專利名稱：：配線電路基板及其連接構造的制作方法
技術領域：
：本發明涉及配線電路基板及其連接構造，詳細而言，涉及適合用作與帶電路的懸掛基板和外部基板電連接的中繼撓性配線電路基板的配線電路基板及其連接構造。
背景技術：
：以往以來，中繼撓性配線電路基板與帶電路的懸掛基板和外部基板電連接并對它們進行電中繼，中繼撓性配線電路基板被用于硬盤驅動器。在這樣的中繼撓性配線電路基板中，從提高電信號的傳遞效率的方面出發，最好使中繼撓性配線電路基板與帶電路的懸掛基板的連接點上的阻抗匹配，提出了用于使阻抗匹配的各種方法。例如，提出了這樣一種方法利用第1配線電路基板和第2配線電路基板這兩個配線電路基板構成中繼撓性配線電路基板，使第1配線電路基板的層結構與帶電路的懸掛基板的層結構相同，上述第1配線電路基板與帶電路的懸掛基板相連接且安裝有前置放大器IC;上述第2配線電路基板與第1配線電路基板以及外部基板相連接(例如，參照日本特開2004-363331號公報。)。采用日本特開2004-363331號公報所述的中繼撓性配線電路基板，由于帶電路的懸掛基板與第1配線電路基板的層結構是相同的，因此能夠在帶電路的懸掛基板與第1配線電路基板的連接點上實現阻抗的匹配。結果能夠實現在安裝于帶電路的懸掛基板上的磁頭與安裝在第1配線電路基板上的前置放大器IC之間的電信號的傳遞的效率化。但是，在謀求日本特開2004-363331號公報中的第1配線電路基板與帶電路的懸掛基板的阻抗的匹配的同時該第1配線電路基板能與帶電路的懸掛基板相連接，而該第1配線電路基板與第2配線電路基板也是相連接的，因此在上述第1配線電路基板與第2配線電路基板之間的連接點上產生阻抗的失配。因此，不能充分實現外部電路與安裝在帶電路的懸掛基板上的磁頭之間的電信號的傳遞的效率化。
發明內容本發明的目的在于提供一種能夠降低磁頭與外部電路之間的阻抗的失配的配線電路基板。本發明的配線電路基板用于將帶電路的懸掛基板和外部電路電連接，該帶電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層之上的基層絕緣層、形成在上述基層絕緣層之上的導體層、以及覆蓋上述導體層地形成在上述基層絕緣層之上的覆蓋絕緣層，其特征在于，該配線電路基板包括與上述帶電路的懸掛基板電連接的第1配線電路基板以及與上述外部電路電連接的第2配線電路基板，上述第1配線電路基板與上述第2配線電路基板經由前置放大器電連接，上述第1配線電路基板包括第1金屬支承層、形成在上述第1金屬支承層之上的第1基層絕緣層、形成在上述第1基層絕緣層之上的第1導體層、以及覆蓋上述第1導體層地形成在上述第1基層絕緣層之上的第1覆蓋絕緣層。另外，在本發明的配線電路基板中，優選使上述帶電路的懸掛基板的上述導體層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1導體層的厚度實質上相同。另外，在本發明的配線電路基板中，優選使上述帶電路的懸掛基板的上述基層絕緣層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1基層絕緣層的厚度實質上相同。另外，在本發明的配線電路基板中，優選使上述帶電路的懸掛基板的上述覆蓋絕緣層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1覆蓋絕緣層的厚度實質上相同。另外，本發明的配線電路基板的連接構造，其特征在于，其包括帶電路的懸掛基板、第1配線電路基板、第2配線電路基板和前置放大器，上述帶電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層之上的基層絕緣層、形成在上述基層絕緣層之上的導體層、以及覆蓋上述導體層地形成在上述基層絕緣層之上的覆蓋絕緣層，上述導體層包括用于與磁頭電連接的第1端子以及用于與第1配線電路基板電連接的第2端子，上述第1配線電路基板包括第1金屬支承層、形成在上述第1金屬支承層之上的第1基層絕緣層、形成在上述第1基層絕緣層之上的第1導體層以及覆蓋上述第1導體層地形成在上述第1基層絕緣層之上的第1覆蓋絕緣層，上述第1導體層包括用于與上述帶電路的懸掛基板電連接的第3端子以及用于與上述前置放大器電連接的第4端子，上述第2配線電路基板具有第2導體層，上述第2導體層包括用于與上述前置放大器電連接的第5端子以及用于與外部電路電連接的第6端子，上述前置放大器與上述第4端子和上述第5端子電連接，上述帶電路的懸掛基板的上述第2端子與上述第1配線電路基板的上述第3端子電連接。在本發明的配線電路基板及其連接構造中，第1配線電路基板具有與帶電路的懸掛基板相同的層結構，第1配線電路基板與第2配線電路基板不是直接連接、而是經由前置放大器電連接的。因此，與將第1配線電路基板和第2配線電路基板直接連接的情況相比，能夠減少第1配線電路基板與第2配線電路基板之間的連接點，從而能夠降低配線電路基板上的阻抗失配。結果，在本發明的配線電路基板中，能夠實現磁頭與外部電路之間的阻抗的匹配。圖1是表示作為本發明的配線電路基板的連接構造所采用的配線電路基板的一實施方式的中繼撓性配線電路的使用狀態的剖視圖。圖2是分解地表示圖1所示的配線電路基板的使用狀態的剖視圖。(a)是單獨表示圖1所示的帶電路撓性懸掛基板的剖視圖。(b)是旋轉180度來單獨表示圖1所示的第1配線電路基板的剖視圖。(c)是單獨表示圖1所示的第2配線電路基板的剖視圖。(d)是單獨表示圖1所示的中繼撓性配線電路基板的剖視圖。圖3是表示作為本發明的配線電路基板的另一實施方式的中繼撓性配線電路的使用狀態的剖視圖。圖4是表示比較例1中的帶電路的懸掛基板以及中繼撓性配線電路基板的剖視圖。4圖5是表示比較例2中的帶電路的懸掛基板以及中繼撓性配線電路基板的剖視圖。具體實施例方式圖1是表示作為本發明的配線電路基板的連接構造所采用的配線電路基板的一實施方式的中繼撓性配線電路的使用狀態的剖視圖，圖2的(a)是表示單獨表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的剖視圖，圖2的(b)是單獨表示圖1所示的第1配線電路基板的剖視圖，圖2的(c)是單獨表示圖1所示的配線電路基板的剖視圖，圖2的(d)是單獨表示圖1所示的中繼撓性配線電路基板的剖視圖。另外，圖2的(b)將圖1所示的帶電路的懸掛基板旋轉180度地進行表示。在圖1所示的配線電路基板的連接構造中，配置在其前側(長度方向一側)的帶電路的懸掛基板1、與配置在后側(長度方向另一側)的作為外部電路的外部基板2(虛線)由中繼撓性配線電路基板3電中繼。帶電路的懸掛基板1安裝有硬盤驅動器的磁頭4(虛線)，克服磁頭4與磁盤(未圖示)相對移動時的空氣流而將該磁頭4與磁盤之間保持微小的間隔并支承該磁頭4，一體地形成有與磁頭4電連接的導體層7。如圖2的(a)所示，上述帶電路的懸掛基板1形成為沿長度方向延伸的薄板狀，包括金屬支承層5、形成在該金屬支承層5之上的基層絕緣層6、形成在該基層絕緣層6之上的導體層7、以及覆蓋導體層7地形成在基層絕緣層6之上的覆蓋絕緣層8。金屬支承層5形成為沿長度方向延伸的俯視呈矩形的平板形狀，與帶電路的懸掛基板1的外形形狀相對應地形成。作為形成金屬支承層5的材料，采用金屬箔或金屬薄板，例如采用不銹鋼、銅、鋁、銅_鈹、磷青銅、42合金等。考慮到彈性以及耐腐蝕性，優選采用不銹鋼。另外，金屬支承層5的厚度例如為1060iim，優選為1530iim。另外，金屬支承層5的寬度方向(與長度方向正交的方向)的長度例如為100500mm，優選為250300mm。基層絕緣層6被形成在金屬支承層5的表面上，形成為與形成有導體層7的部分相對應的圖案。作為形成基層絕緣層6的絕緣材料，例如采用聚酰亞胺、聚醚腈(Polyethernitrile)、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。另外，基層絕緣層6的厚度例如為130iim，優選為220ym。導體層7通過將第1端子9、第2端子10以及用于連接上述第1端子9以及第2端子10的配線11一體地連接而成。配線11沿長度方向設置，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置多個(例如、4條)。第1端子9被配置在帶電路的懸掛基板1的前端部上，雖未圖示，在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第l端子9分別連接各配線11的前端部地設有多個(例如、4個)。在該第1端子9上電連接有磁頭4的端子(未圖示)。5第2端子10被配置在帶電路的懸掛基板1的后端部上，雖未圖示，在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第2端子IO分別連接各配線11的前端部地設有多個(例如、4個)。另外，第2端子10如后所述那樣形成為懸空引線(flyinglead)，其下表面自金屬支承層5和基層絕緣層6露出，其上表面自覆蓋絕緣層8露出。作為形成導體層7的導體材料，例如采用銅、鎳、金、焊錫或上述金屬的合金等金屬材料，優選采用銅。導體層7的厚度例如為115iim，優選為312iim。另外，各配線ll的寬度、各第1端子9的寬度、各第2端子10的寬度例如是相同或不同的，例如為50500iim，優選為80300iim，各配線11間的間隔、各第1端子9間的間隔、和各第2端子10間的間隔例如是相同或不同的，例如為5500iim，優選為15100iim。另外，各第1端子9以及各第2端子10的長度(長度方向的長度)例如為相同或不同的，例如為1002000iim，優選為5001200iim。另外，在利用后述的添加法形成導體層7時，基底(未圖示)介于各配線ll與基層絕緣層6之間。基底形成在配線11的下表面上，更具體而言，以與配線11相同的圖案形成。另外，基底的厚度例如為16000nm，優選為55000nm。覆蓋絕緣層8覆蓋導體層7地形成在基層絕緣層6上。更具體而言，俯視看來，覆蓋絕緣層8形成為與基層絕緣層6相同的圖案，在包括導體層7在內的基層絕緣層6上，覆蓋絕緣層8覆蓋配線11，并形成為與第1端子9相對應的部分被開口的規定圖案。作為形成覆蓋絕緣層8的絕緣材料，例如采用與基層絕緣層6相同的合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。覆蓋絕緣層8的厚度例如為120iim，優選為210iim。并且，在該帶電路的懸掛基板l中，在與第2端子10相對應的部分上、金屬支承層5以及基層絕緣層6分別形成有開口，覆蓋絕緣層8形成有缺口。更具體而言，在金屬支承層5的形成有第2端子10的部分上形成有貫穿厚度方向的金屬開口部13。該金屬開口部13雖未圖示，但俯視看來，該金屬開口部13包含所有(例如4個)第2端子10地形成為俯視大致呈矩形的開口。另外，在基層絕緣層6的形成有第2端子10的部分上形成有貫穿厚度方向的基層開口部14。該基層開口部14雖未圖示，俯視看來，該基層開口部14包含所有(例如4個)第2端子10地形成為與金屬開口部13相同形狀的開口。S卩、俯視看來，形成為基層開口部14的長度方向兩端緣以及寬度方向兩端緣與金屬開口部13的長度方向兩端緣以及寬度方向兩端緣處于同一位置。由此，第2端子10的下表面自金屬支承層5的金屬開口部13以及基層絕緣層6的基層開口部14露出。另外，在覆蓋絕緣層8的形成有第2端子10的部分上形成有覆蓋缺口部15。該覆蓋缺口部15雖未圖示，但俯視看來，該覆蓋缺口部15是使所有(例如4個)第2端子10露出地沿寬度方向在一個平面內切削而成的。由此，第2端子10形成為其表面(上表面、兩側面以及下表面)自金屬支承層5的金屬開口部13、基層絕緣層6的基層開口部14以及覆蓋絕緣層8的覆蓋缺口部15露出的懸空引線。這種帶電路的懸掛基板1能夠利用公知的帶電路的懸掛基板的制造方法進行制造。例如，首先準備由不銹鋼箔等構成的金屬支承層5。接著，在金屬支承層5之上以規定圖案形成基層絕緣層6。為了在金屬支承層5之上以規定圖案形成基層絕緣層6，例如只要在金屬支承層5之上涂敷聚酰胺酸樹脂溶液等感光性合成樹脂溶液、并對該溶液進行曝光以及顯影之后，進行加熱固化即可。接著，在基層絕緣層6之上以包括第1端子9以及第2端子10的規定圖案形成導體層7。例如采用添加法、減去法等公知的圖案形成法來形成導體層7。優選采用添加法形成導體層7。在添加法中，首先在基層絕緣層6的整個上表面上形成基底。通過濺射、優選通過鉻濺射以及銅濺射來依次層疊鉻薄膜和銅薄膜，從而形成基底。接著，在該方法中，在基底的上表面上以與上述導體層7的圖案相反的圖案形成了未圖示的抗鍍層之后，在自抗鍍層露出的基底的上表面上例如通過電解電鍍、優選通過電解鍍銅以規定圖案形成導體層7。之后，去除抗鍍層以及層疊有該抗鍍層的部分的基底。由此，能夠在基層絕緣層6上以包括第1端子9、第2端子10以及配線11在內的上述圖案形成導體層7。另外，也可以根據需要，通過非電解鍍鎳利用由鎳構成的非電解電鍍層覆蓋上述那樣形成的導體層7。接著，在包括導體層7在內的基層絕緣層6之上以與第1端子9相對應的部分被形成為開口、與第2端子10相對應的部分被形成為缺口的規定圖案來形成覆蓋絕緣層8。為了在包括導體層7在內的基層絕緣層6之上以規定圖案形成覆蓋絕緣層8，能夠采用與上述的用于形成基層絕緣層6的方法相同的方法，例如只要在包括導體層7在內的基層絕緣層6之上涂敷聚酰胺酸樹脂溶液等感光性合成樹脂溶液、并對該溶液進行曝光以及顯影之后，進行加熱固化即可。由此，第1端子9的上表面自覆蓋絕緣層8的形成為開口的部分露出，第2端子10的上表面以及兩側面自覆蓋絕緣層8的形成為缺口的部分(基層缺口部15)露出。接著，在金屬支承層5上形成金屬開口部13。在形成金屬開口部13時，例如采用干蝕刻(例如、等離子蝕刻)、濕蝕刻(例如、化學蝕刻)等公知的蝕刻法、鉆孔、激光加工，優選采用化學蝕刻法。接著，在基層絕緣層6形成基層開口部14。在形成基層開口部14時，例如采用干蝕刻(例如、等離子蝕刻)、濕蝕刻(例如、化學蝕刻)等公知的蝕刻法、鉆孔、激光加工，優選采用等離子蝕刻法。由此，在利用添加法形成導體層7時，在厚度方向上位于與第2端子IO相反的一側的基底自金屬支承層5的金屬開口部13以及基層絕緣層6的基層開口部14露出。接著，去除自金屬支承層5的金屬開口部13以及基層絕緣層6的基層開口部14露出的基底。在去除基底時例如采用干蝕刻(例如、等離子蝕刻)、濕蝕刻(例如、化學蝕刻)等公知的蝕刻法或剝離等方法。優選采用剝離法。由此，第2端子10的下表面自金屬支承層5的金屬開口部13以及基層絕緣層6的基層開口部14露出。這樣一來，能夠獲得帶電路的懸掛基板1。另外，雖未圖示，但也能夠在帶電路的懸掛基板1上的第2端子10的表面(上表面、兩側面以及下表面)上例如形成鍍金層等，從而提高第2端子10的機械強度。上述鍍金層例如通過電解鍍金或非電解鍍金形成，優選通過電解鍍金形成。如圖1所示，中繼撓性配線電路基板3包括與帶電路的懸掛基板1電連接的第1配線電路基板16、與外部電路2電連接的第2配線電路基板17、將第1配線電路基板16以及第2配線電路基板17電連接的前置放大器18。如圖2的(b)所示，第1配線電路基板16形成為沿長度方向延伸的薄板狀，包括第1金屬支承層19、形成在該第1金屬支承層19之上的第1基層絕緣層20、形成在該第1基層絕緣層20之上的第1導體層21、以及覆蓋第1導體層21地形成在第1基層絕緣層20之上的第l覆蓋絕緣層22。第1金屬支承層19形成為沿長度方向延伸的俯視呈矩形的平板形狀，與第1配線電路基板16的外形形狀相對應地形成。作為形成第1金屬支承層19的材料，采用金屬箔或金屬薄板，是與帶電路的懸掛基板l的金屬支承層5的材料相同的材料，例如采用不銹鋼、銅、鋁、銅-鈹、磷青銅、42合金等。考慮到彈性以及耐腐蝕性，優選采用不銹鋼。另外，第1金屬支承層19的厚度與帶電路的懸掛基板1的金屬支承層5的厚度相同，例如為1060iim，優選為1530iim。另外，第1金屬支承層19的寬度例如為100500線優選為250300mm。第1基層絕緣層20形成在第1金屬支承層19的表面上，形成為與形成有第1導體層21的部分相對應的圖案。作為形成第1基層絕緣層20的絕緣材料，采用與帶電路的懸掛基板1的基層絕緣層6的材料相同的材料，例如采用聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。另外，第1基層絕緣層20的厚度與帶電路的懸掛基板1的基層絕緣層6的厚度相同，例如為130iim，優選為220iim。第1導體層21通過將第3端子23、第4端子24、用于連接上述第3端子23以及第4端子24的第1配線25—體地連接而成。第1配線25沿長度方向設置，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置多個(例如、4條)。第3端子23被配置在第1配線電路基板16的前端部上，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第3端子23分別連接各第1配線25的前端部地設有多個(例如、4個)。第4端子24配置在第1配線電路基板16的后端部上，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第4端子24分別連接各第1配線25的前端部地設有多個(例如、4個)。8另外，如后所述，第3端子23以及第4端子24的上表面自第1覆蓋絕緣層22露出地設置。作為形成第1導體層21的導體材料，采用與帶電路的懸掛基板1的導體層7相同的材料，例如采用銅、鎳、金、焊錫或上述金屬的合金等金屬材料，優選采用銅。第1導體層21的厚度與帶電路的懸掛基板1的導體層7的厚度相同，例如為115iim，優選為312iim。另外，各第1配線25的寬度、各第3端子23的寬度、各第4端子24的寬度例如是相同或不同的，例如為50500iim，優選為80300ym，各第1配線25間的間隔、各第3端子23間的間隔、各第4端子24間的間隔例如是相同或不同的，例如為5500iim，優選為15100ym。另外，各第3端子23以及各第4端子24的長度(長度方向的長度)例如為相同或不同的，例如為1002000iim，優選為5001200iim。另外，在利用后述的添加法形成第1導體層21時，基底(未圖示)介于各第l導體層21與第1基層絕緣層20之間。基底形成在第1導體層21的下表面上，更具體而言，以與第1導體層21相同的圖案形成。另外，基底的厚度與帶電路的懸掛基板1的基底的厚度相同，例如為16000nm，優選為55000nm。第1覆蓋絕緣層22覆蓋第1導體層21地形成在第1基層絕緣層20上。更具體而言，俯視看來，第1覆蓋絕緣層22形成為與第1基層絕緣層20相同的圖案，在包括第1導體層21在內的第1基層絕緣層20之上，第1覆蓋絕緣層22覆蓋第1配線25，并形成為使第3端子23以及第4端子24露出的規定圖案。作為形成第1覆蓋絕緣層22的絕緣材料，采用與帶電路的懸掛基板1的覆蓋絕緣層8的材料相同的材料，例如采用與第1基層絕緣層20相同的合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。第1覆蓋絕緣層22的厚度與帶電路的懸掛基板1的覆蓋絕緣層8的厚度相同，例如為120iim，優選為210iim。并且，在該第1配線電路基板16中，在與第3端子23以及第4端子24相對應的部分上，第l覆蓋絕緣層22被切削而形成有缺口。更具體而言，在第1覆蓋絕緣層22上、在形成有第3端子23的部分上形成有第1覆蓋第1缺口部26，另外，在形成有第4端子24的部分上形成有第1覆蓋第2缺口部27。該第1覆蓋第1缺口部26雖未圖示，但俯視看來，該第1覆蓋第1缺口部26是使所有(例如、4個)第3端子23露出地沿寬度方向在同一平面上進行切削而形成的。另外，第1覆蓋第2缺口部27雖未圖示，但俯視看來，該第1覆蓋第2缺口部27是使所有(例如、4個)第4端子24露出地沿寬度方向在同一平面上進行切削而形成的。由此，使第3端子23以及第4端子24的上表面露出。這種第1配線電路基板16能夠采用公知的配線電路基板的制造方法進行制造，具體而言，例如能夠采用與上述的帶電路的懸掛基板1的制造方法相同的方法進行制造。例如，首先準備由不銹鋼箔等構成的第1金屬支承層19。接著，在第1金屬支承層19上以規定圖案形成第1基層絕緣層20。為了在第l金屬支承層19上以規定圖案形成第1基層絕緣層20，例如只要在第1金屬支承層19上涂敷聚酰胺酸樹脂溶液等感光性合成樹脂溶液、并對該溶液進行曝光以及顯影之后，進行加熱固化即可。接著，在第1基層絕緣層20之上以包括第3端子23以及第4端子24的規定圖案形成第1導體層21。例如采用添加法、減去法等公知的圖案形成法來形成第1導體層21。優選采用添加法形成第1導體層21。在添加法中，首先在第1基層絕緣層20的整個上表面上形成基底。通過濺射、優選通過鉻濺射以及銅濺射來依次層疊鉻薄膜和銅薄膜，從而形成基底。接著，在該方法中，在基底的上表面上以與上述第1導體層21的圖案相反的圖案形成了未圖示的抗鍍層之后，在自抗鍍層露出的基底的上表面上例如通過電解電鍍、優選通過電解鍍銅以規定圖案形成第1導體層21。之后，去除抗鍍層以及層疊有該抗鍍層的部分的基底。由此，能夠在第1基層絕緣層20之上以包括第3端子23、第4端子24以及第1配線25的上述圖案形成第1導體層21。另外，也可以根據需要，通過非電解鍍鎳利用由鎳構成的非電解電鍍層覆蓋上述那樣形成的第1導體層21。接著，在包括第1導體層21在內的第1基層絕緣層20之上以與第3端子23以及第4端子24相對應的部分形成為缺口的規定圖案來形成第1覆蓋絕緣層22。為了在包括第1導體層21在內的第1基層絕緣層20之上以規定圖案形成第1覆蓋絕緣層22，能夠采用與上述的用于形成第1基層絕緣層20的方法相同的方法，例如只要在包括第1導體層21在內的第1基層絕緣層20之上涂敷聚酰胺酸樹脂溶液等感光性合成樹脂溶液、并對該溶液曝光以及顯影之后，進行加熱固化即可。由此，第3端子23以及第4端子24的上表面以及兩側面自第1覆蓋絕緣層22的形成為缺口的部分(第l覆蓋第l缺口部26以及第l覆蓋第2缺口部27)露出。這樣一來，能夠獲得第1配線電路基板16。第2配線電路基板17是撓性配線電路基板，如圖2的(c)所示，形成為沿長度方向延伸的薄板狀，包括第2基層絕緣層28、形成在該第2基層絕緣層28之上的第2導體層29、以及覆蓋第2導體層29地形成在第2基層絕緣層28之上的第2覆蓋絕緣層30。第2基層絕緣層28形成為沿長度方向延伸的俯視呈矩形的平板形狀，與第2配線電路基板17的外形形狀相對應地形成。另外，第2基層絕緣層28形成為與形成有第2導體層29的部分相對應的圖案。作為形成第2基層絕緣層28的絕緣材料，例如采用聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。另外，第2基層絕緣層28的厚度例如為130iim，優選為220ym。第2導體層29通過將第5端子31、第6端子32、用于連接上述第5端子31以及第6端子32的第2配線33—體地連接而成。第2配線33沿長度方向設置，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置多個(例如、4條)。第5端子31被配置在第2配線電路基板17的前端部上，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第5端子31分別連接各第2配線33的前端部地設有多個(例如、4個)。第6端子32被配置在第2配線電路基板17的后端部上，雖未圖示，但在寬度方向上相互隔開間隔地并列配置。另外，第6端子32分別連接各第2配線33的前端部地設有多個(例如、4個)。另外，如后所述，第5端子31以及第6端子32的上表面自第2覆蓋絕緣層30露出地設置。作為形成第2導體層29的導體材料，例如采用銅、鎳、金、焊錫或上述金屬的合金等金屬材料，優選采用銅。第2導體層29的厚度例如為l15iim，優選為312iim。另外，各第2配線33的寬度、各第5端子31的寬度、各第6端子32的寬度例如是相同或不同的，例如為50500iim，優選為80300ym，各第2配線33的間隔、各第5端子31間的間隔、各第6端子32間的間隔例如是相同或不同的，例如為5500iim，優選為15100ym。另外，各第5端子31以及各第6端子32的長度(長度方向的長度)例如為相同或不同的，例如為1002000iim，優選為5001200iim。另外，在利用后述的添加法形成第2導體層29時，基底(未圖示)介于第2導體層29與第2基層絕緣層28之間。基底形成在第2導體層29的下表面上，更具體而言，以與第2導體層29相同的圖案形成。另外，基底的厚度例如為16000nm，優選為55000nm。第2覆蓋絕緣層30覆蓋第2導體層29地形成在第2基層絕緣層28上。更具體而言，俯視看來，第2覆蓋絕緣層30形成為與第2基層絕緣層28相同的圖案，在包括第2導體層29在內的第2基層絕緣層28之上，第2覆蓋絕緣層30覆蓋第2配線33，并形成為使第5端子31以及第6端子32露出的規定圖案。作為形成第2覆蓋絕緣層30的絕緣材料，例如采用與第2基層絕緣層28相同的合成樹脂。優選采用感光性的合成樹脂，更優選采用感光性聚酰亞胺。第2覆蓋絕緣層30的厚度例如為120iim，優選為210iim。并且，在該第2配線電路基板17中，在與第5端子31以及第6端子32相對應的部分上，第2覆蓋絕緣層30被切削而形成有缺口。更具體而言，在第2覆蓋絕緣層30的形成有第5端子31的部分上形成有第2覆蓋第l缺口部34。另外，在形成有第6端子32的部分上形成有第2覆蓋第2缺口部35。該第2覆蓋第l缺口部34雖未圖示，但俯視看來，該第2覆蓋第l缺口部34是使所有(例如、4個)第5端子31露出地沿寬度方向在同一平面上進行切削而形成的。另外，第2覆蓋第2缺口部35雖未圖示，但俯視看來，該第2覆蓋第2缺口部35是使所有(例如、4個)第6端子32露出地沿寬度方向在同一平面上進行切削而形成的。由此，使第5端子31以及第6端子32的上表面露出。這種第2配線電路基板17能夠采用公知的中繼撓性配線電路基板的制造方法進行制造。例如，首先準備形成為第2配線電路基板17的外形形狀的由薄膜構成的第2基層絕緣層28，在第2基層絕緣層28之上以包括第5端子31、第6端子32以及第2配線33在內的規定圖案形成第2導體層29。例如采用添加法、減去法等公知的圖案形成法來形成第2導體層29。優選采用減去法形成第2導體層29。11在減去法中，首先在第2基層絕緣層28的上表面準備根據需要經由粘接劑層層疊而成的由金屬箔構成的雙層基材。接著，在該方法中，在金屬箔的表面上以與上述第2導體層29的圖案相同的圖案形成抗蝕涂層。利用干膜抗蝕劑等采用公知的方法形成抗蝕涂層。之后，在對自抗蝕涂層露出的金屬箔進行了蝕刻之后，通過蝕刻或剝離去除抗蝕涂層。由此，能夠在第2基層絕緣層28之上以包括第5端子31、第6端子32以及第2配線33在內的上述圖案形成第2導體層29。另外，也可以根據需要，通過非電解鍍鎳利用由鎳構成的非電解電鍍層覆蓋上述那樣形成的第2導體層29。接著，在包括第2導體層29在內的第2基層絕緣層28之上以與第5端子31以及第6端子32相對應的部分形成為缺口的規定圖案來形成第2覆蓋絕緣層30。為了在包括第2導體層29在內的第2基層絕緣層28之上以規定圖案形成第2覆蓋絕緣層30，例如只要在包括第2導體層29在內的第2基層絕緣層28之上涂敷聚酰胺酸樹脂溶液等感光性合成樹脂溶液、并對該溶液曝光以及顯影之后，進行加熱固化即可。由此，第5端子31以及第6端子32的上表面以及兩側面自第2覆蓋絕緣層30的形成為缺口的部分(第2覆蓋第l缺口部34以及第2覆蓋第2缺口部35)露出。這樣一來，能夠獲得第2配線電路基板17。另外，形成第2配線電路基板17的方法并不限定于此，例如也可以準備層疊有第2基層絕緣層28以及第2導體層29的雙層基材，接著，采用減去法將第2導體層29形成為規定圖案，之后，通過在包括第2導體層29在內的第2基層絕緣層28之上以規定圖案形成第2覆蓋絕緣層30，能夠獲得第2配線電路基板17，該規定圖案是對與第5端子31以及第6端子32相對應的部分進行切削而形成的缺口。并且，如圖2的(d)所示，中繼撓性配線電路基板3是通過經由前置放大器18將上述第1配線電路基板16和上述第2配線電路基板17電連接而形成的。前置放大器18包括第7端子36、第8端子37、以及與上述第7端子36以及第8端子37相連接的前置放大器主體38。前置放大器主體38由電信號的放大電路構成。第7端子36設在前置放大器主體38的前端部上，第8端子37設在前置放大器主體38的后端部上。為了利用前置放大器18電連接第1配線電路基板16和第2配線電路基板17，將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17在長度方向上隔開間隔地相對配置，將前置放大器18配置在第1配線電路基板16的后端部(形成有第4端子24的端部)與第2配線電路基板17的前端部(形成有第5端子31的端部)之間。S卩、將前置放大器18的長度方向的兩側端部(形成有第7端子36的一側端部以及形成有第8端子37的另一側端部)分別載置在第1配線電路基板16的后端部、和第2配線電路基板17的前端部上。接著，例如采用由銅、鎳、金等導體材料構成的電線39將前置放大器18的第7端子36和第1配線電路基板16的第4端子24電連接，并將前置放大器18的第8端子37和第2配線電路基板17的第5端子31電連接。由此，能夠獲得中繼撓性配線電路基板3。在上述那樣獲得的中繼撓性配線電路基板3中，前置放大器18將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17電連接，并在第1配線電路基板16與第2配線電路基板17之間放大電信號，傳遞放大后的電信號。然后，在該中繼撓性配線電路基板3中，如圖1所示，第1配線電路基板16的第3端子23與帶電路的懸掛基板1的第2端子10電連接。由此，將帶電路的懸掛基板1和中繼撓性配線電路基板3電連接起來。在這樣獲得的連接構造中，如圖1所示，帶電路的懸掛基板1的第1端子9與磁頭4的端子電連接，中繼撓性配線電路基板3上的第2配線電路基板17的第6端子32與外部基板2的端子電連接。并且，在該中繼撓性配線電路基板3及其連接構造中，第1配線電路基板16具有與帶電路的懸掛基板1相同的層結構。因此，能夠在帶電路的懸掛基板1與第1配線電路基板16的連接點上實現阻抗的匹配。另外，第1配線電路基板16與第2配線電路基板17不是直接連接，而是經由前置放大器18電連接的。因此，與直接連接第1配線電路基板16和第2配線電路基板17的情況相比能夠減少第1配線電路基板16與第2配線電路基板17的連接點，從而能夠降低中繼撓性配線電路基板3(第1配線電路基板16與第2配線電路基板17之間)上的阻抗失配。結果，在該中繼撓性配線電路基板3及其連接構造中，能夠實現磁頭4與外部基板2之間的阻抗的匹配。圖3是表示作為本發明的配線電路基板的另一實施方式的中繼撓性配線電路的使用狀態的剖視圖。另外，在圖3中，對與上述各部分相對應的各部分標注相同的參照附圖標記，省略其詳細說明。在上述說明中，采用電線39將前置放大器18的第7端子36與第1配線電路基板16的第4端子24、前置放大器18的第8端子37與第2配線電路基板17的第5端子31連接起來，但連接方法并不限定于此，例如如圖3所示，能夠采用由焊錫40進行連接的焊接等公知的連接方法。在這樣的情況下，在前置放大器18的下表面上適當地形成焊錫連接用端子43。另外，在上述說明中，將帶電路的懸掛基板l的第2端子10形成為懸空引線，但也可以只使第2端子10的上表面自覆蓋絕緣層8露出地形成第2端子10，另外，第2端子10與第3端子23的連接并不限定于此，例如，也能采用由焊錫41接性連接的焊接等公知的連接方法。另外，在上述說明中，由第2基層絕緣層28、第2導體層29以及第2覆蓋絕緣層30形成了第2配線電路基板17，但如圖3所示，為了確保接合(bonding)時的強度，根據需要也能夠在第2配線電路基板17上的、第2基層絕緣層28的與第5端子31和第6端子32相反的一側的部分借助粘接劑層(未圖示)設置加強板42。實施例下面表示實施例以及比較例，更具體地說明本發明，本發明并不限定于任何實施例以及比較例。13實施例1(1)制作帶電路的懸掛基板準備寬300mm、厚20ym的由不銹鋼箔構成的金屬支承層5，然后，在該金屬支承層5的表面上涂敷感光性聚酰胺酸樹脂溶液(清漆)，進行干燥。隔著光掩模對該溶液進行曝光，在曝光后進行加熱、利用堿性顯影液顯影之后，進行加熱固化，從而形成了厚lOym的由聚酰亞胺樹脂構成的基層絕緣層6。接著，利用濺鍍法在基層絕緣層6的整個表面上依次形成厚30()i的鉻薄膜以及厚700人的銅薄膜，從而形成導體薄膜(基底)。之后，在導體薄膜上利用干膜抗蝕劑以導體層7的相反圖案形成抗鍍層后，通過電解鍍銅在自抗鍍層露出的導體薄膜上形成了厚10iim的導體層7。之后，在利用濕蝕刻去除了抗鍍層之后，通過剝離操作將形成有該抗鍍層的部分的金屬薄膜去除。由此，導體層7形成為這樣的圖案，該圖案包括在前端部以及后端部之間形成在基層絕緣層6之上的多個配線11、在前端部上形成在基層絕緣層6之上的多個第1端子9、在后端部上形成在基層絕緣層6之上的多個第2端子10。另外，各第2端子10的長度為500iim，其寬度為100ym，各第2端子10間的寬度方向的間隔為30iim。之后，覆蓋導體層7地在基層絕緣層6之上涂敷感光性聚酰胺酸樹脂溶液(清漆)，進行干燥。隔著光掩模對該溶液進行曝光，在利用堿性顯影液顯影之后，進行加熱固化，從而形成了厚4iim的由聚酰亞胺樹脂構成的覆蓋絕緣層8。該覆蓋絕緣層8在前端部具有使各第l端子9露出的開口部，在后端部上具有使各第2端子10露出的缺口部(覆蓋缺口部15)，在前端部以及后端部之間形成為覆蓋配線11的圖案。接著，通過對金屬支承層5進行化學蝕刻，形成金屬開口部13，然后，對基層絕緣層6進行等離子蝕刻，從而形成基層開口部14，然后，通過剝離操作將自金屬開口部13以及基層開口部14露出的導體薄膜(基底)去除，將第2端子10形成為自金屬支承層5以及基層絕緣層6露出的懸空引線。之后，通過對自金屬支承層5、基層絕緣層6以及覆蓋絕緣層8露出的第2端子10依次實施非電解鍍鎳和非電解鍍金，形成由鍍鎳層以及鍍金層構成的厚2ym的金屬鍍層，從而獲得帶電路的懸掛基板1(參照圖2的(a))。(2)制作中繼撓性配線電路基板制作第l配線電路基板準備寬300mm、厚20iim的由不銹鋼箔構成的第l金屬支承層19，然后，在該第1金屬支承層19的表面上涂敷感光性聚酰胺酸樹脂溶液(清漆)，進行干燥。隔著光掩模對該溶液進行曝光，在曝光后進行加熱，在利用堿性顯影液顯影之后，進行加熱固化，從而形成了厚lOym的由聚酰亞胺樹脂構成的第1基層絕緣層20。接著，利用濺鍍法在第1基層絕緣層20的整個表面上依次形成厚300人的鉻薄膜以及厚7G0l的銅薄膜，從而形成導體薄膜(基底)。之后，在導體薄膜上利用干膜抗蝕劑以第1導體層21的相反圖案形成抗鍍層后，通過電解鍍銅在自抗鍍層露出的導體薄膜上形成了厚lOym的第1導體層21。之后，在利用濕蝕刻去除了抗鍍層之后，通過剝離操作將形成有該抗鍍層的部分的金屬薄膜去除。由此，第1導體層21形成為這樣的圖案，該圖案包括在前端部以及后端部之間形成在第1基層絕緣層20之上的多條第1配線25、在前端部上形成在第1基層絕緣層20之上的多個第3端子23、在后端部上形成在第1基層絕緣層20之上的多個第4端子24。之后，覆蓋第1導體層21地在第1基層絕緣層20之上涂敷感光性聚酰胺酸樹脂溶液(清漆)，進行干燥。隔著光掩模對該溶液進行曝光，在利用堿性顯影液顯影之后，進行加熱固化，從而形成了厚4ym的由聚酰亞胺樹脂構成的第1覆蓋絕緣層22。該第1覆蓋絕緣層22在前端部具有使各第3端子23露出的缺口部(第1覆蓋第1缺口部26)，在后端部上具有使各第4端子24露出的缺口部(第1覆蓋第2缺口部27)，在前端部以及后端部之間形成為覆蓋第1配線25的圖案。由此，獲得第1配線電路基板16(參照圖2的(b))。另外，各第3端子23的長度為700ym，其寬度為100ym，各第3端子23間的寬度方向的間隔為30iim。另外，各第4端子24的長度為1000ym，其寬度為200ym，各第4端子24間的寬度方向上的間隔為80iim。制作第2配線電路某板準備了雙層基材，該雙層基材是在寬300mm、厚20ym的由聚酰亞胺的薄膜構成的第2基層絕緣層28之上層疊有厚10iim的銅箔而形成的。接著，在該雙層基材的銅箔之上以與第2導體層29相對應的圖案形成厚10iim的抗蝕涂層之后，對自抗蝕涂層露出的金屬箔進行蝕刻。之后，通過剝離操作將抗蝕涂層去除。由此，第2導體層29形成為這樣的圖案，該圖案包括在前端部以及后端部之間形成在第2基層絕緣層28之上的多條第2配線33、在前端部上形成在第2基層絕緣層28之上的多個第5端子31、在后端部上形成在第2基層絕緣層28之上的多個第6端子32。之后，覆蓋第2導體層29地在第2基層絕緣層28之上涂敷感光性聚酰胺酸樹脂溶液(清漆)，進行干燥。隔著光掩模對該溶液進行曝光，在利用堿性顯影液顯影之后，進行加熱固化，從而形成了厚4iim的由聚酰亞胺樹脂構成的第2覆蓋絕緣層30。該第2覆蓋絕緣層30在前端部具有使各第5端子31露出的缺口部(第2覆蓋第1缺口部34)，在后端部上具有使各第6端子32露出的缺口部(第2覆蓋第2缺口部35)，在前端部以及后端部之間形成為覆蓋第2配線33的圖案。由此，獲得了第2配線電路基板(參照圖2的(c))。另外，各第5端子31的長度為1000iim，其寬度為200iim，各第5端子31間的寬度方向的間隔為80iim。第1配線電路基板與第2配線電路基板的連接準備了前置放大器18，該前置放大器18包括前置放大器主體38、形成在前置放大器主體38的前端部上的第7端子36、形成在前置放大器主體38的后端部上的第8端子37。將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17沿長度方向隔開1.5mm的間隔相對配置，分別將前置放大器主體38(長3mm)的前端部以及后端部載置在第1配線電路基板16的后端部和第2配線電路基板17的前端部上，然后，使用由銅構成的電線39將前置放大器18的第7端子36和第1配線電路基板16的第4端子24電連接起來，并且將前置放大器18的第8端子37和第2配線電路基板17的第5端子31電連接起來。由此，獲得了第1配線電路基板16與第2配線電路基板17經由前置放大器18電連接的中繼撓性配線電路基板3(參照圖2的(d))。(3)帶電路的懸掛基板、中繼撓性配線電路基板、控制電路基板之間的連接使帶電路的懸掛基板1的第2端子10(懸空引線端子)與第1配線電路基板16的第3端子23電連接(參照圖l)，接著，使控制電路基板(外部基板2)的端子與第2配線電路基板17的第6端子32電連接。之后，使磁頭4的端子與帶電路的懸掛基板1的第l端子9電連接。比較例1圖4表示比較例1的帶電路的懸掛基板以及中繼撓性配線電路基板。在圖4中，對與上述各部分相對應的各部分標注相同的參照附圖標記，省略其詳細說明。下面，參照圖4說明比較例1。采用與制作實施例1的帶電路的懸掛基板的方法相同的方法，獲得包括寬300mm、厚20iim的金屬支承層5、厚10iim的基層絕緣層6、厚10ym的導體層7、厚4ym的覆蓋絕緣層8的帶電路的懸掛基板1。另外，在比較例1的帶電路的懸掛基板1中，如圖4所示，將第2端子10形成為懸空引線。接著，與實施例1的第2配線電路基板的制作方法同樣地制作包括寬300mm、厚20iim的基層絕緣層28、厚10iim的導體層29、厚4ym的覆蓋絕緣層35的配線電路基板45，將其作為中繼撓性配線電路基板3。另外，在比較例1的中繼撓性配線電路基板3中，在覆蓋絕緣層35上形成用于將配線電路基板45和前置放大器18電連接的開口部46，利用電線39將第2導體層29和前置放大器18電連接。之后，與實施例l同樣地將帶電路的懸掛基板1、中繼撓性配線電路基板3、控制電路基板2電連接起來，將帶電路的懸掛基板1和磁頭4電連接起來。比較例2圖5表示比較例2的帶電路的懸掛基板以及中繼撓性配線電路基板。另外，在圖5中，對與上述各部分相對應的各部分標注相同的參照附圖標記省略其詳細說明。下面，參照圖5說明比較例2。采用與制作實施例1的帶電路的懸掛基板的方法相同的方法，獲得包括寬300mm、厚20iim的金屬支承層5、厚10iim的基層絕緣層6、厚10ym的導體層7、厚4ym的覆蓋絕緣層8的帶電路的懸掛基板1。另外，在比較例2的帶電路的懸掛基板1中，如圖5所示，也將第2端子10形成為懸空引線。接著，與實施例1的第1配線電路基板的制作方法同樣地獲得了包括寬300mm、厚20iim的第1金屬支承層19、厚10iim的第1基層絕緣層20、厚10ym的第1導體層21、和厚lOym的第1覆蓋絕緣層22的第1配線電路基板16。另外，在比較例2的第1配線電路基板16中，在第1覆蓋絕緣層22上形成用于將第1配線電路基板16和前置放大器18電連接的開口部46，利用電線39將第1導體層21和前置放大器18電連接。另外，利用化學蝕刻以及等離子蝕刻在第1金屬支承層19以及第1基層絕緣層20上形成貫穿孔49，該貫穿孔49用于將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17電連接。接著，與制作實施例1的第2配線電路基板同樣地獲得了包括寬300mm、厚20ym的第2基層絕緣層28、厚10iim的第2導體層29、厚4ym的第2覆蓋絕緣層30的第2配線電路基板17。另外，在比較例2的第2配線電路基板17中，形成用于將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17電連接的開口部47來替代第2覆蓋第l缺口部27。然后，借助焊錫48將第1配線電路基板16和第2配線電路基板17電連接起來，從而獲得了中繼撓性配線電路基板3。之后，與實施例l同樣地將帶電路的懸掛基板1、中繼撓性配線電路基板3、控制電路基板2電連接，并將帶電路的懸掛基板1和磁頭4電連接。ml測慮陽並在實施例以及各比較例的帶電路的懸掛基板以及中繼撓性配線電路基板中，采用時域反射(TDR)法分別評價了帶電路的懸掛基板與中繼撓性配線電路基板的連接點、中繼撓性配線電路基板與前置放大器的前端側的連接點(輸出信號)、前置放大器的后端側與中繼撓性配線電路基板的連接點(輸入信號)上的阻抗的匹配性。其結果如表l所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>另外，表1中的阻抗評價中"O"表示阻抗充分匹配，"A"表示阻抗難以匹配，"X"表示阻抗不匹配。另外，上述說明是作為本發明的例示的實施方式而提供的，但這只不過是例示，并不是限定性的解釋。由本
技術領域：
的技術人員確定的本發明的變形例包含在后述的權利要求書中。權利要求一種配線電路基板，其用于將帶電路的懸掛基板和外部電路電連接，該帶電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層之上的基層絕緣層、形成在上述基層絕緣層之上的導體層、以及覆蓋上述導體層地形成在上述基層絕緣層之上的覆蓋絕緣層，其特征在于，該配線電路基板包括與上述帶電路的懸掛基板電連接的第1配線電路基板，以及與上述外部電路電連接的第2配線電路基板；上述第1配線電路基板與上述第2配線電路基板經由前置放大器電連接；上述第1配線電路基板包括第1金屬支承層、形成在上述第1金屬支承層之上的第1基層絕緣層、形成在上述第1基層絕緣層之上的第1導體層、以及覆蓋上述第1導體層地形成在上述第1基層絕緣層之上的第1覆蓋絕緣層。2.根據權利要求l所述的配線電路基板，其特征在于，上述帶電路的懸掛基板的上述導體層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1導體層的厚度實質上相同。3.根據權利要求l所述的配線電路基板，其特征在于，上述帶電路的懸掛基板的上述基層絕緣層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1基層絕緣層的厚度實質上相同。4.根據權利要求l所述的配線電路基板，其特征在于，上述帶電路的懸掛基板的上述覆蓋絕緣層的厚度與上述第1配線電路基板的上述第1覆蓋絕緣層的厚度實質上相同。5.—種配線電路基板的連接構造，其特征在于，其包括帶電路的懸掛基板、第1配線電路基板、第2配線電路基板和前置放大器，上述帶電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在上述金屬支承層之上的基層絕緣層、形成在上述基層絕緣層之上的導體層、以及覆蓋上述導體層地形成在上述基層絕緣層之上的覆蓋絕緣層，上述導體層包括用于與磁頭電連接的第1端子以及用于與第1配線電路基板電連接的第2端子，上述第1配線電路基板包括第1金屬支承層、形成在上述第1金屬支承層之上的第1基層絕緣層、形成在上述第1基層絕緣層之上的第1導體層以及覆蓋上述第1導體層地形成在上述第1基層絕緣層之上的第1覆蓋絕緣層，上述第1導體層包括用于與上述帶電路的懸掛基板電連接的第3端子以及用于與上述前置放大器電連接的第4端子，上述第2配線電路基板具有第2導體層；上述第2導體層包括用于與上述前置放大器電連接的第5端子以及用于與外部電路電連接的第6端子，上述前置放大器與上述第4端子和上述第5端子電連接，上述帶電路的懸掛基板的上述第2端子與上述第1配線電路基板的上述第3端子電連接。全文摘要本發明提供配線電路基板及其連接構造。該配線電路基板用于將帶電路的懸掛基板和外部電路電連接，該帶電路的懸掛基板包括金屬支承層、形成在金屬支承層之上的基層絕緣層、形成在基層絕緣層之上的導體層、以及覆蓋導體層地形成在基層絕緣層之上的覆蓋絕緣層，其中，該配線電路基板包括與帶電路的懸掛基板電連接的第1配線電路基板以及與外部電路電連接的第2配線電路基板。第1配線電路基板與第2配線電路基板經由前置放大器電連接。第1配線電路基板包括第1金屬支承層、形成在第1金屬支承層之上的第1基層絕緣層、形成在第1基層絕緣層之上的第1導體層、以及覆蓋第1導體層地形成在第1基層絕緣層之上的第1覆蓋絕緣層。文檔編號H05K1/14GK101754580SQ200910246939公開日2010年6月23日申請日期2009年12月3日優先權日2008年12月18日發明者*川晶儀,樋口直孝,金川仁紀申請人:日東電工株式會社