專利名稱：直拉式單晶爐的副爐的制作方法
技術領域：
本發明涉及直拉式單晶爐的副爐，屬于單晶硅的生產制造設備領域。
背景技術：
單晶硅作為一種半導體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件，單晶硅的生長技術有兩種:區熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。現有普遍采用的直拉單晶爐，其主要包括爐底、下爐體、上爐體、爐蓋、隔離閥和副爐六大部分組成。以往的直拉式單晶爐的副爐在工作過程中處于高溫狀態，需要往水夾層中注水來降低爐壁的溫度，從而增加副爐的使用壽命。但自來水中含有大量的氯離子，氯離子對不銹鋼爐壁會產生腐蝕作用，這會縮短副體的使用壽命。
發明內容
本發明的目的在于克服上述不足，提供一種爐壁不易腐蝕、使用壽命較長的直拉式單晶爐的副爐。本發明的目的是這樣實現的:
本發明直拉式單晶爐的副爐， 包括副爐本體，所述副爐本體包括內壁和外壁，所述內壁和外壁之間設有水夾層，所述內壁和外壁的上下兩端分別連有上法蘭和下法蘭，外壁上開設有鎂棒接口，所述鎂棒接口與水夾層相連通。與現有技術相比，本發明的有益效果是:
這種直拉式單晶爐的副爐在外壁上開設了鎂棒接口，鎂棒接口與內壁與外壁之間的水夾層相連通，鎂棒接口中插入鎂棒后，將代替內壁和外壁上的鐵與自來水中的氯離子發生反應，使得氯離子不會對爐壁產生腐蝕。
圖1為本發明直拉式單晶爐的副爐的結構示意圖。其中:副爐本體1、內壁2、外壁3、水夾層4、上法蘭5、下法蘭6、鎂棒接口 7。
具體實施例方式參見圖1，本發明涉及一種直拉式單晶爐的副爐，它包括副爐本體1，所述副爐本體I包括內壁2和外壁3，所述內壁2和外壁3之間設有水夾層4，所述水夾層4中通入自來水用于對副爐降溫，所述內壁2和外壁3的上下兩端分別連有上法蘭5和下法蘭6，外壁3上開設有鎂棒接口 7，所述鎂棒接口 7與水夾層4相連通，鎂棒接口 7中插入鎂棒后，將代替內壁2和外壁3上的鐵與自來水中的氯離子發生反應，使得氯離子不會對爐壁產生腐蝕。
權利要求
1.一種直拉式單晶爐的副爐，其特征在于:它包括副爐本體(1)，所述副爐本體(I)包括內壁(2)和外壁(3)，所述內壁(2)和外壁(3)之間設有水夾層(4)，所述內壁(2)和外壁(3)的上下兩端分別連有上法蘭(5)和下法蘭(6)，外壁(3)上開設有鎂棒接口( 7)，所述鎂棒接口(7)與水夾層(4) 相連通。
全文摘要
本發明涉及直拉式單晶爐的副爐，屬于單晶硅的生產制造設備領域。一種直拉式單晶爐的副爐，其特征在于它包括副爐本體(1)，所述副爐本體(1)包括內壁(2)和外壁(3)，所述內壁(2)和外壁(3)之間設有水夾層(4)，所述內壁(2)和外壁(3)的上下兩端分別連有上法蘭(5)和下法蘭(6)，外壁(3)上開設有鎂棒接口(7)，所述鎂棒接口(7)與水夾層(4)相連通。這種直拉式單晶爐的副爐在外壁上開設了鎂棒接口，鎂棒接口與內壁與外壁之間的水夾層相連通，鎂棒接口中插入鎂棒后，將代替內壁和外壁上的鐵與自來水中的氯離子發生反應，使得氯離子不會對爐壁產生腐蝕。
文檔編號C30B15/00GK103184504SQ20111045523
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者湯仁興 申請人:湯仁興