專利名稱：：溫度補償電流源及其方法
技術領域：
：本發明一般涉及電子學，尤其是涉及半導體及其結構以及形成半導體器件的方法。
背景技術：
：發光二極管(LED)在以前使用白熾光源的各種應用中作為光源獲得公認。在過去，復雜電路例如串通(series-pass)電壓調節器或開關電壓調節器或開關電流調節器用于提供用來操作LED的電源。在美國專利號6，285，139和美國專利公開號2007/0024259中公開了這樣的電源的一些例子。這些以前的電源包括很多元件，這導致將LED用作光源的高成本。此外，當周圍環境溫度的值變化時，這些電源中的很多不向LED提供穩定的電流，從而引起發出的光的強度的不希望有的變化。因此，期望有一種控制電流的較低成本的電路和方法以及由于溫度變化而提供更穩定的電流的電路和方法。圖1簡要示出包括根據本發明的溫度補償電流源LED照明系統的一部分的實施方式；圖2簡要示出LED照明系統的實施方式；圖3簡要示出另一發光系統的一部分的實施方式，該發光系統包括根據本發明的圖1的溫度補償電流源的可選實施方式；圖4簡要示出另一溫度補償電流源的一部分的實施方式，其是根據本發明的圖1的溫度補償電流源的可選實施方式；圖5簡要示出另一溫度補償電流源的一部分的實施方式，其是根據本發明的圖1的溫度補償電流源的可選實施方式；圖6簡要示出另一溫度補償電流源的一部分的實施方式，其是根據本發明的圖1的溫度補償電流源的又一可選實施方式；以及圖7示出包括根據本發明的圖1的溫度補償電流源的半導體器件的一部分的放大橫截面視圖。為了說明的簡潔和清楚，附圖中的元件不一定按比例繪制，且不同圖中相同的參考數字表示相同的元件。此外，為了描述的簡單而省略了公知的步驟和元件的說明與細節。如這里所使用的載流電極(currentcarryingelectrode)表示器件的一個元件，如M0S晶體管的源極或漏極、或雙極晶體管的集電極或發射極、或二極管的陰極或陽極，其承載通過該器件的電流；而控制電極表示器件的一個元件，如M0S晶體管的柵極或雙極晶體管的基極，其控制通過該器件的電流。雖然這些器件在這里被解釋為某個N溝道或P溝道器件、或某個N型或P型摻雜區，但本領域中的普通技術人員應該認識到，依照本發明，互補器件也是可能的。本領域中的技術人員應認識到，這里使用的關于電路操作的詞語"在...的期間"、"在...同時"、"當...的時候"不是表示一旦開始操作馬上就會出現反應的準確術語，而是在被初始操作激起的反應之間可能有一些微小但合理的延遲，例如傳播延遲。詞語"大約"或"實質上"的使用意指元件的值具有被預期非常接近于規定值或位置的參數。然而，如在本領域中所公知的，總是存在阻止值或位置確切地如規定的微小變化。本領域中完全確認，直到約百分之十(10%)(且對于半導體摻雜濃度，直到百分之二十(20%))的變化是偏離確切地如所述的理想目標的合理變化。為了附圖的清楚，器件結構的摻雜區被示為一般具有直線邊緣和精確角度的角。具體實施例方式圖1簡要示出包括溫度補償電流源20的LED照明系統10的一部分的實施方式。系統10包括為操作系統10提供DC電壓的電壓源。電壓源可以是包括電池、開關電壓調節器、串通電壓調節器或其它公知類型的DC電壓源的各種DC電壓源。在一些實施方式中，DC電壓源可以是從全波或半波整流AC電壓產生的電壓。為了解釋系統10和源20的目的，DC電壓源被示為電池11。系統10的示例性實施方式還包括配置為LED光源12的負載，LED光源12用于發射光。通常，源12包括被示為LED13-15的多個LED。然而，光源12可包括單個LED或多于3個的LED，如圖l所示。本領域技術人員應認識到，負載可以是需要以電流源例如源20操作的另一類型的負載。對于所示實施方式，溫度補償電流源20是包括第一端子21和第二端子22的2端子半導體器件。如圖1所示，端子21是輸入端子，而端子22是輸出端子。源20還包括耗盡型晶體管24和與晶體管24串聯的有源半導體器件。晶體管24優選地是通常在大約零伏的柵極到源極電壓(Vgs)處開啟的N溝道耗盡型器件，例如N溝道耗盡型金屬氧化物半導體場效應晶體管(N溝道耗盡型MOSFET)或N溝道結型場效應晶體管(N溝道JFET)。在優選實施方式中，晶體管24是N溝道JFET。通過晶體管24的電流隨著增加的漏極到源極電壓而增加，直到電流達到飽和。飽和電流電平也由Vgs控制。特征電壓-電流(V-I)曲線的常見的晶體管系列通過將Vgs從零降低到負值來產生。例如，N溝道JFET的閾值電壓通常在負2伏到負6伏(-2V到-6V)的范圍內的某處。當為負值的Vgs比閾值電壓在絕對值上更小時，JFET在飽和區操作，當Vgs達到閾值電壓時，JFET的溝道變成夾斷，且JFET從飽和區回到夾斷或關閉狀態。如在下文中進一步看到的，晶體管24和有源半導體器件配置成使得晶體管24可接收并傳導也通過有源晶體管流到源20的公共節點27的電流。此外，源20配置成利用有源半導體器件兩端的電壓的值中的由溫度引起的變化來調節晶體管24的Vgs。對于圖1所示的實施方式，有源半導體器件是P-N結二極管26。本領域技術人員將理解，二極管26也可為肖特基(金屬半導體結)二極管或齊納二極管。晶體管24的柵極連接到公共節點27，公共節點27也連接到端子22。二極管26的陽極連接到晶體管24的源極，而二極管26的陰極連接到公共節點27。晶體管24的漏極連接到端子21，而柵極連接到節點27。在一個實施方式中，源極20在半導體基底上形成為具有兩個外部引線或端子21和22的集成電路。電池11提供用于操作LED13-15和源20的功率。來自電池11的電壓形成通過LED13-15流到源20的電流17。電流17通過晶體管24和二極管26流到公共節點27，接著通過端子22流回電池11。流經二極管26的電流17在二極管26兩端引起等于二極管26的正向電壓的電壓降。在優選實施方式中，電流17的值被選擇成在二極管26的電壓-電流(V-I)特征曲線中不小于V-I特征曲線的膝點(knee)電壓的一點處操作二極管26。此外，電流17的值被選擇成使得晶體管24在晶體管24的V-I特征曲線的飽和區中操作。對于來自電池11的給定恒定電壓和電流的給定值，重要的是，當溫度變化時保持電流17的值實質上恒定，以便保持LED13-15所發出的光的強度實質上恒定。溫度增加可從周圍環境例如被暴露給加熱系統10的直接陽光的汽車尾燈中的變化產生，或它可從來自LED或源20的操作的熱產生。源20的增加的溫度增加了晶體管24的內部電阻，從而引起被晶體管24傳導的電流的減小。二極管26的溫度的增加降低了二極管26兩端的電壓降的值，從而降低了施加到晶體管24的源極的電壓的值(使源極更接近于節點27的電壓)。降低施加到源極的電壓使Vgs增加(使為負值的Vgs在絕對值上更小并更接近于零)與二極管26兩端正向電壓降的變化的絕對值相同的絕對值。增加的Vgs使晶體管24傳導更多的電流，從而最小化了歸因于增加的溫度變化的電流17的值的變化。本領域技術人員應理解，晶體管24的閾值電壓可響應于溫度變化而變化一些，但閾值變化比二極管26兩端的電壓的變化小得多，因此，閾值電壓可被認為是實質上恒定的。對于作為JFET的晶體管24的優選實施方式，為負值的、在絕對值上更小的Vgs或增加的Vgs也降低了夾斷，從而減小了JFET的電阻，并允許更多的電流流經JFET的溝道。作為結果，當溫度增加時，流經晶體管24和源20的電流保持實質上恒定。對于作為N溝道耗盡型M0SFET的晶體管24的實施方式，增加的Vgs使晶體管24的溝道傳導更多的電流。例如，在一個實施方式中，二極管26具有50伏(50V)的反向擊穿電壓，且晶體管24是JFET，其中電流17的值被設定成在二十五(25)攝氏度大約為30毫安(30mA)。當溫度從二十五(25)攝氏度增加到一百二十五(125)攝氏度時，正向電壓降低了大約0.1到0.2伏，這引起JFET晶體管的Vgs的相應的0.1到0.2伏的增加。Vgs增加也使電流17的值增加大約1到3毫安，這表示大約3%到10%的電流補償。本領域技術人員應認識到，溫度的降低將降低晶體管24的內部電阻，從而引起可由晶體管24傳導的電流的數量的增加(對于恒定的Vgs)。二極管26的降低的溫度增加了二極管26兩端的電壓降，從而增加了晶體管24的源極上的電壓。增加晶體管24的源極上的電壓的值降低了Vgs(使為負值的Vgs在絕對值上更大)，這使晶體管24傳導更少的電流。作為結果，當溫度降低時，流經晶體管24和源20的電流保持實質上恒定。作為結果，當溫度降低時，流經晶體管24和源20的電流保持實質上恒定。因此，可看到，當溫度增加和降低時，流經晶體管24和源20的電流保持實質上恒定。一般，對于大約負四十到正一百二十五(-40到+125)攝氏度的溫度，對于大約30毫安(30mA)的電流17，電流17的值以僅僅大約0.03到0.08mA/攝氏度的速率變化，這取決于二極管26的尺寸和設計。為了比較，一般現有技術器件具有高于O.17mA/攝氏度的變化率，其通常比源20的變化大幾倍。形成源20的可選實施方式形成了晶體管23和二極管26，以阻止電流從端子22流到端子21，從而限制電流17僅在一個方向上流經源20和光源12。這可提供阻止反向電流流經系統10的額外優點。該可選實施方式類似于圖7的實施方式，只是基底70改變為N型傳導性。接著P型摻雜區(常常稱為槽區或阱)形成，以包圍區71。其后，區71和區77、78和79形成，與在圖7的描述中解釋的相同。在該可選實施方式中，區72可省略或可用于提供相同的傳導類型但與基底70不同的摻雜濃度。如果來自電池11的電壓的值增加(在給定的溫度)，例如如果電池11被充電，則電流17的值將開始增加。由于二極管26的尖銳膝點，本領域技術人員通常預期電壓的變化將使電流17的值增加。然而，已經發現，當來自電池11的電壓增加和減小時，源20也最小化了電流17的值的變化。因為二極管26具有尖銳膝點，輸入電壓的變化實質上對二極管26兩端的電壓降沒有影響。因此，晶體管24的Vgs保持實質上恒定。因此，對于設定的溫度值，當輸入電壓變化時，源20提供控制通過源20的電流保持實質上恒定的意外的結果。在一個示例性實施方式中，系統10包括3個串聯LED13-15，每個LED具有大約1.5伏(V)到4.0伏的標稱正向電壓，此外，晶體管24具有大約負3伏(-3V)的夾斷電壓，源20在室溫傳導大約500毫安(500mA)的電流，且二極管26的膝點電壓在大約0.75伏的正向電壓處出現。系統10的操作與使用連接到電阻器而不是例如圖2所示的二極管26的晶體管24的系統比較。電阻器的選定值是24歐姆，然而，可使用其它電阻器值。下面的表1示出對于電池11的大約8伏(8V)和大約18伏(18V)的兩個電壓，在實質上恒定的溫度處的電流17的變化<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>表1:比較表如可從表1中看到的，源20具有同樣最小化電流17的變化的意外結果，電流17的變化歸因于用于操作源20和系統10(在給定的溫度值處)的電壓的值的變化。此外，源20也具有導致較低的功率耗散的較低的總電流消耗。表1指示，在給定的溫度，當電壓加倍時，源20控制電流17的變化不大于大約百分之五(5%)。本領域技術人員應理解，如果來自電池11的電壓的值降低，則電流17的值也以與對電流的增加描述的方式類似的方式降低。可以認為，歸因于溫度變化的LED13-15所發出的光強度的變化大于歸因于工作電壓的變化的光強度變化，因此，可以認為，對于來自電池11的電壓的給定值，在溫度范圍內最小化電流17的變化很重要。圖3簡要示出另一發光系統29的一部分的實施方式，其為在圖1的描述中解釋的發光系統10的可選實施方式。系統10包括類似于源20的溫度補償電流源30，只是源20的二極管26由LED31代替。在一些實施方式中，LED31也可以是用于單獨地通過LED31或與其它LED例如LED13或14結合來發射光的多個LED之一。在圖3中，晶體管24被示為N溝道耗盡型MOSFET。在優選實施方式中，來自電池11的電壓和電流17的值被選擇成以類似于二極管26的方式操作LED31。因為在可見光譜中操作的LED具有比硅P_N結二極管或金屬半導體結型二極管更高的正向電壓降，所以LED兩端的電壓變化對溫度變化而言較大。因此，與源20相比，源30具有歸因于溫度變化的更小的電流變化。已經發現，源30將電流17的變化限制為在大約負40到正一百二十五(-40到+125)攝氏度的溫度范圍內(在電池ll的恒定值處)小于大約0.03mA/攝氏度，并且對于在表l的描述中解釋的電壓變化小于電流17的大約百分之五(5%)。圖4簡要示出作為源20的可選實施方式的溫度補償電流源50的一部分的實施方式。源50類似于源20，只是源50包括二極管連接的雙極晶體管51而不是二極管26。源50與源20類似地操作。圖5簡要示出作為源20的另一可選實施方式的溫度補償電流源35的一部分的實施方式。源35包括在電流鏡配置中與晶體管24連接的耗盡型晶體管36。晶體管36類似于晶體管24。由于電流鏡配置，電流17的一部分作為電流37流經晶體管24，而電流17的另一部分作為電流38流經晶體管36。流經晶體管24和36的電流17的百分比由晶體管24和36的尺寸之比確定，假定晶體管36是具有相同或相似的閾值電壓并優選地整體地在同一半導體基底上形成的24的電流鏡。當溫度變化時，二極管26兩端的電壓降調節晶體管24的Vgs以最小化電流17的變化，類似于對與電流17有關的源20描述的操作。由于共同的連接，晶體管24和36的柵極在相同的電位。晶體管36和二極管26形成溫度補償電流源，類似于對在圖1的描述的源20解釋的操作。當溫度增加時，晶體管24和36的柵極到源極電壓(Vgs)增加，這增加了電流17的值。該配置提供了恒定的電流源，同時將補償二極管反饋放置成遠離主要電流流動的路徑。如本領域技術人員將看到的，晶體管24和36的尺寸比可變化，以便電流37的值小于電流38。這樣的配置可降低源35的功率耗散。在優選實施方式中，晶體管36的漏極連接到晶體管24的漏極，而晶體管36的源極連接到節點27。因為電流37—般小于電流37，功率耗散和在晶體管24和二極管28中產生的相關的熱減少了。本領域技術人員應認識到，晶體管36的配置可用于源20、30或50中的任何一個。圖6簡要示出溫度補償電流源45的一部分的實施方式，其為在圖5的描述中解釋的源35的另一可選實施方式。然而，源45包括幫助控制電流17的反饋控制回路。晶體管24和36的柵極配置成由反饋控制回路控制。反饋控制回路包括產生參考電壓的參考發生器或參考47，以及配置成監控晶體管24的Vgs并控制Vgs的放大器46。在所示實施方式中，控制回路控制晶體管24的Vgs大約等于來自參考47的參考電壓的值減去二極管26兩端的電壓降。當二極管26兩端的電壓的值隨著溫度變化而變化時，放大器46的輸出調節晶體管24的Vgs，使得從晶體管24的柵極到二極管26的陰極的電壓實質上等于來自參考47的電壓，以便維持電流37和38的值實質上恒定。源45的輸出是端子22，因為電流17通過端子22從源20流出。源45通常包括另一端子48，其用于提供用于操作放大器46和參考47的功率。在一些實施方式中，端子48可省略，且端子21也可連接成向放大器46提供操作功率。本領域技術人員應認識到，源45的控制回路也可用于源20、30或50中的任何一個的配置。圖7示出源20的一部分的放大橫截面圖。源20在具有第一表面和第二表面的半導體基底70上形成。具有與基底70相反的傳導類型的區71在基底70的第一表面上形成。有與基底70相反的傳導類型的區72也在基底70的第一表面上形成并與區71間隔開。有基底70的傳導類型的區74設置成將區72從區71隔離，從而從二極管26隔離晶體管24。在優選實施方式中，區74以多連通域的拓撲圍繞區72。術語"多連通"意指其內具有一個或多個孔的連通域(例如環狀物)。晶體管24在區71中形成，且二極管26在區72中形成。區74可為基底70的一部分，其在基底70的表面被摻雜例如通過注入區71和72以形成區71和72之后保留。可選地，外延層可在基底70上形成，且外延層的一部分可被摻雜以形成區74。在作為N溝道耗盡型晶體管的晶體管24的優選實施方式中，基底70和區74具有P型傳導性，而區71和72具有N型傳導性。區71和72可在一個或多個相同的處理步驟期間同時形成。晶體管24的漏極和源極區在區71內的基底70的表面上形成為相應的摻雜區77和79。區77和79可在一個或多個相同的處理步驟期間同時形成。具有與基底70相同的傳導性的摻雜區78在區71內的基底70的表面上形成并位于區77和79之間。具有與基底70相同的傳導性的摻雜區82在區72內的基底70的表面上形成。具有與區82相反的傳導類型的摻雜區83在區82內形成。區78和82可在一個或多個相同的處理步驟期間同時形成。區83可與區77和79同時形成。區82和83形成二極管26的相應陽極和陰極。導體87產生與區77的電接觸，以形成晶體管24的漏極導體。導體87—般連接到端子21。導體88的一端產生與區79的電接觸，以形成晶體管24的源極導體。導體88的另一端產生與區72和82的電接觸，以形成二極管26的陽極導體。根據區72的摻雜濃度，與區72相同的摻雜類型和較重的摻雜濃度的另一摻雜區73可能需要形成與區72的良好的歐姆接觸。根據區82的摻雜濃度，與區82相同的摻雜類型和較重的摻雜濃度的另一摻雜區(未示出)可能需要形成與區82的良好的歐姆接觸。導體88將晶體管24的源極電連接到二極管26的陽極。導體89的一端產生與區83的電接觸，以形成二極管26的陰極導體。導體89的另一端產生與區74的一部分的電接觸，以通過區74和基底70形成二極管26的陰極和端子22之間的電連接。區74的電連接到導體89的該部分通常不是在區71和72之間的部分。電介質86將導體88和89的部分與基底70的其它部分隔離。導體90產生與區78的電接觸，以形成晶體管24的柵極導體。導體90—般在基底70的表面周圍定路線以電接觸導體89。該電連接形成如圖8中虛線所示的節點27。導體93通常應用于基底70的第二表面并隨后連接到端子22。基底70還可包括在圖8中為制圖簡單而沒有示出的其它電路。源20通過半導體制造技術在基底70上形成，這些技術對本領域的技術人員來講是公知的。連同或代替源20，源30、35或50中的任何一個或其組合可在基底70上形成。源40或45也可在基底70上形成為具有三個引線或端子的器件。本領域技術人員應認識到，源20或源30、35、45、50中的任何一個可在包括各種其它半導體元件的集成電路上形成。在這樣的實施方式中，端子22可在基底70的第一表面上形成。例如，端子22可由與導體89的連接形成，以形成與二極管26的陰極的電連接，其中導體89不一定連接到區74。鑒于上述全部內容，顯然公開的是一種新的器件和方法。連同其它特征包括的是形成耗盡型FET和有源半導體器件，以當溫度增加時控制電流。對于溫度變化，該配置比現有器件更準確地控制電流的值。該配置也不需要為了形成電流而施加正柵極偏壓的額外的電路，從而消除了額外的柵極偏壓電路的成本。現有器件的正柵極偏壓還需要較高的工作電壓以便產生正柵極偏壓，因此，本新器件可從較低的電壓操作，從而提供了功率節約優點。此外，額外的柵極偏壓電路還消耗功率，因此，本新器件提供了另一功率節約優點。還發現，該配置具有當所施加的電壓變化時比現有器件更準確地控制電流的意外結果。從上面的描述中，本領域技術人員應理解，前面描述的優點是從源20、30、35和50的實施方式中獲得的，該實施方式包括第一和第二端子；第一耗盡型晶體管，其具有連接到第二端子的控制電極、連接到第一端子的第一載流電極、和第二載流電極；以及二極管，其具有連接到第一耗盡型晶體管的第二載流電極的陽極和連接到第二端子的陰極。從前面的解釋中本領域技術人員應理解，前面描述的優點是從形成源20、30、35和50的方法中獲得的，該方法包括耦合第一FET以將電流從第一FET的第一載流電極傳導通過第一FET;以及耦合作為與第一FET的第二載流電極串聯的二極管或耗盡型MOSFET之一的半導體器件，其中電流流經連接到第一FET的柵極并耦合到有源半導體器件的公共節點，且其中柵極不連接到任何其它節點。從前面的解釋中本領域技術人員應理解，前面描述的優點是從形成源20、30、35、45和50的方法中獲得的，該方法包括耦合第一FET的第一載流電極以接收電流來傳導通過第一FET;耦合有源半導體器件，其為在第一FET的第二載流電極與電流源的公共節點之間的二極管或耗盡型MOSFET之一，其中有源半導體器件兩端的電壓由于溫度的變化而變化；以及配置電流源以使用有源半導體器件兩端的電壓的變化來調節第一FET的柵極到源極電壓。本領域技術人員應理解，形成源20、30、35、45和50的方法包括提供第一傳導類型的并具有第一和第二表面的基底；在基底的第一表面上形成具有第二傳導類型的第一摻雜區；在基底的第一表面上形成具有第二傳導類型并與第一摻雜區間隔開的第二摻雜區；在第一和第二摻雜區之間形成第一傳導類型的區；在第一表面上和第一摻雜區內形成第二傳導類型的第三和第四摻雜區作為耗盡型晶體管的相應的源極和漏極區；在第一表面上和第一摻雜區內形成具有第一傳導類型的第五摻雜區，其中第五摻雜區與第三和第四摻雜區間隔開并在第三和第四摻雜區之間；在第一表面上和第二摻雜區內形成具有第一傳導類型的第六摻雜區；在第一表面上和第六摻雜區內形成具有第二傳導類型的第七摻雜區；以及形成將第三摻雜區電耦合到第六摻雜區的第一導體。雖然用特定的優選實施方式描述了本發明的主題，但顯然對半導體領域的技術人員來說許多替換和變化是明顯的。更具體地，本發明的主題是對N溝道JFET描述的，但本領域技術人員認識到，也可使用包括P溝道JFET、N溝道耗盡型MOSFET或P溝道耗盡型MOSFET的其它場效應晶體管(FET)來代替N溝道JFET。此外，可插入與有源半導體器件串聯的電阻器，以對所施加的電壓的變化提供電流的額外控制。雖然溫度補償電流源被描述為通過LED控制電流，本領域技術人員應認識到，溫度補償電流源還可用于需要溫度補償電流的應用。此外，為描述清楚而始終使用"連接(connect)"這個詞，但是，其意指與詞"耦合(couple)"具有相同的含義。相應地，"連接"應被解釋為包括直接連接或間接連接。權利要求一種溫度補償電流源，包括第一端子和第二端子；第一耗盡型晶體管，其具有連接到所述第二端子的控制電極、連接到所述第一端子的第一載流電極、和第二載流電極；以及二極管，其具有連接到所述第一耗盡型晶體管的所述第二載流電極的陽極和連接到所述第二端子的陰極。2.如權利要求1所述的溫度補償電流源，還包括第二耗盡型晶體管，所述第二耗盡型晶體管具有連接到所述第一耗盡型晶體管的所述控制電極的控制電極、連接到所述第一端子的第一載流電極，并具有第二載流電極。3.如權利要求1所述的溫度補償電流源，其中所述溫度補償電流源在具有不多于兩個端子的半導體封裝中形成。4.一種形成電流源的方法，所述方法包括如下步驟耦合第一FET以將電流從所述第一FET的第一載流電極傳導通過所述第一FET;以及耦合作為與所述第一FET的第二載流電極串聯的二極管或耗盡型MOSFET之一的半導體器件，其中所述電流流經連接到所述第一FET的柵極并耦合到有源半導體器件的公共節點，且其中所述柵極不連接到任何其它節點。5.如權利要求4所述的方法，其中耦合作為二極管或耗盡型M0SFET之一的半導體器件的步驟包括耦合P-N二極管、二極管耦合的雙極晶體管或LED之一作為所述半導體器件。6.如權利要求4所述的方法，其中耦合半導體器件的步驟包括將所述半導體器件耦合到所述第一FET的柵極和源極，其中所述半導體器件和所述第一FET當溫度增加時減少所述電流，而當溫度降低時增加所述電流。7.—種形成電流源的方法，所述方法包括如下步驟耦合第一FET的第一載流電極以接收電流來傳導通過所述第一FET;耦合有源半導體器件，所述有源半導體器件為在所述第一FET的第二載流電極與所述電流源的公共節點之間的二極管或耗盡型MOSFET之一，其中所述有源半導體器件兩端的電壓由于溫度的變化而變化；以及配置所述電流源以使用所述有源半導體器件兩端的電壓的變化來調節所述第一FET的柵極到源極電壓。8.如權利要求7所述的方法，其中配置所述電流源以使用所述電壓的變化的步驟包括配置所述電流源以監控所述有源半導體器件兩端的電壓并響應性地調節所述第一FET的柵極到源極電壓。9.如權利要求7所述的方法，還包括如下步驟耦合與所述第一FET和所述有源半導體器件的組合并聯的第二FET，其中所述第二FET具有耦合到所述第一FET的所述第一載流電極的第一載流電極和耦合到所述第一FET的所述柵極的柵極。10.如權利要求7所述的方法，其中耦合有源半導體器件的步驟包括耦合P-N二極管、二極管耦合的雙極晶體管、或LED之一作為所述有源半導體器件。11.一種形成電流源的方法，所述方法包括以下步驟提供第一傳導類型的并具有第一表面和第二表面的基底；在所述基底的所述第一表面上形成具有第二傳導類型的第一摻雜區；在所述基底的所述第一表面上形成具有所述第二傳導類型并與所述第一摻雜區間隔開的第二摻雜區；在所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間形成所述第一傳導類型的區；在所述第一表面上和所述第一摻雜區內形成所述第二傳導類型的第三摻雜區和第四摻雜區作為耗盡型晶體管的相應的源極區和漏極區；在所述第一表面上和所述第一摻雜區內形成具有所述第一傳導類型的第五摻雜區，其中所述第五摻雜區與所述第三摻雜區和所述第四摻雜區間隔開并在所述第三摻雜區和所述第四摻雜區之間；在所述第一表面上和所述第二摻雜區內形成具有所述第一傳導類型的第六摻雜區；在所述第一表面上和所述第六摻雜區內形成具有所述第二傳導類型的第七摻雜區；以及形成第一導體以將所述第三摻雜區電耦合到所述第六摻雜區。全文摘要本發明涉及溫度補償電流源及其方法。在一個實施方式中，溫度補償電流源包括與有源半導體器件串聯連接的耗盡型晶體管，所述有源半導體器件調節所述耗盡型晶體管以最小化歸因于溫度變化的電流的變化。文檔編號H05B37/02GK101795514SQ20091026562公開日2010年8月4日申請日期2009年12月28日優先權日2009年2月2日發明者A·薩利,J·W·霍爾,T·基納申請人:半導體元件工業有限責任公司