專利名稱：非導電性載體形成電路結構的制造方法
技術領域：
本發明是涉及一種制造方法，特別是涉及一種非導電性載體形成電路結構的制造方法。
背景技術：
基于大眾對于3C產品的便利性及可攜帶性的講究，驅使電子產品朝向微小化、輕量化及多功能化的趨勢發展。因而使得電路設計與制作方式亦邁向質量輕、體積小及厚度薄的方向發展。目前已知用在制作電路的方法中普遍可分為電鍍及化學鍍兩種。其中，相較于電鍍，化學鍍又稱為無電鍍(Electroless plating)或自身催化電鍍(autocatalytic plating)，其是指水溶液中的金屬離子在被控制的環境下，予以化學還原，而不需電力鍍在基材上。化學鍍的優點包含鍍層均勻、鍍層孔率少、可形成多元合金等特點。因此，在金屬層厚度均勻度要求較高的電子產品，如手機、筆記型計算機等的電路組件的電路形成方式大多都采用化學鍍來制作電路組件。目前，在模塑互連組件(Moulded Interconnect Device，MID)的制造程序中，一熟知技術為將金屬氧化物分散在非導電性載體內，且射出成型一基座。接續以激光照射基座的任一表面使其形成一預設電路圖樣，其于激光燒蝕基座表面同時裸露及活化所述表面的金屬氧化物使其釋放金屬核(metal nuclei) 0在制造過程中，為均勻分散金屬氧化物至非導電性載體內，故需提供一定比例量的金屬氧化物。然而，所述金屬氧化物所釋放的金屬核僅為提供預設電路圖樣部表面金屬化還原反應的用途，因此無受到激光活化的金屬氧化物會導致成本的浪費，亦無回收再利用的可能性。此外，其它熟知技術可能會因為部分催化劑裸露在非預定線路的表面上，而使得后續金屬化時，在非預定線路的表面上亦鍍覆金屬，因而造成成品不良率增加。再者，美國專利第7060421號所揭示的制造導體軌道結構(conductor track structure)方法中，其因所使用的激光功率須達到金屬氧化物釋放金屬核的能量，故而縮短激光源的壽命。而美國專利第5945213號及第5076841號則具有于3D曲面形成微線路須配合3D遮罩(mask)，故其成本較高的問題。
發明內容
有鑒于上述已知技藝的問題，本發明的目的就是在于提供一種非導電性載體形成電路結構的制造方法，除了可達到制造程序簡易、降低成本及成品不良率的功效，亦有實施方式靈活的優點。根據本發明的目的，提出以下的技術方案一種非導電性載體形成電路結構的制造方法，其包含下列步驟提供一非導電性載體；分散一催化劑于所述非導電性載體上或所述非導電性載體內；
形成一預定線路結構于所述非導電性載體上，并使所述催化劑裸露于所述預定線路結構的表面；以及金屬化所述預定線路結構，以形成一導電線路。利用一噴砂加工、一激光照射或一化學蝕刻，使所述預定線路結構形成在所述非導電性載體上，以裸露所述催化劑于所述預定線路結構上。所述激光的波長范圍為248納米至10600納米之間的任一波長。非導電性載體形成電路結構的制造方法，其還包括設置一絕緣層于含有所述催化劑的所述非導電性載體上，以形成一復合體。所述催化劑分散于所述非導電性載體上的步驟為藉由含有所述催化劑的一薄膜設置于所述非導電性載體的表面所達成。所述薄膜包含油墨、涂料、有機高分子或其組合。其還包括于形成所述導電線路后，移除殘留的所述薄膜的步驟。非導電性載體形成電路結構的制造方法，其還包括將所述催化劑覆蓋于一無機填充料表面的步驟，以增加所述催化劑的比表面積；所述無機填充料包含硅酸、硅酸衍生物、 碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、納米碳管、石墨、沸石、黏土礦物、陶瓷粉末、甲殼素或其組合。所述催化劑包括一金屬元素、或所述金屬元素的一金屬氧化物、一金屬氫氧化物、 一金屬水合氧化物、一復合金屬氧化物水合物或其組合。所述金屬元素包括鈦、銻、銀、鈀、鐵、鎳、銅、釩、鈷、鋅、鉬、金、銦、銥、鋨、銠、錸、 釕、錫或其組合。所述金屬氧化物包括氧化銀、氧化鈀或其組合。所述金屬氫氧化物包括氫氧化銀、氫氧化銅、氫氧化鈀、氫氧化鎳、氫氧化金、氫氧化鉬、氫氧化銦、氫氧化錸、氫氧化銠或其組合。 所述金屬水合氧化物包括水合氧化鉬、水合氧化銀、水合氧化銅、水合氧化鈀、水合氧化鎳、水合氧化金、水合氧化銦、水合氧化錸、水合氧化銠或其組合。所述復合金屬氧化物水合物包括下列分子式M1xM2Om. η (H2O)其中，M1為鈀或銀，M2為硅、鈦或鋯，當M1為鈀時χ為1，當M1為銀時χ為2，m及η 為介于1至20的間的整數。所述非導電性載體的材料為一高分子塑料，所述高分子塑料包括一熱塑性塑料或一熱固性塑料。所述非導電性載體的材料為一陶瓷材料，所述陶瓷材料包括氧化鋁、氮化鋁、低溫共燒陶瓷、碳化硅、氧化鋯、氮化硅、氮化硼、氧化鎂、氧化鈹、碳化鈦、碳化硼或其組合。非導電性載體形成電路結構的制造方法，其還包含設置一導熱材、一導熱柱或其組合于所述非導電性載體中。所述導熱材包括一非金屬導熱材、一金屬導熱材或其組合。 所述非金屬導熱材包含石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅、碳化硅或其組合。所述金屬導熱材包含鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀或其組合。所述導熱柱的材料包含鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀、石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅、碳化硅或其組合。本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法，提供非導電性載體后，分散催化劑于非導電性載體上或非導電性載體內。接著，預定線路結構形成于非導電性載體上，并使催化劑裸露所述預定線路結構的表面，再金屬化預定線路結構，以形成一導電線路。其中，可利用全面或局部的噴砂加工、激光照射或化學性蝕刻，使預定線路結構形成在非導電性載體上，以裸露該催化劑于預定線路結構上。前述所言的化學性蝕刻除可裸露催化劑，亦有些微濕潤(wetting)的效果，使得欲鍍面具備些微親水性，利于后續化學鍍的進行。 在上述的非導電性載體形成電路結構的制造方法中，還可包含設置一絕緣層于含有催化劑的非導電性載體上的步驟，以形成一復合體。因此，在后續金屬化時，設置絕緣層可避免金屬鍍覆于非預定線路的表面上，降低成品不良率。其中，催化劑分散于該非導電性載體上的步驟可藉由含有催化劑的一薄膜設置于非導電性載體的表面所達成。而薄膜可為油墨、膠膜、涂料或有機高分子。亦可在形成導電線路后，選擇性移除殘留的薄膜。其中，本發明的非導電性載體還可包含導熱材、導熱柱或其組合于其中，進而增加導熱效能。導熱材可包括非金屬導熱材、金屬導熱材。非金屬導熱材可選自石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅及碳化硅所組成的群組。而金屬導熱材則可選自鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅及銀所組成的群組。又，導熱柱的材料可選自于鉛、 鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀、石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、 氮化硅及碳化硅所組成的群組。承上所述，依本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其可具有一或多個下述優點(1)本發明的制造方法中，若使用激光裸露催化劑，其激光以低功率進行裸露程序即可，且因金屬核在化學鍍程序中靜置反應約為10 15分鐘，而本發明的催化劑在化學鍍程序中靜置反應約為3 5分鐘，故本發明的非導電性載體中的催化劑在化學鍍過程中的氧化還原反應速率較激光活化金屬氧化物所釋放的金屬核快速。(2)本發明的電路的制造方法中，可選擇性地移除殘留的薄膜，故可回收薄膜內的催化劑再利用，進而降低電路制程成本。(3)本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法中，因含有催化劑的薄膜上設置有一絕緣層，故在金屬化時，可避免部分催化劑因裸露于薄膜表面時所造成的不良影響。(4)本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法中，因非導電性載體可包含有導熱材、導熱柱或其組合，故使得制作完成的電路板具有極佳的熱傳導、熱輻射的效能。
圖1為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第一實施例的步驟流程圖。
圖2為本發明的電路的一實施例的剖面圖。圖3為以本發明的電路剖面圖，且其預定線路結構形成于薄膜上。圖4為以本發明的電路剖面圖，且其預定線路結構形成于非導電性載體上。圖5為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第二實施例的步驟流程圖。圖6為以本發明的第二實施例的制造方法所制得的電路剖面圖，且其預定線路結構形成于薄膜上。圖7為以本發明的第二實施例的制造方法所制得的電路剖面圖，且其預定線路結構形成于非導電性載體上。圖8為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第三實施例的步驟流程圖。圖9為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第四實施例的步驟流程圖。圖10為本發明的含有導熱材的電路的一實施例的剖面圖。主要組件符號說明21:非導電性載體24:薄膜32 催化劑33 金屬層61 絕緣層111 納米碳球Sll S14、S51 S55、S81 S84、S91 S95 步驟
具體實施例方式請參照圖1，其為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第一實施例的步驟流程圖。如圖所示，其步驟包括步驟S11，提供一非導電性載體。步驟S12，分散催化劑于非導電性載體上或非導電性載體內。步驟S13，形成一預定線路結構于非導電性載體上，并使催化劑裸露于預定線路結構的表面。步驟S14，金屬化具有催化劑的預定線路結構， 以形成一導電線路(金屬層)。當分散催化劑于非導性載體內時即為Sll和S12步驟同時實施。在本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法中，催化劑可包含金屬元素、 或其金屬元素的金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬水合氧化物或復合金屬氧化物水合物。其中，金屬元素可包含鈦、銻、銀、鈀、鐵、鎳、銅、釩、鈷、鋅、鉬、銥、鋨、銠、錸、釕、錫等過渡金屬或其混合物。金屬氧化物可包括氧化銀或氧化鈀等。金屬氫氧化物則可包括氫氧化銀、氫氧化銅、氫氧化鈀、氫氧化鎳、氫氧化金、氫氧化鉬、氫氧化銦、氫氧化錸或氫氧化銠。金屬水合氧化物可包括水合氧化鉬、水合氧化銀、水合氧化銅、水合氧化鈀、水合氧化鎳、水合氧化金、水合氧化銦、水合氧化錸或水合氧化銠等。復合金屬氧化物水合物可為下列分子式M1xM2Om. η (H2O)
其中，M1為鈀或銀，M2為硅、鈦或鋯。當M1為鈀時χ為1，而當M1為銀時χ為2，m及η 為介于1至20之間的整數。復合金屬氧化物水合物例如為PdTiO3 ·η(Η20) ,Ag2TiO3 ·η (H2O)、 PdSiO3 · η (H2O)、PdZrO3 · η (H2O)等。對于預定線路結構形成在非導電性載體而言，可利用全面或局部的噴砂加工、激光照射或化學蝕刻的方式而達成，進而使催化劑裸露于預定線路結構上。所述的激光照射的方式包括二氧化碳(CO2)激光、銣雅鉻(Nd:YAG)激光、摻釹釩酸釔晶體(NchYVO4)激光、準分子(EXCIMER)激光或光纖激光(Fiber Laser)等。而激光的波長范圍可為248納米至10600納米之間的任一波長，其使用何種波長可依據欲將預定線路結構形成于薄膜或非導電性載體上的選擇，且亦根據激光強弱來調整激光照射時間。當催化劑直接分散于非導電性載體21內時，預定線路結構可直接形成在非導電性載體21上，故使得催化劑32直接裸露于預定線路結構的表面，進而進行金屬化，以在預定線路結構上形成金屬層33，如圖2所示。在另一實施例中，當催化劑分散于非導電性載體上時，可利用含有催化劑的薄膜的設置而達成如鈀催化劑(不以此為限)。在步驟S13中，藉由激光燒蝕、噴砂加工或化學蝕刻后的非導電性載體浸泡于無電解電鍍的溶液中，裸露于預定線路結構的鈀催化劑催化無電解溶液中的金屬離子，經由化學還原反應還原析出于預定線路結構上的表面，進而形成金屬鍍層，以達到制作結構性電路于非導電性載體上的目的。對于不同非導電性載體來說，在進行激光燒蝕時的激光照射強度亦有不同，且激光照射時間會隨著激光照射功率而改變。例如以高分子塑料(例如熱塑性塑料或熱固性塑料)為非導電性載體的材料，且使用功率較強的激光照射時，其激光照射時間就相對于較短，以避免破壞由高分子塑料所組成的非導電性載體的結構。若藉由激光燒蝕至以熱塑性塑料或熱固性塑料所組成的非導電性載體時，非導電性載體表面則可能因為過度熔融致使塑料受熱而分解變質，然而其分解變質的副產物可能影響催化劑的作用，或因為過度燒蝕使非導電性載體上的催化劑薄膜的催化劑量減少，而使得在后續制程中無法鍍覆其它欲鍍金屬或有鍍覆不完全的現象，進而影響最后成品的質量。因此，當非導電性載體21由高分子塑料所組成時，催化劑亦可藉由薄膜M的方式形成于非導電性載體21上。意即，設置含有催化劑的薄膜M于非導電性載體21上，故于薄膜M上進行激光燒蝕，并無破壞由高分子塑料所組成的非導電性載體21，如圖3所示。 而薄膜對可為油墨、膠膜、涂料或有機高分子。此外，于鍍覆金屬后(即形成導電線路后)， 亦可選擇性地將殘留的薄膜移除。其中，熱塑性塑料可包括聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PQ、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚酰胺(尼龍，Nylon)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚四氟乙烯(特富龍，PTFE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET，PETE)、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物 (ABS)或聚碳酸酯/丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物的合金塑料(PC/ABQ等同時亦包含其組合。而熱固性塑料則可為環氧樹脂、酚醛塑料、聚酰亞胺、三聚氰氨甲醛樹脂等同時亦包含其組合。非導電性載體亦可為液晶高分子聚合物(LCP)材料。再者，非導電性載體亦可以陶瓷材料制成，或者可在陶瓷材料表面含有催化劑的薄膜中加入玻璃質材料，在燒結程序后，以增加陶瓷材料與催化劑間的接著強度。然而，因玻璃質材料融熔后會填補陶瓷材料表面的孔洞，故激光照射較不易使催化劑滲透至由陶瓷材料所制成的非導電性載體上。當預定線路結構形成于非導電性載體21上時，催化劑可裸露于預定線路結構表面上，如圖4所示。在藉由激光燒蝕的過程中，催化劑32則會滲透且裸露(也可單獨裸露)于預定線路結構的表面，以進行后續制程。陶瓷材料可為氧化鋁、氮化鋁、低溫共燒陶瓷(low temperature co-fired ceramics，LTCC)、碳化硅、氧化鋯、氮化硅、氮化硼、氧化鎂、氧化鈹、碳化鈦、碳化硼或其組合。請參照圖5，其為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第二實施例的步驟流程圖。如圖所示，其步驟包括步驟S51，提供非導電性載體。步驟S52，設置含有催化劑的薄膜于非導電性載體上。步驟S53，設置一絕緣層于薄膜上。步驟S54，藉由激光燒蝕絕緣層及薄膜，以形成一預定線路結構，并使催化劑裸露或滲透且裸露于預定線路結構的表面。步驟S55，金屬化具有催化劑的預定線路結構，以形成一導電線路。其中，在步驟 S54中，形成預定線路結構的方式有多種，本實施例是以激光燒蝕為例，不以此為限。此外， 在步驟S52中，若催化劑于非導電性載體內時，步驟S53所述的絕緣層則直接設置于非導電性載體上。相對于上述實施例，本發明的第二實施例多了一絕緣層，如圖6所示。催化劑32 可能裸露于非預定線路結構的薄膜表面的部位，在隨后的鍍覆金屬的步驟中，可能會使非預定線路結構的部位也鍍覆金屬的情況發生。因此，可藉由絕緣層61覆蓋薄膜M，而避免因催化劑32裸露于薄膜M表面時所造成的不良影響。此外，在圖6中，因非導電性載體21是由高分子塑材所制得，故藉由激光燒蝕至薄膜對，使預定線路結構形成于薄膜M上。而當非導電性載體21由陶瓷材料所制成時，則可激光燒蝕至非導電性載體21，使預定線路結構形成于非導電性載體21上，如圖7所示。在此，需注意的是，無論非導電性載體的材料為塑料或陶瓷材料，其皆可有圖6及圖7所示的電路結構。請參照圖8，其為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第三實施例的步驟流程圖。如圖所示，其步驟包括步驟S81，設置含有催化劑的薄膜于高分子膜上。步驟S82，將具有薄膜的高分子膜放入具有塑料射出成型機，經由射出成型(模內射出)以形成一復合體，其中所述塑料為非導電性載體的材料。步驟S83，藉由激光燒蝕復合體，以形成預定線路結構，并使催化劑滲透且裸露于預定線路結構的表面。步驟S84，金屬化具有預定線路結構的復合體，以形成一導電線路。其中，在步驟S83中，形成預定線路結構的方式有多種，本實施例是以激光燒蝕為例，不以此為限。此外，在線路結構形成后，亦可將高分子膜移除。第三實施例與第一及二實施例的差別在于，第三實施例是利用射出成型的方式形成由高分子膜、含催化劑的薄膜及非導電性載體所構成的復合體，將其復合體直接作為電路組件的基座。此外，薄膜上可含有預定線路結構的圖案，依據其圖案進行燒蝕，以在薄膜或非導電性載體上形成預定線路結構，并裸露其催化劑。當高分子膜、含催化劑的薄膜及非導電性載體經由射出成型而形成復合體的制程中，可藉由不同的射出成型模具的設計，制作不同結構的導電線路圖樣。此外，薄膜、高分子膜及非導電性載體的設置位置亦具有多種態樣。例如，在射出成型時，高分子膜可設于薄膜及非導電性載體之間，或者薄膜位于非導電性載體與高分子膜之間等。且，根據非導電性載體的種類，藉由激光燒蝕的程度亦有所不同。其原理如同于上述實施例，故在此不再贅述。有所不同的是，在本實施例中，因高分子膜可設于薄膜與非導電性載體之間，故在燒蝕過程中，預定線路結構可形成在高分子膜上。在上述各實施例中，可進一步移除殘留的薄膜。以第二實施例而言，當導電線路形成后，可將其殘留的薄膜移除，以將催化劑溶融出并再利用，進而節省原料成本。請參照圖9，其為本發明的非導電性載體形成電路結構的制造方法的第四實施例的步驟流程圖。如圖所示，其步驟包括步驟S91，于高分子膜上形成含有催化劑的薄膜。步驟S92，以熱壓法或激光加熱法(包含直接加熱或間接加熱)將含有催化劑的薄膜熔融接合于非導電性載體的表面。步驟S93，移除高分子膜。步驟S94，藉由激光燒蝕薄膜，以形成一預定線路結構，使催化劑裸露于預定線路結構的表面。步驟S95，金屬化含有催化劑的預定線路結構，以形成導電線路。其中，根據非導電性載體的種類，激光燒蝕的程度有所不同，且其原理如同于上述實施例，故在此不再贅述。于步驟S94中，形成預定線路結構的方式有多種，本實施例是以激光燒蝕為例，不以此為限。再者，第二實施例至第四實施例的催化劑種類皆與第一實施例相同，故不再贅述。 另，雖然上述的催化劑皆以薄膜的方式舉例，但不以此為限，催化劑亦可直接存在于非導電性載體內。此外，上述的催化劑可覆蓋于無機填充料表面，形成復合顆粒后，再將其混合入薄膜內，以增加其比表面積。如此，便可增加在激光照射后，所裸露出的催化劑的數量，且可以更進一步減少催化劑的使用量，及降低成本。其中，無機填充料可包含硅酸、硅酸衍生物、 碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、納米碳管、石墨、沸石、黏土礦物、陶瓷粉末、甲殼素或其組合。上述所有實施例中，當非導電性載體是由導熱性較差的材料(例如高分子塑料) 所組成時，本發明的制造方法還可包含設置導熱材、導熱柱或其組合于非導電性載體其中， 以增加導熱效率。其中，導熱材可包括非金屬導熱材或金屬導熱材。非金屬導熱材可選自石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅及碳化硅所組成的群組。而金屬導熱材則可選自鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅及銀所組成的群組。導熱柱的材料可選自于鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀、石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅及碳化硅所組成的群組。請參照圖10，其為本發明的含有導熱材的電路的一實施例的剖面圖。圖中，導熱材為納米碳球111的非金屬導熱材，不以此為限。而催化劑32存在于薄膜M上，不以此為限，亦可直接存在于非導電性載體21中(圖中未示)。因此，最后所得的電路板具有極佳的熱傳導、熱輻射的效能。綜上所述，因含有催化劑的薄膜上設置有一絕緣層，故可避免因催化劑裸露于非預定線路結構的薄膜表面部位時，其后續金屬化制程中所造成的不良影響。此外，因非導電性載體可包含有導熱材、導熱柱或其組合，以增加導熱效能。以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于所附的權利要求保護范圍中。
權利要求
1.一種非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于包含下列步驟提供一非導電性載體；分散一催化劑于所述非導電性載體上或所述非導電性載體內；形成一預定線路結構于所述非導電性載體上，并使所述催化劑裸露于所述預定線路結構的表面；以及金屬化所述預定線路結構，以形成一導電線路。
2.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于利用一噴砂加工、一激光照射或一化學蝕刻，使所述預定線路結構形成在所述非導電性載體上， 以裸露所述催化劑于所述預定線路結構上。
3.根據權利要求2所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述激光的波長范圍為248納米至10600納米之間的任一波長。
4.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于其還包括設置一絕緣層于含有所述催化劑的所述非導電性載體上，以形成一復合體。
5.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述催化劑分散在所述非導電性載體上的步驟為藉由含有所述催化劑的一薄膜設置于所述非導電性載體的表面所達成。
6.根據權利要求5所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于其還包括于形成所述導電線路后，移除殘留的所述薄膜的步驟。
7.根據權利要求5所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述薄膜包含油墨、涂料、有機高分子或其組合。
8.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于其還包括將所述催化劑覆蓋于一無機填充料表面的步驟，以增加所述催化劑的比表面積；所述無機填充料包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、 納米碳管、石墨、沸石、黏土礦物、陶瓷粉末、甲殼素或其組合。
9.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述催化劑包括一金屬元素、或所述金屬元素的一金屬氧化物、一金屬氫氧化物、一金屬水合氧化物、一復合金屬氧化物水合物或其組合。
10.根據權利要求9所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述金屬元素包括鈦、銻、銀、鈀、鐵、鎳、銅、釩、鈷、鋅、鉬、金、銦、銥、鋨、銠、錸、釕、錫或其組合。
11.根據權利要求9所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述金屬氧化物包括氧化銀、氧化鈀或其組合。
12.根據權利要求9所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述金屬氫氧化物包括氫氧化銀、氫氧化銅、氫氧化鈀、氫氧化鎳、氫氧化金、氫氧化鉬、氫氧化銦、氫氧化錸、氫氧化銠或其組合。
13.根據權利要求9所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述金屬水合氧化物包括水合氧化鉬、水合氧化銀、水合氧化銅、水合氧化鈀、水合氧化鎳、水合氧化金、水合氧化銦、水合氧化錸、水合氧化銠或其組合。
14.根據權利要求9所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述復合金屬氧化物水合物包括下列分子式M1xM2Om. η (H2O)其中，M1為鈀或銀，M2為硅、鈦或鋯，當M1為鈀時χ為1，當M1為銀時χ為2，m及η為介于1至20的間的整數。
15.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述非導電性載體的材料為一高分子塑料，所述高分子塑料包括一熱塑性塑料或一熱固性塑料。
16.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述非導電性載體的材料為一陶瓷材料，所述陶瓷材料包括氧化鋁、氮化鋁、低溫共燒陶瓷、碳化硅、氧化鋯、氮化硅、氮化硼、氧化鎂、氧化鈹、碳化鈦、碳化硼或其組合。
17.根據權利要求1所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于其還包含設置一導熱材、一導熱柱或其組合于所述非導電性載體中。
18.根據權利要求17所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述導熱材包括一非金屬導熱材、一金屬導熱材或其組合。
19.根據權利要求18所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述非金屬導熱材包含石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅、碳化硅或其組合。
20.根據權利要求18所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述金屬導熱材包含鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀或其組合。
21.根據權利要求17所述的非導電性載體形成電路結構的制造方法，其特征在于所述導熱柱的材料包含鉛、鋁、金、銅、鎢、鎂、鉬、鋅、銀、石墨、石墨烯、鉆石、納米碳管、納米碳球、納米泡沫、碳六十、碳納米錐、碳納米角、碳納米滴管、樹狀碳微米結構、氧化鈹、氧化鋁、 氮化硼、氮化鋁、氧化鎂、氮化硅、碳化硅或其組合。
全文摘要
本發明涉及一種非導電性載體形成電路結構的制造方法，其步驟包含提供非導電性載體后，將催化劑分散于非導電性載體上或其內；形成一預定線路結構于非導電性載體上，并使催化劑裸露于所述預定線路結構的表面；及金屬化具有催化劑的預定線路結構的表面，以形成一導電線路。本發明的電路的制造方法中，可選擇性地移除殘留的薄膜，故可回收薄膜內的催化劑再利用，進而降低電路制程成本。
文檔編號H05K3/10GK102421256SQ20111012948
公開日2012年4月18日 申請日期2011年5月18日 優先權日2010年9月24日
發明者傅威程, 江振豐, 江榮泉 申請人:光宏精密股份有限公司