陶瓷基板及其制作方法

專利名稱：陶瓷基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于多層陶瓷基板技術(shù)領(lǐng)域，特別是有關(guān)于一種具有微細(xì)及高深寬比線路的多層陶瓷基板及其制作方法。本發(fā)明并包含陶瓷生胚或陶瓷膏制作步驟。本發(fā)明多層陶瓷基板特別適用于高精度的陶瓷零組件、IC載版、多晶片模組及耐候性電路板等技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著可攜式資訊電子產(chǎn)品與行動(dòng)通訊產(chǎn)品朝著輕薄短小、多功能、高可靠度及低價(jià)化的發(fā)展，高元件密度成為電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)，線路中所使用的主動(dòng)及被動(dòng)元件也多朝向微小化，積集化、晶片化及模塊化的方向發(fā)展，已達(dá)到有效縮小線路體積， 進(jìn)而降低成本并提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。其中，低溫共燒陶瓷(Low-Temperature Co-firedCeramic, LTCC)由于可將被動(dòng)元件埋入多層陶瓷基板中燒結(jié)成整合式陶瓷元件，有效減少元件的空間，是目前常被應(yīng)用的技術(shù)。低溫共燒陶瓷工藝是以陶瓷材料作為基板，利用陶瓷粉末加上粘結(jié)劑混合成泥狀的漿料，經(jīng)過(guò)刮刀成型以及干燥后制成一張張的薄生胚，再利用網(wǎng)印技術(shù)將電路設(shè)計(jì)在上面，并于各層打出成千上萬(wàn)的供訊號(hào)垂直傳遞的通孔，填入銀膏作為電極，最后將所需的多層生胚疊壓并在1000°c下的溫度，將金屬與陶瓷一次燒結(jié)，形成緊密結(jié)合的低溫共燒陶瓷元件。由于將電阻、電容、電感等被動(dòng)元件燒結(jié)在同一基板內(nèi)，使得原本面積龐大的電路被立體化，形成多層的集成結(jié)構(gòu)，大幅縮小電子元件的體積?；灞砻鎰t可以承載其它的元件，例如集成電路晶片、收發(fā)器等，如此可構(gòu)成完整的系統(tǒng)封裝模塊(module)。然而，以目前業(yè)界所使用的低溫共燒陶瓷工藝中的網(wǎng)印技術(shù)，在固定網(wǎng)目數(shù)及乳劑厚度下，會(huì)因?yàn)榫W(wǎng)印膠材本身流變性及離膜性的影響，使印刷圖形的深寬比受到限制。若欲制成內(nèi)含微細(xì)及高深寬比線路多層陶瓷基板，使用目前的網(wǎng)印工藝技術(shù)是無(wú)法達(dá)成的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種改良的陶瓷基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技藝的不足與缺陷。根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明提供一種陶瓷基板的制作方法，包含有提供一未燒結(jié)層；將一光致抗蝕劑覆蓋在該未燒結(jié)層上；以光刻工藝于該光致抗蝕劑中形成一線路凹槽；將一金屬膏填入該線路凹槽，形成一線路圖案；以及去除該光致抗蝕劑。根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明提供一種陶瓷基板的制作方法，包含有提供一未燒結(jié)層；將一第一光致抗蝕劑覆蓋在該未燒結(jié)層上；以光刻工藝于該第一光致抗蝕劑中形成一第一線路凹槽；將一第一金屬膏填入該第一線路凹槽，形成一第一線路圖案；去除該第一光致抗蝕劑；于該未燒結(jié)層以及該第一線路圖案上形成一介電層，其中該介電層具有開(kāi)孔暴露出部分的該第一線路圖案；將一第二光致抗蝕劑覆蓋在該介電層上；以光刻工藝于第二光致抗蝕劑中形成一第二線路凹槽；將一第二金屬膏填入該第二線路凹槽，形成一第二線路圖案；及去除該第二光致抗蝕劑。根據(jù)本發(fā)明又另一優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明提供一種陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，包含有一陶瓷基板；以及一銀線路圖案，具有高深寬比，形成在該陶瓷基板的表面上，其中該銀線路圖案的線寬小于50微米，而高度大于5微米。其中該陶瓷基板中具有由于燒結(jié)溫度而擴(kuò)散至晶界的銀金屬成分。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn) 能更明顯易懂，下文特別舉出優(yōu)選實(shí)施方式，并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。然而以下的優(yōu)選實(shí)施方式與附圖僅供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)限制本發(fā)明。


圖I所示為本發(fā)明陶瓷基板制作流程。圖2A至圖2D為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所繪示的陶瓷基板的單層線路結(jié)構(gòu)工藝步驟。圖2E至圖2H所示為第二層線路結(jié)構(gòu)的工藝步驟(接續(xù)圖2D)。圖3所示為本發(fā)明陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)特征。圖4A至圖4C以剖面圖例示不同尺寸微細(xì)線路的深寬比。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
11生胚粘于熱脫膠膜 25線路圖案
12熱壓披覆光致抗蝕劑干膜 26介電層
13曝光顯影 26a開(kāi)孔
14印刷金屬膏 28干膜光致抗蝕劑
15干燥 28a線路凹槽
16去光致抗蝕劑干膜 30線路圖案
17干燥 100多層陶瓷基板
18線路成形及堆疊燒結(jié) 120基材 20 未燒結(jié)層 120a晶界
22 熱脫膠膜 125微細(xì)線路 24 干膜光致抗蝕劑 125a銀金屬成分 24a 線路凹槽
具體實(shí)施例方式在相關(guān)的技藝中，由Peter Barnwell等人所發(fā)表標(biāo)題為「Photo PatternedConductors with LTCC for Microwave and High Density Interconnect」的文獻(xiàn)提供了利用感光導(dǎo)電膠材，搭配光刻技術(shù)可制成50 μ m細(xì)線路的方法，其精度在2. 5 μ m，厚度控制在ΙΟμπι(方阻2ι Ω)。此感光導(dǎo)電膠材主要為導(dǎo)電粉體、感光劑及粘結(jié)劑混合而成。當(dāng)導(dǎo)電粉體多，曝光時(shí)，光源進(jìn)入膠材，會(huì)受到金屬導(dǎo)電粉體的反射作用。若降低導(dǎo)電粉體含量，會(huì)造成元件的電阻過(guò)高。在日本專利JP3545701(B2)中提到，此產(chǎn)品利用印刷技術(shù)制成高深寬比結(jié)構(gòu)，能有效提升元件的質(zhì)量因子(Q)。在印刷技術(shù)中，要達(dá)到高深寬比必須1.重復(fù)印刷導(dǎo)體線路，或者2.重復(fù)印刷絕緣(或介電層)形成高深寬比的溝槽，再將導(dǎo)體填入。這兩種工藝方法會(huì)因?yàn)橹貜?fù)印刷的步驟在側(cè)面行形成鋸齒狀結(jié)構(gòu)。在結(jié)構(gòu)上與光刻工藝的導(dǎo)體線路側(cè)面有所區(qū)別。另夕卜，由Meg Tredinnick 等人所發(fā)表標(biāo)題為「Thick Film Fine LinePatterning-ADefinitive Discussion ofthe AlternativesJ 的文獻(xiàn)提供了將線路印刷并燒附于基板，利用光致抗蝕劑曝光顯影再蝕刻線路的方式，提高線路的精度。其缺陷在于I.線寬、線厚受限制；2.工藝時(shí)間太長(zhǎng)。
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一般而言，薄膜元件的光刻工藝，例如美國(guó)專利US2010/0091473所揭露，是在特定厚度的基板上以濺射(sputter)、化學(xué)氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)形成導(dǎo)電附著層，再用電鍍銅方式形成其電路部分，此工藝方法的結(jié)構(gòu)，其基板及導(dǎo)電層介面部分多以物理性附著為主，因此在附著層著膜前的清潔工藝相當(dāng)重要，因?yàn)槿魏斡袡C(jī)物質(zhì)污染均會(huì)嚴(yán)重影響到介面的附著性，甚至影響產(chǎn)品后續(xù)工藝或使用上的質(zhì)量可靠度。而低溫共燒陶瓷工藝是利用共燒方式使導(dǎo)電材料與介電材料或其他絕緣材料產(chǎn)生鍵結(jié)，燒結(jié)過(guò)程中界面處的有機(jī)物質(zhì)被完全燒出，當(dāng)溫度到達(dá)原子發(fā)生擴(kuò)散行為的熱能時(shí)，基材及導(dǎo)電材介面開(kāi)始有擴(kuò)散行為產(chǎn)生，提高介面的附著性。在論文集「Multilayer Electronic CeramicDevices」中的一篇標(biāo)題為「Mulilayer Chip Inductor」論文中，貝U說(shuō)明了共燒系統(tǒng)中介面由于有氯或硫的存在，直接造成銀擴(kuò)散的行為。另外，薄膜元件因工藝上需求，需在特定厚度的陶瓷基板成型，又元件尺寸規(guī)格被規(guī)范，因此所能成型的線路層數(shù)及產(chǎn)品設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)規(guī)格也受到限制。低溫共燒工藝能依結(jié)構(gòu)需求調(diào)整基材厚度，提高線路層數(shù)，相對(duì)薄膜工藝，低溫共燒陶瓷在產(chǎn)品規(guī)格設(shè)計(jì)上有較多的空間。特別來(lái)說(shuō)，本發(fā)明是關(guān)于一新穎工藝技術(shù)，由低溫共燒陶瓷結(jié)合光刻技術(shù)，制成內(nèi)含微細(xì)及高深寬比線路的多層陶瓷基板。本發(fā)明利用光刻工藝對(duì)于尺寸控制上高精度的特性，搭配不同光致抗蝕劑特性來(lái)控制欲成型的線路尺寸，獲得微細(xì)及高深寬比線路，并結(jié)合低溫共燒陶瓷工藝，調(diào)整共燒材料間的匹配度，獲得高介面附著性多層陶瓷元件。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明陶瓷基板制作流程是先將未燒結(jié)的陶瓷生胚(以下亦稱「未燒結(jié)層(green layer) J )或烘干后的陶瓷膏膜粘于熱脫膠(步驟11);然后將光致抗蝕劑熱壓披覆于該陶瓷生胚上(步驟12);利用曝光顯影，制作出電路圖性凹槽(步驟13);利用厚模印刷工藝，將金屬膏填入電路圖形凹槽(步驟14);進(jìn)行干燥(步驟15);再以蝕刻液將剩余光致抗蝕劑去除，留下所需電路圖形，形成微細(xì)線路附著于陶瓷生胚上(步驟16);隨后再進(jìn)行干燥(步驟17);最后，將具有微細(xì)線路的數(shù)層陶瓷生胚堆疊成三維電路結(jié)構(gòu)后，經(jīng)燒結(jié)成多層陶瓷基板(步驟18)。本發(fā)明工藝方法其材料需接觸到高濕度的酸堿環(huán)境，因此所選用的生胚材料及印刷的膠材(金屬膏)需特別具有耐酸堿及耐水性的功能性，特別是配制膠材需選用酯溶性且耐酸堿的有機(jī)載體。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，生胚材料可以是陶瓷粉末加上酯溶性且耐酸堿的粘結(jié)劑，例如，聚乙烯縮丁醒(polyvinyl butyral, PVB)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，印刷的膠材包括金屬粉末，例如，銀粉、銅粉或金粉，以及酯溶性且耐酸堿的粘結(jié)劑，例如，聚乙烯縮丁醛(PVB)，其添加量相對(duì)于主體粉末部份為3 15% (重量百分比)，若考量附著性及且耐酸堿性，添加量?jī)?yōu)選在10 12% (重量百分比)，所使用溶液如松醇油(terpineol)等有機(jī)溶劑。印刷的膠材可另包括塑化劑，例如，鄰苯二甲酸二丁酯(dibutylphthalate, DBP)，其添加量相對(duì)于粘結(jié)劑部份為20 50% (重量百分比)，若考量附著性及且耐酸堿性，添加量?jī)?yōu)選在25 35% (重量百分比)，做為膠材附著性、分散性及均勻性的特性改善。下列實(shí)施例用以進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但不限制本發(fā)明范圍。凡熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人士所知的替代與修飾，均仍屬于于本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。實(shí)施例一
請(qǐng)參閱圖2A至圖2D，其為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所示的陶瓷基板的單層線路結(jié)構(gòu)工藝步驟。首先，如圖2A，將一未燒結(jié)層20固定于一熱脫膠膜22上，其中熱脫膠膜22為了適用于后續(xù)工藝使用，其脫膠發(fā)泡溫度須限定在80 110°C。未燒結(jié)層20可以是一陶瓷生胚。在其它實(shí)施例中，未燒結(jié)層20亦可能以其它內(nèi)層基材取代，例如玻璃基板。接著，如圖2B，將一干膜光致抗蝕劑24熱壓覆蓋在未燒結(jié)層20上，例如，以真空熱壓機(jī)，在O I托(torr)的真空壓力，70°C熱壓溫度下，維持20秒，使干膜光致抗蝕劑24均勻壓合在未燒結(jié)層20上。再以光刻工藝技術(shù)于干膜光致抗蝕劑24中形成線路凹槽24a，其中該線路凹槽24a暴露出部分的未燒結(jié)層20表面。隨后，如圖2C，以印刷方式(可用網(wǎng)版或不用網(wǎng)版)將金屬膏，例如銀膏，填入線路凹槽24a，形成線路圖案25，然后進(jìn)行烘干。接著，如圖2D，在低于50 60°C的堿性溶液中將干膜光致抗蝕劑24去除，然后在50°C下將已去光致抗蝕劑的半成品烘干，即形成單層線路結(jié)構(gòu)。于去除干膜光致抗蝕劑24后，更可進(jìn)一步將未燒結(jié)層20與線路圖案25共燒。圖2E至圖2H所示的是第二層線路結(jié)構(gòu)的工藝步驟(接續(xù)圖2D)。如圖2E，以濕式法將一介電層26印刷至未燒結(jié)層20上，介電層26覆蓋住部分的線路圖案25，且介電層26具有開(kāi)孔26a暴露出部分的線路圖案25。介電層26可以包括磁性粉末、陶瓷粉末、氧化物粉末等。接著，如圖2F，將一干膜光致抗蝕劑28熱壓覆蓋在介電層26上。再以光刻工藝技術(shù)于干膜光致抗蝕劑28中形成線路凹槽28a。隨后，如圖2G，以印刷方式將金屬膏，例如銀膏，填入線路凹槽28a，形成線路圖案30，然后進(jìn)行烘干。最后，如圖2H，在低于50 60°C的堿性溶液中將干膜光致抗蝕劑28去除，然后在50°C下將已去光致抗蝕劑的半成品烘干，即完成第二層線路結(jié)構(gòu)。接著可以繼續(xù)重復(fù)圖2E至圖2H的步驟即可制成多層線路結(jié)構(gòu)，然后在850 950°C下(針對(duì)銀膏)或900 1000°C下(針對(duì)銅膏)燒結(jié)成多層陶瓷基板。請(qǐng)參閱圖3，其以側(cè)視立體圖顯示本發(fā)明陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)特征，其中為方便說(shuō)明，圖3中并未繪示出介電層。如圖3所示，本發(fā)明多層陶瓷基板100至少包括一基材120以及形成在基材120表面上的一微細(xì)線路125，例如，銀線路圖案，其中銀線路圖案的高/寬比介于O. 5 2. 5間。多層陶瓷基板100上的微細(xì)線路125可以利用如圖2A至圖2H所述的方法制成。結(jié)構(gòu)特征在于，微細(xì)線路125具有高深寬比(h/w)，其中，微細(xì)線路125的線寬w可視光刻工藝解析能力做調(diào)整，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，線寬w可小于50微米(μ m)，優(yōu)選可小于20微米，而微細(xì)線路125的深度或高度h可以大于5微米(μ m)，優(yōu)選可介于15 50微米間。以線寬為20微米為例，微細(xì)線路125的深寬比(或高寬比)至少超過(guò)O. 25，甚至I. 2以上，另外金屬線路圖案可直接接觸陶瓷基板；圖4A至圖4C以剖面圖例示不同尺寸微細(xì)線路的深寬比，通常金屬線路圖案為梯形，寬度是取高度的中間值。另外，本發(fā)明在微細(xì)線路125與基材120的界面(如放大圓圈處所示)可顯示出另一線路結(jié)構(gòu)特征，也就是在基材120的晶界120a中可以發(fā)現(xiàn)因?yàn)闊Y(jié)溫度而擴(kuò)散至晶界120a的銀金屬成分125a。上述微細(xì)線路125的結(jié)構(gòu)特征并非傳統(tǒng)以網(wǎng)印技術(shù)(其線寬極限約50微米)或電鍍技術(shù)所能達(dá)成的。此外，由于以光刻技術(shù)形成線路圖案，故本發(fā)明線路結(jié)構(gòu)具有高線寬均勻性以及高邊緣解析度(edge resolution),而不會(huì)有如傳統(tǒng)以網(wǎng)印技術(shù)印刷出的線路的不規(guī)則線寬問(wèn)題。
電鍍工藝及共燒結(jié)構(gòu)主要差異在于導(dǎo)體材料的微觀結(jié)構(gòu)，電鍍工藝需在基材上利用物理或化學(xué)氣相沉積方式形成一層晶種層(seed layer)，再利用電鍍方式將金屬離子沿晶種表面向上成長(zhǎng)，晶粒成長(zhǎng)的方向?yàn)榫ХN的晶格結(jié)構(gòu)所決定，為各向異性成長(zhǎng)，晶粒間緊密排列，致密度高。而共燒系統(tǒng)的導(dǎo)體材料晶粒成長(zhǎng)機(jī)制為降低晶界的表面能，為各向同性成長(zhǎng)，通常呈現(xiàn)接近正多邊形狀，晶粒大小受到吸收的總熱能(燒結(jié)溫度及時(shí)間)影響。晶粒排列較不致密，有排膠不完全所殘留的孔隙。實(shí)施例二本發(fā)明另提供利用玻璃陶瓷為基底的生胚制成一內(nèi)含微細(xì)及高深寬比線路的多層陶瓷基板的方法，其工藝步驟如下所述步驟I :在用來(lái)固定胚體的熱脫膠片(或冷脫膠片)上分別打堆疊定位孔。步驟2 :先將不印刷線路的外層生胚(dummy layer)部份分別打堆疊定位孔(align pin hole)。步驟3 :將打好堆疊定位孔的不印刷線路的外層生胚及冷脫膠套栓(pin) —起堆
疊壓合。步驟4:再將欲印刷線路的內(nèi)層生胚打堆疊定位孔、印刷定位孔(photo alignhole)及線路連通的貫穿孔(via hole)。步驟5 :利用堆疊定位將第一層欲印刷線路的內(nèi)層生胚與固定于熱脫膠片上的疊設(shè)生胚壓合。步驟6 :將步驟5中的半成品與干膜光致抗蝕劑壓合。步驟7 :將四周印刷定位孔曝光并顯影露出。步驟8 :曝光顯影于干膜光致抗蝕劑中形成線路凹槽。步驟9 :以網(wǎng)版乳劑覆蓋住不印刷區(qū)域，將銀膏填入線路凹槽后將銀膏烘干，形成銀線路圖案，其中銀線路圖案可以為螺旋狀。步驟10 :將干膜光致抗蝕劑顯影去除。步驟11 :將前一步驟的半成品壓上另一第二層欲印刷線路的內(nèi)層生胚。步驟12 :將步驟11中的半成品與干膜光致抗蝕劑壓合。步驟13 :重復(fù)步驟7 13。
步驟14 :壓上另一不印刷線路的外層生胚。步驟15 :水均壓壓合。步驟16:切割。步驟17 :去除熱脫膠。步驟18:燒結(jié)。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷基板的制作方法，其特征在于包含有 提供一未燒結(jié)層； 將一光致抗蝕劑覆蓋在該未燒結(jié)層上； 以光刻工藝于該光致抗蝕劑中形成一線路凹槽； 將一金屬膏填入該線路凹槽，形成一線路圖案 '及 去除該光致抗蝕劑。
2.如權(quán)利要求I所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于該未燒結(jié)層包含一陶瓷生胚。
3.如權(quán)利要求I所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于去除該光致抗蝕劑后更包含將該未燒結(jié)層與線路圖案共燒。
4.如權(quán)利要求I所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于該光致抗蝕劑包含一干膜光致抗蝕劑。
5.如權(quán)利要求4所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于該干膜光致抗蝕劑是以熱壓覆蓋在該未燒結(jié)層上。
6.如權(quán)利要求I所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于該金屬膏為銀膏。
7.如權(quán)利要求I所述的陶瓷基板的制作方法，其特征在于該金屬膏以印刷方式填入該線路凹槽。
8.—種陶瓷基板的制作方法，其特征在于包含有 提供一未燒結(jié)層； 將一第一光致抗蝕劑覆蓋在該未燒結(jié)層上； 以光刻工藝于該第一光致抗蝕劑中形成一第一線路凹槽； 將一第一金屬膏填入該第一線路凹槽，形成一第一線路圖案； 去除該第一光致抗蝕劑； 于該未燒結(jié)層以及該第一線路圖案上形成一介電層，其中該介電層具有開(kāi)孔曝露出部分的該第一線路圖案； 將一第二光致抗蝕劑覆蓋在該介電層上； 以光刻工藝于第二光致抗蝕劑中形成一第二線路凹槽； 將一第二金屬膏填入該第二線路凹槽，形成一第二線路圖案；及 去除該第二光致抗蝕劑。
9.一種陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于包含有 一陶瓷基板；以及 一銀線路圖案，形成在該陶瓷基板的表面上，其中該銀線路圖案高度側(cè)邊為一平順型結(jié)構(gòu)，其線寬小于50微米，而高度大于5微米。
10.如權(quán)利要求9所述的陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于該陶瓷基板的晶界中具有銀金屬成分。
11.如權(quán)利要求9所述的陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于該銀線路圖案的線寬小于20微米。
12.如權(quán)利要求9所述的陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于該銀線路圖案的高度介于15 50微米間。
13.如權(quán)利要求9所述的陶瓷基板的線路結(jié)構(gòu)，其特征在于該銀線路圖案的高/寬比介于O. 5 2. 5間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陶瓷基板的制作方法。先提供一未燒結(jié)層；將一光致抗蝕劑覆蓋在該未燒結(jié)層上；再以光刻工藝于該光致抗蝕劑中形成一線路凹槽；再將一金屬膏填入該線路凹槽，形成一線路圖案；最后去除該光致抗蝕劑。
文檔編號(hào)H05K3/10GK102811562SQ20111014480
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者廖玟雄, 林文玉, 張煒謙 申請(qǐng)人:乾坤科技股份有限公司