專利名稱：圓片的二氧化硅腐蝕方法
技術領域：
本發明涉及一種圓片的二氧化硅腐蝕方法。
背景技術：
現有腐蝕液溫度較低，導致圓片腐蝕效率比較低，若提高溫度，則產生過腐蝕，合 格率又降低。
發明內容
本發明目的是針對現有技術存在的缺陷提供一種圓片的二氧化硅腐蝕方法。本發明為實現上述目的，采用如下技術方案本發明圓片的二氧化硅腐蝕方法，通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36 40°C，然 后將圓片放入腐蝕液內腐蝕8 12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述 圓片為氧化后的硅片。本發明減少了腐蝕時間，提高了生產效率，并且減少了腐蝕線條的毛刺，提高了化 學試劑的活性。
具體實施例方式實施例1 通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在40°C，然后將圓片放入腐蝕液內腐蝕8分鐘，最 后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述圓片為氧化后的硅片。實施例2 通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36°C，然后將圓片放入腐蝕液內腐蝕12分鐘，最 后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F,所述圓片為氧化后的硅片。
權利要求
一種圓片的二氧化硅腐蝕方法，其特征在于所述方法如下通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36～40℃，然后將圓片放入腐蝕液內腐蝕8～12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F，所述圓片為氧化后的硅片。
全文摘要
本發明公布了一種圓片的二氧化硅腐蝕方法，通過加熱絲將腐蝕液溫度控制在36～40℃，然后將圓片放入腐蝕液內腐蝕8～12分鐘，最后將圓片烘干，其中，所述腐蝕液為NH4F，所述圓片為氧化后的硅片。本發明減少了腐蝕時間，提高了生產效率，并且減少了腐蝕線條的毛刺，提高了化學試劑的活性。
文檔編號C30B33/10GK101906667SQ20101025348
公開日2010年12月8日 申請日期2010年8月13日 優先權日2010年8月13日
發明者張春華, 張馨月 申請人:無錫春輝科技有限公司