專利名稱：：一種覆銅板結構的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種覆銅板結構。
背景技術：
：現有的覆銅板(CCL)的生產成本構成中，大多數材料的成本難以降低，難以達到降低生產成本的目的。以使用比例最高的玻纖環氧基板為例，原材料占生產成本約7080%左右，其余則為人工、水電及折舊等難以降低的部分；在原材料成本中，玻纖布約占四成多、銅箔占近三成、環氧樹脂亦占近三成。其中玻纖布和銅箔由于主要依賴于上游原料廠家，可替代材料不多，并且現今國際石油價格節節攀高，，所以無法降低玻纖布和銅箔的成本。因此要降低覆銅板的生產成本，比較可行的方案是降低環氧樹脂的生產成本，從而達到降低覆銅板的生產成本的目的。
發明內容本發明的目的是對現有技術進行改進，提供一種覆銅板結構，可以，采用的技術方案如下本發明的一種覆銅板結構，包括兩層導體層，至少三層位于兩層導體層之間的絕緣介質層，其特征在于至少一層絕緣介質層為改進的絕緣介質層，改進的絕緣介質層由環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料組成，各組分的重量百分比含量為環氧樹脂60-90%，潛伏型固化劑1-15%，固化促進劑0.01-0.3%，填料5-25%。所述填料為無機粉末，無機粉末選自結晶硅微粉、氧化鋁粉、氫氧化鎂粉、氫氧化鋁粉、白堊粉(CaC03)、層狀硅酸鹽粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一種粉末。也就是說可以是其中的一種，也可以是其中的兩種或兩種以上。所述環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂，結構式如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>所述潛伏型固化劑為二氰二氨或芳香族二胺類固化劑。一種較優的方案，所述潛伏型固化劑選用二氰二氨，結構式如下:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>另一種方案，所述潛伏型固化劑為芳香族二胺類固化劑，所述芳香族二胺類固化劑種類選自4，4'-二氨基二苯甲烷(DDM)、4,4'-二氨基二苯醚(DDE)、4,4'-二氨基二苯砜(DDS)中的一種。所述固化促進劑是咪唑類促進劑，咪唑類促進劑選自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、N-甲基咪唑中的一種，首選2-甲基咪唑。為了更好的保證覆銅板的性能，所述改進的絕緣介質層與導體層之間的距離大于零。也就是說，改進的絕緣介質層不與導體層直接接觸，改進的絕緣介質層與導體層之間必定有一層沒有改進的絕緣介質層(也就是現有技術所采用的絕緣介質層)。這是因為如果直接使用含有填料的絕緣介質層壓制覆銅板，會出現銅箔結合力差，剝離強度下降、熱沖擊性能降低等缺點，這不但影響到覆銅板的性能，而且也會在后續的印制電路板制程中出現鉆孔披峰大等缺陷，導致填料在覆銅板的生產中的應用不是很廣泛。所述所有絕緣介質層的厚度為60—250pm。也就是說，改進的絕緣介質層的厚度為60—250pm，而其它的絕緣介質層的厚度也為60—250,。所述改進的絕緣介質層的數目至少為兩個，并且至少兩個改進的絕緣介質層所采用的填料有差別。也就是說至少兩個改進的絕緣介質層所采用的填料選用的成分不完全一樣。本發明對照現有技術的有益效果是，制作出來的覆銅板和不含填料的覆銅板性能相差不大，但是卻有效降低了制作成本，并且對覆銅板的生產過程沒有作出多大的改變，不需要對生產設備作出特定的修改，有利于推廣。圖l是實施例l的結構示意圖2是實施例2的結構示意圖。具體實施方式實施例1如圖1所示，覆銅板各層的結構從下到上依次為銅箔1、不含填料的第一絕緣介質層2、第一改進的絕緣介質層3、第二改進的絕緣介質層4、第三改進的絕緣介質層5、第四改進的絕緣介質層6、第五改進的絕緣介質層7、第六改進的絕緣介質層8、不含填料的第二絕緣介質層9、銅箔10。第一絕緣介質層2的厚度為250pm、第一改進的絕緣介質層3的厚度為250)am、第二改進的絕緣介質層4的厚度為210,、第三改進的絕緣介質層5的厚度為lOO)im、第四改進的絕緣介質層6的厚度為130pm、第五改進的絕緣介質層7的厚度為60pm、第六改進的絕緣介質層8的厚度為160)im、第二絕緣介質層9的厚度為200pm。第一改進的絕緣介質層3、第二改進的絕緣介質層4、第三改進的絕緣介質層5、第四改進的絕緣介質層6、第五改進的絕緣介質層7、第六改進的絕緣介質層8的組分均相同，均包括環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料，填料為結晶硅微粉，平均粒徑為6.5,。環氧樹脂為GEBR454A80。GEBR454A80是一種雙酚A環氧樹脂，購自廣州宏昌電子材料工業有限公司，環氧當量為430g/Eq。潛伏型固化劑為二氰二氨(DICY)，促進劑為2-甲基咪唑(2-MI)。上述物質的配比見表l所列表1<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>實施例2如圖2所示，覆銅板各層的結構從下到上依次為銅箔l'、不含填料的第一絕緣介質層2'、第一改進的絕緣介質層3'、第二改進的絕緣介質層4'、不含填料的第二絕緣介質層5'、不含填料的第三絕緣介質層6'、第三改進的絕緣介質層7'、第四改進的絕緣介質層8'、不含填料的第四絕緣介質層9'、銅箔10'。上述所有絕緣介質層的厚度均為200pm。第一改進的絕緣介質層3'、第二改進的絕緣介質層4'的組分相同，均包括環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料，填料為滑石粉，滑石粉平均粒徑為0.8um。環氧樹脂為GEBR454A80。GEBR454A80是一種雙酚A環氧樹脂，購自廣州宏昌電子材料工業有限公司，環氧當量為430g/Eq。潛伏型固化劑為4,4'-二氨基二苯砜，促進劑為2-乙基-4-甲基咪唑。上述物質的配比見表2所列<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>第三改進的絕緣介質層7'包括環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料，填料為氫氧化鎂，平均粒徑為10iim。環氧樹脂為GEBR454A80。GEBR454A80是一種雙酚A環氧樹脂，購自廣州宏昌電子材料工業有限公司，環氧當量為430g/Eq。潛伏型固化劑為4,4'-二氨基二苯醚，促進劑為N-甲基咪唑。上述物質的配比見表3所列<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>第四改進的絕緣介質層8'包括環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料。填料為云母粉，平均粒徑為10um。環氧樹脂為GEBR454A80。GEBR454A80是一種雙酚A環氧樹脂，購自廣州宏昌電子材料工業有限公司，環氧當量為430g/Eq。潛伏型固化劑為4,4'-二氨基二苯甲烷，促進劑為2-甲基咪唑(2-MI)。上述物質的配比見表4所列<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>權利要求1、一種覆銅板結構，包括兩層導體層、至少三層位于兩層導體層之間的絕緣介質層，其特征在于至少一層絕緣介質層為改進的絕緣介質層，改進的絕緣介質層由環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料組成，各組分的重量百分比含量為環氧樹脂60-90％，潛伏型固化劑1-15％，固化促進劑0.01-0.3％，填料5-25％。2、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述填料為無機粉末，無機粉末選自結晶硅微粉、氧化鋁粉、氫氧化鎂粉、氫氧化鋁粉、白堊粉、層狀硅酸鹽粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一種粉末。3、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述環氧樹脂為雙酚A型環氧樹脂，結構式如下潛伏型固化劑、固化促進劑、60-90%，1-15%，0.01-0.3%，5-25%。o/\CHO/\4、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述潛伏型固化劑選用二氰二氨，結構式如下NHH5、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述潛伏型固化劑為芳香族二胺類固化劑，所述芳香族二胺類固化劑選自4,4'-二氨基二苯甲烷、4，4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯砜中的一種。6、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述固化促進劑是咪唑類促進劑，咪唑類促進劑選自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、N-甲基咪唑中的一種。7、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述改進的絕緣介質層與導體層之間的距離大于零。8、如權利要求7所述的覆銅板結構，其特征在于所述改進的絕緣介質層的數目至少為兩個，并且至少兩個改進的絕緣介質層所采用的填料有差別。9、如權利要求1所述的覆銅板結構，其特征在于所述所有絕緣介質層的厚度為60—250(am。全文摘要一種覆銅板結構，包括兩層導體層，至少三層位于兩層導體層之間的絕緣介質層，至少一層絕緣介質層為改進的絕緣介質層，改進的絕緣介質層由環氧樹脂、潛伏型固化劑、固化促進劑、填料組成，各組分的重量百分比含量為環氧樹脂60-90％，潛伏型固化劑1-15％，固化促進劑0.01-0.3％，填料5-25％。所述填料為無機粉末，無機粉末選自結晶硅微粉、氧化鋁粉、氫氧化鎂粉、氫氧化鋁粉、白堊粉、層狀硅酸鹽粉末、重晶石粉末、海泡石粉、滑石粉、云母粉中至少一種粉末。本發明對照現有技術的有益效果是，制作出來的覆銅板和不含填料的覆銅板性能相差不大，卻有效降低了制作成本，并且不需要對生產設備作出特定的修改，有利于推廣。文檔編號H05K1/02GK101415296SQ20081021955公開日2009年4月22日申請日期2008年11月24日優先權日2008年11月24日發明者何志球,郭瑞珂,黃吉軍申請人:廣東汕頭超聲電子股份有限公司覆銅板廠