專利名稱：一種用于設計構形樹的pcb板的制作方法
技術領域：
本發明涉及電路板，具體是一種用于設計構形樹的PCB板。
技術背景
隨著電子技術的飛速發展，電子產品越來越來越趨向高速、寬帶、高靈敏度、高密集度和小型化，這種趨勢導致了電路板設計中電磁兼容問題的嚴重化，特別是電源和地線的電磁干擾問題，成為目前電磁兼容設計中急待解決的技術難題和系統工程。
傳統方法是通過加去耦電容來抑制電源線中存在的干擾，但是去耦電容在頻率比較高的情況下，效果并不理想。近年來，EBG結構被用于電源層來抑制高頻噪聲干擾，尤其是平面電磁帶隙結構易于制作，獲得了廣泛的研究。不過典型的EBG結構并未考慮電源層上的電壓降。發明內容
本發明的目的在于針對現有技術的缺點和不足，提供一種用于設計構形樹的PCB 板，本發明適用于樹狀PCB電源板設計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
本發明通過下述技術方案實現
一種用于設計構形樹的PCB板，依次包括電源層、納米材料層、高介電常數介質層、地層構成。
所述電源層、地層為覆銅層。
所述納米材料層為高磁導率納米材料層。
所述高介電常數介質層為介電常數為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數介質層厚度為0. 2mm 2mm。
所述覆銅層的厚度為0.035mm 0.07mm。
本發明適用于樹狀PCB電源板設計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
圖1是本發明用于設計構形樹的PCB結構示意圖2是2級“H”形構形樹的構造圖3是2級圓形構形樹的構造圖4為1級“H”形構形樹的構造圖5為2級“H”形構形樹電源層；
圖6為2級圓形構形樹電源層；
圖7為1級“H”形構形樹電源層；具體實施方式
下面對本發明的具體實施方式
作進一步詳細的說明，但本發明的實施方式不限于此。
如圖1所示，本發明用于設計構形樹的PCB板，依次包括電源層1、納米材料層2、 高介電常數介質層3、地層構成4 ；所述電源層1、地層4為覆銅層；所述納米材料層2為高磁導率納米材料層。
所述高介電常數介質層3為介電常數為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數介質層3厚度為0. 2mm 2mm。所述覆銅層的厚度為0. 035mm 0. 07mmo
電源層設計，需要先根據構形理論設計出構形樹，構形樹將電流均勻分配到電源板各處，解決高電源電壓降問題。然后在構形樹的基礎上設計出完整電源層。
圖2是2級“H”形構形樹的構造圖3是2級圓形構形樹的構造圖4為1級“H”形構形樹的構造圖5為2級“H”形構形樹電源層；
圖6為2級圓形構形樹電源層；
圖7為1級“H”形構形樹電源層；
如上所述，便可較好地實現本發明。上述實施例僅為本發明的較佳實施例，并非用來限定本發明的實施范圍；即凡依本發明內容所作的均等變化與修飾，都為本發明權利要求所要求保護的范圍所涵蓋。
權利要求
1.一種用于設計構形樹的PCB板，其特征在于依次包括電源層、納米材料層、高介電常數介質層、地層構成。
2.根據權利要求1所述的用于設計構形樹的PCB板，其特征在于所述電源層、地層為覆銅層。
3.根據權利要求2所述的用于設計構形樹的PCB板，其特征在于所述納米材料層為高磁導率納米材料層。
4.根據權利要求3所述的用于設計構形樹的PCB板，其特征在于所述高介電常數介質層為介電常數為14000的鈦酸鋇。
5.根據權利要求4所述的用于設計構形樹的PCB板，其特征在于所述高介電常數介質層厚度為0. 2mm 2mm。
6.根據權利要求2所述的用于設計構形樹的PCB板，其特征在于所述覆銅層的厚度為 0. 035mm 0. 07mmo
全文摘要
本發明公開了一種用于設計構形樹的PCB板，依次包括電源層、納米材料層、高介電常數介質層、地層構成，電源層、地層為覆銅層，所述納米材料層為高磁導率納米材料層，所述高介電常數介質層為介電常數為14000的鈦酸鋇，所述高介電常數介質層厚度為0.2mm～2mm，所述覆銅層的厚度為0.035mm～0.07mm。本發明適用于樹狀PCB電源板設計，具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
文檔編號H05K1/02GK102523681SQ20111044972
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月28日 優先權日2011年12月28日
發明者劉詩韻, 郭巍, 黃惠芬 申請人:華南理工大學