用于裝置和襯底封裝的滲透障壁的制作方法

專利名稱：用于裝置和襯底封裝的滲透障壁的制作方法
用于裝置和襯底封裝的滲透障壁技術領域
本發明大體上涉及用于電子裝置的滲透障壁涂層。
背景技術：
有機電子裝置，例如有機發光裝置(OLED)，當暴露于水蒸氣或氧時易于劣化。在OLED上用以減少暴露于水蒸氣或氧的保護障壁涂層可以有助于改善裝置的使用壽命和性能。氧化硅、氮化硅或氧化鋁膜已成功地用于食物包裝，其已被考慮用作OLED的障壁涂層。然而，這些無機膜易于含有微觀缺陷，所述缺陷允許水蒸氣和氧在一定程度上擴散到所述膜中。在某些情況下，缺陷在脆性薄膜中呈裂痕形式展現。雖然這樣程度的水和氧擴散對于食品來講是可以接受的，但對于OLED來講是不可接受的。為了解決這些問題，已針對OLED測試了使用交替無機和聚合物層的多層障壁涂層，并且發現對水蒸氣和氧滲透的抗性有了改善。但這些多層涂層具有復雜性和成本的缺點。因此，需要適用于保護OLED的改進型障壁涂層。發明內容
根據本發明的一個方面，揭示一種用于有機電子裝置的滲透障壁膜結構。所述滲透障壁膜結構具有混成滲透障壁組成并且包含一個或一個以上雙層。所述一個或一個以上雙層各自包含:第一區域，所述第一區域具有對應于第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第一組成；和第二區域，所述第二區域具有對應于第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第二組成，其中所述第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率大于所述第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率一定倍數，所述倍數大于1.2并且優選在1.2到5之間。在一個實施例中，混成滲透障壁膜是聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中所述混合物是由一種前驅物材料產生。如由等離子反應性離子蝕刻速率所說明，第一區域的密度高于第二區域。
根據本發明的另一方面，所述一個或一個以上雙層各自包含:第一區域，所述第一區域具有小于65nm/min的CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率；和第二區域，所述第二區域具有大于80nm/min的CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率，其中CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率是定義為當使用CF4-O2等離子反應性離子蝕刻工藝蝕刻時測得的蝕刻速率，其中所述工藝以45nm/min蝕刻熱生長的Si02。第二區域與第一區域的厚度比可以在0.5到20之間。


圖1 (a)展示底部發射OLED的像素發光區在加速儲存壽命測試中的照片，其說明由濕氣和氧沿裝置與滲透障壁膜的界面的滲透引起的暗片生長。
圖1 (b)展示在65°C和85%相對濕度的加速儲存壽命條件下，在障壁封裝型透明OLED(TOLED)與BOLED樣品中四個像素的有效區域的平均值相對于時間所作的關系圖。
圖2展示有關在65°C和85%相對濕度下針對封裝OLED樣品進行的加速儲存壽命測試的結果所作的圖。
圖3展示在于85°C和85%相對濕度下進行的加速儲存壽命測試持續期間，在不同時間下取得的BOLED有效區域的一系列照片。
圖4展示在于85°C和85%相對濕度下進行的加速儲存壽命測試持續期間，在不同時間下取得的TOLED有效區域的一系列照片。
圖5展示用根據一個實施例的混成滲透障壁膜結構封裝的OLED的一部分的示意橫截面圖。
圖6展示圖5結構的更詳細的圖。
圖7展示根據另一實施例的封裝OLED的示意橫截面圖。
圖式中的圖示只是示意性的，并且其中所示的結構并非依比例繪制。
具體實施方式
在以下具體實施方式
中，闡述優選實施例的實例以說明本發明并且這些實例并不意味著具限制性。每一所揭示的方面和實施例可以單獨地或與本發明的其它方面、實施例和變化相組合來考慮。所屬領域的技術人員可以對合并本發明精神和實質的所揭示的實施例作出修改，并且所述修改在所主張的本發明的范圍內。
本發明的混成滲透障壁膜是一種滲透障壁膜，其具有描述于以US2008/0237181A1公開的共同待決的美國專利申請案第11/931，939號中的混成滲透障壁膜的混成組成。混成組成在本文中稱為“混成滲透障壁組成”。混成滲透障壁組成是聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中聚合材料對非聚合材料的重量比在95: 5到5: 95范圍內。所述混合物是由一種前驅物材料作為來源在如下描述的適當沉積工藝期間產生。US2008/0237181A1的揭示內容以全文引用的方式并入本文中。
如本文中所用的術語“均質”是指混成滲透障壁組成的組成，意指無機相和聚合物相在分子水平上均勻的混合物，其中所述組成在整個混成滲透障壁膜的主體中是均一的。術語“非聚合”是指由具有充分確定的化學式并且具有單一、充分確定的分子量的分子制成的材料。“非聚合”分子可以具有相當大的分子量。在某些情況下，非聚合分子可以包括重復單元。如本文中所用，術語“聚合”是指由具有共價鍵聯的重復次單元的分子制成的材料，并且其具有可以從分子到分子不同的分子量，因為聚合反應可能引起每一個分子的重復單元的數目不同。聚合物包括(但不限于)均聚物和共聚物(例如嵌段、接枝、隨機或交替共聚物)，以及其摻合物和變體。聚合物包括(但不限于)碳或硅的聚合物。
如本文中所用，“聚合材料和非聚合材料的混合物”是指所屬領域的技術人員所將了解的不是純聚合物也不是純粹的非聚合物的組成。術語“混合物”意在排除含有非主要量的非聚合材料(例如，當然可以存在于聚合材料的間隙中)的任何聚合材料，但所屬領域的技術人員將仍然視其為純聚合物。同樣，此意在排除含有非主要量的聚合材料的任何非聚合材料，但所屬領域的技術人員將仍然視其為純粹的非聚合物。在某些情況下，在混成層中聚合材料與非聚合材料的重量比在95: 5到5: 95范圍內，并且優選在90: 10到10: 90范圍內，并且更優選在25: 75到10: 90范圍內。
術語“混合物”意在包括具有單相的組成以及具有多相的組成。因此，“混合物”排除依序沉積的交替聚合和非聚合層。換句話說，要視為“混合物”，一個層應在相同反應條件下和/或在相同時間沉積而成。
根據一個實施例，混成滲透障壁層可以使用單一前驅物材料來源通過等離子增強化學氣相沉積(PE-CVD)而形成。如本文中所用，“單一前驅物材料來源”是指當前驅物材料是使用或不使用反應物氣體通過PE-CVD來沉積時，提供為形成聚合和非聚合材料兩者所必需的所有前驅物材料的來源。此意在排除使用一種前驅物材料形成聚合材料并使用不同前驅物材料形成非聚合材料的方法。通過將單一前驅物材料來源用于障壁膜的聚合和非聚合成分，可以簡化沉積工藝。舉例來說，單一前驅物材料來源將避免前驅物材料的獨立物流需要以及供應和控制獨立物流的值班人員需要。
前驅物材料可以是單一化合物或化合物的混合物。在前驅物材料是化合物的混合物時，在某些情況下，混合物中每一不同的化合物本身能夠獨立地充當前驅物材料。舉例來說，前驅物材料可以是六甲基二硅氧烷(HMDSO)和二甲基硅氧烷(DMSO)的混合物。
雖然在某些情況 下，CVD可以用于混成滲透障壁層的沉積，但出于多種原因，包括低溫沉積、均勻涂層形成和可控制的工藝參數，PE-CVD是合乎需要的。可以適用于本發明的多種PE-CVD工藝在所屬領域中是已知的，包括使用RF能量來產生等離子的PE-CVD工藝。
前驅物材料是能夠在通過化學氣相沉積來沉積時形成聚合材料和非聚合材料兩者的材料。多種這樣的前驅物材料適用于本發明并且可以針對其多種特性來加以選擇。舉例來說，前驅物材料可以針對其化學元素含量、其化學元素的化學計量比和/或在PE-CVD下形成的聚合和非聚合材料來加以選擇。舉例來說，有機硅化合物(例如硅氧烷)是一種適用作前驅物材料的化合物。硅氧烷化合物的代表性實例包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)和二甲基硅氧烷(DMSO)。當通過PE-CVD沉積時，這些硅氧烷化合物能夠形成聚合材料(例如硅酮聚合物)和非聚合材料(例如氧化硅)。前驅物材料也可以針對多種其它特性(例如成本、非毒性、處理特性、在室溫下維持液相的能力、揮發性、分子量等)來加以選擇。
其它適用作前驅物材料的有機硅化合物包括甲基硅烷、二甲基硅烷、乙烯三甲基娃燒、二甲基娃燒、四甲基娃燒、乙基娃燒、_■娃燒基甲燒、雙(甲基娃燒基)甲燒、I，2-_■娃烷基乙烷、1，2_雙(甲基硅烷基)乙烷、2，2-二硅烷基丙烷、1，3，5_三硅烷基-2，4，6-三甲烯以及這些化合物的氟化衍生物。適用作前驅物材料的含苯基的有機硅化合物包括:二甲基苯基硅烷和二苯基甲基硅烷。適用作前驅物材料的含氧的有機硅化合物包括:二甲基二甲氧基硅烷、1，3，5，7-四甲基環四硅氧烷、1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3_雙(硅烷基亞甲基)二硅氧烷、雙(1-甲基二硅氧烷基)甲烷、2，2_雙(1-甲基_■娃氧燒基)丙燒、2，4，6，8_四甲基環四娃氧燒、八甲基環四娃氧燒、2，4,6,8,10-五甲基環五娃氧燒、1,3,5,7-四娃燒基-2，6- _■氧基-4,8_ _■甲稀、TK甲基環二娃氧燒、1,3,5,7,9-五甲基環五硅氧烷、六甲氧基二硅氧烷以及這些化合物的氟化衍生物。適用作前驅物材料的含氮的有機硅化合物包括:六甲基二硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷、六甲基環三硅氮烷、二甲基雙(N-甲基乙酰胺基)硅烷、二甲基雙-(N-乙基乙酰胺基)硅烷、甲基乙烯基雙(N-甲基乙酰胺基)硅烷、甲基乙烯基雙(N-丁基乙酰胺基)硅烷、甲基三(N-苯基乙酰胺基)硅烷、乙烯基三(N-乙基乙酰胺基)硅烷、四(N-甲基乙酰胺基)硅烷、二苯基雙(二乙基氨氧基)硅烷、甲基三(二乙基氨氧基)硅烷和雙(三甲基硅烷基)碳化二亞胺。
當通過PE-CVD沉積時，前驅物材料可以按不同的量形成多種類型的聚合材料，這取決于所用前驅物材料的類型、任何反應物氣體的存在以及其它反應條件。聚合材料可以是無機或有機的。舉例來說，當將有機硅化合物用作前驅物材料時，沉積的混成層可以包括S1-O鍵、S1-C鍵或S1-O-C鍵的聚合物鏈以形成聚硅氧烷、聚碳硅烷和聚硅烷以及有機聚合物。
前驅物材料也可以按不同的量形成多種類型的非聚合材料，這取決于所用前驅物材料的類型、任何反應物氣體的存在以及其它反應條件。非聚合材料可以是無機或有機的。舉例來說，在將有機硅化合物用作前驅物材料與含氧反應物氣體組合時，非聚合材料可以包括硅氧化物，例如SiO、SiO2和混合價數的氧化物SiOx。當用含氮反應物氣體沉積時，非聚合材料可以包括氮化硅(Si3N4)tj可以形成的其它非聚合材料包括硅碳氧化物和硅氮氧化物。
前驅物材料可以與可在PE-CVD工藝中與前驅物材料反應的反應物氣體結合使用。在PE-CVD工藝中使用反應物氣體在所屬領域中是已知的，并且多種反應物氣體是適合的，包括含氧氣體(例如，O2、臭氧、水)和含氮氣體(例如，氨)。反應物氣體可以用于改變存在于反應混合物中的化學元素的化學計量比。舉例來說，當硅氧烷前驅物材料與含氧或氮的反應物氣體一起使用時，所述反應物氣體將改變反應混合物中氧或氮相對于硅和碳的化學計量比。反應混合物中各種化學元素(例如，硅、碳、氧、氮)之間的這種化學計量關系可以按數種方式變化。一種方式是改變反應中前驅物材料或反應物氣體的濃度。另一方式是改變前驅物材料或反應物氣體進入反應中的流速。另一方式是改變反應中所用的前驅物材料或反應物氣體的類型。
在反應混合物中改變元素的化學計量比可以影響沉積的混成層中聚合材料和非聚合材料的性質和相對量。舉例來說，硅氧烷氣體可以與不同量的氧組合以調整混成層中非聚合材料相對于聚合材料的量。通過增加氧相對于硅或碳的化學計量比，可以增加非聚合材料(例如氧化硅)的量。相似地，通過減少氧的化學計量比，可以增加含硅和碳的聚合材料的量。混成層的組成也可以通過調整其它反應條件而改變。舉例來說，在PE-CVD的情況下，可以改變工藝參數，例如RF功率和頻率、沉積壓力、沉積時間時和氣體流速。
本發明人已確定沿滲透障壁膜與下層裝置表面之間的界面的濕氣擴散大于通過滲透障壁膜材料主體的濕氣擴散。因此，通過提供滲透障壁膜，可以減緩沿滲透障壁/裝置界面的濕氣擴散，本發明人已發現顯著延長OLED儲存壽命的方式。沿滲透障壁/裝置界面的擴散在本文中也稱為“側向界面擴散”。此外，貫穿本說明書，術語“滲透”和“擴散”可互換使用。
圖1 (a)展示底部發射OLED(BOLED)在加速儲存壽命測試期間的像素發光區的三張照片，其說明暗片由周圍向像素中心生長。這是由沿滲透障壁膜/裝置界面的濕氣和氧擴散造成的。三張照片說明在65°C和85%相對濕度于t = 0(測試開始)以及在1，128小時和3，004小時之后BOLED的發光或主動區。觀察到像素的發光區逐步減少。如果劣化是由跨越障壁膜厚度的大量滲透造成，那么在發光區中通常將出現多個黑點。在此處不是這樣，并且可見僅有在發光區出現的黑點生長緩慢并且所有的劣化均來自于邊緣。對此最合理的解釋為劣化是濕氣和氧沿障壁與襯底界面的滲透或側向擴散的結果。接近像素中心的小黑點是由障壁層密封的最初OLED中的瑕疵并且在加速測試持續期間沒有生長。這說明了通過滲透障壁膜主體的濕氣和氧的滲透是足夠的低，并且障壁膜足以保護像素免于通過滲透障壁膜主體的濕氣和氧擴散的不良作用。
圖1(b)為在65°C和85%相對濕度的加速儲存壽命條件下，在障壁封裝型透明OLED (TOLED)和BOLED樣品(一個TOLED和兩個B0LED)中四個像素中的每一者的有效區域的平均值相對于時間所作的圖。在圖1(b)中的符號“te,x”是指延遲時間，它是濕氣沿障壁與襯底之間的界面滲透到達裝置主動區所需要的時間。在濕氣到達裝置邊緣之前，沿界面行進，裝置的主動區依然接近最初大小的100%。一旦濕氣到達裝置中的主動區，在主動區中的收縮開始。從圖1(a)和圖1(b)中所示的結果，我們推斷在65°C和85%相對濕度下幾乎一年的儲存期間內不存在通過障壁膜的大量滲透。
本發明人先前已確定用基于氧化硅-硅酮聚合物的混成滲透障壁膜封裝的OLED顯示在65°C和85%相對濕度下大于7，500小時的儲存壽命。P.門德利克(P.Mandlik)等人，“用于有機發光顯示器的單層滲透障壁(A single-layer permeation barrier fororganic light-emitting displays) ”,應用物理學快報(Applied Physics Letters),第92卷，第10期，第103309頁，2008。已確定用混成滲透障壁封裝的OLED的劣化是通過濕氣和氧沿滲透障壁與OLED襯底的界面的側向擴散發生的。此界面具有在65°C和85%相對濕度下等于10_8cm2/s到10_7cm2/s的濕氣擴散系數的聚合物特性，所述濕氣擴散系數接近于硅酮聚合物的濕氣擴散系數。通過混成滲透障壁膜主體的濕氣滲透的相似計算得到l(T15cm2/s或更少的擴散系數值，對應于估算的1(Γ6克/ (平方米.天)或更少的水蒸氣穿透率(WVTR)。因此，濕氣和氧沿界面的滲透比通過混成滲透障壁膜材料主體的滲透快。滲透的機制和不同擴散系數的計算描述于P.門德利克等人，“大氣氣體進入障壁層密封的有機發光二極管的擴散(Diffusion of atmospheric gases into barrier-layer sealedorganic light emitting diodes) ”,應用物理學快報,第 93 卷，203306, 2008 的文章中。
當在沿界面和主體的濕氣擴散系數之間有約8個數量級差異的加速儲存壽命測試下OLED可以持續超過7，500小時，如果滲透障壁膜為從沉積開始即具有極高密度以使界面滲透最小化，那么OLED的壽命可以大幅增加。即使沿界面的濕氣擴散系數有數個數量級的降低，也可以使得OLED在環境條件(即，非加速儲存壽命條件)下持續數年。
根據本發明，本發明人已發現一種增加滲透障壁膜密度的方式，所述滲透障壁膜在接近介于滲透障壁膜和與滲透障壁膜接觸的下層表面(即OLED裝置或襯底的表面)之間的界面的區域中。這可以通過在沉積與下層表面接觸的滲透障壁膜的最初部分或區域的期間降低滲透障壁膜的生長速率而達成。較低的生長速率在滲透障壁膜沉積工藝開始引起增加的成核密度，并且增加的成核密度轉而引起較低孔隙度、較高密度的膜的生長。
圖2展示有關針對封裝OLED樣品(a)、(b)、(c)、(d)和(e)的加速儲存壽命測試結果所作的圖。對保持開啟 的OLED像素％與暴露于在85%相對濕度下65 °C的加速儲存壽命條件的小時數繪制函數關系圖。用于測試樣品的不同障壁膜沉積工藝展示于下表I中。
權利要求
1.一種具有混成滲透障壁組成的滲透障壁膜結構，所述滲透障壁膜結構包含: 一個或一個以上雙層，其中所述雙層各自包含: 第一區域，其具有對應于第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第一組成；和 第二區域，其具有對應于第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第二組成，其中所述第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率大于所述第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率一定倍數，所述倍數大于1.2。
2.根據權利要求1所述的滲透障壁膜結構，其中所述第二CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率大于所述第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率一定倍數，所述倍數在1.2到5之間。
3.根據權利要求1所述的滲透障壁膜結構，其中所述第二區域與所述第一區域的厚度比是在0.5到20之間。
4.根據權利要求1所述的滲透障壁膜結構，其中所述混成滲透障壁組成包含聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中所述混合物是由單一前驅物材料產生。
5.根據權利要求4所述的滲透障壁膜結構，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料包含一種或一種以上硅氧化物，其中所述均質混合物是通過有機硅化合物在含氧反應物氣體中的等離子增強化學氣相沉積而沉積。
6.根據權利要求5所述的滲透障壁膜結構，其中所述硅氧化物包含Si0、Si02及混合價數的氧化物SiOx中的一者或一者以上。
7.根據權利要求5所述的滲透障壁膜結構，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
8.根據權利要求7所述的滲透障壁膜結構，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
9.根據權利要求4所述的滲透障壁膜結構，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料是硅氮化物，其中所述均質混合物是通過有機硅化合物在含氮反應物氣體中的等離子增強化學氣相沉積而沉積。
10.根據權利要求9所述的滲透障壁膜結構，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
11.根據權利要求10所述的滲透障壁膜結構，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
12.—種具有混成滲透障壁組成的滲透障壁膜結構，所述滲透障壁膜結構包含: 一個或一個以上雙層，其中所述雙層各自包含: 第一區域，其具有小于65nm/min的CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率；和 第二區域，其具有大于80nm/min的CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率。
13.根據權利要求12所述的滲透障壁膜結構，其中所述第二區域與所述第一區域的厚度比是在0.5到20之間。
14.根據權利要求12所述的滲透障壁膜結構，其中所述混成滲透障壁組成包含聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中所述混合物是由單一前驅物材料產生。
15.根據權利要求14所述的滲透障壁膜結構，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料包含一種或一種以上硅氧化物。
16.根據權利要求15所述的滲透障壁膜結構， 其中所述硅氧化物包含Si0、Si02及混合價數的氧化物SiOx中的一者或一者以上。
17.根據權利要求15所述的滲透障壁膜結構，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
18.根據權利要求17所述的滲透障壁膜結構，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
19.根據權利要求14所述的滲透障壁膜結構，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料是硅氮化物。
20.根據權利要求19所述的滲透障壁膜結構，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
21.根據權利要求20所述的滲透障壁膜結構，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
22.一種設置在襯底上的有機電子裝置，其包含: 具有混成滲透障壁組成的滲透障壁膜結構，所述滲透障壁膜結構被涂布于所述有機電子裝置上，所述滲透障壁膜結構包含: 一個或一個以上雙層，其中所述雙層各自包含: 第一區域，其具有對應于第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第一組成；和 第二區域，其具有對應于第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第二組成，其中所述第二 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率大于所述第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率一定倍數，所述倍數大于1.2。
23.根據權利要求22所述的有機電子裝置，其中所述第二CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率大于所述第一 CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率一定倍數，所述倍數在1.2到5之間。
24.根據權利要求22所述的有機電子裝置，其中所述第二區域與所述第一區域的厚度比是在0.5到20之間。
25.根據權利要求22所述的有機電子裝置，其中所述混成滲透障壁組成包含聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中所述混合物是由單一前驅物材料產生。
26.根據權利要求25所述的有機電子裝置，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料是一種或一種以上硅氧化物。
27.根據權利要 求26所述的有機電子裝置，其中所述硅氧化物包含Si0、Si02&混合價數的氧化物SiOx中的一者或一者以上。
28.根據權利要求26所述的有機電子裝置，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
29.根據權利要求28所述的有機電子裝置，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
30.根據權利要求25所述的有機電子裝置，其中所述聚合材料是硅酮并且所述非聚合材料是硅氮化物。
31.根據權利要求30所述的有機電子裝置，其中所述有機硅化合物是硅氧烷。
32.根據權利要求31所述的有機電子裝置，其中所述硅氧烷化合物是六甲基二硅氧烷或二甲基硅氧烷中的一者。
33.根據權利要求22所述的有機電子裝置，其進一步包含與所述滲透障壁膜結構直接接觸的電極層，其中所述電極層是濺鍍金屬膜。
全文摘要
一種用于有機電子裝置的滲透障壁膜結構包括一個或一個以上具有混成滲透障壁組成的雙層。所述一個或一個以上雙層各自包括第一區域，所述第一區域具有對應于第一CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第一組成；和第二區域，所述第二區域具有對應于第二CF4-O2等離子反應性離子蝕刻速率的第二組成，其中所述第二蝕刻速率大于所述第一蝕刻速率一定倍數，所述倍數大于1.2，并且所述混成滲透障壁膜是聚合材料和非聚合材料的均質混合物，其中所述混合物是由單一前驅物材料產生。
文檔編號H05B33/22GK103140952SQ201180045537
公開日2013年6月5日 申請日期2011年9月14日 優先權日2010年9月21日
發明者普拉沙安特·曼德利克, 杰弗里·西爾韋納伊爾, 馬瑞清 申請人:環球展覽公司