專利名稱：晶體生長復合坩堝的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于晶體制備設備技術領域，涉及一種晶體生長復合坩堝。
背景技術：
在藍寶石晶體生長系統中，坩堝是至關重要的部件，藍寶石原材料在坩堝中加熱熔化后，在籽晶的引導下進行藍寶石晶體生長；由于藍寶石晶體生長是在高溫環境下 (2000°C以上)、長時間(10天以上)緩慢進行的，因此，要求坩堝能夠耐高溫、長壽命、低成本；由于熔化后的液態藍寶石原料處在坩堝的中下部，所以往往會造成坩堝中下部更容易出現損耗、開裂、破損現象，從而造成整個坩堝報廢。現有技術中的坩堝，是圓筒形坩堝結構，在藍寶石晶體生長過程中，一旦坩堝中下部損壞就會造成整體報廢，從而增大了生產成本。
發明內容本實用新型的目的是提供一種晶體生長復合坩堝，解決了現有技術中的圓筒形坩堝結構，由于坩堝中下部出現損耗、開裂、破損現象，從而造成整個坩堝報廢的問題。本實用新型所采用的技術方案是，一種晶體生長復合坩堝，由坩堝主體和加長坩堝筒組成，坩堝主體和加長坩堝筒通過定位配合面套接；所述的定位配合面方式為，加長坩堝筒下端口的內凸臺與坩堝主體上沿的外凸臺套接構成；或者，所述的定位配合面方式為，加長坩堝筒下端口的內凸臺與坩堝主體上沿的內圓面套接構成。本實用新型的有益效果是，通過將坩堝設置為上下復合式結構，坩堝主體通過定位配合面與加長坩堝筒連接在一起；定位配合面是圓柱面或圓錐面；坩堝主體實現正常使用壽命，加長坩堝筒可以多次重復使用，從而提高坩堝的綜合使用壽命，降低生產成本；結構簡單、制造容易、使用方便。
圖1是本實用新型坩堝實施例1工作過程中固態原料的裝載示意圖；圖2是本實用新型坩堝實施例1工作過程中原料融化后的狀態示意圖；圖3是本實用新型坩堝實施例2在壁厚較薄時的套接方式結構示意圖。圖中，1.坩堝主體，2.定位配合面，3.加長坩堝筒，4.固態原料，5.液態原料。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型進行詳細說明。如圖1所示，本實用新型復合坩堝的結構是，由坩堝主體1和加長坩堝筒3組成， 坩堝主體ι和加長坩堝筒3的材質一致；坩堝主體1和加長坩堝筒3通過定位配合面2套
3接連接在一起。定位配合面2為圓柱面套接，定位配合面2還可以為圓錐面套接。參照圖1、圖2，對于壁厚較厚的坩堝，通過加長坩堝筒3下端口的內凸臺與坩堝主體1上沿的外凸臺套接，由內凸臺、外凸臺構成定位配合面2，實現套接。參照圖3，對于壁厚較薄的坩堝，通過加長坩堝筒3下端口的內凸臺與坩堝主體1 上沿的內圓面直接套接，由內凸臺、內圓面構成定位配合面2，實現套接。本實用新型復合坩堝在工作過程中，先將固態原料裝載到加長坩堝筒3的上沿高度，然后，隨著原料的不斷融化，當全部融化后的實際溶液平面處于坩堝主體1的盛裝容量之內，坩堝主體1承受更大的工作負載，當坩堝主體出現損耗、開裂、破損現象時，可以正常更換，實現正常使用壽命，而加長坩堝筒則可以多次重復使用，顯著減低了加長坩堝筒的更換周期，降低成本效果明顯。本實用新型的復合坩堝，結構簡單、制造容易、使用方便，可廣泛應用在藍寶石晶體生長系統、太陽能硅單晶生長系統、激光晶體生長系統和其它高溫晶體生長系統中。
權利要求1.一種晶體生長復合坩堝，其特點在于由坩堝主體(1)和加長坩堝筒(3)組成，坩堝主體(1)和加長坩堝筒( 通過定位配合面( 套接；所述的定位配合面( 方式為，加長坩堝筒C3)下端口的內凸臺與坩堝主體(1)上沿的外凸臺套接構成；或者，所述的定位配合面( 方式為，加長坩堝筒C3)下端口的內凸臺與坩堝主體(1) 上沿的內圓面套接構成。
2.根據權利要求1所述的晶體生長復合坩堝，其特點在于所述的坩堝主體(1)和加長坩堝筒(3)的材質一致。
3.根據權利要求1所述的晶體生長復合坩堝，其特點在于定位配合面O)為圓柱面套接，或為圓錐面套接。
專利摘要本實用新型公開了一種晶體生長復合坩堝，由坩堝主體和加長坩堝筒組成，坩堝主體和加長坩堝筒通過定位配合面套接；定位配合面為圓柱面套接，或為圓錐面套接。本實用新型的有益效果是，通過將坩堝設置為上下復合式結構，坩堝主體通過定位配合面與加長坩堝筒連接在一起；定位配合面是圓柱面或圓錐面；坩堝主體實現正常使用壽命，加長坩堝筒可以多次重復使用，從而提高坩堝的綜合使用壽命，降低生產成本；結構簡單、容易制造、使用方便。
文檔編號C30B35/00GK202247011SQ20112034521
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月15日 優先權日2011年9月15日
發明者馮金生, 李留臣 申請人:江蘇華盛天龍光電設備股份有限公司