填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用的制作方法

專利名稱：：填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，具體方法是將硅粉冷等靜壓或熱等靜壓成填裝性能良好的原料硅塊后，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料。該原料硅塊可以在太陽能領域或半導體領域的單晶爐或多晶爐中融熔作為原料硅使用，用于生產晶體硅棒或硅錠。該原料硅塊的一個用途是作為生產太陽能電池成品硅片的初始原料用。
背景技術：
：本發明全文中涉及的單晶爐是指生長單晶硅的生長爐。本發明全文中涉及的多晶爐是指生長多晶硅的生長爐。本發明全文中涉及的原料硅塊是指放入單晶爐或多晶爐，尚沒有升溫進行融化和晶體生長的塊狀的硅，原料硅塊作為生產單晶硅或多晶硅的原料。有六個方面的
背景技術：
：(一)、首先在這里需要特別強調的是:包括US7，175，685在內的所有現有文獻都沒有等靜壓技術可以減少氧化物膜層對單晶爐或多晶爐中硅晶體生長質量的負面影響的報道。具體來說是現有文獻沒有由于硅粉經過冷等靜壓或熱等靜壓成填裝性能良好的作為原料硅塊有利于表面的氧化物膜層的減少，因而可以減少對單晶爐或多晶爐中硅晶體生長質量的負面影響的報道。原料硅塊表面的氧化物會給后續工藝造成一系列問題，如導致硅料融化困難，揮發物與設備元件反應，晶體及最終產品如芯片、電池片等質量下降等。因而現有技術通常需要使用化學溶液洗滌原料硅塊表面的氧化物。現有技術中的作為原料硅塊使用的高純硅塊通常經過了高溫融化和冷卻的過程，或經過了氣相沉積的過程，因而其相對密度為100%，實際密度為2.33克/立方厘米。這些高純硅塊雖然價格昂貴，但其來源廣泛，且容易獲得。因其高致密度和良好的機械性能完全可以耐受化學溶液洗滌對其表面的去氧化過程。經過檢測多組現有技術中提供的來源不同的相對密度為100%，實際密度為2.33克/立方厘米的原料硅塊，其抗壓參數通常介于60-206MPa，平均為150MPa。其具體內容在后文中的表l還會詳細展開。而由硅粉經過等靜技術獲得的原料硅塊因為沒有經過高溫融化和冷卻的過程，其相對密度無法達到100%，因而其耐受化學溶液洗滌表面的抗沖擊能力相對密度為2.33克/立方厘米的傳統原料硅塊偏弱。由于硅粉的比表面積很大，例如US7，175，685所涉及的硅粉很容易與空氣接觸生成氧化膜，即使容忍飛揚的硅粉嚴重損壞設備的方式強行將硅粉放入單晶爐或多晶爐中生長，會發現最后生長出的單晶硅或多晶硅的質量偏差，很難滿足市場的對質量的需求。(二)、硅原料放入用于硅晶體生長的爐中，例如放入單晶爐中完成單晶硅的生長，或放入多晶爐中完成多晶硅的生長，是早已非常完善的現有技術，單晶硅的生長或多晶硅的生長通常都包括硅受熱融化、緩慢生長出晶體、冷卻的過程。生成的單晶硅或多晶硅再經過切片之后可以應用于太陽能電池。因為太陽能電池在國際上有行業普遍遵守的質量的標準，所以切片之前的單晶硅或多晶硅也要遵守共同的質量的標準。而單晶硅或多晶硅的生長技術大同小異，因而保證質量的前提下，能否大量采用廉價的硅原料是單晶硅或多晶硅生產商非常關心的。(三)、本發明先介紹作為原料的硅粉或硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用的情況。硅粉應用情況一方面，硅粉因為容易飛揚，影響設備的正常工作和生產人員的健康，其應用受到極大的限制。另一方面，與硅塊對比，硅粉還因為比面積大，在包裝、運輸、儲藏過程中都非常容易接觸空氣而被氧化，而被氧化后的硅粉對最終生產的太陽能電池的質量有一定的負面影響，但其負面影響在硅粉少量使用的情況下尚能忍受，因而為了降低成本，可以在單晶爐或多晶爐中的使用很少量的硅粉。但在單晶爐或多晶爐中大比例的直接使用硅粉用于大幅度降低生產成本成為一種不可能實現的奢望。其具體內容在后文中還會詳細展開。硅塊應用情況以塊狀形態存在的作為原料的硅塊是目前放入單晶爐或多晶爐中的主要形式。應用于太陽能領域或半導體領域的單晶爐或多晶爐中作為原料硅塊需要滿足兩個最基本要求有重量純度要求是99.99%-99.9999999%,優選是99.999%-99.9999999%,最好是99.9999%-99.9999999%。硅塊需要有一定的抗壓性能，這樣一來硅塊就不太容易因移動而散落導致的飛揚的粉塵損壞設備和操作人員的健康。如果純度太高，例如99.9999999999%屬于半導體領域使用的純度的硅成本極其高昂，使用于太陽能領域并不經濟。如果純度太低，在單晶爐或多晶爐中所制造的硅錠質量太差，無法滿足實際要求；在99.99%—99.999%之間的純度級別雖然比較低，但如果與其他高純的硅料混合使用，也能勉強滿足硅錠質量要求。作為太陽能領域的主流原料來說，采用99.999%-99.9999999%或99.9999%-99.9999999%是最合適的。在這里需要特別強調的是同時滿足有一定的抗壓性能和99.999%-99.9999999%或99.9999%-99.9999999%的硅塊主要是來源于氣相沉積法，特別是由含硅的化合物(如三氯氫硅和硅垸等)經過高溫化學氣相沉積得到。其密度是2.33克/立方厘米左右。具體內容還可以參看之后的表2。從半導體行業、太陽能行業回收的報廢的但純度很高的硅塊因為已經是采用過鑄錠工序，其密度也是2.33克/立方厘米左右，且抗壓性能優越。其重量純度是99.9999%-99.9999999999%。(四)、目前現有技術中還沒有很好的將硅粉大量的應用在單晶爐或多晶爐中的合適方法。原因如下具有晶體結構的硅材料(單晶硅和多晶硅)已經廣泛應用在半導體、太陽能和集成電路行業中。這些硅材料通常是由高純度硅料經過融化和晶體生長后得到。所使用的高純度硅料通常是由含硅的化合物(如三氯氫硅和硅垸等)經過高溫化學氣相沉積得到。硅料制造廠生產的高純硅料主要有兩種形態，塊/棒狀和粗顆粒狀。塊/棒狀硅料一般是由大的高純硅棒/硅錠經過破碎后得到；粗顆粒狀的硅料一般是在化學氣相沉積中采用流化床工藝制備的，這些顆粒的直徑一般在幾百微米到毫米級。這兩種形態的硅料便于運輸，在晶體生長用坩堝中的堆積密度高，填充因子通常大于50%,因此在工業生產中獲得了廣泛地應用。硅的粗顆粒通常來自流化床工藝中。這些過程同時也產生極其細小的硅粉，尺寸范圍是亞微米至數百微米，這些硅粉作為伴隨粗顆粒硅的副產物存在。另外還有直接利用硅烷氣體在高溫下熱解，生產微米和亞微米級的硅粉。這些極其細小的硅粉通常涉及旋風收塵或過濾器粉沉積的時候，而這兩種粉的尺寸范圍通常也不一樣。但是，目前作為流化床等工藝中副產物的極其細小的硅粉很難在晶體生長等領域獲得應用，這主要有以下幾個原因(1)細粉料容易飛揚。在晶體生長等過程中，一般均需要對設備先抽真空再充入合適的保護氣體。由于粉狀物料粒度小，重量輕，在抽真空及充入保護氣體時，非常容易隨氣流四處飛揚。這些粉料不僅會損壞設備元件，影響工藝和產品的穩定性，甚至會造成嚴重的安全事故。另外，在裝料過程上，飛揚的粉塵還會吸入人體，容易造成矽肺病等職業疾病。(2)堆積密度小。這些細粉狀物料由于顆粒粒度小，在堆積時非常蓬松，松裝密度很小，導致在運輸和存放時需要更大的空間，更重要的是在晶體生長時無法一次裝入更多的物料，而且其易飛揚的特點又導致粉料無法作為二次加料使用。以硅為例，細粉狀硅料的松裝密度為0.25—lg/cm3，遠遠小于純硅塊2.33g/cm3的密度，這導致硅料裝填量很小。以內部尺寸為69cmX69cmX42cm的方柑堝為例，通常可裝填240至300Kg左右的硅料，對硅粉則至多只能裝填150Kg左右。(3)細粉料由于粒度小，比表面面積大，暴露在空氣中容易發生氧化等反應。同樣以硅為例，粉狀硅料暴露在空氣中容易發生氧化反應，結果會在硅粉的表面形成一層氧化物膜。另外，細硅粉在空氣中還容易受潮，吸附的水分又會進一步促進氧化物的生成。這些氧化物會給后續工藝造成一系列問題，如導致硅料融化困難，揮發物與設備元件反應，晶體及最終產品如芯片、電池片等質量下降等。因此，在晶體生長中，極其細小的硅粉料的使用始終受到限制。由于以上原因，雖然流化床工藝得到的細粉狀硅料同樣具有很高的純度，但是并未得到廣泛的使用。這是流化床工藝硅轉化效率低，未能廣泛推廣的一個主要原因。到目前為止，還沒有找到一種有效利用這些細粉狀硅料的方法。為了最大限度的開發硅粉的應用，本發明做過下列實驗:將運輸和存放時間為4個月的高純硅粉，在容忍飛揚的硅粉嚴重損壞設備的方式下強行將硅粉放入單晶爐或多晶爐中完成長達30-60小時的晶體生長之后，取出硅晶體切片后測量其性能，發現無法全部的滿足太陽能電池的質量要求。必須重新將硅晶體再次放入單晶爐或多晶爐中完成長達30-60小時的晶體生長之后，再次取出的硅晶體切片后測量其性能，才能全部的滿足太陽能電池的質量要求。而二次硅晶體生長的工藝所涉及的成本是生產企業很難承受的。我們分析原因硅粉本身并沒有其他污染，但其表面積太大所生成的氧化膜是影響質量的重要原因。近年來，隨著半導體和光伏產業的發展，尤其是光伏產業的突飛猛進，硅料緊缺日益嚴重，硅料已經成為制約這些行業發展的決定性因素。因此，人們迫切需要尋找到一種能夠有效使用這些高純度超細粉料的可行性方法。即使在硅料充足的將來，這種方法對降低生產成本，提高競爭力，促進行業發展，尤其是光伏產品的大范圍推廣具有重大的意義。另外，由于在單晶爐或多晶爐中完成全部的晶體生長工藝所需時間很長，一般為數十小時。這樣一來，努力增加坩堝填裝量的嘗試對提高生產效率和節約會t源十分有意義。一美國專利U;7，175，685是與本發明最接近的技術報道。在US7，175，685中已經看到了充分利用硅粉的重要性，US7，175，685提出了依靠簡單的干壓方法來增加硅粉密度從而增加坩堝填裝量的技術方案，但我們發現US7，175，685的技術方案只涉及依靠簡單的干壓方法來增加硅粉密度的技術要點，卻忽略了簡單的干壓方法成型后硅塊依然容易崩開，或者硅塊的局部表面依然容易有硅粉脫落的不利因素。US7,175，685的摘要中記載的內容為"一種用于制造硅錠的顆粒狀硅材料，包括一種硅塊以及一種用于制備硅塊的方法，所述的硅塊是采用廉價的高純度硅粉為制備原料，具體方法是通過加入一定量的硅粉，硅粉中可以加入特定的添加劑以及粘接劑，在常溫下，以一定的壓力對硅粉進行干壓得到硅塊，該硅塊具有50-75%的硅元素的理論密度，硅塊的重量范圍在1.0克-3.0克，優選的重量為2.3克，硅塊的直徑范圍在10毫米-20毫米，優選的直徑為14毫米，硅塊的高度范圍在5毫米-15毫米，優選的高度為10毫米。"US7,175，685的第23條權利要求中記載的內容為"所述的干壓的步驟包括采用壓力大于或等于約10000牛頓的平均壓力來壓制上述的硅粉。"US7，175，685的第8條權利要求中記載的內容為"所述的用于制備硅錠的硅±央，所述的硅塊的直徑約為14毫米，硅塊的高度約為10毫米。"US7，175，685的第12條權利要求中記載的內容為"用于制備硅錠的硅塊，包括采用至少約10000牛頓的壓力來干壓硅粉，所述的硅粉中可以加入特定的添加劑和粘接劑，所述的硅塊具有60-75%的硅元素的理論密度，硅塊的重量約為2.3克，硅塊的直徑約為14毫米，硅塊的高度約為10毫米。"US7，175，685盡管給出的壓力參數是10000牛頓，但US7，175,685通篇沒有提到10000牛頓的受力面積，沒有指出是機械的工作壓力，也沒有指出硅塊的受力面積，我們結合US7，175,685全文可以的到的結論該專利技術方案是通過單向的干壓方法得到的直徑為14毫米，高度為10毫米的圓柱狀的硅塊，這是典型的模仿藥物壓片技術。在實驗室中我們采用過單向干壓的方式，簡單而形象的就是模仿藥粉壓片技術，在筒形的模具中，填入一定量的硅粉，在筒形的模具的頂部或底部加壓，得到密度適當增加的圓柱形硅塊，由于采用的是一端或兩端加壓的方式，我們將這樣的加工方式稱為單向干壓或雙向干壓。單向干壓或雙向干壓所得的硅塊密度增加有限制，由于壓制設備的加壓范圍偏小，所施加的壓力及加壓方式有限，最重要的是因為缺乏四周的加壓，及硅粉的壓力傳導能力較差，使得硅塊形成很大的壓力梯度，在中部較大的低壓力區域，硅粉將無法得到緊密結合，從而使制得的硅塊在從模具中取出的時候，仍然容易斷裂，容易揚起硅粉塵，使得硅塊應用受限制。例如我們在筒形模具中填滿平均直徑為10微米的硅粉，模仿藥粉壓片的雙向干壓方式，打開模具后得到圓柱狀的硅塊，由于整個硅粉的受力不均勻，所得到的硅塊表現為整體的密度不均勻，例如，圓柱頂端局部密度遠高于圓柱中間的密度，圓柱中間甚至出現大的裂紋等缺陷，整個圓柱形硅塊還是容易斷裂，揚起硅粉塵。如果將其裝入單晶爐或多晶爐中會很容易被保護氣體的氣流帶動，嚴重影響正常生產。可見盡管在筒形模具中模仿藥粉壓片的成型原理，按單向干壓或雙向干壓方式可以得到實心密度高達O.9-1.7克/立方厘米的硅塊，但由于硅塊內部結構的不均勻，這樣的硅塊有的表現為表面硅粉脫落；有的表現為從筒形模具中脫出的時候硅塊大部分直接崩裂重新回到硅粉狀態；有的表現在運輸和傳遞過程中容易斷裂，同樣產生崩裂，影響其在單晶爐或多晶爐中的正常應用。采集按單向干壓或雙向干壓所得的整體密度高達O.9-1.9克/立方厘米的硅塊上的樣品進行抗壓實驗，我們發現單向干壓或雙向干壓硅塊在抗壓性能方面表現不佳。甚至用手指稍微用力就能使得硅塊崩開。US7，175，685的第12條權利要求中記載的內容描述為可以免于采用粘合添加劑得到硅塊。為了進一步研究US7，175，685，可以做如下實驗采用了本申請人開發的特種粘合添加劑，該特種粘合添加劑由聚乙烯醇和聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇按一定比例混合而成，再按重量比O.1-10%添加到平均直徑為10微米的硅粉中，施加很大的壓力(10-lOOMPa)在圓筒狀模具中上下兩端實行雙向干壓，所得到的硅塊產品的抗壓性能依然不佳。本發明所涉及的硅塊產品的抗壓性能是指將一定尺寸大小的硅塊，放入壓機中，測量崩碎時候的壓力或壓強作為衡量硅塊是否具有合適填裝性能的重要指標。我們改裝了一臺藥粉壓片機器進行簡單的實驗例，套用傳統的藥物粉的壓片技術，在直徑為20毫米，長度為IO毫米的圓筒形模具中裝入硅粉，向硅粉單向施加10MPa壓力。加壓完畢后，在從筒形模具中取出圓柱狀的硅塊的時候，硅塊發生崩裂，無法進行下一步的密度測量和抗壓試驗。又例如套用傳統的壓片技術，在直徑為100毫米的，長度為300毫米的筒形模具中加入硅粉，向硅粉單向施加60MPa的壓強。加壓完畢后，在從筒形模具中取出圓柱狀的硅塊的時候，硅塊從中部崩裂，并且表面有少量硅粉剝落。取加壓接觸面的硅塊表面的一個立方厘米的立方小塊，測量密度為l.68克/立方厘米。另外取距離加壓接觸面60厘米處的另一個立方厘米的立方小塊，測量密度為1.33克/立方厘米，二者密度相差幅度約為21%。而距離加壓接觸面150厘米處圓柱狀的硅塊的正中出現開裂，裂紋處的密度視為O，則二者密度相差幅度為100%。抗壓試樣則在制備過程中碎裂，無法進行抗壓測試。在這里需要特別強調的是US7，175，685即使勉強能壓制成型，但其抗壓能力非常差，甚至到了無法進行抗壓測試的程度，其硅塊的抗壓能力與本發明下文中提供的硅塊所具有的良好的抗壓性能是有明顯區別的。采用US7，175，685的干壓技術盡管能得到密度高于松裝硅粉的高密度的硅塊，但上述兩個干壓壓片技術得到的硅塊填裝性能較差，首先具體表現在抗壓參數不理想。其次表現為內部的密度也不均勻。尤其是采用US7，175,685的干壓技術盡管能得到密度高于松裝硅粉的高密度的硅塊，但抗壓參數不理想導致將該硅塊在從模具中取出、運輸、放入單晶爐或多晶爐過程中容易揚起硅粉塵或硅塊斷裂，可見US7，175,685的干壓技術不能完全解決硅粉塵揚起或硅塊斷裂的技術問題。我們還注意到US7，175，685沒有任何關于削弱硅粉或硅塊與空氣接觸生成氧化膜的技術提示。(五)、本發明還特別介紹燒結法獲得的硅塊，現有技術CN2008100314982是將純度為99.0-99.9%的冶金硅在1050-1150-C進行燒結的，現有技術JP2004284929A采用1200-1412°C，IOOO大氣壓條件下進行燒結獲得相對密度為99.9%的硅塊，應用于半導體領域。燒結法因為最大的特點是在100(TC以上甚至是接近于硅熔化的溫度條件下，獲得的高致密的硅塊，其生產設備要求很高，且能源消耗很高，因而生產成本非常高。其抗壓性能也接近于相對密度為100%而實際密度為2.33克/立方厘米的來源于氣相沉積法的硅塊。或者燒結法得的高致密的硅塊其抗壓性能也接近于采用過鑄錠工序的從半導體行業、太陽能行業回收的報廢的但純度很高的硅塊。我們列一個簡單表格來說明現有
技術領域：
中各種硅塊的抗壓性能表l<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>(六)、現有技術中也有將硅粉通過等靜壓方法制成硅塊的報道，例如第27巻第2期2006年6月的陶瓷學報報道的"水分和粘結劑含量對坯體冷等靜壓成型和性能的影響"文章中就涉及以Si粉(粒度《0.044ram)和聚乙烯醇水溶液(PVA，其中聚乙烯醇質量份數為5%)按一定比例混勻，過篩造粒，振動裝料后進行冷等靜壓成型制成硅塊的報道。該文獻尚停留在依靠聚乙烯醇粘合劑來改善等靜壓成型的研究。研究了水分和PVA含量對硅粉坯體成型和性能的影響。但該文獻沒有涉及硅粉通過等靜壓方法的到的硅塊應用于放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料的內容。US20070014682也報道了加入粘合劑結合干壓法獲得硅塊的報道。并用于硅融化領域。但US20070014682不涉及等靜壓技術。
發明內容本發明的目的在于提供一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，具體是將硅粉冷等靜壓或熱等靜壓或其他可能的方式獲得具有一定抗壓能力的填裝性能良好的原料硅塊后，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料。本發明的主要技術方案有一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa。為了更好的理解本發明，我們在正式描述其他技術方案前還介紹了下列內容采用本發明涉及的抗壓性能優越的原料硅塊，可以顯著改善硅粉被氧化產生的各種負面影響。改善的效果主要體現在抗壓性能優越的原料硅塊可以存放l年以上，甚至是3-5年，都不會因氧化膜的產生而影響太陽能電池的質量。而傳統的硅粉因為飛揚和容易被氧化的原因，在單晶爐或多晶爐中始終難以應用。我們分析的本發明提供的抗壓性能好的原料硅塊的密度雖然低于2.33克/立方厘米，但其在抗壓參數為0.1MPa就已經具有良好的致密度，其內部的結氣對內部的被氧化，而抗壓性能好的原料硅塊表面的少量被氧化對最終獲得的太陽能電池質量沒有明顯的負面影響。為了考察本發明的抗壓參數為O.卜50MPa的原料硅塊的應用情況，本發明做過下列實驗將本發明的抗壓參數為O.l-50MPa的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中完成長達30-60小時的晶體生長之后，取出的硅晶體切片后測量其性能，全部能滿足太陽能電池的質量要求，這樣的一次硅晶體生長的工藝與前文中涉及的硅粉需要二次硅晶體生長的工藝相比，成本優勢明顯。本發明的填裝性能良好的原料硅塊在密度和抗壓性能方面與傳統的硅塊有區別，這些區別具體見表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>需要特另U指出的是密度為2.33克/立方厘米的硅塊基本上是由硅原料經過高溫融化為液體的硅再經過冷卻而得，其內部結構排列致密，其微觀結構結構是獨特的。未經過任何處理的高純度硅粉，其松裝密度為0.25-1.00克/立方厘米，其內部結構排列疏松，其微觀結構結構也是獨特的。經過一定壓力處理的高純度硅粉，其松裝密度有所提高，但幾乎都低于2.33克/立方厘米，其微觀結構結構也是獨特的。本法所提的坩堝是指單晶爐或多晶爐中用來填裝硅原料的容器，此原料硅塊對沒有坩堝構造的單晶爐或多晶爐同樣也是適用的；本發明適用于任一類型的單晶爐或多晶爐。以上三類硅的微觀結構結構差異非常大。它們的微觀結構圖片可以將三者做定性區別。那么我們來分析US7,175，685提供的普通干壓技術得到的硅塊為何產生崩裂或表面脫落硅粉。以抗壓參數為3MPa為代表的本發明的硅塊為何不容易產生崩裂或表面脫落硅粉。如前文所述。我們綜合判斷的結論是US7，175，685提供的普通干壓技術是模仿普通的治療疾病的藥物粉末的單向干壓或雙向干壓壓片技術，而普通的治療疾病的藥物粉末的成分通常含有大量有機成分，含有有機成分的藥物粉末之間的成塊或成片的結合比較容易，只要施加比較小的壓力就可以成型，而且絕大部分的含有機成分的藥物粉末在壓片階段通常是不需要加熱的。硅粉之間的結合能力與含有機成分的藥物粉末之間結合能力有非常大的差異，這是由物料本性決定的。硅粉在常溫狀態下主要體現的是無機物的性質。從以上分析可以得到結論，采用藥物粉末的單向干壓或雙向干壓壓片技術，由于壓制設備的加壓范圍偏小，所施加的壓力及加壓方式有限，以及硅粉的壓力傳導能力較差，使得硅塊形成很大的壓力梯度，在中部較大的低壓力區域，硅粉無法得到緊密結合，從而使制得的硅塊容易崩裂或表面硅粉脫落。我們采用了各種辦法來獲得能抵抗崩裂或表面脫落硅粉的硅塊。主要的辦因為揚塵等原因其應用受到大幅度限制。其應用一般是只能按少量比例加入塊狀、片狀和粗顆粒狀的硅塊或回收的報廢硅塊中，作為輔助原料。可以正常使用。可以正常使用。因為不能很好避免被氧化，其應用受到大幅度限制。因為揚塵，斷裂等原因，其應用受到大幅度限制。作為新的應用，可以在坩堝中正常使用。堝實用坩的應在中際身效法就是采用抗壓參數為3MPa左右的硅塊。但我們還發現其他抗壓參數為0.l-50MPa的硅塊也有比較好的抵抗崩裂或表面脫落硅粉的能力。本發明對抗壓參數的定義是將任意質量的，最好是質量在l克以上的硅塊放在檢測用的壓縮設備中，試樣在壓縮試驗中，破裂為兩塊或兩塊以上的碎塊，或壓縮載荷大幅下降時候壓力表的讀數視為硅塊的抗壓參數。本發明涉及的抗壓參數的實驗數據還可以參考中國國家標準GB/T8480-2006精細陶瓷壓縮強度試驗方法獲得。具體的精細陶瓷壓縮強度試驗方法見本發明的附屬文件。因為本發明涉及多項技術，為了理解方便，我們特別再做相關注解如下熱法干壓是指在干壓模具的外壁設制加熱器件，當向模具一端或兩端加壓的過程中，同時對模具及其中的物料加熱。例如如果加熱到600—1400°C，加壓到l一100Mpa，并保溫保壓10-120分鐘，筒形模具中的硅粉受熱軟化，性能接近流體。在軟化流體均勻受壓下，整體的硅塊的各種性能表現的比較均勻，特別是抗壓性能優良，完全可以避免不加熱，只采用單向干壓、雙向干壓造成的整體的硅塊的各種性能表現不均勻，例如出現開裂，容易崩裂的弊端。冷等靜壓是指在常溫下對物料施加各向相等的壓力使其成型的一種技術。一般的，冷等靜壓所施加的壓力遠超過單向或雙向干壓，加上冷等靜壓的各向均勻性，所得到的硅塊的各種整體性能表現的比較均勻，特別是抗壓性能優良。熱等靜壓是在冷等靜壓技術的基礎上，通過設置加熱裝置，通過加熱和等向加壓的方法使物料成型。由于增加了加熱過程，其效果優于冷等靜壓力，但對設備的要求很高，加工過程要繁瑣一些。我們注意到為了更好的得到易于成塊的硅塊，可以添加一定比例的合適的有機粘合劑，但我們發現，添加一定比例的有機粘合劑對于制備太陽能級和半導體級的硅片會帶來雜質方面的負面影響，所以我們最終還需要采用合適的方法除去這些粘合劑。因此輔助添加粘合劑的技術方案屬于次要的技術要點。由于適合太陽能領域或半導體領域的有機粘合劑可以在后續處理過程中因受熱揮發而最終脫離出本發明涉及的填裝性能良好的原料硅塊，因此并不影響填裝性能良好的原料硅塊的純度。本發明的原料硅塊的填裝性能良好表現在多個方面。填裝性能即使滿足下列任意一方面的優點都是對現有技術的改進。如果能同時滿足兩個方面或三個方面的優點更加是對現有技術的良好改進。填裝性能良好在第一方面表現為暴露在空氣中的表面積遠小于硅粉暴露在空氣中的表面積，被氧化或被污染的程度會低于硅粉的被氧化或被污染的程度，也就是被氧化或被污染的硅量少于松散的硅粉的被氧化或被污染的硅量，硅的損耗更少，減少了由于硅料損耗帶來的直接經濟損失；被氧化或被污染的速率比松散的硅粉慢，延長了硅的儲存期限，因為松散的硅粉在儲存時，由于松散的硅粉表面積大，非常容易對儲存環境中的氧化性氣體以及污染性塵埃產生吸附作用，而最終影響太陽能電池的質量。而本發明提供的填裝性能良好的硅塊可以大大延長了硅的儲存期限，松散的硅粉在常溫、常壓的空氣儲存條件下，儲存期限只有3個月-6個月；本發明還降低了對儲存環境條件的要求，因為一些半導體企業或光伏企業為了延長松散的硅粉的儲存期限，不得不將硅粉置于低壓、低溫的惰性氣體的苛刻環境中儲存，這種儲存方法的經濟成本相當高，非常不經濟，而本發明提供的填裝性能良好的硅塊則解決了儲存環境方面苛刻要求的難題，置于常溫、常壓的空氣儲存條件中，儲存期限幾乎可以不受影響；還減少了在進行化學溶劑洗滌對其表面的去氧化或去除污染雜質的過程中所消耗的時間以及化學溶劑用量，這些對于光伏和半導體產業中的工藝改進的貢獻同樣是非常有意義的。填裝性能良好在第二方面表現為本發明的填裝性能良好的原料硅塊的抗壓性能優于常規的硅塊，光伏和半導體產業上游的專業廠家生產的硅粉按照模仿制藥領域的加壓方式得到的常規硅塊因為抗壓性能差，因為揚塵，斷裂等原因，其應用受到大幅度限制。如果本發明的填裝性能良好的原料硅塊的抗壓性能較好，意味著原料硅塊在從模具中脫出過程中、運輸倉儲過程中、向坩堝中裝料的過程中、向單晶爐或多晶爐中補充添加的過程中，不容易斷裂，也不容易揚起硅的粉塵，這樣的原料硅塊才具備在光伏和半導體產業中晶體生長領域的良好的實用性能。而這恰恰是傳統硅粉或者抗壓性能差的硅塊在光伏和半導體產業中晶體生長領域所缺乏的。填裝性能良好在第三方面表現為填裝密度高于松散的硅粉，這樣可以提高單晶爐或多晶爐中耐熱坩堝中硅原料的填裝量。由于在單晶爐或多晶爐中完成全部的生長工藝所需時間很長，一般需要數十小時，這樣一來，努力增加坩堝的填裝量對于提高生產效率和節約能源十分有意義。本發明的主要和其他的技術方案有下列一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa。一種填裝性能良好的原料硅塊作為硅晶體生長的初始原料中的應用，其中該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為0.8-2.20克/立方厘米。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.2-2.0克/立方厘米。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.5-2.0克/立方厘米。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的抗壓參數為0.2-30MPa。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中0.3-15MPa。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑在0.1微米-1000微米。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑在i微米-ioo微米。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-18%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-15%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-10%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-8%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-5%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-3%。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由硅粉經過等靜壓方法處理而得。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為100-800MPa。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的微觀結構與經過融熔的硅錠的微觀結構或普通干壓法得到的原料硅塊的微觀結構不一樣。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用燒結成型方法而得，步驟如下(l)將硅粉或硅小塊、粘結劑按100:0-2.1的重量比混合，球磨224小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物放入容器中，保持溫度在100-120°C，100-300MPa加壓后，在600-1400'C溫度條件下燒結2-4小時，并抽真空或惰性氣體保護狀態下排除粘結劑，冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列步驟而得將硅粉或硅小塊放入套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在400-140(TC，10-800MPa加壓0.1-1小時，冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，即得到填裝性能良好的原料硅塊。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下(1)將硅粉或硅小塊、粘結劑按100:0.5的重量比混合，球磨224小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物置于套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在500-800°C，30-50MPa加壓0.1-0.5小時,冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，在600-140(TC溫度條件下抽真空或惰性氣體保護狀態下排除粘結劑至粘結劑殘留量為塊狀物總重量的0-0.0001%,再冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下按重量比ioo:o-io.o向硅粉或硅小塊中加入粘結劑，混合均勻后再裝入軟質包裝材料的容器中；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中o一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-800MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在25—140(TC;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封;(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-500MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在0_500°C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中將來源于西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法的新鮮硅粉在144小時內送入等靜設備中完成等靜壓。一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將來源于西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法生產線的新鮮硅粉或硅小塊取下好，在2小時內放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為150MPa;加壓時間為20分鐘，在室溫下進行等靜壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。采用小的模具就可以獲得0.2克、0.3克、l克、IO克的硅塊。現有技術中已經有靜壓方法獲得300000-400000克石墨坩堝的記錄。因此在0.2克-500000克范圍內獲得硅塊在技術上完全可行。等靜壓技術發展迅速，所得產品的重量和體積越來越大型化，從技術角度獲得2000000克的硅塊是完全可行的。本發明在抗氧化方面的優點可以由下列試驗結果來表達本發明的相關效果試驗如下表3不同的等靜壓工作技術參數的效果<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>本發明中涉及的儲存期限是指經過一定時間的儲存后，硅被氧化或被雜質污染的量占總量的重量比的97%以上，這個所經過的時間就是儲存期限。由于選用的等靜壓工作參數大于或等于150MPa后，被氧化或被污染的程度低，被氧化或被污染的硅量占總量的重量比少，因為在進行化學溶劑洗滌去氧化或去除污染雜質的過程也存在著引入新的雜質的危險，所以，在等靜壓工作參數大于或等于150MPa后得到的填裝性能良好的硅塊幾乎可以不用進行化學溶劑洗滌來對其表面的去氧化或去除污染雜質處理。等靜壓工作參數大于或等由于硅塊抗壓參數大于或等于10MPa后，被氧化或被污染的程度低，被氧化或被污染的硅量占總量的重量比少，因為在進行化學溶劑洗滌去氧化或去除污染雜質的過程也存在著引入新的雜質的危險，所以，在抗壓參數大于或等于lOMPa的填裝性能良好的硅塊幾乎可以不用進行化學溶劑洗滌來對其表面去氧被氧化或被污染的硅量占總量的重量比在常溫、常壓的有空氣存在條件下已經儲存IO個月對晶體生長影響儲存一年后的化學溶劑用量化學溶劑用量儲存一年后的化學溶劑洗滌時間長短短晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負晶長何影硅生任面響對體無負幾以進學洗卜力可用化劑滌^乎不行溶.可用化劑條少乎不行溶，很幾以進學洗,可用化劑少乎不行溶很幾以進學漆洗，可用化劑條少乎不行溶s幾以進學教可用化劑條少乎不行溶f很幾以進學，少較少較幾以進學洗乂可用化劑滌l乎不行溶，可用化布條少乎不行溶g很幾以進學-,可用化劑條少乎不行溶§很幾以進學鐵，可用化劑條少乎不行溶g很幾以進學狹短化或去除污染雜質處理。由于要得到抗壓參數大于或等于70MPa的硅塊，對等靜壓設備或其他設備的要求很苛刻，一般不建議采用。相關技術的解釋本發明的填裝性能良好的原料硅塊的原料來源可以是傳統的小硅片經過本發明方法處理而得，也可以是采用西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的大量硅粉經過本發明方法處理而得。填裝性能良好的原料硅塊的原料來源還可以是其他來源的硅粉。西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的硅粉的平均直徑范圍一般是分布在0.1-1000微米。本發明的其他優點在于(1)由于本發明可以采用西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的大量硅粉做為填裝性能良好的原料硅塊的直接原料，擴大了太陽能硅電池的原料來源，使得原來應用困難的硅粉成為太陽能硅電池原料的重要的來源，這在當前硅原料緊缺的情況下，意義非凡。(2)該填裝性能良好的原料硅塊具有合適的密度，可以大幅度提高耐熱坩堝的應用體積。以目前使用較多的美國GT太陽能公司(GTSolarTechnologies,Inc.)的DSS-240多晶硅定向鑄錠爐為例，直接向耐熱坩堝的填裝空隙度大的小硅片與采用本發明的原料硅塊相比，所使用的坩堝內尺寸為69cmX69cmX42cm，將硅原料粉堆起來裝，前者只能得到80-120公斤的單晶或多晶硅錠。而后者可以獲得220-300公斤的單晶或多晶硅錠。顯然采用填裝性能良好的原料硅塊，在同等條件下，將大幅度減少單晶爐或多晶爐的能源消耗。節約成本，且提高工作效率。采用本發明可以克服US7，175，685中采用普通的干壓方法得到的硅塊的抗壓效果不理想的缺陷。由于采用冷等靜壓或熱等靜壓從而使得硅粉的各個方向的受力均勻，而熱等靜壓和熱法干壓則通過加熱改善了硅塊的結構，從而使得到的硅塊的抗壓性能更優越，且硅塊的內部密度均勻性好。抗壓性能更優越的硅塊在移動、運輸、向坩堝中添料的過程中，不容易斷裂，也不容易從硅塊表面脫落硅粉，單晶爐或多晶爐中保護氣體的氣流對正常進入坩堝的抗壓性能優越的硅塊沒有任何負面影響。因此非常符合在單晶爐或多晶爐的坩堝中的添料用。由于本發明可以采用西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的大量硅粉作為填裝性能良好的原料硅塊的直接原料，擴大了太陽能硅電池和半導體芯片的原料來源，使得原來應用困難的硅粉成為太陽能電池和半導體芯片的初始原料的重要來源，這在當前硅原料緊缺的情況下，意義非凡。相比較而言，采用US7，175，685的干壓技術盡管能得到密度高于松裝硅粉的高密度的硅塊，但抗壓參數不理想導致將該硅塊在從模具中取出，運輸，放入單晶爐或多晶爐過程中容易揚起硅粉塵或硅塊斷裂，可見US7，175,685的干壓技術不能完全解決硅粉塵揚起或硅塊斷裂的技術問題。具體實施例方式實施例l、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.99%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.lMPa。實施例2、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.993%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.3MPa。實施例3、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.996%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.5MPa。實施例4、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.999%;且該原料硅塊的抗壓參數為lMPa。實施例5、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.9993%;且該原料硅塊的抗壓參數為3MPa。實施例6、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.9996%;且該原料硅塊的抗壓參數為5MPa。實施例7、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中:該原料硅塊的純度為99.9999%;且該原料硅塊的抗壓參數為8MPa。實施例8、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.99993%;且該原料硅塊的抗壓參數為10MPa。實施例9、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.99996%;且該原料硅塊的抗壓參數為20MPa。實施例10、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.99999%;且該原料硅塊的抗壓參數為30MPa。實施例11、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為40MPa。實施例12、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度為99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為50MPa。實施例13、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料。其余同實施例1-12中的任意一個實施例。實施例14、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為0.8克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例15、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為0.9克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例16、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.0克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例17、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.1克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例18、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.2克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例19、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.3克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例20、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.4克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例21、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.5克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例22、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.6克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例23、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.7克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例24、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.8克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例25、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為1.9克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例26、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為2.0克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例27、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為2.1克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例28、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度為2.2克/立方厘米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例29、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為0.1微米。其余同實施例卜13中的任意一個實施例。實施例30、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為0.5微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例31、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為0.8微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施侈ij。實施例32、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為l微米。其余同實施例卜13中的任意一個實施例。實施例33、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為5微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例34、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為7微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例35、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為10微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例36、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為20微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例37、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為30微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例38、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為40微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例o實施例39、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為50微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例40、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為80微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例41、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為100微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例42、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為200微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例43、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為300微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例44、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為400微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例45、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為500微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例46、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為600微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例47、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為700微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例48、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為800微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例49、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為900微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例50、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑為1000微米。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例51、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為18%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例52、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為17%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例53、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為16%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例54、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為15%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例55、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為14%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例56、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為13%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例57、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為12%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例58、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為11%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例59、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為10%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例60、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為9%。其余同實施例卜13中的任意一個實施例。實施例61、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為8%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例62、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為7%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例63、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為6%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例64、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為5%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例65、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為4%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例66、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為3%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例67、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為2%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例68、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為1%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例69、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為0.5%。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例70、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度為0。其余同實施例1-13中的任意一個實施例。實施例71、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由硅粉經過等靜壓方法處理而得。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例72、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由西門子法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例73、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由硅垸熱分解法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例74、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由四氯化硅氫還原法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例75、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊由化學氣相沉積法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例76、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為100MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例77、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為200MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例78、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為300MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例79、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為400MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例80、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為500MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例81、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為600MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例82、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為700MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例83、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中等靜工作壓力參數為800MPa。其余同實施例71-75中的任意一個實施例。實施例84、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該原料硅塊的微觀結構與經過融熔的硅錠的微觀結構或普通干壓法得到的原料硅塊的微觀結構不一樣。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例85、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用燒結成型方法而得，步驟如下(l)將硅粉或硅小塊、粘結劑按100:0-2.1的重量比混合，球磨224小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物放入容器中，保持溫度在100-120°C，100-300MPa加壓后，在600-1400。C溫度條件下燒結2-4小時，并抽真空或氬氣保護狀態下排除粘結劑，冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例86、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列步驟而得將硅粉或硅小塊放入套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在400-1400°C，10-800MPa加壓0.1-1小時，冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例87、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下(1)將硅粉或硅小塊、粘結劑按100:0.5的重量比混合，球磨224小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物置于套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在500-800°C，30-50MPa加壓0.1-0.5小時，冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，在600-140(TC溫度條件下抽真空或氬氣保護狀態下排除粘結劑至粘結劑殘留量為塊狀物總重量的0-0.0001%，再冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例88、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下按重量比100:0-10.0向硅粉或硅小塊中加入粘結劑，混合均勻后再裝入軟質包裝材料的容器中；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例89、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例90、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-800MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在25—1400°C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例91、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-500MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在0—500°C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。其余同實施例l-70中的任意一個實施例。實施例92、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中將來源于西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法的新鮮硅粉在144小時內送入等靜設備中完成等靜壓。其余同實施例89-91中的任意一個實施例。實施例93、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將來源于西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法生產線的新鮮硅粉或硅小塊取下好，在2小時內放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為150MPa;加壓時間為20分鐘，在室溫下進行等靜壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。其余同實施例89-91中的任意一個實施例。經過測量，所得到的原料硅塊的抗壓參數為3MPa。其松裝密度在1.83克/立方厘米。因為加壓范圍為150MPa;加壓時間為20分鐘對設備的要求溫和。是本發明的最佳的實施方案。實施例94、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為300MPa;加壓時間為30分鐘，保持溫度在30。C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例95、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列步驟而得將硅粉或硅小塊放入套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在800°C，500MPa加壓0.7小時，冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例1-70中的任意一個實施例。實施例96、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其中該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下(1)將硅粉或硅小塊、粘結劑按100:0.5的重量比混合，球磨5小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物置于套有底座的圓筒型中模中，套上導向模；圓筒型中模的圓周外套有加熱夾層，加熱夾層中裝有導熱油；導向模對應有沖壓件；保持溫度在600'C，50MPa加壓0.3小時，冷卻到室溫，取出壓完的塊狀物，在90(TC溫度條件下抽真空或氬氣保護狀態下排除粘結劑至粘結劑殘留量為塊狀物總重量的0.0001%,再冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。其余同實施例卜70中的任意一個實施例。實施例97、填裝性能良好的原料硅塊的制備方法，其中采用等壓靜壓方法，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法產生的顆粒直徑在35微米，純度在99.99999%的硅粉20000克放入軟質包裝材料的容器中.力口蓋密封.(3)4上一步驟一密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為150MPa;加壓時間為8分鐘，液體介質不加熱；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得當填裝性能良好的原料硅塊。從填裝性能良好的原料硅塊中切割樣品，測量樣品的抗壓參數為3MPa。從20000克的原料硅塊上任意選擇七個樣品分別測量密度，密度分布范圍為1.79-1.81克/立方厘米，其平均密度為1.802克/立方厘米。實施例98、填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用將實施例97提供的填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。其余系列實施例本發明還可以采用實施例1-83中任意實施例提供的工藝參數替換實施例97的工藝參數，進行各種組合。權利要求1、一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊的純度在99.99％-99.9999999％；且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa。2、一種填裝性能良好的原料硅塊作為硅晶體生長的初始原料中的應用，其特征在于該原料硅塊的純度在99.99%_99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa。3、根據權利要求1所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊的純度在99.99%-99.9999999%;且該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料。4、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度為0.8-2.20克/立方厘米。5、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度為1.2-2.0克/立方厘米。6、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度為1.5-2.0克/立方厘米。7、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊的抗壓參數為0.2-30MPa。8、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于0.3-15MPa。9、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑在0.1微米-1000微米。10、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊所采用的硅粉原料的顆粒直徑在l微米-100微米。11、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-18%。12、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-15%。13、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-10%。14、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-8%。15、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-5%。16、根據權利要求1或3所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊密度均勻，密度均勻表現在該硅塊的任意截面上的任意兩點的密度相差幅度在0-3%。17、根據權利要求l、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊由硅粉經過等靜壓方法處理而得。18、根據權利要求l、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊由西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法或其它化學氣相沉積法中沉積的硅粉經過等靜壓方法處理而得。19、根據權利要求17或18中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于等靜工作壓力參數為100-800MPa。20、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該原料硅塊的微觀結構與經過融熔的硅錠的微觀結構或普通干壓法得到的原料硅塊的微觀結構不一樣。21、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊采用燒結成型方法而得，步驟如下(i)將硅粉或硅小塊、粘結劑按ioo:0-2.1的重量比混合，球磨224小時至均勻，真空脫氣；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中；(2)將上一步驟中得的混合物放入容器中，保持溫度在100-120°C，100-300MPa加壓后，在600-1400"C溫度條件下燒結2-4小時，并抽真空或惰性氣體保護狀態下排除粘結劑，冷卻到室溫，即得到填裝性能良好的原料硅塊。22、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊采用下列方法而得，步驟如下按重量比100:0-10.O向硅粉或硅小塊中加入粘結劑，混合均勻后再裝入軟質包裝材料的容器中；粘結劑為聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇，粘結劑在使用的時候按聚乙烯醇或聚乙烯縮丁醛或聚乙二醇的重量的5倍加乙醇溶解均勻再灑入硅粉或硅小塊中。23、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。24、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-800MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在25—1400°C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊。25、根據權利要求1-16中任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于該填裝性能良好的原料硅塊采用下列等靜壓方法而得，步驟如下(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將硅粉或硅小塊放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為10-500MPa;加壓時間為5-60分鐘，保持溫度在0—500°C;(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。26、根據權利要求23或24或25所述的任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于將來源于西門子法、硅烷熱分解法、四氯化硅氫還原法的新鮮硅粉在144小時內送入等靜設備中完成等靜壓。27、根據權利要求23或24或25所述的任意一項所述的一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，其特征在于(1)取軟質包裝材料做成容器；(2)將來源于西門子法、硅垸熱分解法、四氯化硅氫還原法生產線的新鮮硅粉或硅小塊取下好，在2小時內放入軟質包裝材料的容器中；加蓋密封；(3)將上一步驟中密封好的裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器置于液體介質中；(4)壓力機對放置了裝有硅粉或硅小塊的軟質包裝材料的容器的液體介質加壓，加壓范圍為150MPa;加壓時間為20分鐘，在室溫下進行等靜壓；(5)停止加壓，取出容器中的物料即得到填裝性能良好的原料硅塊；(6)將填裝性能良好的原料硅塊放入密封袋中保存待用；(7)打開密封袋，將填裝性能良好的原料硅塊放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生產。全文摘要本發明涉及一種填裝性能良好的原料硅塊在單晶爐或多晶爐中的應用，具體方法是將硅粉冷等靜壓或熱等靜壓成填裝性能良好的原料硅塊后，放入單晶爐或多晶爐中，用于硅晶體生長的初始原料；本發明涉及的該原料硅塊的抗壓參數為0.1-50MPa，該原料硅塊的純度為99.99％-99.9999999％。該原料硅塊可以在太陽能領域或半導體領域的單晶爐或多晶爐中融熔作為原料硅使用，用于生產晶體硅棒或硅錠；該原料硅塊的一個用途是作為生產太陽能電池成品硅片的初始原料用。該填裝性能良好的原料硅塊有良好抗氧化性能和抗壓性能，不容易崩裂、斷裂，也不容易從表面脫落硅粉。文檔編號C30B29/06GK101613877SQ20091015182公開日2009年12月30日申請日期2009年6月23日優先權日2008年6月24日發明者萬躍鵬,濤張,鐘德京申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司