專利名稱：一種圓弧倒角硅片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種圓弧倒角娃片。
背景技術：
相對圓倒角晶棒加工目如圓棒單晶娃棒只需要滾圓，不需要倒角；方型娃棒都需要倒45度角，如圖I和2所示。傳統機械磨輪倒角加工的硅片，在倒角處存在應力集中點，在后續加工過程中倒角尖角容易與工治具發生碰撞，導致硅片缺角或破裂。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種圓弧倒角硅片，減少倒角處因為應力集中而造成破裂。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線和倒角邊線兩側的圓弧，倒角邊線兩側的圓弧分別與硅片直邊和倒角邊線相切。圓弧的半徑R為300 700um，圓弧的角度Θ為30。 90。。倒角為45。倒角。圓弧與硅片邊線的交點至硅片頂角的距離C為O. 35 I. 42mm,圓弧與硅片邊線的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線的垂直距離H為O. 14 O. 8mm。本實用新型的有益效果是1、圓倒角硅片改變晶棒倒角方法，使得晶棒倒角處呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圓角與工裝接觸時，避免尖角點接觸，減少這種受力集中造成破裂不良。2、圓倒角硅片相對傳統倒角改善倒角處結構，可使得硅片單片面積增加約O. 1016mm2 I. 200mm2。
以下結合附圖
對本實用新型進一步說明。圖I是傳統硅片倒角處的結構示意圖；圖2是本實用新型的硅片倒角處的結構示意圖；其中1.硅片直邊，2.圓弧，3.倒角邊線。
具體實施方式
如圖2所示，一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線3和倒角邊線3兩側的圓弧2，倒角邊線3兩側的圓弧2分別與硅片直邊I和倒角邊線3相切。圓弧2的半徑R為300 700um，圓弧2的角度Θ為30° 90°。圓弧2與硅片邊線I的交點至硅片頂角的距離C為O. 35 I. 42mm,圓弧2與硅片邊線I的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線3的垂直距離H為O. 14 O. 8_。倒角為45°倒角。如圖I和2所示，當圓弧2與硅片邊線I的交點至硅片頂角的距離C與圖I中的倒角邊長B相同，圓弧2與硅片邊線I的兩個交點之間的距離L與圖I中的倒角線長N相同，圖2中的圖像填充區域即為采用本方案的圓弧倒角后增加的區域。權利要求1.一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，其特征是所述的硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線⑶和倒角邊線⑶兩側的圓弧(2)，倒角邊線(3)兩側的圓弧⑵分別與硅片直邊⑴和倒角邊線⑶相切。
2.根據權利要求I所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的圓弧(2)的半徑R為300 700um，圓弧(2)的角度0為30° 90°。
3.根據權利要求I所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的倒角為45°倒角。
4.根據權利要求I或2或3所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的圓弧(2)與硅片邊線(I)的交點至硅片頂角的距離C為0. 35 I. 42mm，圓弧(2)與硅片邊線(I)的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線(3)的垂直距離H為0. 14 0. 8mm。
專利摘要本實用新型涉及一種圓弧倒角硅片，該硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線和倒角邊線兩側的圓弧，倒角邊線兩側的圓弧分別與硅片直邊和倒角邊線相切。本實用新型的有益效果是1、圓倒角硅片改變晶棒倒角方法，使得晶棒倒角處呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圓角與工裝接觸時，避免尖角點接觸，減少這種受力集中造成破裂不良。2、圓倒角硅片相對傳統倒角改善倒角處結構，可使得硅片單片面積增加約0.1016mm2～1.200mm2。
文檔編號C30B29/06GK202465953SQ201120573838
公開日2012年10月3日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者丁國健, 施賢彪, 羅起發 申請人:常州天合光能有限公司