專利名稱：一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法及熱場系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及單晶硅制造領域，特別涉及一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方 法及熱場系統。
背景技術：
硅(Si)是一種半導體元素，太陽能硅電池片利用硅的特性，在硅表面形成光伏特 效應，產生電能。為制備太陽能電池片，需要將單晶硅原料重熔后定向凝固，然后切片做成 電池片組件。為實現單晶硅的定向長晶凝固過程，需要一個能穩定長晶的熱場系統，該熱場 系統包括上爐室、位于中部的加熱器以及下爐室，所述上下爐室主要起保溫隔熱的作用，所 述加熱器主要是提供熱場系統升溫所需要的熱能。在上述的傳統熱場系統中，其缺點是所述系統內部的供熱效果還不能令人滿意， 以及所述上下爐室的保溫隔熱性能較差，這就導致了熱場系統能耗很高，造成了浪費。
發明內容
本發明的目的是提供一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法及熱場系統，可 很好的實現供熱和保溫，降低了系統的能耗。一方面，本發明提供一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統，包括上爐室、位于中 部的加熱器以及下爐室，所述下爐室的保溫筒的內底層設置有反射板，所述反射板的正面 朝向所述加熱器的中心。所述反射板的下方設置一石墨壓板和石墨支柱，所述石墨支柱位于所述石墨壓板 上并支撐所述反射板。所述反射板的厚度為10mm，所述石墨支柱數量為4個，高度均為110mm，在所述石 墨壓板上均勻分布并支撐所述反射板。所述下爐室的保溫筒的內底層還設置有碳氈，所述碳氈位于所述石墨壓板下方并 在所述保溫筒的內底層均勻分布。所述下爐室的保溫筒的外底層也設置有均勻分布的碳氈。所述下爐室的保溫筒的內外底層的碳氈均為3層，每層厚度為10mm。另一方面，本發明還提供一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法，所述熱場 系統包括上爐室、位于中部的加熱器以及下爐室，包括以下步驟7. 1、在所述下爐室的保溫筒的內底層設置一反射板，并使所述反射板的正面朝向 所述加熱器的中心；7. 2、在所述下爐室的保溫筒的內底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布；7. 3、在所述下爐室的保溫筒的外底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布。所述步驟7. 1進一步包括以下步驟在所述反射板的下方設置一石墨壓板和石墨 支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨壓板上并支撐所述反射板。所述反射板的厚度為10mm，所述石墨支柱數量為4個，高度均為110mm，在所述石
3墨壓板上均勻分布并支撐所述反射板。所述步驟7. 2和步驟7. 3中設置在保溫筒的內外底層的碳氈均為3層，每層厚度 為 IOmm0采用本發明所述的一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法及熱場系統，所述 熱場系統的下爐室的保溫筒內底層設置有正面朝向加熱器中心的反射板，這樣可以促進熱 能的集中使用；另外，下爐室的保溫筒的內底層和外地層均鋪墊有均勻分布的碳氈，可促進 爐室的保溫，降低了熱場系統的能耗。
圖1為本發明所述的熱場系統的結構圖；圖2為本發明所述方法的流程圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例進一步說明本發明的技術方案。參見圖1，圖1顯示了一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統100，包括上爐室 110、位于中部的加熱器120以及下爐室130，所述下爐室130的保溫筒的內底層設置有厚度 為IOmm的反射板131，所述反射板131的正面朝向所述加熱器120的中心，反射板131的作 用是增加底部熱量的反射，使加熱器120底部的熱量盡可能的向加熱器120中部集中。所 述反射板131的下方設置一石墨壓板133和4個石墨支柱132，所述4個石墨支柱132高度 均為110mm，在所述石墨壓板133上均勻分布并支撐所述反射板131。另外，所述下爐室130的保溫筒的內底層和外底層還設置有碳氈(圖中未顯示)， 用來增強整個系統的熱保溫，減少熱量的散失。在保溫筒的內底層上，所述碳氈位于所述石 墨壓板133下方并在所述保溫筒的內底層均勻分布。所述下爐室130的保溫筒的內外底層 的碳氈均為3層，每層厚度為10mm。參見圖2，圖2顯示了一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法200，所述熱場 系統包括上爐室、位于中部的加熱器以及下爐室，包括以下步驟201、在所述下爐室的保溫筒的內底層設置一反射板，并使所述反射板的正面朝向 所述加熱器的中心。作為一實施例，所述步驟201進一步包括以下步驟在所述反射板的下方設置一 石墨壓板和石墨支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨壓板上并支撐所述反射板。所述反射 板的厚度為10mm，所述石墨支柱數量為4個，高度均為110mm，在所述石墨壓板上均勻分布 并支撐所述反射板。202、在所述下爐室的保溫筒的內底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布。該步驟中鋪墊的碳氈為3層，每層厚度為10mm。203、在所述下爐室的保溫筒的外底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布。該步驟中鋪墊的碳氈為3層，每層厚度為10mm。下面介紹一下使用本發明取得的預期效果(本發明是對熱場系統的改進，故通過 改進前和改進后的對比進行說明)改進前與改進后的生產成品率對比改進后成品率明顯上升并穩定，提高了10. 727%，說明熱場改進后對正常生產提高產量起到了很大的改善。具體參見表1和表2 表1 改進前成品率
權利要求
1.一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統，包括上爐室、位于中部的加熱器以及下爐 室，其特征在于，所述下爐室的保溫筒的內底層設置有反射板，所述反射板的正面朝向所述 加熱器的中心。
2.如權利要求1所述的熱場系統，其特征在于，所述反射板的下方設置一石墨壓板和 石墨支柱，所述石墨支柱位于所述石墨壓板上并支撐所述反射板。
3.如權利要求2所述的熱場系統，其特征在于，所述反射板的厚度為10mm，所述石墨支 柱數量為4個，高度均為110mm，在所述石墨壓板上均勻分布并支撐所述反射板。
4.如權利要求1至3任一項所述的熱場系統，其特征在于，所述下爐室的保溫筒的內底 層還設置有碳氈，所述碳氈位于所述石墨壓板下方并在所述保溫筒的內底層均勻分布。
5.如權利要求4所述的熱場系統，其特征在于，所述下爐室的保溫筒的外底層也設置 有均勻分布的碳氈。
6.如權利要求5所述的熱場系統，其特征在于，所述下爐室的保溫筒的內外底層的碳 氈均為3層，每層厚度為10mm。
7.一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法，所述熱場系統包括上爐室、位于中部 的加熱器以及下爐室，其特征在于，包括以下步驟7. 1、在所述下爐室的保溫筒的內底層設置一反射板，并使所述反射板的正面朝向所述 加熱器的中心；7. 2、在所述下爐室的保溫筒的內底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布；7.3、在所述下爐室的保溫筒的外底層鋪墊碳氈，并使其均勻分布。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟7.1進一步包括以下步驟在所述 反射板的下方設置一石墨壓板和石墨支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨壓板上并支撐所 述反射板。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述反射板的厚度為10mm，所述石墨支柱數 量為4個，高度均為110mm，在所述石墨壓板上均勻分布并支撐所述反射板。
10.如權利要求7至9任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟7.2和步驟7. 3中設 置在保溫筒的內外底層的碳氈均為3層，每層厚度為10mm。
全文摘要
本發明揭示了一種減少太陽能單晶硅熱場系統能耗的方法及熱場系統，所述熱場系統的下爐室的保溫筒內底層設置有正面朝向加熱器中心的反射板，這樣可以促進熱能的集中使用；另外，下爐室的保溫筒的內底層和外地層均鋪墊有均勻分布的碳氈，可促進爐室的保溫，降低了熱場系統的能耗。
文檔編號C30B15/14GK102108546SQ20091026483
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月24日 優先權日2009年12月24日
發明者唐旭輝 申請人:江蘇聚能硅業有限公司