專利名稱：用于帶狀晶體的減少潤濕的線的制作方法
技術領域：
本發明一般地涉及線帶狀晶體(string ribbon crystal)，更具體地，本發明還涉 及用于形成線帶狀晶體的線。
背景技術：
線帶狀晶體如在美國專利4689109號(1987年公告的且提名Emanuel M. Sachs為 獨立發明人)中所述的線帶狀晶體，能夠形成各種不同電子器件的基礎。例如，馬薩諸塞州 莫爾伯勒市(Marlborough, Massachusetts)的常青太陽會g公司(Evergreen Solar， Inc.) 利用常規的線帶狀晶體形成了太陽能電池。 如在所述專利中更加詳細描述的，常規方法通過使兩根以上的線通過熔融的硅來 形成線帶狀晶體。所述線的組成和性質能夠對最終形成的線帶狀晶體的效率以及在某些情 況下的成本具有明顯影響。
發明內容
根據本發明的一個實施方案，用于線帶狀晶體的線具有襯底和支撐在所述襯底上 的耐火層，所述晶體由特殊晶體材料如硅、硅-鍺、砷化鎵和磷化銦中的一種材料形成。所 述線還具有與所述晶體材料成約15 120度接觸角的外部暴露層。所述外部暴露層在所 述耐火層的徑向外部。 所述線還可以具有在所述耐火層的徑向外部的操縱層。所述操縱層向所述耐火層 施加大致徑向向內的力。所述操縱層可以包含外部暴露層。或者，所述外部暴露層可以在 所述操縱層的徑向外部。 所述外部暴露層可以由大量減少潤濕材料中的任意材料如熱解碳、氧化物和氮化 物來形成。例如，外部暴露層與晶體材料的接觸角可以為大于約25度。而且，所述襯底可以由碳形成，同時所述耐火層可以由碳化硅形成。 各個不同的實施方案大致滿足熱膨脹系數。例如，襯底、耐火層和暴露層具有基本 上與晶體材料的熱膨脹系數相匹配的復合熱膨脹系數。為了進一步地熱匹配，暴露層比耐 火層薄。在更具體的實施方案中，所述線可以具有大致與多晶硅的熱膨脹系數相匹配的熱 膨脹系數。 根據另一個實施方案，用于線帶狀晶體中的線具有含耐火材料的基礎部分，和在 耐火材料徑向外部的外部暴露層。所述基礎部分的熱膨脹系數大致與硅的熱膨脹系數相匹 配。所述外部暴露層與硅之間的接觸角為約15 120度。 根據其它實施方案，帶狀晶體具有1)具有外表面的線，和2)含主體材料的主體， 所述主體材料具有主體熱膨脹系數。所述主體熱膨脹系數大致與所述線熱膨脹系數相匹 配。另外，所述線外表面(即圓周外表面)部分地暴露。 根據本發明另外其它的實施方案，形成用于帶狀晶體的線的方法，在襯底上形成 了耐火層，并從耐火層徑向向外施用減少潤濕材料。所述減少潤濕材料與硅的接觸角為約 15 120度。 根據本發明另外其它的實施方案，形成帶狀晶體的方法提供1)具有材料熱膨脹 系數的熔融材料和2)具有外表面的線，所述外表面與所述熔融材料的接觸角為約15 120 度。所述線還具有基本上與材料熱膨脹系數相匹配的線熱膨脹系數。為了形成片，所述方 法使所述線通過熔融材料。
通過參考下面立即概括的附圖描述的下列"具體實施方式
"，本領域技術人員會更 全面地了解本發明各個實施方案的優點。 圖1示意性地顯示了可以由根據本發明的說明性實施方案構造的線形成的線帶 狀晶體。
圖2示意性顯示了用于形成線帶狀晶體的說明性爐。 圖3A示意性顯示了根據本發明的說明性實施方案形成的線。 圖3B示意性顯示了本發明一個實施方案圖3A的線沿虛線B-B的剖視圖。 圖3C示意性顯示了本發明另一個實施方案圖3A的線沿虛線B-B的剖視圖。 圖4A示意性顯示了使用現有技術的線的帶狀晶體的剖視圖。 圖4B示意性顯示了使用根據本發明說明性實施方案構造的線的帶狀晶體的剖視 圖。 圖5顯示了使用本發明說明性實施方案構造的線而形成線帶狀晶體的說明性方 法。
具體實施例方式
在說明性實施方案中，線具有減少潤濕的外部暴露層，從而增加了在帶狀晶體邊 緣附近的粒度。為了所述目的，線與帶狀晶體材料如單晶硅或多晶硅的接觸角可以為約 15 120度。為了提高帶的堅固性，線的熱膨脹系數大致與形成所述帶狀晶體的材料(例 如硅)的熱膨脹系數相匹配。下面描述各個不同的實施方案的細節。
圖1示意性地顯示了根據本發明說明性實施方案構造的線帶狀晶體10。以與其它 帶狀晶體相類似的方式，這種帶狀晶體10通常在其正面和背面呈矩形并具有相對大的表 面積。例如，帶狀晶體10的寬度可以為約3英寸且長度可以為約6英寸。如本領域技術人 員所已知的，所述長度可以較大地變化。例如，在某些已知方法中，所述長度取決于爐操作 者對于在帶狀晶體10生長時在何處對其進行切割的判斷力。另外，所述寬度可以隨形成帶 狀晶體寬度邊界的兩條線12(參見圖2)的間隔而變化。因此，具體長度和寬度的討論是說 明性的，而不旨在限制本發明各個不同的實施方案。 帶狀晶體10的厚度可以變化且相對于其長度和寬度的尺寸規格非常小。例如，線 帶狀晶體10的厚度在其寬度方面可以為約60微米 約320微米。不管該范圍，可以認為 所述線帶狀晶體10在其長度和/或寬度方面具有平均厚度。 所述帶狀晶體10可以由廣泛材料中的任意一種(通常將其稱作"帶材料"或"晶
體材料")來形成，這取決于應用。例如，當生長用于光電應用時，帶狀晶體io可以由單一
元素如硅，或化合物如硅基材料(例如硅鍺)來形成。其它說明性帶材料可以包括砷化鎵 或磷化銦。所述帶材料可以為各種不同的晶體類型如多晶(multi-crystalline)、單晶、聚 晶(polycrystalline)、微晶或半晶中的任意一種。 如本領域技術人員所已知的，帶狀晶體10由通常被帶材料(例如多晶硅)所包裹 的一對線12來形成。盡管其被帶材料所包圍(在現有技術中)，但是線12和在線12外部 的帶材料通常形成帶狀晶體10的邊緣。為了簡化，將帶狀晶體10論述為由多晶硅形成。盡 管如此，應當重申，多晶硅的這種討論不旨在限制所有的實施方案。 說明性實施方案在帶狀晶體生長爐14如圖2中所示的生長爐內生長了帶狀晶體 10。更具體地，圖2示意性顯示了硅帶狀晶體生長爐14，可將其用于形成本發明說明性實施 方案的線帶狀晶體IO。其中，爐14具有形成密封內部的外殼16，所述密封內部基本上不含 氧(以防止燃燒)。代替氧，所述內部具有一定濃度的另一種氣體如氬氣或多種氣體的組 合。其中，所述外殼內部還包含坩堝18和其它構件，以基本上同時生長四個硅帶狀晶體10。 外殼16中的進料口 20提供了將硅給料導入內部坩堝18的手段，同時任選的窗口 22允許 檢查內部構件。 如圖所示，支撐在外殼16內的內部平臺上的坩堝18，具有基本上平坦的頂面。坩 堝18的這個實施方案具有伸長形狀，在沿其長度方向上有并排排列的用于生長硅的帶狀 晶體10的區域。在說明性實施方案中，所述坩堝18由石墨形成且以電阻加熱至能夠將硅 保持在其熔點以上的溫度下。為了改善結果，坩堝18的長度遠大于其寬度。例如，坩堝18 的長度可以為其寬度的三倍以上那么大。當然，在某些實施方案中，所述坩堝18不是這種 方式伸長。例如，坩堝18可以具有稍微方形的形狀或非矩形的形狀。 如圖2中所示以及下面更加詳細地描述，爐14具有多個用于接收線12的孔(以 幻影顯示)。具體地，圖2的爐14具有八個線孔24以接收四對線12。各對線12通過坩堝 18中熔融的硅，以形成帶狀晶體10。 所述線12與硅的潤濕角必須低得足以引起熔融的帶材料粘附到其外表面上。因 此，在商業的太陽能板中所使用的一些現有技術帶狀晶體，例如使用了與硅的潤濕角非常 小例如為約ll度以下的線。盡管足以用于許多應用，但是本領域人員很久以前就注意到， 這種線在最終產物中產生帶材料的許多小顆粒。不期望的是，這些小顆粒降低了晶體10最終形成的太陽能電池的電效率。 其它人嘗試解決本領域中這種長期需要解決的問題，但是均告失敗。例如，Ciszek 等人的題目為"Filament Materials For Edge_SupportedPulling of Silicon Sheet Crystals",由Solar Energy Research Institute,Golden Colorado于1982禾口 1983年公 布并且以該專利申請所提交的文章，對所述現象進行了研究。特別地，該文章討論了線與帶 材料的高接觸角(15度以上)，但承認了具有這種高接觸角的材料所帶來的收率問題。更具 體地，所述文章注意到了因線和帶材料之間熱膨脹系數不匹配而引起的破裂問題。所述文 章未提供解決這種問題的任何方案。 并不是解決所述問題，Ciszek等人的文章試圖控制它。特別地，所述文章教導了 使用由熱膨脹系數與帶材料(如用作硅帶材料的石英)不匹配的材料形成的高接觸角(與 硅)線材料。他們推斷，明顯的熱膨脹系數失配將使得線斷裂，暗示這是良好的結果。然而， 這種方案對于許多應用來說是非常不期望的。 因此，在Ciszek的研究數年之后，本發明人發現如何獲得與帶材料的熱膨脹系數 匹配且接觸角高的線的益處。為此，一般就各個不同的實施方案而言，本發明人通過遠離探 究Ciszek教導的方案而解決了這種長期需要解決的問題；S卩，具有匹配的熱膨脹系數和高 接觸角兩者的工程線。為此，本發明人在具有匹配的熱膨脹系數的基礎線部分26上施用了 具有有利接觸角的外部材料層。 更具體地，圖3A示意性顯示了可以根據本發明說明性實施方案形成的線12。圖 3B示意性顯示了一個實施方案的圖3A的線12沿剖線B-B的剖視圖，而圖3C示意性顯示 了另一個實施方案的線12的剖視圖。如圖所示，在兩個實施方案中，線12都具有由中心芯 28和基本上同心的耐火材料層30(本文中也稱作"耐火層30")形成的基礎線部分26。
在某些實施方案中，所述中心芯28為由常規擠出工藝形成的導電性碳。在其它實 施方案中，所述中心芯28由多個小的導電纖維(例如碳纖維)形成，所述導電纖維纏繞在 一起形成纖維束。而且，所述耐火材料層30可以由適用于給定應用的任意常規耐火材料形 成。例如，如果用于由硅形成光電池，則所述耐火材料層30可以由碳化硅形成。
線12的說明性實施方案還具有暴露的、非潤濕層32，當使用的線12呈圓形或類似 的對稱橫截面形狀時，所述層32大致也與所述芯28同心。其中，這種非潤濕層32可以為 碳、熱解碳/碳化物(例如石墨)、氧化物或氮化物。更具體地，合適的材料可以包括氧化鋁 或二氧化硅。優選為了形成這種非潤濕層32而選定的材料對坩堝18內的熔融硅僅具有可 忽略的污染影響。 本發明人發現，非常薄的非潤濕層32應當使其對基礎線部分26的熱膨脹系數的 影響最小化。而且，所述非潤濕層32應當厚得足以提供堅固的外表面，其能夠經得住帶狀 晶體制造工藝的要求。例如，總的橫截面尺寸為約140微米的線12能夠具有約1微米厚的 非潤濕層32。 盡管上面未明確描述，但是線12還可以具有在耐火材料層30的徑向外部的操縱 層34，以保持基礎線部分26的整體性。為此，形成操縱層34以對基礎線部分26提供小的 壓縮應力，由此提高總的線12的堅固性。因此，如果基礎線部分26產生裂紋，則操縱層34 的壓縮應力應當降低線12斷裂的可能性。其中，所述操縱層34可以為薄的碳層(例如，對 于具有通常已知尺寸的線來說， 一個或兩個微米厚)
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所述非潤濕層32可以直接集成在所述操縱層34內，如圖3B中所示。然而，替代 實施方案可以形成在操縱層34徑向外部的非潤濕層32，如圖3C中所示。另外其它的實施 方案可以在非潤濕層32和基礎線部分26之間形成其它層，或者省略所述操縱層34。
圖3B和3C顯示了橫截面形狀為大致圓形的線。然而，線12的各個不同的實施方 案可以具有不是大致圓形的橫截面形狀。例如，所述線12可以具有凹的橫截面形狀(例 如、十字形或"c"形)、伸長的橫截面形狀(例如橢圓或矩形)或者其它規則或不規則橫截 面形狀。如同在巻號3253/173和3253/174 (上面標識且并入)的待審專利申請中更加詳 細描述的，這些實施方案可提高所得的帶狀晶體10的堅固性。 應當注意，使用術語"非潤濕"層有點用詞不當，因為如果其真地非潤濕，則熔融的 帶材料不會粘附至其上。因此，能夠將上述非潤濕層32稱作減少潤濕層，或者可以是指下 列方式。 圖4A和4B圖示顯示了現有技術的線和根據本發明說明性實施方案構造的線12 之間的主要差別。具體地，圖4A示意性顯示了具有現有技術線12P的現有技術帶狀晶體10P 的一部分的剖視圖。這種現有技術帶狀晶體10P在線12P和更寬部分38之間具有薄的頸部 分36。如圖所示，帶材料接觸并看起來基本上覆蓋了線12P的整個外表面。不期望的是，這 種明顯的表面接觸產生了許多成核位點，所述成核位點因此形成了相對高體積的小顆粒。
圖4B示意性顯示了帶狀晶體10內的新線12。以與圖4A的帶狀晶體10P不同的 方式，這種構型的帶材料不與線12的整個外表面接觸。相反，所述帶材料僅與外表面的一 部分接觸，由此暴露了較大的剩余部分。因此，這個實施方案存在更少的成核位點，由此有 利地降低線12附近的小顆粒數量。換句話說，這個實施方案促進了線12附近的更大的顆 粒。結果，當與使用不含非潤濕層32的線12的線帶狀晶體相比時，所述線帶狀晶體10的 效率應當得到提高。 此外，如上所述，線12的直徑優選大于常用的現有技術的線的直徑。例如，更大的 線12的直徑可以為其對應線帶狀晶體10的平均厚度的約0. 75 2. 0倍。這種更大的直 徑應當有效增大線12附近區域中線帶狀晶體10的厚度。因此，線帶狀晶體10比使用更小 直徑的線的一些現有技術設計更不易斷裂。作為實例，單晶10的厚度可以為約140微米 250微米，且所述線12的厚度可以為這種厚度的0. 75 2. 0倍。 圖5顯示了形成具有線12的線帶狀晶體10的說明性方法，所述線12根據本發明 說明性實施方案而構造。所述方法從形成芯/襯底28的步驟500開始。如上所述，通過常 規的旋轉方法，能夠由碳形成芯28。然而，在其它實施方案中，所述芯28可以為線、絲或纏 繞在一起作為纖維束的多個小導電纖維。例如，纖維束的后制造工藝可通過已知的制造方 法如氧化、碳化或滲透而形成單絲。 在形成芯28之后，所述方法形成第一涂層/層，其充當上述耐火材料層30(步驟 502)。其中，所述第一涂層30可以包括碳化硅、鎢或碳化硅和鎢的組合。這種第一層可以 以多種常規方式，或者利用擠出、拉擠成型(pulltrusion)方法或耐火材料與聚合物成分 兩者的旋轉來形成，隨后對其進行烘烤。其中，在與擠出/拉擠成型結合的情況下，所述方 法可以使用碳、硅、碳化硅、氮化硅、鋁、莫來石、二氧化硅、BN粒子或與聚合物粘合劑混合的 纖維中的至少一種成分。這還可以涉及具有碳化硅、碳、硅中的至少一種的芯28與具有氧 化物、莫來石、碳和/或碳化硅中的至少一種的外殼的雙組份擠出。因此，所述芯28有效充當襯底，以支撐耐火材料層30。 由此，該步驟形成了基礎線部分26。應當重申，所述基礎線部分26可以由廣泛材 料如石墨纖維或纖維束、耐火材料如鎢或碳化硅或其組合中的任意一種材料來形成。事實 上，某些實施方案可以形成不含芯28的基礎線部分26。 在所述方法中的這一點上，所述基礎線部分26具有復合熱膨脹系數，所述復合熱 膨脹系數通常應當與帶材料的熱膨脹系數相匹配。具體地，線12的熱膨脹特性應當與帶材 料的熱膨脹特性充分良好地匹配，使得不會在界面處發展過量應力。如果在合理的隨后帶 狀晶體處理和加工步驟期間線12顯示了與帶分離的趨勢，或者如果線12顯示了從帶狀晶 體邊緣向外或向內巻曲的趨勢，則認為應力過量。 然后，所述方法繼續步驟504，在基礎線部分26上形成暴露的非潤濕/降低的層
32。如上所述，這種層還可以充當操縱層34且優選非常薄，使得其對總的線熱膨脹系數具
有可忽略的影響。例如，減少潤濕層32應當比耐火材料層30薄得多。 另外，如上所述，應當仔細控制通過這種層形成的外表面與帶材料的接觸角，以使
熔融的帶材料僅粘附到其一部分上(如圖4B中所示)。在使用熔融多晶硅的應用中，例如，
預期約15 120度的與硅的接觸角應當產生令人滿意的結果。大于25度的這種角可能產
生更好的結果。 在其它方式中，通過CVD法、浸涂或其它方法，可以形成非潤濕層32。例如，所述基 礎線部分26可以通過如下方式進行CVD涂布在沉積室內施用電接觸，同時供應所述基礎 線部分26通過所述室，由此加熱所述基礎線部分26自身。或者，可以通過穿過所述室的感 應加熱來加熱所述基礎線部分26。
用于完成該步驟的相關技術包括 在CVD爐的末端或在重繞期間，對二氧化硅或氧化鋁或含氧碳化硅進行溶膠凝 膠浸漬； 通過外部加熱石英并對基礎線部分26進行感應加熱而沉積的CVD非潤濕涂層；
利用隨后將被燒掉的聚合物粘合劑的噴射沉積； 在基礎線部分26或纖維束上搖動粒子，然后烘烤入所述基礎線部分或纖維束 中；禾口 利用耐火漿體(例如二氧化硅)或液體對基礎線部分26進行涂布，然后燒掉殘 余物。 在實施步驟504之前，某些實施方案形成了操縱層34，將所述操縱層34與制得的 非潤濕層32分離，如上所述。因此，在這種實施方案中，非潤濕層32基本上覆蓋了所述操 縱層34。更具體地，所述非潤濕層32覆蓋了所述操縱層34的外圓周表面。
然后，在步驟506中確定經涂布的線12是否具有延伸通過所述非潤濕層32的絲 (這種絲在本文中也稱作"須晶")。例如當絲的纖維束形成芯28時，能夠發生這種情況。 如果經涂布的線12具有須晶，則所述方法在步驟508將其剃除。然后，所述方法可以返回 至步驟504，其重新施加非潤濕層32。 或者，如果線12不含須晶，則所述方法繼續步驟510，其向爐14提供線12，如圖2 中所示。在這點上，對于形成的各個帶狀晶體，所述方法使兩根線12通過爐14和坩堝18， 由此形成線帶狀晶體10 (步驟512)。
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因此，說明性實施方案增加了線12附近的粒度，由此提高了帶狀晶體的電效率。 通過利用使熱膨脹系數相與帶材料匹配的技術，本發明人能夠實現該目標而不增加收率損失。 盡管上述討論公開了本發明的各個不同的示例性實施方案，但是本領域技術人員 能夠完成會實現本發明的某些優點而不背離本發明的真實范圍的各種修改應當是顯而易 見的。
權利要求
一種用于含晶體材料的線帶狀晶體的線，所述晶體材料為硅、硅-鍺、砷化鎵和磷化銦中的一種，所述線包含襯底；支撐在所述襯底上的耐火層；和與所述晶體材料的接觸角為約15～120度的外部暴露層，所述外部暴露層在所述耐火層的徑向外部。
2. 如權利要求1所述的線，其還包含在所述耐火層徑向外部的操縱層，所述操縱層向 所述耐火層施加大致徑向向內的力。
3. 如權利要求2所述的線，其中所述操縱層包含所述外部暴露層。
4. 如權利要求2所述的線，其中所述外部暴露層在所述操縱層的徑向外部。
5. 如權利要求1所述的線，其中所述外部暴露層包括熱解碳、氧化物和氮化物中的至 少一種。
6. 如權利要求1所述的線，其中所述外部暴露層與所述晶體材料的接觸角大于約25度。
7. 如權利要求1所述的線，其中所述襯底包括碳，所述耐火層包括碳化硅。
8. 如權利要求1所述的線，其中所述晶體材料具有材料熱膨脹系數，所述襯底、耐火層 和暴露層具有基本上與所述材料熱膨脹系數相匹配的復合熱膨脹系數。
9. 如權利要求1所述的線，其中所述暴露層比所述耐火層薄。
10. 如權利要求1所述的線，其中所述線的熱膨脹系數大致與多晶硅的熱膨脹系數相 匹配。
11. 一種用于線帶狀晶體的線，所述線包含 含耐火材料的基礎部分；禾口在所述耐火材料徑向外部的外部暴露層，所述基礎部分的熱膨脹系數大致與硅的熱膨 脹系數相匹配，所述外部暴露層與硅的接觸角為約15 120度。
12. 如權利要求11所述的線，其中所述基礎部分包含支撐碳化硅耐火層的碳基襯底。
13. 如權利要求11所述的線，其中所述外部暴露層包含操縱層。
14. 如權利要求11所述的線，其中所述外部暴露層包括碳、碳化物、氧化物和氮化物中 的至少一種。
15. —種帶狀晶體，其包含 具有線熱膨脹系數和外表面的線；禾口含主體材料的主體，所述主體材料具有大致與所述線熱膨脹系數相匹配的主體熱膨脹 系數，所述線外表面是部分暴露的。
16. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線的暴露部分不含主體材料。
17. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線外表面與所述主體材料的接觸角為約 15 120度。
18. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述主體材料包括多晶硅。
19. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線包含被支撐在襯底上且基本上完全覆 蓋該襯底的耐火材料。
20. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線包含支撐耐火層的襯底，所述線還包 含在所述耐火層的徑向外部的操縱層，所述操縱層向所述耐火層施加大致徑向向內的力。
21. 如權利要求20所述的帶狀晶體，其中所述操縱層包括所述線外表面。
22. 如權利要求20所述的帶狀晶體，其中所述線外表面在所述操縱層的徑向外部。
23. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線外表面包括熱解碳、氧化物和氮化物 中的至少一種。
24. 如權利要求15所述的帶狀晶體，其中所述線外表面與所述主體材料的接觸角大于 約25度。
25. —種形成用于帶狀晶體的線的方法，所述方法包括 在襯底上形成耐火層；以及從所述耐火層徑向向外施用減少潤濕材料，所述減少潤濕材料與硅的接觸角為約 15 120度。
26. 如權利要求25所述的方法，其還包括從所述耐火層徑向向外添加操縱層。
27. 如權利要求26所述的方法，其中所述操縱層包含所述減少潤濕材料。
28. 如權利要求26所述的方法，其中所述減少潤濕材料在所述操縱層的徑向外部。
29. 如權利要求25所述的方法，其中所述形成包括在所述襯底上擠出耐火材料。
30. 如權利要求25所述的方法，其中所述耐火層、襯底和減少潤濕材料具有基本上與 多晶硅相匹配的復合熱膨脹系數。
31. —種形成帶狀晶體的方法，所述方法包括 提供具有材料熱膨脹系數的熔融材料；提供具有外表面的線，所述外表面與所述熔融材料的接觸角為約15 120度，所述線 還具有基本上與所述材料熱膨脹系數相匹配的線熱膨脹系數；以及使所述線通過熔融材料以形成片。
32. 如權利要求31所述的方法，其中所述線包含被支撐在襯底上的耐火層。
33. 如權利要求32所述的方法，其中所述線包含在所述耐火層的徑向外部的操縱層。
34. 如權利要求33所述的方法，其中所述線的外表面包含所述操縱層。
35. 如權利要求33所述的方法，其中所述線包含在所述操縱層的徑向外部的減少潤濕 層，所述減少潤濕層包括所述線的外表面。
36. 如權利要求31所述的方法，其中所述材料包括硅基材料。
全文摘要
一種用于線帶狀晶體的線，具有含耐火材料的基礎部分和在所述耐火材料的徑向外部的外部暴露層。所述基礎部分的熱膨脹系數大致與硅的熱膨脹系數相匹配。所述外部暴露層與硅的接觸角為約15～120度。
文檔編號C30B15/34GK101785116SQ200880103885
公開日2010年7月21日 申請日期2008年8月29日 優先權日2007年8月31日
發明者丹尼爾·多布爾, 克里斯汀·理查森, 斯科特·賴特斯瑪, 理查德·華萊士, 黃衛東 申請人:長青太陽能股份有限公司