專利名稱：一種開單晶1*0參考面的方法
技術領域：
本發明涉及一種開單晶IlO參考面的方法。
背景技術：
目前，針對100型單晶棒，在外圓滾磨機上開ITo參考面的工藝步驟是①夾緊晶棒，調整同心度并磨好外圓；②對晶棒進行垂直參考面定向；③以刻度 盤為基準，將其參考面方向旋轉90°，使其轉對磨頭；④進行對晶棒開參考面。采用上述方 法，因機械設備的精度誤差、刻度盤偏差、操作人員的視覺誤差等原因，磨出的參考面偏差 一般在1.5° 2°之間，這種偏差過大，不能滿足當前市場上對參考面偏離度要求比較高 的客戶需求。
發明內容
本發明的目的是提供能提高精度，減少偏差的一種開單晶ITo參考面的方法。本發明采取的技術方案是一種開單晶1 0參考面的方法，其特征在于把單晶棒 放到研磨機上，夾緊晶棒，調整同心度后滾外圓到標準直徑；然后，利用開ι ο參考面與定 向的110面成90°的空間角的特征，根據單晶棒任意的一個110面進行定向，之后，直接進 行開iio參考面。采用本發明方法，因單晶棒定向后就不需要進行旋轉，這樣可以消除機械精度與 操作人員的視角影響，以及刻度盤偏差精度的影響，從而大大提高開1 0參考面的精度，同 時，還減少的操作工序，有利于提高勞動效率。
具體實施例方式下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。1、把晶向為100的單晶棒放到研磨機上，夾緊單晶棒。2、調整好同心度后滾外圓到標準直徑；3、利用開ITo參考面與定向的110面成90°的空間角的特征，對晶棒任意的一個 110面進行定向；4、直接進行開1 1 0參考面。
采用上述方法，因減少了機械設備的精度誤差、刻度盤偏差、操作人員的視覺誤差 等三個因素的影響，可以使ITo參考面的精度達到<0.2°的技術標準，能滿足目前所有客 戶的要求。同時，無需認真仔細的校對刻度盤并細致操作，有利于降低勞動強度，提高勞動 效率。
權利要求
1. 一種開單晶IlO參考面的方法，其特征在于把單晶棒放到研磨機上，夾緊晶棒，調 整同心度后滾外圓到標準直徑；然后，利用開IlO參考面與定向的110面成90°的空間角 的特征，根據單晶棒任意的一個110面進行定向，之后，直接進行開Ilo參考面。
全文摘要
本發明涉及一種開單晶參考面的方法，該方法是先把單晶棒放到研磨機上，夾緊晶棒，調整同心度后滾外圓到標準直徑；然后，利用開參考面與定向的110面成90°的空間角的特征，根據單晶棒任意的一個110面進行定向，之后，直接進行開參考面。采用本發明方法，因單晶棒定向后就不需要進行旋轉，這樣可以消除機械精度與操作人員的視角影響，以及刻度盤偏差精度的影響，從而大大提高開參考面的精度，同時，還減少的操作工序，有利于提高勞動效率。
文檔編號C30B33/00GK101994157SQ201010129748
公開日2011年3月30日 申請日期2010年3月22日 優先權日2010年3月22日
發明者余新明, 牛小群 申請人:浙江星宇電子科技有限公司