專利名稱：Cgc單晶硅晶體生長控制器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種控制器，特別涉及一種高測控性能的單晶硅 晶體生長控制器。
背景技術：
之前的晶體生長控制器的微控制器測控功能不是很強大， 一些元
器件品質也不是很高，從而導纟致測量的數據不是很精確；同時容錯與 數據安全保護也存在一些漏、洞，不能完全保證系統的安全可靠。 發明內容
為了克服上述現有技術的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種 高測控性能的單晶硅晶體生^:控制器。具有測量數據精確和安全的特 點。
為了達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是
單晶硅晶體生長控制器，其特征在于，包括工控機9、單晶爐 CGC2000控制器10、單晶爐電機ll、加熱器12和晶體生長監控單元 13，單晶爐CGC2000控制器10包括直徑控制器1、溫校控制器2、晶 升速度單元3、堝升速度單^; 4、晶轉堝轉速度單元5、溫校控制設 定單元6、程序控制曲線單元;7和晶體重量計算模塊8，直徑控制器 1的輸出端和晶升速度單元3的輸入端、堝升速度單元4的輸入端相 連，溫校控制器2輸出端與程序控制曲線單元7的輸入端、溫校控制 設定單元6的輸入端相連，晶升速度單元3的輸入端、堝升速度單元
44的輸入端與程序控制曲線單-元7的輸出端相連，晶轉堝轉速度單元 5的輸入端與程序控制曲線單-元7的輸入端相連，溫校控制設定單元 6的輸出端與加熱器12相連，晶轉堝轉速度單元5的輸出端、晶升 速度單元3的輸出端、堝升趙g度單元4的輸出端與單晶爐電機11相 連，直徑控制器l、溫校控制j器2、晶體重量計算模塊8的輸入端與 工控機9的輸出端相連，單晶爐CGC2000控制器10的輸出端與晶體 生長監控單元13的輸入端相:連。
所述的單晶爐CGC2000乾^制器10可以是多個，其輸出端與晶體 生長監控單元13中光隔485通訊卡14的輸入端并聯，光隔485通訊 卡14的輸出端與晶體生產過程實時監控單元15的輸入端相連，晶體 生產過程實時監控單元15的輸出端與打印機16的打印端口相連。
所述的單晶爐CGC2000乾3制器10最多可以是8個并聯。
本實用新型的工控機9 3《用觸摸屏使得控制操作更加友好化；晶 體生產過程實時監控單元14〗對單晶爐CGC2000控制器10進行實時監 控，這樣可以減少人力物力的投入并使得控制操作更加方便。
圖1是本實用新型的結橋3原理圖。
圖2是本實用新型單晶辦5 CGC2000控制器10并聯示意圖。 具&實施方式
以下結合附圖對本實用親斤型的結構原理和工作原理做詳細敘述。
參照附圖，單晶硅晶體生:長控制器，其特征在于，包括工控機9、
單晶爐CGC2000控制器10、 ,^晶爐電機11、加熱器12和晶體生長監控單元13，單晶爐CGC2000i空制器10包括直徑控制器l、溫校控制器2、晶升速度單元3、堝升;速度單元4、晶轉堝轉速度單元5、溫校控制設定單元6、程序控制幽線單元7和晶體重量計算模塊8，直徑控制器1的輸出端和晶升速這單元3的輸入端、堝升速度單元4的輸入端相連，溫校控制器2輸出端與程序控制曲線單元7的輸入端、溫校控制設定單元6的輸入端利目連，晶升速度單元3的輸入端、堝升速度單元4的輸入端與程序控制j曲線單元7的輸出端相連，晶轉堝轉速度單元5的輸入端與程序控制j曲線單元7的輸入端相連，溫校控制設定單元6的輸出端與加熱器1:2相連，晶轉堝轉速度單元5的輸出端、晶升速度單元3的輸出端、^g升速度單元4的輸出端與單晶爐電機ll相連，直徑控制器l、溫杉t控制器2、晶體重量計算模塊8的輸入端與工控機9的輸出端相連，單晶爐CGC2000控制器10的輸出端與晶體生長監控單元13的輸入:端相連。
所述的單晶爐CGC2000 ^g制器10可以是多個，其輸出端與晶體生長監控單元13中光隔485 il訊卡14的輸入端并聯，光隔485通訊卡14的輸出端與晶體生產過程實時監控單元15的輸入端相連，晶體生產過程實時監控單元15的輸出端與打印機16的打印端口相連。所述的單晶爐CGC2000控制器10最多可以是8個并聯。本實用新型的工作原理夷b工控機9的輸入端和直徑控制器1的輸入端、溫校控制器2的輸入端、晶體重量計算模塊8的輸入端相連，使得直徑信號、溫校信號、晶體重量信號在工控機9上顯示，工控機9采用觸摸屏使得控制操作更:加友好化晶體生產過程實時監控單元14與N (其中N〈=8)個單晶爐CGC2000控制器10相連，對單晶爐CGC2000控制器10進行實時監控，這樣可以減少人力物力的投》、并使得控制操作更加方便。
在直徑控制器1中，當晶體直徑變化時，直徑控制器1會發信號給晶升速度控制系統3從而自動調節晶升速度，使晶體直徑保持不變，當晶體直徑變大時
直徑信號D,T—控速輸出0Pt"^晶升速度晶體直徑丄
當晶體直徑變小時
直徑信號Di"控速輸出OP"晶升速度SLi_—晶體直徑T即不論直徑信號如何變化，直徑控制器1都能保證晶體直徑的變化在一定得范圍之內，這就是;M徑控制器1的作用目的。
在溫校控制器2中，在晶1體生長過程中，控制加熱器12溫度使晶升速度按程序控制曲線單元7'的設置而變化。當晶升速度偏離設定值時，溫校控制器2改變控溫輸T出0P值的大小，使晶體直徑發生變化，這時，直徑控制系統1控制晶升速度系統3，使晶升速度SL接近拉速設定值SP。
溫校控制器2的輸出端與溫校控制器設定單元6的輸入端相連，溫校控制器2通過對溫校控制j器設定單元6的數據進行設定來控制加熱器的功率的變化從而控制溫度。
在程序控制曲線單元7中，長度曲線、拉速曲線、溫校曲線、堝轉曲線均設有等徑控制部分》l收尾控制部分。根據預先設置的程序進行對單晶爐電機系統進行控維J從而完成等徑控制操作和收尾控制操作。
在晶體重量計算模塊8中，靠光電計長信號來測量晶體的重量。在晶體生長監控系統中，單晶爐CGC2000控制器10通過485通訊接口 14與晶體生產過程實時監控單元15相連，實現了單晶生產現場與外界的信息交換，參數5T通過打印機16打印保存。
權利要求1、單晶硅晶體生長控制器，其特征在于，包括工控機(9)、單晶爐CGC2000控制器(10)、單晶爐電機(11)、加熱器(12)和晶體生長監控單元(13)，單晶爐CGC2000控制器(10)包括直徑控制器(1)、溫校控制器(2)、晶升速度單元(3)、堝升速度單元(4)、晶轉堝轉速度單元(5)、溫校控制設定單元(6)、程序控制曲線單元(7)和晶體重量計算模塊(8)，直徑控制器(1)的輸出端和晶升速度單元(3)的輸入端、堝升速度單元(4)的輸入端相連，溫校控制器(2)輸出端與程序控制曲線單元(7)的輸入端、溫校控制設定單元(6)的輸入端相連，晶升速度單元(3)的輸入端、堝升速度單元(4)的輸入端與程序控制曲線單元(7)的輸出端相連，晶轉堝轉速度單元(5)的輸入端與程序控制曲線單元(7)的輸入端相連，溫校控制設定單元(6)的輸出端與加熱器(12)相連，晶轉堝轉速度單元(5)的輸出端、晶升速度單元(3)的輸出端、堝升速度單元(4)的輸出端與單晶爐電機(11)相連，直徑控制器(1)、溫校控制器(2)、晶體重量計算模塊(8)的輸入端與工控機(9)的輸出端相連，單晶爐CGC2000控制器(10)的輸出端與晶體生長監控單元(13)的輸入端相連。
2、 根據權利要求1所述酌單晶硅晶體生長控制器，其特征在于， 所述的單晶爐CGC2000控制署§ (10)可以是多個，其輸出端與晶體生 長監控單元(13)中光隔485;通訊卡(14)的輸入端并聯，光隔485 通訊卡(14)的輸出端與晶傳:生產過程實時監控單元(15)的輸入端相連，晶體生產過程實時監招^單元(15)的輸出端與打印機(16)的 打印端口相連。
3、根據權利要求1所述酌單晶硅晶體生長控制器，其特征在于， 所述的單晶爐CGC2000控制著g (10)最多可以是8個并聯。
專利摘要單晶硅晶體生長控制器，其特征在于，包括工控機9、單晶爐CGC2000控制器10、單晶爐電機11、加熱器12和晶體生長監控單元13，工控機9采用觸摸屏使得控制操作更加友好化；晶體生長監控單元13對單晶爐CGC2000控制器10進行實時監控，這樣可以減少人力物力的投入并使得控制操作更加方便，具有測量數據精確和安全的特點。
文檔編號C30B15/20GK201390804SQ200920032970
公開日2010年1月27日 申請日期2009年5月6日 優先權日2009年5月6日
發明者丁積軍, 陽 李 申請人:西安恒新自動控制有限公司