專利名稱：帶屏蔽裝置的電子部件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及帶屏蔽裝置的電子部件及其制造方法，涉及包括半導體的電子部件的 安裝，可以廣泛應用于需要用于避免周邊的電波以及來自半導體的電磁噪聲的不利影響的 屏蔽結構的搭載有半導體的電子部件、以及需要屏蔽從自身發生的噪聲的搭載有半導體的 電子部件等的安裝。
權利要求
一種帶屏蔽裝置的電子部件，其特征在于，具備布線基板；搭載在上述布線基板的主面上的至少一個半導體集成電路元件；對上述布線基板的整個上表面進行密封的密封體；以及形成在上述密封體的上表面的金屬鍍膜，上述金屬鍍膜形成于在上述布線基板的背面受到保護的狀態下僅形成在上述密封體的上表面的使用了高壓CO2的前處理層上，且和上述布線基板的側面的接地布線層的端部、或與上述接地布線層的端部連接的接地連接用通孔電連接。
2. 根據權利要求1所述的帶屏蔽裝置的電子部件，其特征在于， 上述金屬鍍膜是將高壓C02與鍍敷液混合在一起而形成的。
3. 根據權利要求1所述的帶屏蔽裝置的電子部件，其特征在于， 上述前處理層包含Pd。
4. 根據權利要求1所述的帶屏蔽裝置的電子部件，其特征在于， 上述金屬鍍膜由Cu鍍敷、或Ni鍍敷構成。
5. —種帶屏蔽裝置的電子部件的制造方法，其特征在于，具備在用于制造多個帶屏蔽裝置的電子部件的基板上，搭載構成上述帶屏蔽裝置的電子部 件的半導體集成電路元件的工序；在上述基板的整個上表面上形成密封體的工序；在各個上述帶屏蔽裝置的電子部件的切分位置，將上述基板半切斷切割至上述基板的 接地布線層、或與上述接地布線層連接的接地連接用通孔的工序；使上述半切斷切割后的兩個上述基板的背面彼此對齊，用粘接劑固定兩個上述基板的 端部的工序；在上述密封體的上表面使用高壓C02來形成前處理層的工序；在上述前處理層上，以和上述基板的側面的接地布線層、或者與上述接地布線層連接 的接地連接用通孔電連接的方式，形成金屬鍍膜的工序； 切除由上述粘接劑形成的粘接部分的工序；以及對上述半切斷切割后的位置進行全切斷切割，而切分成各個上述帶屏蔽裝置的電子部 件的工序。
6. —種帶屏蔽裝置的電子部件的制造方法，其特征在于，具備在用于制造多個帶屏蔽裝置的電子部件的基板上，搭載構成上述帶屏蔽裝置的電子部 件的半導體集成電路元件的工序；在上述基板的整個上表面形成密封體的工序；在各個上述帶屏蔽裝置的電子部件的切分位置，將上述基板半切斷切割至上述基板的 接地布線層、或與上述接地布線層連接的接地連接用通孔的工序； 在上述半切斷切割后的上述基板的背面涂敷保護膜的工序； 用粘接劑來固定上述基板以及上述保護膜的端部的工序； 在上述密封體的上表面使用高壓C02來形成前處理層的工序；在上述前處理層上，以和上述基板的側面的接地布線層、或者與上述接地布線層連接 的接地連接用通孔電連接的方式，形成金屬鍍膜的工序；切除由上述粘接劑形成的粘接部分，并剝離上述保護膜的工序；以及 對上述半切斷切割后的位置進行全切斷切割，而切分成各個上述帶屏蔽裝置的電子部 件的工序。
全文摘要
本發明提供一種形成鍍膜并在單面帶有耐回流可靠性高的屏蔽裝置的電子部件，該電子部件不會從基板側面浸透CO2、漂移可靠性高、且通過在高壓CO2下形成鍍敷基底而大幅提高了密接性。在帶屏蔽裝置的電子部件中，具備布線基板(10)；搭載在布線基板(10)的主面上的至少一個半導體芯片(21)；對布線基板(10)的整個上表面進行密封的密封體(23)；以及形成在密封體(23)的上表面的Ni鍍敷膜(118)，Ni鍍敷膜(118)形成于在保護了布線基板的背面的狀態下僅形成在密封體(23)的上表面的使用了高壓CO2的Pd前處理層(117)上，且和布線基板的側面的接地布線層的端部、或與接地布線層的端部連接的GND連接用通孔(101)電連接。
文檔編號H05K9/00GK101740550SQ20091021202
公開日2010年6月16日 申請日期2009年11月6日 優先權日2008年11月7日
發明者依田智子, 山口欣秀, 白井優之, 長谷川優 申請人:株式會社瑞薩科技