專利名稱：太陽能級晶體硅p型母合金的生產工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及的是一種太陽能級晶體硅P型母合金的生產工藝。
背景技術：
目前在生產太陽能級晶體硅材料時，其電阻率的控制是通過特定電阻率的母合金 實現的。比如CZ單晶硅投爐60kg，投入料的電阻率為20 Ω · CM，型號為P型，要生產晶棒 頭部電阻率為1.5Ω *CM，型號為P型的硅棒，如投入電阻率為0.0065 Ω *CM的摻硼母合金 需要投入48. 4克。目前行業內生產母合金的方法主要是電阻率分檔法。即將P型重摻硅料電阻率分 為若干檔，之后測量出重摻電阻率，分到相應的檔位。如0. 001-0. 002 Ω · CM0. 002-0. 003 Ω · CM0. 003-0. 004 Ω · CM0. 005-0. 006 Ω · CM........................0· 009-0. 01 Ω · CM0· 011-0. 012 Ω · CM........................由于隨著電阻率的增加，分檔越來越多，而P型重摻硅料電阻率分布一般較廣，這 使采用傳統方法生產的母合金電阻率分布廣、不準確。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能生產出的P型母合金的工藝。本發明解決了當前母合金制作不準確、低阻料利用率低的問題。該工藝是將摻硼 低阻硅料進行重量和電阻率的測量，計算低阻硅料的摻雜劑濃度。根據公式計算出等效目 標電阻率的重量；本發明也可以根據所述公式計算并制作而成的表，方便查找；不同電阻 率的母合金通過重量的調整，具有某一電阻率母合金的等效重量；本發明與現有技術相比， 具有工藝方法簡單，電阻率控制準確，能充分利用低阻摻硼硅料，降低生產成本的特點。
圖1是不同母合金相同效果下的重量比圖。
具體實施例方式一、將準備制成母合金的不同電阻率的摻硼低阻硅料進行重量W1和電阻率P工的 測量，根據測量所得的摻硼低阻硅料的電阻率P i和已知目標母合金的電阻率P 2，依據GB/ T13389-1992摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程的公式(1)，計算低阻硅料的摻雜劑濃度N(P1)以及目標母合金摻雜劑濃度N(P2)，公式⑴如下
權利要求
一種太陽能級晶體硅P型母合金的生產工藝，其特征由以下步驟組成一、將準備制成母合金的不同電阻率的摻硼低阻硅料進行重量W1和電阻率ρ1的測量，根據測量所得的摻硼低阻硅料的電阻率ρ1和已知目標母合金的電阻率ρ2，依據GB/T 13389 1992摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程，計算低阻硅料的摻雜劑濃度N(ρ1)以及目標母合金摻雜劑濃度N(ρ2)；二、依據公式(2)給出的準備制成母合金的低阻硅料與目標母合金達到相同硼含量的重量比，換算出準備制成母合金的低阻硅料等效到目標母合金的重量W2，當需要摻雜時，按照W2的重量和目標母合金的電阻率摻雜即可，公式(2)如下 <mrow><mfrac> <msub><mi>W</mi><mn>1</mn> </msub> <msub><mi>W</mi><mn>2</mn> </msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac> <mrow><mi>N</mi><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>ρ</mi><mn>2</mn> </msub> <mo>)</mo></mrow> </mrow> <mrow><mi>N</mi><mrow> <mo>(</mo> <msub><mi>ρ</mi><mn>1</mn> </msub> <mo>)</mo></mrow> </mrow></mfrac> </mrow>式(2)其中母合金1(摻硼低阻硅料)的電阻率為ρ1；母合金2(目標母合金)的電阻率為ρ2；母合金1(摻硼低阻硅料)摻雜劑的濃度為母合金2(目標母合金)摻雜劑的濃度為母合金1(摻硼低阻硅料)的重量為W1；母合金2(目標母合金)的重量為W2。F2009101017422C00012.tif,F2009101017422C00013.tif
全文摘要
一種太陽能級晶體硅P型母合金的生產工藝，該工藝是將摻硼低阻硅料進行重量和電阻率的測量，計算低阻硅料的摻雜劑濃度。根據公式(2)計算出等效目標電阻率的重量；本發明也可以根據所述公式計算并制作而成的附表1進行換算，使不同電阻率的母合金通過重量的調整，具有某一電阻率母合金的等效重量；本發明與現有技術相比，具有工藝方法簡單，電阻率控制準確，能充分利用低阻摻硼硅料，降低生產成本的特點。
文檔編號C30B29/06GK101994152SQ20091010174
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月11日 優先權日2009年8月11日
發明者石堅 申請人:王正園