專利名稱：一種提高110單晶硅成晶率的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種提高110單晶硅成晶率的制備方法。
背景技術：
因為<111>晶向單晶生長排除位錯角為60度，<100>晶向單晶生長排除位錯角為90度，而<110>晶向單晶生長排除位錯角為0度，所以<110>晶向單晶位錯很難排出而盡，常常引晶后放肩脫棱或等徑后晶體生長不下去而產生位錯掉苞，使其晶體生長成晶率不高，導致<110>晶向成晶率太低。
發明內容
本發明的目的是提供在引晶過程中無位錯生長的一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法。本發明采取的技術方案是一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于采用<110>或<100>單晶切出晶向偏離<110>方向X角度的籽晶，然后采用該籽晶進行引晶，并保持引晶長度在12cm以上。所述的X角度在1 9度。采取本發明方法，因<110>籽晶的晶軸與生長方向偏離X角度，就可以在引晶過程排盡位錯，引出的<110>晶向的晶體就可以保證無位錯生長，因此能提高成晶率，保證成品率。
具體實施例方式下面采用本發明具體的實施作進一步簡要說明。一、制作晶種要求用<110>或<100>單晶，通過定向儀，切出晶種，使其晶向偏離 <110>方向X角，X值在1 9度，最好在一般為4士 1度。二、引晶采用上述的的籽晶進行引晶，要求引晶長度在12cm，但最好在22士3之間。三、這樣采用偏離晶向后的<llx>方向進行引晶，生長出的晶體具有排位錯角，就可容易排出位錯，引出的<110>晶向的晶體就可以保證無位錯生長。因此能提高成晶率，且能保證成品率。據生長測試結果，通過上述方法，成晶率可以達到98%以上。
權利要求
1.一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于采用<110>或<100>單晶切出晶向偏離<110>方向X角度的籽晶，然后采用該籽晶進行引晶，并保持引晶長度在 12cm以上。
2.根據權利要求1所述的一種提高<110>晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于 X角度在1 9度之間。
全文摘要
本發明涉及一種提高晶向單晶硅成晶率的制備方法，其特征在于采用或單晶切出晶向偏離方向X角度的籽晶，然后采用該籽晶進行引晶，并保持引晶長度在12cm以上。X角度在1～9度之間。采取本發明方法，因籽晶的晶軸與生長方向偏離X角度，就可以在引晶過程排盡位錯，引出的晶向的晶體就可以保證無位錯生長，因此能提高成晶率，保證成品率。
文檔編號C30B15/36GK102168303SQ20111008430
公開日2011年8月31日 申請日期2011年3月29日 優先權日2011年3月29日
發明者蔡蕓 申請人:浙江晨方光電科技有限公司