專利名稱：光學石英晶體單面長控制板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及光學級石英晶體單面長生長工藝中使用的器 械，直接涉及光學級石英晶體單面長生長工藝中用的控制板。
技術背景人造石英晶體生長工藝是釆用水熱溫差法在立式密封的高壓釜 內實現的。由于水熱溫差法生長石英晶體是在堿性溶液中生長又是在比較 復雜的物理化學條件下進行的，且其生長又是在密封的高壓釜內完成，因 此不能直接觀察到生長的全過程。而不同堿性溶液的配比，釜內填充度參 數的選取，高壓釜加熱時溫度、時間、壓力參數的控制等又都會對生長出 的石英晶體的等級產生重要影響。這就為該類課題的研究與試驗增加了難 度。不僅如此，工藝中所使用的器械也會對生長出的石英晶體的等級產生 重要影響。光學石英晶體單面長控制板就是與籽晶體緊密結合的器械，它
可以控制晶體朝著z軸的單一方向生長。當前，許多企業就在嘗試用控制
板提高石英晶體的生長質量，實踐中一般是采用單一結構的鐵板作為控制 板并將其連接籽晶后豎著懸掛于籽晶架上使用，這樣做雖然對液體的阻力 很小，然而這種結構和使用狀態也未真正對石英晶體的生長質量產生積極 的影響。
發明內容本實用新型的目的就是要提供一種改進的光學石英晶體單面 長控制板，它在光學級石英晶體單面長生長工藝中的應用并結合保持一定 的狀態，能有效地克服現有工藝釆用單一結構的鐵板作為控制板并將其連 接籽晶后豎著懸掛于籽晶架上存在的難以使石英晶體的生長質量提高的弊端。
本實用新型的目的是這樣實現的光學石英晶體單面長控制板，具有 主板，在主板的一個側邊與主板成直角設置副板。
作為本實用新型的進一步方案是所述主板與副板各自的邊角上分別 設置抹角。
本實用新型由于在主板的一個側邊與主板成直角設置了副板，因而當 主板水平布置時，隨著晶體朝著單一Z向的生長，比-X方向生長速率快一 倍的+X方向得到抑制，從而提高了晶體Z區的比例，晶體的可利用率大大
提高；同時由于主板的水平布置，晶體生長過程中隨著液體的上下流動，
包裹體會直接落在主板水平面之上，而失去了接近并進入生長晶體的機會， 從而使晶體的包裹體指標得到極大改善。
附圖是本實用新型的結構原理圖，
以下結合附圖對本實用新型 作進一步說明。
具體實施方式
附圖示出了本實用新型光學石英晶體單面長控制板的結
構，具有主板1，在主板1的一個側邊與主板1成直角設置副板3。作為一 種優選方案，所述主板1與副板3各自的邊角上分別再設置抹角2。使用 時，主板1下側面貼面連接籽晶，并將其水平放置于籽晶架上，每塊主板 1之間留有供液體流動的空隙在10亳米左右。
權利要求1.一種光學石英晶體單面長控制板，具有主板(1)，其特征是:在主板(1)的一個側邊與主板(1)成直角設置副板(3)。
2、 根據權利要求l所述的光學石英晶體單面長控制板，其特征是 所述主板(1)與副板(3)各自的邊角上分別設置抹角(2)。
專利摘要本實用新型公開了一種光學石英晶體單面長控制板，具有主板，在主板的一個側邊與主板成直角設置副板。本實用新型在使用時，主板水平布置，隨著晶體朝著單一Z向的生長，比-X方向生長速率快一倍的+X方向得到抑制，提高了晶體Z區的比例，晶體的可利用率大大提高；晶體生長過程中，隨著液體的上下流動，包裹體會直接落在主板水平面之上，而失去了接近并進入生長晶體的機會，從而使晶體的包裹體指標得到極大改善。
文檔編號C30B7/00GK201198499SQ200820021959
公開日2009年2月25日 申請日期2008年5月8日 優先權日2008年5月8日
發明者劉盛浦 申請人:劉盛浦