光支持的結構化和選擇性金屬化塑料表面方法的缺點，本發明的目的是提供一種實質上改進的方法。根據本發明，該目的由此實現，塑料含有作為添加劑的至少一種選自包含鋁硅酸鹽，尤其是架狀鋁硅酸鹽的物質組的化合物；和通過燒蝕法在塑料表面的待金屬化區域內實現對納入塑料中的鋁硅酸鹽的可接觸性和鋁硅酸鹽的孔或孔結構的開放，從而實現貴金屬，尤其是鈀的嵌入；和最后進行無外電流的金屬化，其中起初在孔或孔結構內部的金屬也沉積在孔的外邊緣區域，從而在基底的表面上形成平面金屬化層。因此，尤其在聚合物基質中構入由于其性質而配有空腔結構的物質，其中，在選擇性燒蝕由聚合物基質制備的塑料體的表面結皮之后，暴露出這些物質的空腔結構，此后應當按照已知的和在塑料金屬化方面經驗證的方法進行經燒蝕區域的貴金屬引晶。為此例如在任何熱塑性或熱固性 (duroplastisch)聚合物基質中納入一種或多種選自天然或合成架狀招娃酸鹽(一般被稱為沸石)的組的化合物。沸石的主結構形成單元是TO4-四面體，其中T-位置被硅或者鋁占據。通過連接單個的單元產生三維網絡，其中幾乎所有的氧原子都與兩個四面體連接。然而，在此根據經驗的Loewenstein規則，沒有兩個鋁原子可以連接至共同的氧原子上。因為鋁僅為正三價，然而卻是四配位的，從而每個AlO4-四面體產生一個負電荷。這通過不直接結合到網絡中的陽離子來平衡。這類離子的實例是K、Na、Ca、Li、Mg、Sr、Ba等，它們可以容易地被置換。在制備合成沸石時，尤其還使用Ga、Ge、Be和P作為四面體陽離子，以及使用堿金屬元素、堿土金屬元素、稀土元素和有機配合物作為“骨架外陽離子”。就此而言，根據本發明應當將本身對沸石而言作為由八104和SiO4四面體組成的結構骨架而保留的概念也定義為結構骨架，并且就此而言理解為改性的沸石，其中置于T-位置的應當是不同于Al和Si的元素。沸石中通道和孔的結構和構造在實踐中對于作為離子交換劑使用和在作為催化劑使用時扮演特殊的角色，并且在本發明中也被使用。現在令人驚訝地發現，將干燥的天然沸石或合成沸石或者合適的改性沸石以介于 I和40重量％之間，優選介于2和30重量％之間的濃度納入由任意熱塑性或熱固性聚合物組成的塑料基質中產生一種材料，所述材料適合進一步加工成塑料模制品并且所述模制品形成用于制造三維電路板的基礎。沸石的選擇適當地依據開放至處于它們的內部的空腔的開孔來進行，優選選自中孔或大孔沸石。用于聚合物混合物成型的合適方法是注塑法、擠出和壓制法。出于之后的零件的機械性質或其它性質改性的目的，可能絕對必要或有意義的是，同時將其它添加劑共納入聚合物混合物中。這樣的額外的添加劑的實例是補強劑、賦予色彩的填料或改進流變學或一般加工性質的物質等等。現在在第二步中，在后來成為的電路板表面的區域上(所述表面在接下來的金屬化步驟中應當被化學金屬化)蝕刻(燒蝕)掉一小層材料。為此，所有蝕刻掉材料的方法都是適合的，屬于此的例如是機械銑削、若干等離子體法和基于激光電磁輻射來工作的特別優選的方法。
激光的電磁輻射的波長范圍在這種情況下可以為介于193nm和10，600nm之間的范圍，優選介于355nm和1，064nm之間的范圍。在本發明另一實施方式中，聚合物基質中也可以摻入在各種波長下在聚合物材料中導致激光吸收升高的物質。在這種情況下基于聚合物混合物的總重量計，優選使用介于0. I和10重量％的濃度。在目前引晶和活化經選擇性燒蝕的塑料體表面的接下來的步驟中參考現有技術的記載中概述的標準方法。因此首先將塑料體浸入含鈀的溶液并因此進行離子型引晶，或者通過浸入Pd/ SnCl2溶液中進行膠體型引晶。根據本發明的出發點在于，在離子型引晶的情況下Pd2+離子擴散到目前暴露的沸石空腔中并在那里對沸石骨架的陽離子進行置換。根據本發明的出發點同樣在于，在膠體型引晶的情況下(通過選擇合適的沸石所設定的適應的孔寬)，鈀-錫簇擴散進入沸石的小室結構。在徹底沖洗如此預處理的零件之后，根據本發明通過浸潰在相應的反應溶液中進行生成金屬鈀的還原或者進行保護膠體的分解，也就是直接在沸石的空腔中。最后根據本發明將如此預處理的表面在市售的化學銅浴中處理，其中假定，鍍銅是在沸石的空腔內部開始的，之后發展到經燒蝕區域的表面上并因此導致制成的金屬化層的良好粘附強度。以下借助實施例進一步闡釋本發明
實施例變型I在Alpine公司的100UPZ-II型精細沖擊磨中研磨Bayer AG公司的Bayblend T45 型由聚碳酸酯-丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共混物組成的自然色的粒料(事先在110°C的溫度干燥4小時的時間)。將540g如此獲得的聚合物粉末在擺動混合器中與60g Sud-Chemie公司的改性的 13X型沸石(事先在250°C于真空下除水5小時)混合15分鐘。在Dr. Collin公司的混煉機中將該混合物均化，并隨后將在粉碎后獲得的塑料粒料在Dr. Boy公司的注塑機中注塑成尺寸60_ x 60mm x 2mm規格的板狀試樣。變型2類似于變型I中的第一過程步驟，將BASF公司的Ultradur B4520型自然色的聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)在事先于120°C干燥3小時的時間之后研磨。將480g如此獲得的聚合物粉末在擺動混合器中與60g Zeochem公司的改性的 Pentasil型沸石(事先在250°C于真空下除水5小時)，連同60g商品名為Finntalk M03-SQ 的滑石(事先在200°C干燥2小時)混合15分鐘。類似于變型I，混煉該混合物并注塑成板狀試樣。變型3類似于變型I中的第一過程步驟，將事先用I %的Albion-Colours公司的顏料 “Red X2GP”染成紅色的并且用30%的玻璃纖維填充的、EMS公司的HT2V-3X VO型部分芳族的共聚酰胺在事先于80°C干燥10小時的時間之后研磨。將516g如此獲得的聚合物粉末在擺動混合器中與33g Siid-Chemie公司的改性的13X型沸石(事先在250 °C于真空下除水5小時)，連同18g經煅燒的Imerys Performance&Filtration Materials 公司的 Polestar 200R 型 IR 吸收劑混合 15 分鐘。類似于變型I，混煉該混合物并注塑成染成紅色的板狀試樣。變型4在由變型I或2獲得的塑料板上采用波長為355nm的UV激光在35 y J的脈沖能量和500mm/s的速率的情況下以一個行進道(Gberfahrt)刻畫矩形測試結構。變型5在由變型3獲得的塑料板上采用波長為1，054nm的Nd-YAG激光在120 u J的脈沖能量和4000mm/s的速率的情況下以兩個行進道刻畫矩形測試結構。變型6在由變型I獲得的塑料板的平坦表面內借助CNC銑床和使用具有I. 5mm直徑的雙刃銑刀和18，000轉/min的轉速銑削多個具有從板表面測量為0. 15mm深度的矩形凹痕。變型7將在變型4至6中處理過的板于具有200ml/l Atotech公司的MID-活化劑Ni和 5ml/l濃H2SO4的示例組成的含Pd2+水溶液中在浴液循環(Badbewegung)下于50°C浸潰15 分鐘。此后將板在雙重流體沖洗級聯中沖洗并隨后在去離子水中沖洗。隨后，將板在示例組成為25ml/l Ultraplast BL 2220精整劑和2. 5ml/l Ultraplast BL 2230 添加劑(Enthone 公司)、含有二甲氨基硼燒(Dimethylamininoboran) 的還原溶液中于40°C在浴液循環下處理5分鐘，并隨后重新沖洗。此后將如此預處理的板立即懸掛在具有54°C的操作溫度的DowChemical公司的 Circuposit 4500型活化的無電流銅浴中，并在約45分鐘后從浴槽中取出。在徹底清洗之后干燥該板。在板的事先用激光處理或者被銑削成凹陷結構的位置，已選擇性地并邊緣清晰地強粘附性地沉積約4 u m厚的均勻銅層。變型8將另一在變型4至6中處理的板在示例組成為250ml/l 37% HCl、170ml/l PdCl2 和15g/l SnCl2的膠體Pd催化劑溶液中在浴液循環下于30°C浸潰5分鐘。此后將板在雙重流體沖洗級聯中沖洗并隨后在去離子水中沖洗。隨后將板在Enthone公司的Enplate Accelerator 860型含有HBF4的促進劑溶液中于室溫下在浴液循環下處理3分鐘，并隨后重新良好地沖洗。此后將如此預處理的板立即懸掛在具有48°C的操作溫度的MacDermid公司的 M-Copper 85型活化的無電流銅浴中，并在約30分鐘后從浴槽中取出。在徹底沖洗之后干燥板。在板的事先用激光處理或者被銑削成凹陷結構的位置， 選擇性地和邊緣清晰地強粘附性地沉積約2 u m厚的均勻銅層。變型9將從變型3和5獲得的和按照變型7選擇性鍍銅的試樣板在鍍銅之后直接在市售的 Dow Chemical 公司的 Ronamerse SMT Catalyst CF 型浴中進行 Pd 活化,和在 Niposit LT型化學鎳浴中以約4 iim NiP(4-6%磷含量)鍍鎳，并隨后由Aurolectroless SMT-G型無電流金浴設置具有約0. I ii m厚度的閃光金層,兩種浴均來自Dow Chemical公司。在板的現在鍍銅、鍍鎳和鍍金的區域上分配無鉛焊膏的點，并在這些點中嵌入預鍍錫的銅導線。在蒸汽相焊接裝置中熔化焊膏，所述蒸汽相焊接裝置裝載具有240°C的沸點的全氟化聚醚“Galden HS/240”(商品名為Solvay Solexis S. p. A.)。在釬焊之后可辨認出無泡的焊料分布，并且釬焊導線的牽引測試顯示即使在釬焊過程之后也非常好的金屬化的粘附強度。
權利要求
1.選擇性金屬化具有由容納或承載添加劑的塑料組成的主要材料成分的基底的方法， 其中在待金屬化區域內借助燒蝕法蝕刻基底近表面層，其特征在于，塑料含有作為添加劑的至少一種選自包含鋁硅酸鹽，尤其是架狀鋁硅酸鹽的物質組的化合物；和通過燒蝕法在塑料表面的待金屬化區域內實現對塑料中所納入的鋁硅酸鹽的可接觸性和鋁硅酸鹽的孔或孔結構的開放，以便實現貴金屬，尤其是鈀的嵌入；并最后進行無外電流的金屬化，其中起初在孔或孔結構內部的金屬也沉積在孔的外邊緣區域，從而在基底的表面上形成平面金屬化層。
2.根據權利要求I的方法，其特征在于，對于燒蝕法使用電磁輻射，尤其是激光輻射。
3.根據權利要求2的方法,其特征在于，電磁福射或者激光的波長為介于193nm和 10，600nm之間的范圍,優選介于350nm和1，IOOnm之間的范圍。
4.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，所使用的鋁硅酸鹽的開放孔的孔直徑為至少大于參與嵌入反應的反應物的動力學直徑。
5.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，添加劑的含量按塑料的總混合物計，為介于I和40重量百分比之間，優選介于2和30重量百分比之間。
6.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，所述塑料是熱塑性或熱固性塑料。
7.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，金屬化在化學還原性金屬浴(銅浴)中通過化學作用進行。
8.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，將熱塑性塑料制成注塑形式或線料擠出形式或薄膜形式。
9.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，熱固性塑料作為壓制材料存在或以流體形式存在。
10.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，所述塑料除所述添加劑以外還可含有一種或多種其它無機或有機添加劑。
11.根據權利要求10的方法，其特征在于，所述的其它添加劑在紅外、綠和/或紫外波長范圍包含最大吸收并且提高塑料的吸收度。
12.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，離子型或膠體型貴金屬的物質轉移在塑料基質中的選擇性暴露的孔結構中進行，并在那里按照已知的連續反應開始化學銅沉積。
13.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，使用鈀或鈀化合物作為貴金屬。
14.根據前述權利要求至少一項的方法，其特征在于，其用于制造三維電路板(MID)。
15.具有在基底上金屬化的電路板，其采用根據前述權利要求至少一項的方法制造。
全文摘要
本發明涉及選擇性金屬化塑料基底表面的方法以及根據該方法制造的電路板，其中塑料基底含有作為添加劑的天然或合成制造的架狀鋁硅酸鹽，借助塑料基底表面的燒蝕處理使之可接觸到、進行引晶和最后無外電流地金屬化。
文檔編號H05K3/18GK102586764SQ201210009740
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月13日 優先權日2011年1月14日
發明者B·羅森爾, W·約翰 申請人:Lpkf激光和電子股份公司