專利名稱：單晶爐的上爐體的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種單晶爐的上爐體，屬于單晶硅的生產制造設備領域。
背景技術：
單晶硅是具有完整的點陣結構的晶體，是一種良好的半導體材料，目前被廣泛用于半導體器件以及太陽能電池的制造。現有的單晶硅制造設備為單晶爐，其主要包括爐底、下爐體、上爐體、爐蓋、隔離閥和副爐六大部分組成。以往的單晶爐的上爐體只有單層爐壁，而單晶爐工作過程中爐體部分長時間處于高溫狀態，所以爐壁很容易損壞，從而影響了上爐體的使用壽命。
發明內容
本發明的目的在于克服上述不足，提供一種熱量能被有效吸收，爐壁不易損壞的單晶爐上爐體。本發明的目的是這樣實現的:
本發明單晶爐的上爐體，包括上爐體本體,所述上爐體本體包括內壁和外壁,所述內壁和外壁之間設有水夾層，所述水夾層內從上到下交錯布置有若干柵板，相鄰的兩塊柵板中，一塊柵板的一端固定在內壁上，另一端與外壁之間留有間隙，而另一塊柵板一端固定在外壁上，另一端與內壁之間留有間隙，所述外壁上開設有與水夾層相連通的進水口和出水口，所述內壁和外壁的上下兩端分別連有上法蘭和下法蘭。與現有技術相比，本發明的有益效果是: 這種單晶爐的上爐體在水夾層內設有交錯布置的柵板，可以增加水的停留時間，并且增加了水與內壁和外壁的接觸面，提高了冷卻降溫的效果，從而有效吸收熱量，使爐壁不易損壞。
圖1為本發明單晶爐的上爐體的結構示意圖。其中:上爐體本體1、內壁2、外壁3、水夾層4、柵板5、進水口 6、出水口 7、上法蘭
8、下法蘭9。
具體實施例方式參見圖1，本發明涉及的單晶爐的上爐體，它包括上爐體本體1，所述上爐體本體I包括內壁2和外壁3，所述內壁2和外壁3之間設有水夾層4，所述水夾層4中通入自來水用于對上爐體降溫，所述水夾層4內從上到下交錯布置有若干柵板5，相鄰的兩塊柵板5中，一塊柵板5的一端固定在內壁2上,另一端與外壁3之間留有間隙,而另一塊柵板5 —端固定在外壁3上，另一端與內壁2之間留有間隙，所述外壁3上開設有與水夾層4相連通的進水口 6和出水口 7，所述內壁2和外壁3的上下兩端分別連有上法蘭8和下法蘭9，其中上法蘭8用于連接上爐體上方的單晶爐隔離閥，下法蘭9用于連接單晶爐下爐體。由于水夾層4內設有交錯布置的柵板5，可以增加水的停留時間，并且增加了水與內壁2和外壁3的接觸面， 提高了冷卻降溫的效果，從而有效吸收熱量，使爐壁不易損壞。
權利要求
1.一種單晶爐的上爐體，其特征在于:它包括上爐體本體(1)，所述上爐體本體(I)包括內壁(2)和外壁(3)，所述內壁(2)和外壁(3)之間設有水夾層(4)，所述水夾層(4)內從上到下交錯布置有若干柵板(5)，相鄰的兩塊柵板(5)中，一塊柵板(5)的一端固定在內壁(2)上,另一端與外壁(3)之間留有間隙,而另一塊柵板(5) —端固定在外壁(3)上,另一端與內壁(2)之間留有間隙，所述外壁(3)上開設有與水夾層(4)相連通的進水口(6)和出水口( 7)，所述內壁(2 )和外壁(3)的上下兩端分別連有上法蘭(8)和下法蘭(9)。
全文摘要
本發明涉及一種單晶爐的上爐體，其特征在于它包括上爐體本體(1)，所述上爐體本體(1)包括內壁(2)和外壁(3)，所述內壁(2)和外壁(3)之間設有水夾層(4)，所述水夾層(4)內從上到下交錯布置有若干柵板(5)，所述外壁(3)上開設有與水夾層(4)相連通的進水口(6)和出水口(7)，所述內壁(2)和外壁(3)的上下兩端分別連有上法蘭(8)和下法蘭(9)。這種單晶爐的上爐體在水夾層內設有交錯布置的柵板，可以增加水的停留時間，并且增加了水與內壁和外壁的接觸面，提高了冷卻降溫的效果，從而有效吸收熱量，使爐壁不易損壞。
文檔編號C30B29/06GK103184526SQ20111045517
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者湯仁興 申請人:湯仁興