專利名稱：布線電路基板及其制造方法
技術領域：
本發明涉及布線電路基板及其制造方法，更詳細而言，涉及帶電路的 懸浮基板等布線電路基板及其制造方法。
背景技術：
以往，在帶電路的懸浮基板等布線電路基板的制造方法中，在導體圖 案的端子部的表面設置鍍金層。利用從饋電焊盤通過鍍覆引線對導體圖案 饋電的電鍍金，來形成鍍金層。
例如，提出了如下的磁頭懸浮構件的制造方法，即，在基板及絕緣層 上，使導體層圖案及與其電連接的鍍覆用引線部(焊盤部)一體形成，接著， 形成被覆層，該被覆層被覆鍍覆用引線部的一部分，且具有使導體層圖案 露出的開口部。此后，利用來自鍍覆用引線部的饋電，在開口部內的導體 層圖案上形成由金構成的電極焊盤，然后用抗蝕劑膜被覆電極焊盤后，利
用刻蝕除去從被覆層露出的鍍覆用引線部(例如參照日本國專利特開2002 一20898號公報)。
然而，在上述的日本國專利特開2002 — 20898號公報的磁頭懸浮構件 的制造方法中，在刻蝕鍍覆用引線部時，有時會過度刻蝕經被覆層被覆的 鍍覆用引線部。
也就是說，存在如下問題，即，因刻蝕液，使得經被覆層被覆的鍍覆 用引線部向導體層圖案層一側溶解，刻蝕液甚至達到電極焊盤下的導體層 圖案，導致該導體層圖案受到污染，變色，或者溶解。
本發明的目的在于提供即使利用刻蝕除去鍍覆引線、也能防止導體圖 案受到污染的布線電路基板及其制造方法。
本發明的布線電路基板的制造方法的特征為，具有使導體圖案、與 所述導體圖案電連接的鍍覆引線、和設置于所述鍍覆引線來限制刻蝕液浸
4入到所述導體圖案的限制部分進行一體形成的工序；及利用所述限制部分 來限制所述刻蝕液浸入到所述導體圖案的同時、利用所述刻蝕液來刻蝕所 述鍍覆引線的工序。
根據該方法，使導體圖案、和設有限制部分的鍍覆引線一體形成。此 后，利用限制部分來限制刻蝕液浸入到導體圖案的同時，利用刻蝕液來刻 蝕鍍覆引線。
因此，在通過鍍覆引線對導體圖案饋電的電鍍之后，利用限制部分， 能夠防止導體圖案中因刻蝕液而引起的溶解或變色。
另外，本發明的布線電路基板的特征為，具有導體圖案；及與所述 導體圖案電連接的鍍覆引線，所述鍍覆引線具有限制所述刻蝕液浸入到所 述導體圖案的限制部分。
根據該布線電路基板，在通過鍍覆引線對導體圖案饋電的電鍍之后， 當刻蝕鍍覆引線時，利用限制部分，能夠限制刻蝕液浸入到導體圖案。
因此，利用限制部分，能夠防止導體圖案中因刻蝕液而引起的溶解或 變色。
另外，本發明的布線電路基板中，最好是所述鍍覆引線具有垂直于 和所述導體圖案相對的方向的寬度方向長度較短的窄幅部分；及所述寬度 方向長度相比所述窄幅部分要長的寬幅部分，至少所述寬幅部分是所述限 制部分。
該布線電路基板中，由于在至少作為寬幅部分的限制部分，刻蝕液沿 寬度方向擴散，因此能夠延遲刻蝕液朝相對方向浸入。
而且，沿寬度方向擴散的刻蝕液與至少作為寬幅部分的限制部分以較 大的接觸面積接觸，該接觸面被刻蝕液溶解。因此，由于將接觸面溶解后 的刻蝕液的刻蝕能力下降，所以不易朝相對方向浸入，其結果是，利用限 制部分能夠有效防止刻蝕液朝相對方向浸入。
而且，又由于和寬幅部分接觸而殘留的刻蝕液通過清洗可容易除去， 因此能夠防止因刻蝕液所致的污染。
另外，本發明的布線電路基板中，最好是所述鍍覆引線具有在對和所 述導體圖案相對的方向交叉的交叉方向上彎曲的彎曲部分，至少所述彎曲
5部分是所述限制部分。
該布線電路基板中，由于至少作為彎曲部分的限制部分在交叉方向上 彎曲，因此限制部分的長度肯定比相對方向上的限制部分的直線長度要長。 因此，即使刻蝕液浸入到限制部分內，利用限制部分也能限制相對方向上 的刻蝕液的浸入。其結果是，能夠有效防止導體圖案中因刻蝕液而引起的 溶解或變色。
另外，本發明的布線電路基板的特征為，具有導體圖案；及用于被 覆限制部分的被覆部，該限制部分限制刻蝕液浸入到所述導體圖案。
根據該布線電路基板，在利用刻蝕液對和導體圖案電連接的鍍覆引線 進行刻蝕時，被覆部允許刻蝕液浸入，刻蝕液與限制部分接觸。因此，利 用限制部分能夠防止刻蝕液浸入到導體圖案。
另外，本發明的布線電路基板中，最好是在所述被覆部形成有垂直 于和所述導體圖案相對的方向的寬度方向長度較短的窄幅開口部；及所述 寬度方向長度相比所述窄幅開口部要長的寬幅開口部，至少所述寬幅開口 部容納所述限制部分。
該布線電路基板中，由于被允許浸入到被覆部的刻蝕液，在至少被寬 幅開口部所容納的限制部分，沿寬度方向擴散，因此能夠延遲刻蝕液朝相 對方向浸入。
而且，沿寬度方向擴散的刻蝕液與至少被寬幅開口部所容納的限制部 分以較大的接觸面積接觸，該接觸面被刻蝕液溶解。因此，由于將接觸面 溶解后的刻蝕液的刻蝕能力下降，所以不易朝相對方向浸入，其結果是， 利用被寬幅開口部所容納的限制部分，能夠有效防止刻蝕液朝相對方向浸 入。
而且，又由于和被寬幅開口部所容納的限制部分接觸而殘留的刻蝕液 通過清洗可容易除去，因此能夠防止因刻蝕液所致的污染。
另外，本發明的布線電路基板中，最好是在所述被覆部形成有在對和 所述導體圖案相對的方向交叉的交叉方向上彎曲的彎曲開口部，至少所述 彎曲開口部被覆所述限制部分。
該布線電路基板中，由于至少被彎曲開口部所容納的限制部分在相對方向上彎曲，因此被彎曲開口部所容納的限制部分的長度肯定比相對方向 上的限制部分的直線長度要長。因此，即使被允許浸入到被覆部的刻蝕液 與限制部分接觸，但利用至少被彎曲開口部所容納的限制部分，也能限制 相對方向上的刻蝕液的浸入。其結果是，能夠有效防止導體圖案中因刻蝕 液而引起的溶解或變色。
圖1表示設置有多個本發明的布線電路基板的第一實施方式的布線電 路基板集成體片材的俯視圖。
圖2表示沿圖1的A—A線的剖視圖。
圖3表示圖1所示的布線電路基板的第二鍍覆引線的放大俯視圖。 圖4為圖1所示的布線電路基板集成體片材的制造方法的工序圖，
(a) 表示準備金屬支承基板的工序，
(b) 表示在金屬支承層上形成基底絕緣層的工序，
(c) 表示在基底絕緣層上形成導體層的工序，
(d) 表示在基底絕緣層上形成覆蓋絕緣層的工序，
(e) 表示在端子部的表面形成鍍覆層的工序，
①表示刻蝕鍍覆引線的工序，
(f) 表示限制刻蝕液的浸入的工序。
圖5表示在圖4(c)的制造過程中的布線電路基板集成體片材的俯視圖。 圖6表示在圖4(c)的制造過程中的布線電路基板集成體片材的鍍覆引 線的放大俯視圖。
圖7表示在圖4(d)的制造過程中的布線電路基板集成體片材的鍍覆引 線的放大俯視圖。
圖8表示第一實施方式的變形例(寬幅部分及窄幅部分為限制部分、窄 幅部分殘留的狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖9表示第一實施方式的變形例(寬幅部分及窄幅部分為限制部分、限 制部分未殘留的狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖10表示第一實施方式的變形例(前側窄幅部分及寬幅部分為限制部分的狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖11表示第一實施方式的變形例(俯視寬幅部分大致呈圓形形狀的狀 態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖12表示第一實施方式的變形例(俯視寬幅部分大致呈菱形形狀的狀 態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖13表示第一實施方式的變形例(俯視寬幅部分大致呈三角形形狀的 狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖14表示第一實施方式的變形例(寬幅部分相比窄幅部分朝寬度方向
的一側凸出的狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖15表示本發明的布線電路基板的第二實施方式(俯視彎曲部分大致 呈S字形狀的狀態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖16表示第二實施方式的變形例(俯視彎曲部分大致呈C字形狀的狀 態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖17表示第二實施方式的變形例(俯視彎曲部分呈階梯形狀的狀態)的 第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖18表示第二實施方式的變形例(俯視彎曲部分大致呈V字形狀的狀 態)的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
圖19表示比較例1的布線電路基板的第二鍍覆引線的放大俯視圖。
具體實施例方式
<第一實施方式>
圖l表示設置有多個本發明的布線電路基板的第一實施方式的布線電 路基板集成體片材的俯視圖，圖2表示沿圖1的A—A線的剖視圖，圖3 表示圖l所示的布線電路基板的第二鍍覆引線的放大俯視圖，圖4表示圖1 所示的布線電路基板集成體片材的制造方法的工序圖，圖5表示在圖4(c) 的制造過程中的布線電路基板集成體片材的俯視圖，圖6表示在圖4(c)的 制造過程中的布線電路基板集成體片材的鍍覆引線的放大俯視圖，圖7表 示在圖4(d)的制造過程中的布線電路基板集成體片材的鍍覆引線的放大俯 視圖。此外，圖1中，為了明確示出導體層4的相對配置，省略覆蓋絕緣層5
及鍍覆層12。
圖1中，該布線電路基板集成體片材(以下簡略為"片材"。)21例如 具有多個帶電路的懸浮基板等的布線電路基板l,各布線電路基板1在大致 矩形片狀的金屬支承基板22內，相互隔開一定間隔以整齊的排列狀態配置。
布線電路基板1形成為在長邊方向(以下有時稱為前后方向)上延伸的 大致矩形平帶狀。布線電路基板1如圖2所示，具有金屬支承層2、形成在 金屬支承層2上的基底絕緣層3、形成在基底絕緣層3上的導體層4、及形 成在基底絕緣層3上以被覆導體層4的覆蓋絕緣層5。
金屬支承層2由金屬支承基板22形成，作為形成金屬支承基板22的 金屬材料，例如使用不銹鋼、42號合金等，最好使用不銹鋼。
另外，在金屬支承層2的長邊方向的另一端(以下稱為后端)部，如圖l 所示，開有在長邊方向上夾住后述的磁性側端子部8B的支承開口部19。
金屬支承層2的厚度例如為10 100pm，最好為18 50nm。
作為形成基底絕緣層3的絕緣材料，例如使用聚酰亞胺、聚醚腈、聚 醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹 脂。其中，最好使用聚酰亞胺。
基底絕緣層3以和形成導體層4的部分對應的圖案來形成。 基底絕緣層3的厚度例如為3 30pm，最好為5 15pm。 作為形成導體層4的導體材料，例如使用銅、鎳、金、焊錫、或它們
的合金等導體材料。最好使用銅。
導體層4如圖2所示，形成在基底絕緣層3的表面，導體層4在制造
后的布線電路基板1中，具有形成一體的導體圖案6、和第二鍍覆引線18。 導體圖案6如圖1所示，具有形成一體的多個布線7，該多個布線7
在寬度方向(與布線電路基板1的長邊方向垂直的方向)上相互隔開一定的
間隔來配置，并沿長邊方向延伸；及端子部8，該端子部8分別與各布線7
的長邊方向兩端部連接。
端子部8具有外部側端子部8A，該外部側端子部8A配置在布線7
的長邊方向的一端(以下稱為前端)部；及磁性側端子部8B，該磁性側端子部8B配置在布線7的后端部。
設置有多個外部側端子部8A，使其分別連接各布線7的前端部，形成 作為矩形焊盤。各外部側端子部8A與未圖示的讀寫基板連接。
設置有多個磁性側端子部8B，使其分別連接各布線7的后端部，形成 作為矩形焊盤。磁性側端子部8B與未圖示的磁頭連接。
對應于各外部側端子部8A設置有多個第二鍍覆引線18。具體來講， 各第二鍍覆引線18在寬度方向上隔開一定間隔來配置，續接在各外部側端 子部8A的前側而形成。由此，第二鍍覆引線18與導體圖案6電連接。
第二鍍覆引線18在后述的刻蝕工序(參照圖4(f)及圖4(f))中，其前端 面16A(圖4(f))被刻蝕液溶解，形成作為往后側后退的殘留部分。即，第二 鍍覆引線18的前端面16A形成作為被刻蝕液從覆蓋絕緣層5的前端面30 往后側浸蝕的浸蝕面16B(圖4(f ))。
第二鍍覆引線18如圖3所示，在外部側端子部8A的長邊方向(與外部 側端子部8A相對的方向)一側，具體來講，在外部側端子部8A的前側，具 有形成一體的相鄰配置的窄幅部分10、和配置在窄幅部分10的前側的寬幅 部分11。
此外，第二鍍覆引線18在刻蝕工序前，由前側部分36及后側部分35 形成，通過在刻蝕工序中刻蝕前側部分36，從而在刻蝕工序后，僅由后側 部分35形成。
窄幅部分10如圖3所示，在長邊方向上延伸那樣形成，形成為寬度(寬 度方向長度)W1較窄(較短)的俯視大致呈矩形的形狀。具體來講，各窄幅部 分10形成為從各外部側端子部8A的前端部的寬度方向中央向前側延伸。
寬幅部分11形成為相鄰配置在窄幅部分10的前側、續接于窄幅部分 10的俯視呈矩形的形狀。更具體來講，寬幅部分11形成為其后端邊與窄幅 部分10連接的俯視呈矩形的形狀。
另外，寬幅部分ll這樣配置，使得將窄幅部分IO及寬幅部分11在前 后方向上投影時，使窄幅部分IO包含在寬度方向中央。g卩，將寬幅部分ll 的寬度(寬度方向長度)W2形成為比窄幅部分10的寬度W1要寬(長)。
另外，寬幅部分U的浸蝕面16B位于在前后方向上、比后述的覆蓋絕
10緣層5的前端面30往后側稍微偏離一些的位置。
窄幅部分10的寬度Wl例如為10 500jum，最好為15 250pm。另夕卜， 窄幅部分10的前后方向長度Ll例如為10 500nm，最好為15 250pm。
另外，設窄幅部分10的寬度Wl為100%的情況下，寬幅部分11的寬 度W2例如為150%以上，最好為200%以上，進一步優選為250%以上，通 常為500%以下。寬幅部分11的寬度W2例如為15pm以上，最好為25|im 以上，進一步優選為50nm以上，通常為20(Him以下。另外，寬幅部分ll 的前后方向長度L2例如為500pm以下，最好為25(Him以下。
布線7的寬度例如為10 300|im，最好為15 150pm，各布線7之間 的間隔(寬度方向的間隔)例如為10 200pm，最好為15 50nm。另外，端 子部8的寬度例如為15 200pm，最好為50 10(Him，各端子部8之間的 間隔(寬度方向的間隔)例如為15 200|um，最好為20 100pm。
導體層4的厚度也可與導體圖案6的厚度和第二鍍覆引線18的厚度相 同，例如為3 20pm，最好為7 15pm。
作為形成覆蓋絕緣層5的絕緣材料，使用與上述的基底絕緣層3相同 的絕緣材料。
覆蓋絕緣層5如圖2所示，形成在基底絕緣層3上，使得覆蓋第二鍍 覆引線18及布線7(圖2中未示出)。另外，覆蓋絕緣層5中，如圖3所示， 形成有使端子部8露出的俯視大致呈矩形形狀的覆蓋開口部13。
覆蓋絕緣層5的前端部如圖3所示，從俯視角度來看包含寬幅部分11 的浸蝕面16B，且在前后方向上于前側和浸蝕面16B隔開一定間隔配置。 即，覆蓋絕緣層5的前端面30配置于在前后方向上、寬幅部分ll的浸蝕 面16B的稍前側。由此，在寬幅部分11的浸蝕面16B的前側，形成有寬 度方向截面中與寬幅部分11形狀相同的空洞14。
另外，覆蓋絕緣層5中，在各外部側端子部8A的前側，設置有用于被 覆第二鍍覆引線18的后側部分35的被覆部34。具體來講，在前后方向上， 從外部側端子部8A的前端起直到覆蓋絕緣層5的前端面30的整個區域， 形成有被覆部34。
另外，覆蓋絕緣層5的厚度例如為2 20nm，最好為4 15pm。另外，該布線電路基板l中，如圖2所示，在端子部8的表面設置有
鍍覆層12。
作為形成鍍覆層12的鍍覆材料，例如使用金或鎳等金屬材料，最好使 用金。鍍覆層12的厚度例如為0.2 5pm，最好為0.5 3pm。 接著，參照圖4 圖7，說明該布線電路基板1的制造方法。 首先，該方法中，如圖4(a)所示，準備形成金屬支承層2的金屬支承 基板22。
接著，該方法中，如圖4(b)所示，在金屬支承層2上形成基底絕緣層3。 為了形成基底絕緣層3，在金屬支承基板22的上表面均勻涂敷上述的 合成樹脂的溶液(清漆)后，進行干燥，然后根據需要，通過加熱進行固化。 另外，基底絕緣層3的形成中，可在金屬支承層2的上表面例如涂敷感光 性的清漆，干燥后，以上述圖案進行曝光并顯影，根據需要，通過加熱進 行固化。而且，基底絕緣層3的形成中，例如也可預先在上述圖案的薄膜 上形成合成樹脂，將該薄膜通過公知的粘合劑層粘貼在金屬支承層2的上 表面。
接著，該方法中，如圖4(c)所示，將導體層4作為具有形成一體的導 體圖案6、鍍覆引線9的圖案，形成在基底絕緣層3上。
鍍覆引線9如圖5及圖6所示，是為了在后述的形成鍍覆層12的工序 (參照圖4(e))的電鍍中對導體圖案6饋電而設置的。另外，鍍覆引線9如圖 5及圖6所示，作為圖案形成在基底絕緣層3上。具體來講，鍍覆引線9 具有形成一體的第一鍍覆引線17、和第二鍍覆引線18。
對每一個片材21設置一根第一鍍覆引線17，具體來講，在金屬支承基 板22的前端側的基底絕緣層3的表面，形成為沿寬度方向延伸的直線形狀。 另外，第一鍍覆引線17的寬度方向的一端部與未圖示的饋電部電連接。
對應于各外部側端子部8A設置有多個第二鍍覆引線18，形成在與各 布線電路基板1對應的基底絕緣層3的表面。具體來講，第二鍍覆引線18 如圖2所示，通過利用刻蝕工序刻蝕前側部分36，從而由后側部分35形成， 該后側部分35形成作為具有形成一體的窄幅部分10和寬幅部分11的圖案。 另外，第二鍍覆引線18中，后側部分35的窄幅部分IO續接于外部側端子部8A而形成，前側部分36續接于第一鍍覆引線17而形成。
此外，前側部分36這樣形成，使得沿長邊方向以和后側部分35的寬
幅部分11的寬度W2相同的寬度延伸。即，各第二鍍覆引線18這樣形成，
使得從各外部側端子部8A起向前側延伸，直至第一鍍覆引線17的后端部
的寬度方向的中途部分。
艮P，第二鍍覆引線18與第一鍍覆引線17及外部側端子部8A接觸，并
將它們電連接。
然后，鍍覆引線9利用與未圖示的饋電部的電連接、及與外部側端子 部8A的電連接，將未圖示的饋電部和外部側端子部8A電連接。
為了形成導體層4，例如使用加成法、減成法等公知的圖案形成法。最 好使用加成法。
加成法中，首先在基底絕緣層3的上表面，形成未圖示的金屬薄膜(種 膜)。作為金屬薄膜，例如使用銅、鉻、鎳及它們的合金等金屬材料。金屬 薄膜利用濺射、鍍覆等薄膜形成方法來形成。
接著，在金屬薄膜的表面，層疊干膜抗蝕劑，將其曝光并顯影，形成 與導體層4相反圖案的未圖示的鍍覆抗蝕劑。然后，利用電鍍，在從鍍覆 抗蝕劑露出的金屬薄膜的表面，形成導體層4，接著，利用刻蝕等將鍍覆抗 蝕劑及形成有鍍覆抗蝕劑的部分的金屬薄膜除去。
這樣形成的導體層4的尺寸可適當選擇，第一鍍覆引線17的前后方向 長度L3例如為30pm以上，最好為50pm以上，進一步優選為10(Him以上， 通常為500(Him以下。另外，第二鍍覆引線18的長度(前后方向長度、即第 一鍍覆引線17的后端邊緣和第二鍍覆引線18的后端邊緣之間的間隔)L4 例如為40 1000nm，最好為60 500|am。
接著，該方法中，如圖4(d)及圖7所示，在基底絕緣層3上以上述圖 案形成覆蓋絕緣層5。
覆蓋絕緣層5中設有被覆部34。另外，被覆部34中形成有與第二鍍覆 引線18的后側部分35對應的開口。具體來講，被覆部34中，與后側部分 35的窄幅部分10對應的開口形成作為窄幅開口部28，與后側部分35的寬 幅部分11對應的開口形成作為寬幅開口部29。而且，窄幅開口部28及寬幅開口部29容納第二鍍覆引線18的后側部 分35，該后側部分35在之后的刻蝕工序(圖4(f)及圖4(f))中，形成作為限 制刻蝕液浸入到外部側端子部8A的限制部分。
寬幅開口部29的前后方向長度L2'例如為10 550pm，最好為15 300|um。
為了形成覆蓋絕緣層5，在包含導體層4的基底絕緣層3的上表面，例 如涂敷感光性的合成樹脂的溶液(清漆)，干燥后，以上述圖案進行曝光并顯 影，根據需要，通過加熱進行固化。另外，覆蓋絕緣層5的形成中，例如 可以預先在上述圖案的薄膜上形成合成樹脂，將該薄膜通過公知的粘合劑 層粘貼在包含導體層4的基底絕緣層3的上表面。
接著，該方法中，如圖4(e)所示，在從覆蓋開口部13露出的端子部8 的表面形成鍍覆層12。
鍍覆層12利用通過第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18對導體圖案6 饋電的電鍍來形成。
電鍍中，首先，在除了端子部8的表面的導體層4及金屬支承基板22 的表面形成抗蝕劑。接著，將金屬支承基板22浸漬到電鍍浴中，同時從未 圖示的饋電部，通過第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18，對端子部8饋電。 此后，除去鍍覆抗蝕劑。
接著，該方法中，如圖4(f)及圖4(f)所示，利用第二鍍覆引線18的后 側部分35限制刻蝕液浸入到外部側端子部8A的同時，對第一鍍覆引線17 及第二鍍覆引線18的前側部分36進行刻蝕。
作為限制刻蝕液的浸入的同時、對第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18 的前側部分36進行刻蝕方法，例如使用濕法刻蝕(化學刻蝕)。
具體來講，首先，在鍍覆層12及金屬支承基板22的表面層疊未圖示 的刻蝕抗蝕劑。此后，將層疊有刻蝕抗蝕劑的金屬支承基板2浸漬到刻蝕 液中。作為刻蝕液，例如使用氯化鐵水溶液等公知的刻蝕液(藥液)。
此后，例如用水、甲醇、或丙酮等清洗用溶劑清洗金屬支承基板22(清 洗工序)，接著，進行干燥，然后利用刻蝕或剝離等除去刻蝕抗蝕劑。
由此，來除去第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18的前側部分36。
14該刻蝕工序中，通常設定刻蝕條件，使得如圖4(f)所示，使形成的第二
鍍覆引線18的后側部分35的前端面(寬幅部分11的前端面)16A和覆蓋絕 緣層5的前端面30在厚度方向及寬度方向上大致位于同一平面上。
然而，在除去第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18的前側部分36之后， 后側部分35的一部分被刻蝕。
這里，如圖4(f)所示，利用寬幅部分11限制刻蝕液浸入到外部側端子 部8A。
艮P，由于寬幅部分11因被過度刻蝕(過刻蝕)而導致的導體材料的溶解， 而使得寬幅部分11的前端面16A往后側后退，具體來講，在前后方向上后 退到從寬幅開口部29的前端直至寬幅開口部29的后端的中途部分，位于 從覆蓋絕緣層5的前端面30往后側偏離的位置。或者，在刻蝕工序后到洗 凈工序為止的期間，由于因附著于寬幅部分11的前端面16A而殘留的刻蝕 液所引起的導體材料的溶解，而使得寬幅部分11的前端面16A往后側后退， 位于從覆蓋絕緣層5的前端面30往后側偏離的位置。
于是，因寬幅部分11的前端面16A的后退，從而形成浸蝕面16B。 艮口，浸蝕面16B在前后方向上，與外部側端子部8A隔開一定間隔配 置，浸蝕面16B和外部側端子部8A之間的間隔為寬幅部分11及窄幅部分 10未被刻蝕液浸蝕而殘留的間隔(能夠限制刻蝕液浸入到外部側端子部8A 的間隔)。
更具體來講，寬幅開口部29允許刻蝕液向后側浸入。由此，寬幅部分 11的前端面16A往后側后退，而且，通過形成浸蝕面16B，從而限制刻蝕
液進一步向后側浸入。
此后，如圖1所示，利用刻蝕等切去金屬支承基板22，形成支承開口 部19，從而得到形成有多個布線電路基板1的片材21。
而且，該方法中，形成一體的導體圖案6、設有寬幅部分ll的第二鍍 覆引線18及第一鍍覆引線17。此后，利用寬幅部分11限制刻蝕液浸入到 外部側端子部8A的同時，利用刻蝕液對第二鍍覆引線18的前側部分36 及第一鍍覆引線17進行刻蝕。
艮口，利用刻蝕液對第二鍍覆引線18的前側部分36及第一鍍覆引線17進行刻蝕后，被覆部34的寬幅開口部29允許刻蝕液浸入，刻蝕液與寬幅
部分11接觸。
因此，在通過第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線18對外部側端子部8A 饋電進行電鍍之后，利用寬幅部分11能夠防止刻蝕液浸入到外部側端子部 8A。
另夕卜，寬幅部分11(被寬幅開口部29所容納的寬幅部分ll)中，由于刻 蝕液沿寬度方向擴散，因此能夠延遲刻蝕液向后側浸入。
而且，沿寬度方向擴散的刻蝕液與寬幅部分11(被寬幅開口部29所容 納的寬幅部分ll)以較大的接觸面積接觸，該接觸面(前端面16A)被刻蝕液 溶解。因此，由于將接觸面(前端面16A)溶解后的刻蝕液的刻蝕能力下降， 因此不易向后側浸入，其結果是，利用寬幅部分11(被寬幅開口部29所容 納的寬幅部分11)，能夠有效防止刻蝕液向后側浸入。
而且，又由于和寬幅部分11(被寬幅開口部29所容納的寬幅部分11) 接觸而殘留的刻蝕液通過清洗可容易除去，因此能夠防止因刻蝕液所致的 污染。
此外，上述的說明中，是將限制部分設置作為寬度較大的寬幅部分11， 但只要限制部分中與刻蝕液之間的接觸面積為預定面積以上即可，例如， 雖未圖示，但也可設置作為厚度較厚的膜厚部分。
另外，上述的說明中，是續接于外部側端子部8A而形成了第二鍍覆引 線18，但例如，雖未圖示，也可續接于磁性側端子部8B或布線7而形成。
另外，上述的說明中，是將本發明的布線電路基板作為具有金屬支承 層2的帶電路的懸浮基板舉例示出的，但本發明的布線電路基板并不局限 于此。例如，本發明的布線電路基板也可廣泛適用于具有金屬支承層2以 作為加強層的柔性布線電路基板、或不具有金屬支承層2的柔性布線電路 基板等其它布線電路基板。
圖8 圖14是上述的第一實施方式的變形例的第二鍍覆引線放大俯視 圖，圖8表示寬幅部分及窄幅部分為限制部分、窄幅部分殘留的狀態，圖9 表示寬幅部分及窄幅部分為限制部分、限制部分未殘留的狀態，圖10表示 前側窄幅部分及寬幅部分為限制部分的狀態，圖n表示俯視寬幅部分大致呈圓形形狀的狀態，圖12表示俯視寬幅部分大致呈菱形形狀的狀態，圖13 表示俯視寬幅部分大致呈三角形形狀的狀態，圖14表示寬幅部分相比窄幅 部分朝寬度方向的一側凸出的狀態。
此外，在之后的各圖中，對和上述相同的構件附加相同的標號，并省 略其說明。
上述的說明中，在圖4(f)及圖4(f)所示的刻蝕工序中，是僅將寬幅部 分ll作為限制部分，來限制刻蝕液向外部側端子部8A的浸入，但作為限 制部分，至少包含寬幅部分11即可。例如，參照圖8及圖9，也可將寬幅 部分11及窄幅部分IO兩者作為限制部分。
艮口，在圖8所示的布線電路基板1的制造的刻蝕工序中，參照圖7，寬 幅部分ll的全部、和窄幅部分10的前側部分被溶解。即，被寬幅開口部 29所容納的寬幅部分11、和被窄幅開口部28所容納的窄幅部分IO被作為 限制刻蝕液向外部側端子部8A的浸入的限制部分。
具體來講，刻蝕工序中，在寬幅部分11及窄幅部分10的前側部分溶 解了的部分，容納這些部分的被覆部34的寬幅開口部29及窄幅開口部28 允許刻蝕液向后側浸入。而且，利用形成于窄幅部分10的浸蝕面16B，來 限制刻蝕液進一步向后側浸入。
窄幅部分10的浸蝕面16B形成于在前后方向上從窄幅開口部28的前
端直至后端的中途部分。
因此，在窄幅部分10的浸蝕面16B的前側，形成有與寬幅部分ll及 窄幅部分10的前側部分對應的空洞14。
由此，在刻蝕工序后的布線電路基板中，僅殘留有窄幅部分io的后側 部分37。
另外，在圖9所示的布線電路基板1的制造的刻蝕工序中，寬幅部分 11的全部、和窄幅部分10的全部都被溶解。
浸蝕面16B形成于窄幅開口部28的后端。此外，浸蝕面16B與外部 側端子部8A的前端面共面。
因此，在浸蝕面16B(外部側端子部8A的前端面)的前側，形成有與寬 幅部分ll及窄幅部分IO對應的空洞14。即，空洞14形成為與第二鍍覆引線18的后側部分35相同的形狀。
由此，刻蝕工序后的布線電路基板1中，第二鍍覆引線18全部被刻蝕， 沒有殘留。
另外，上述的說明中，是將寬幅部分11作為限制部分，但例如，如圖
IO所示，也可將寬幅部分ll、和在其前側以比其小的寬度形成的前側窄幅 部分20作為限制部分。
在參照圖4(c)的導體層4的形成中，將第二鍍覆引線18的后側部分35 形成作為具有形成一體的窄幅部分10、寬幅部分11及前側窄幅部分20的圖案。
寬幅部分11如圖IO所示，形成在第二鍍覆引線18的后側部分35中 的前后方向中途部分。
另外，前側窄幅部分20參照圖10，如虛線所示，續接于寬幅部分ll 的前端部而形成。前側窄幅部分20的寬度W3例如與窄幅部分10的寬幅 Wl相同，最好為15 250pm。另外，前側窄幅部分20的長度L3例如為 10 500pm，最好為15 250|im。
此后，利用圖4(f)及圖4(f)所示的刻蝕工序，對前側窄幅部分20及寬 幅部分11的前側部分進行刻蝕。由此，在前后方向上的從寬幅開口部29 的前端直至后端的中途部分形成浸蝕面16B。
另外，上述的說明中，是將寬幅部分11形成為俯視大致呈矩形的形狀， 但可形成為合適的形狀，例如，如圖11所示，可形成為俯視大致呈圓形的 形狀，另外，如圖12所示，可形成為俯視大致呈菱形的形狀，而且，如圖 13所示，可形成為俯視大致呈三角形的形狀。
圖11中，俯視大致呈圓形形狀的寬幅部分11的內徑D1例如為15 500nm，最好為30 250pm。
圖12中，俯視大致呈菱形形狀的寬幅部分11其前后方向上的兩頂點 與窄幅部分10及前側窄幅部分20連接。寬幅部分11的最大寬度W4例如 為15 500pm，最好為30 250pm。
圖13中，寬幅部分ll在俯視時，形成為尖頭向后側的大致等腰三角 形的形狀。具體來講，寬幅部分11形成為相等長度的兩邊在前后方向上延伸、越往后側兩邊越相互接近的俯視大致呈三角形的形狀(俯視呈錐形的形 狀)。
另外，上述的說明中，是將寬幅部分11這樣配置，使得在將窄幅部分 IO及寬幅部分11在前后方向上投影時，使窄幅部分IO包含在寬度方向中
央，但例如，如圖14所示，可配置成使窄幅部分IO包含在寬度方向的另 一端側。即，寬幅部分11形成為使得在寬度方向上相比窄幅部分IO朝寬 度方向的一側凸出。
另外，上述的說明中，是在第二鍍覆引線18的后側部分35設置了窄 幅部分IO及寬幅部分11，但例如，雖未圖示，也可不設置窄幅部分10， 而僅設置寬幅部分11。
<第二實施方式>
圖15表示本發明的布線電路基板的第二實施方式的第二鍍覆引線的放 大俯視圖。
上述的說明中，是設置了寬幅部分11以作為限制部分，但例如，如圖 ll所示，也可設置彎曲部分23以作為限制部分。
圖15中，第二鍍覆引線18的后側部分35具有窄幅部分IO和彎曲部 分23。
彎曲部分23形成為使得在與前后方向交叉的交叉方向上彎曲。具體來 講，彎曲部分23以相同寬度形成為俯視大致呈S形的形狀。
艮P，彎曲部分23具有形成一體的朝寬度方向的另一側凸出而彎曲成圓 弧狀的第一彎曲部31、和從第一彎曲部31的前端朝寬度方向的一側凸出而 彎曲成圓弧狀的第二彎曲部32。
彎曲部分23的寬度W5與上述的窄幅部分10的寬度W1相同。
由此，如圖15的點劃線所示，彎曲部分23(刻蝕工序前的彎曲部分23) 的長度L5、即通過彎曲部分23的寬度方向中央的線段的長度L5，例如被 設定成100 150pm，最好被設定成150 350pm。
另外，在參照圖4(c)的導體層4的形成工序中所形成的導體層4中， 第二鍍覆引線18的后側部分35具有形成一體的窄幅部分10、彎曲部分23 及前側窄幅部分20。
19接著，參照圖4(d)，通過形成覆蓋絕緣層5使其被覆窄幅部分10、彎
曲部分23及前側窄幅部分20，從而形成容納這些部分的被覆部34。
被覆部34中，形成與彎曲部分23對應的開口作為彎曲開口部33，形 成與前側窄幅開口部42對應的開口作為前側窄幅開口部42，窄幅開口部 28、彎曲開口部33及前側窄幅開口部42容納第二鍍覆引線18的后側部分 35。
此后，參照圖4(f)及圖4(f)，在刻蝕第一鍍覆引線17及第二鍍覆引線 18的前側部分36的工序中，利用前側窄幅部分20及彎曲部分23來限制刻 蝕液浸入到外部側端子部8A。
由此，在彎曲部分23的前后方向中途部分形成浸蝕面16B。
具體來講，前側窄幅開口部42及彎曲開口部33允許刻蝕液向后側浸 入。由此，前端面16A往后側后退，然后，通過形成浸蝕面16B,從而限 制刻蝕液進一步向后側浸入。
而且，該布線電路基板1中，前側窄幅部分20的長度、彎曲部分23(被 彎曲開口部33所容納、刻蝕工序前的彎曲部分23)的長度L5的總計長度肯 定比前側窄幅部分20和彎曲部分23的前后方向的直線長度要長。
因此，即使被允許浸入到前側窄幅開口部42及彎曲開口部33的刻蝕 液與前側窄幅部分20及彎曲部分23接觸，但藉此，也能夠限制刻蝕液向 后側浸入。
其結果是，能夠有效防止外部側端子部8A中因刻蝕液而引起的溶解或變色。
此外，上述的說明中，是由窄幅部分IO、彎曲部分23及前側窄幅部分 20形成了第二鍍覆引線18的后側部分35，但例如，可不形成前側窄幅部 分20，而由窄幅部分10及彎曲部分23來形成。在這種情況下，僅將彎曲 部分23作為限制部分，或者，將彎曲部分23和窄幅部分10作為限制部分， 來限制刻蝕液的浸入。
圖16 18是上述的第二實施方式的變形例的第二鍍覆引線的放大俯視 圖，圖16表示俯視彎曲部分大致呈C字形狀的狀態，圖17表示俯視呈階 梯形狀的狀態，圖18表示俯視彎曲部分大致呈V字形狀的狀態。另外，上述的說明中，是將彎曲部分23形成為俯視大致呈S字的形狀，
但例如，也可形成為俯視大致呈C字的形狀(參照圖16)、俯視呈階梯形的 形狀(參照圖17)、和俯視大致呈V字的形狀(圖18參照)。
圖16中，彎曲部分23形成為俯視大致呈C字的形狀。彎曲部分23配 置成使得朝寬度方向的另一側開口，其后端部與窄幅部分IO連接。
圖17中，彎曲部分23形成為俯視呈階梯形的形狀。第二鍍覆引線18 的后側部分35具有窄幅部分10、和從窄幅部分10的前端部向寬度方向的 另一側延伸的直線部分25。
直線部分25配置成使得與覆蓋絕緣層5的前端面30平行。另外，直 線部分25是從窄幅部分10的前端部朝寬度方向的另一側彎折那樣形成。
圖18中，彎曲部分23形成為前后方向中途彎折的俯視大致呈V字的 形狀。g卩，第二鍍覆引線18的后側部分具有彎曲部分23，該彎曲部分23 具有形成一體的續接于外部側端子部8A的前端部而形成的第一傾斜部分 27、和續接于第一傾斜部分27的前端部而配置在傾斜部分27的前側的第 二傾斜部分41。
第一傾斜部分27形成為從外部側端子部8A的前端部向前側斜向寬度 方向的一側延伸的、俯視大致呈矩形的形狀。
第二傾斜部分41形成為從第一傾斜部分27的前端部朝寬度方向的另 一側彎折而向前側斜向寬度方向的另一側延伸的、俯視大致呈矩形的形狀。
<第三實施方式>
上述的第一實施方式中，是設限制部分至少為寬幅部分11，另外，上 述的第二實施方式中，是設限制部分至少為彎曲部分23，并分別進行了說 明，但例如，雖未圖示，也可設限制部分為寬幅部分11和彎曲部分23的 兩部分。
實施例
下面示出實施例及比較例，來進一步具體說明本發明，但本發明并不 局限于這些實施例及比較例。 實施例1
首先，準備厚度25pm的由不銹鋼構成的金屬支承基板(參照圖4(a))，在金屬支承層的上表面，涂敷感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥后，將其 曝光并顯影，進一步加熱固化，從而以上述的圖案形成厚度l(Him的由聚酰 亞胺構成的基底絕緣層(參照圖4(b))。
接著，利用鉻濺射和銅濺射，在基底絕緣層的上表面，依次形成厚度
0.03^im的鉻薄膜和厚度0.07pm的銅薄膜，以作為金屬薄膜。然后，在金 屬薄膜的表面，層疊干膜抗蝕劑，將其曝光并顯影，形成與導體層相反圖 案的鍍覆抗蝕劑。接著，利用電鍍銅，在從鍍覆抗蝕劑露出的金屬薄膜的 表面，形成厚度lOpm的導體層，此后，利用刻蝕將鍍覆抗蝕劑及形成有鍍 覆抗蝕劑的部分的金屬薄膜除去(參照圖4(c))。
導體層具有形成一體的包括布線及端子部的導體圖案、在后側部分包
括窄幅部分及寬幅部分的第一鍍覆引線、及第二鍍覆引線(參照圖5及圖6)。
布線的寬度為20nm，各布線間的間隔為20iim，端子部的寬度為100pm， 各端子部間的間隔為30|im。
另外，第一鍍覆引線的前后方向長度(L3)為50(Him。
另外，第二鍍覆引線中，窄幅部分的寬度(W1)為20pm，窄幅部分的前 后方向長度(L1)為30pm，寬幅部分的寬度(W2)為50pm，寬幅部分的前后 方向長度(L4)為10(Him。
接著，在包含導體層的基底絕緣層的上表面，涂敷感光性聚酰胺酸樹 脂的清漆，干燥后，將其曝光并顯影，進一步加熱固化，從而以具有覆蓋 開口部的圖案，形成厚度10^im的由聚酰亞胺構成的覆蓋絕緣層(參照圖 4(d))。
覆蓋絕緣層中，在外部側端子部的前側設有被覆部，被覆部中，形成 有容納第二鍍覆引線的后側部分的、窄幅開口部及寬幅開口部。寬幅開口 部的長邊方向長度(L2')為80|im。
接著，在除了端子部的表面的導體層及金屬支承基板的表面形成鍍覆 抗蝕劑，此后，利用通過第一鍍覆引線及第二鍍覆引線對端子部饋電的電 鍍金，在端子部的表面，形成由金構成的厚度2pm的鍍覆層(參照圖4(e))。 此后，除去鍍覆抗蝕劑。
接著，在鍍覆層及金屬支承基板的表面，層疊刻蝕抗蝕劑，此后，通過使用氯化鐵水溶液的刻蝕，除去第一鍍覆引線及第二鍍覆引線的前側部 分(參照圖4(f))。
此后，水洗金屬支承基板，接著，除去刻蝕抗蝕劑。
此外，利用對第一鍍覆引線及第二鍍覆引線的前側部分進行刻蝕的刻 蝕工序，使得在寬幅開口部內，形成了位于從覆蓋絕緣層的前端面往后側
偏離的位置的浸蝕面(參照圖3及圖4(f ))。
此后，切去金屬支承基板，形成支承開口部，從而得到形成有多個布 線電路基板的片材(參照圖1)。
比較例1
除了僅由窄幅部分(10)來形成第一鍍覆引線(17)的后側部分(35)以外， 與實施例l相同，得到形成有多個布線電路基板(1)的片材(21)(參照圖19)。
此外，利用對第一鍍覆引線(17)及第二鍍覆引線(18)的前側部分(36)進 行刻蝕的刻蝕工序，使得窄幅部分(10)及外部側端子部(8A)的前端部被溶解。
(評價)
1)外部側端子部有無變色
對于實施例1及比較例1的片材的布線電路基板，觀察外部側端子部 中有無變色。
其結果是，實施例1中，未確認出外部側端子部的變色。 另一方面，比較例1中，確認出外部側端子部的變色。 此外，上述說明是提供作為本發明的舉例表示的實施方式，該說明僅 僅只是舉例表示，不應作為限定來解釋。對于該技術領域的從業者來說是 顯而易見的本發明的變形例，包含在后述的權利要求范圍內。
權利要求
1.一種布線電路基板的制造方法，其特征在于，具有使導體圖案、與所述導體圖案電連接的鍍覆引線、和設置于所述鍍覆引線來限制刻蝕液浸入到所述導體圖案的限制部分進行一體形成的工序；及利用所述限制部分來限制所述刻蝕液浸入到所述導體圖案的同時、利用所述刻蝕液來刻蝕所述鍍覆引線的工序。
2. —種布線電路基板，其特征在于，具有 導體圖案；及與所述導體圖案電連接的鍍覆引線，所述鍍覆引線具有限制所述刻蝕液浸入到所述導體圖案的限制部分。
3. 如權利要求2所述的布線電路基板，其特征在于， 所述鍍覆引線具有垂直于和所述導體圖案相對的方向的寬度方向長度較短的窄幅部分；及所述寬度方向長度相比所述窄幅部分要長的寬幅部分， 至少所述寬幅部分是所述限制部分。
4. 如權利要求2所述的布線電路基板，其特征在于， 所述鍍覆引線具有在對和所述導體圖案相對的方向交叉的交叉方向上彎曲的彎曲部分，至少所述彎曲部分是所述限制部分。
5. —種布線電路基板，其特征在于，具有-導體圖案；及用于被覆限制部分的被覆部，該限制部分限制刻蝕液浸入到所述導體圖案。
6. 如權利要求5所述的布線電路基板，其特征在于， 在所述被覆部形成有垂直于和所述導體圖案相對的方向的寬度方向長度較短的窄幅開口部；及所述寬度方向長度相比所述窄幅開口部要長的寬幅開口部， 至少所述寬幅開口部容納所述限制部分。
7.如權利要求5所述的布線電路基板，其特征在于， 在所述被覆部形成有在對和所述導體圖案相對的方向交叉的交叉方向 上彎曲的彎曲開口部，至少所述彎曲開口部容納所述限制部分。
全文摘要
本發明的布線電路基板的制造方法具有使導體圖案、與導體圖案電連接的鍍覆引線、和設置于鍍覆引線來限制刻蝕液浸入到導體圖案的限制部分進行一體形成的工序；及利用限制部分來限制刻蝕液浸入到導體圖案的同時、利用刻蝕液來刻蝕鍍覆引線的工序。
文檔編號H05K3/18GK101583243SQ20091014142
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月13日 優先權日2008年5月14日
發明者大澤徹也, 大藪恭也, 石井淳 申請人:日東電工株式會社