專利名稱：配線基板以及制造配線基板的方法
技術領域：
本發明涉及配線基板以及制造配線基板的方法。更具體地說，本發明涉及以下配線基板以及制造該配線基板的方法，即該配線基板具有能夠防止變形或者減少變形量的多層結構。
背景技術：
最近，隨著使用例如半導體芯片等半導體器件的電子器件的尺寸減小和性能增強，促進了半導體器件的集成度提高、插腳數量增加和尺寸減小。使用利用積層方法制造的多層配線基板作為上面安裝有多插腳且小型化的半導體器件的基板。
在這種多層配線基板中，芯層為例如玻璃布基覆銅層壓板等增強部件，絕緣層和配線層交替地形成在芯層的兩個表面上(例如參見
JP-A-2000-261147)。圖11是示出多層配線基板110的示意性構造的橫截面圖。如圖11所示，多層配線基板110具有如下構造，艮口絕緣層113和配線層114分層形成在其中具有導通孔112的芯基板111的兩個表面上。形成在芯基板111的上部和下部的配線層114經由導通孔112相互電連接。
順便提及，由于用作安裝基板的多層配線基板的厚度減小而導致剛性降低，所以當把例如半導體器件等電子部件安裝到安裝基板上時，電子部件和多層配線基板的彈性特性相互結合。結果，在上面安裝有電子部件的配線基板中產生變形。
特別是，當在配線基板中產生例如翹曲等變形時，這種變形會導致在工廠里的電子部件安裝步驟的基板自動傳送操作過程中出現傳送操作錯誤或者基板損壞。由于現在己經需要進一步減小半導體封裝的尺寸，所以會隨著配線基板厚度的減小而頻繁出現錯誤。因此，由于基板厚度減小而很難提高電氣性能和降低封裝的成本。
發明內容
本發明的示例性實施例針對上述缺點和上面沒有描述的其他缺點。然而，并不要求本發明克服上述缺點，因此，本發明的示例性實施例可能沒有克服上述問題中的任何問題。
因此，本發明的一個方面是提供以下配線基板以及制造該配線基板的方法，即該配線基板能夠防止例如翹曲等變形或者顯著減少變形量。根據這種配線基板，在電子部件安裝步驟中，可以防止在傳送操作和安裝操作中因變形而引起錯誤。
根據本發明的一個或多個方面，提供一種配線基板。該配線基板包括芯層，在所述芯層中形成有間隙；以及疊層，其形成在所述芯層的至少一個表面上并且包括絕緣層和配線層。所述疊層的熱膨脹系數與所述芯層的熱膨脹系數不同。在所述疊層上相互間隔地設置有多個安裝區域，在所述多個安裝區域上面將要安裝電子部件。所述芯層的間隙填充有材料與所述絕緣層的材料相同的絕緣部件，并且包圍所述多個安裝區域中的每一個安裝區域或者包圍包括一個或多個安裝區域的安裝區域組中的每一個安裝區域組。
根據本發明的一個或多個方面，在所述疊層中與所述絕緣部件相對應地設置有凹槽部分。
根據本發明的一個或多個方面，穿過所述絕緣部件和所述疊層形成切口部分和孔部分中的至少之一。
根據本發明的一個或多個方面，所述疊層形成在所述芯層的兩個表面上。
根據本發明的一個或多個方面，所述芯層由預浸漬材料形成，所述絕緣層由樹脂材料形成。
根據本發明的一個或多個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括所述配線基板；以及安裝在所述安裝區域上的電子部件。
根據本發明的一個或多個方面，提供一種制造配線基板的方法，該方法包括(a)提供芯層，所述芯層包括板形部件；導通孔，其形成在所述板形部件中；以及配線圖案，其形成在所述板形部件上
5并且每一個配線圖案都與所述導通孔中的一個對應導通孔連接；(b) 在所述芯層中形成間隙，使得所述間隙包圍所述配線圖案中的每一個 配線圖案、或者包圍包括一個或多個配線圖案的配線圖案組中的每一 個配線圖案組；(C)將所述芯層布置在絕緣部件上，所述絕緣部件 的熱膨脹系數與所述板形部件的熱膨脹系數不同；(d)形成絕緣層， 從而覆蓋所述芯層并填充所述間隙；以及(e)在所述絕緣層上形成 配線層，從而在所述芯層上形成包括所述絕緣層和所述配線層的疊 層。
根據本發明的一個或多個方面，所述方法還包括(f)在所述 疊層中與所述間隙的形成區域相對應地形成凹槽部分。
根據本發明的一個或多個方面，所述方法還包括(g)與所述
間隙的形成區域相對應地形成切口部分和孔部分中的至少之一。
根據下面的描述、附圖和權利要求書可以明白本發明的其他方 面和優點。
圖1是示出根據本發明第一示例性實施例的配線基板的示意圖； 圖2是示出圖l所示配線基板的橫截面圖(局部放大圖)； 圖3是示出根據本發明第二示例性實施例的配線基板的示意圖； 圖4是示出圖3所示配線基板的橫截面圖(局部放大圖)； 圖5是示出根據本發明第三示例性實施例的配線基板的示意圖； 圖6是示出圖5所示配線基板的橫截面圖(局部放大圖)； 圖7是示出圖5所示配線基板的修改實例的示意圖(俯視圖)； 圖8A至圖8F是示出制造根據本發明示例性實施例的配線基板
的方法的說明圖9A至圖9E是示出制造根據本發明示例性實施例的配線基板
的方法的說明圖IO是示出通過這種方法制造的配線基板的示意圖；以及
圖11是示出現有技術的配線基板的示意圖。
具體實施例方式
下面，將參考附圖詳細描述本發明的示例性實施例。圖1是示
出根據本發明示例性實施例的配線基板1的示意圖(俯視圖)。圖2 是示出圖l所示配線基板1的橫截面圖(間隙9附近的局部放大圖)。 圖3是示出根據本發明第二示例性實施例的配線基板1的示意圖(俯 視圖)。圖4是示出圖3所示配線基板1的橫截面圖(間隙9附近的 局部放大圖)。圖5是示出根據本發明第三示例性實施例的配線基板 1的示意圖。圖6是示出圖5所示配線基板1的橫截面圖(間隙9附 近的局部放大圖)。圖7是示出圖5所示配線基板1的修改實例的示 意圖(俯視圖)。圖8A至圖8F是示出制造根據本發明示例性實施 例的配線基板1 (具體為芯層10)的方法的說明圖。圖9A至圖9E 是示出制造根據本發明示例性實施例的配線基板1的方法的說明圖。 圖10是示出通過這種方法制造的配線基板1的示意圖。另外，關于 附圖中的附圖標記，附圖標記5在整體上表示附圖標記5a、 5b等(這 同樣適用于其他附圖標記)。
以在芯層IO上層疊表面層3的方式形成配線基板1。這里，表 面層3是上面層疊有配線層的絕緣層，該表面層相當于形成配線基板 1的表面的層。另外，阻焊劑52和59涂布在表面層3的某些位置上。
如圖2的橫截面圖(局部放大圖)所示，以在芯層10的兩個表 面上層疊中間層4和表面層3的多層配線基板作為根據本發明示例性 實施例的配線基板1的例子。和表面層3—樣，中間層4為上面層疊 有配線層的絕緣層。在本實施例中，在芯層10的上部和下部層疊了 一個中間層4，但是，如果需要，可以在芯層10的上部和下部層疊 多個中間層4。
另外，配線基板1不限于上述構造，而且可以不設置中間層4， 或者僅在芯層10的一個表面上層疊中間層4。
更具體地說，在配線基板l的構造中，在芯層10的上表面上形 成配線層ll，在配線層11上形成絕緣層12。另外，在絕緣層12上 形成配線層13。按照相同的方式，在配線層13上形成絕緣層14，在 絕緣層14上形成配線層15。此外，阻焊劑59涂布在絕緣層14和配
7線層15的某些位置。
另外，在芯層10的下表面上形成配線層21，在配線層21上形 成絕緣層22。另外，在絕緣層22上形成配線層23。按照相同的方式， 在配線層23上形成絕緣層24，在絕緣層24上形成配線層25。此外， 阻焊劑52涂布在絕緣層24和配線層25的某些位置。
另外，術語"配線層"包括使各層相互連接的"導通孔"和以 某些形狀形成的"配線圖案"。例如，配線層13包括導通孔13a和 配線圖案13b。
下面將描述形成各層的材料。
首先，例如使用預浸漬材料作為形成芯層10的材料。預浸漬材 料為如下成型材料在該成型材料中，用熱固性樹脂滲入例如碳和玻 璃等纖維增強件，并且該成型材料的特點是熱固處理后的剛性大于普 通積層樹脂材料的剛性。
接下來，例如使用具有熱固性的基于環氧樹脂的積層樹脂材料 作為形成表面層3和中間層4的材料。
另外，對于形成表面層3和中間層4的示例性配線層，可以使 用銅(Cu)作為導電材料。
同樣，因為芯層和表面層(或者，表面層和中間層)分別由具 有不同熱膨脹系數的材料形成并且需要減少基板厚度，所以會出現制 成的配線基板l變形(具體而言，彎曲)的問題。
根據本發明示例性實施例，如圖1的俯視圖所示，與各個電子 部件安裝區域或者與包括多個安裝區域的各個安裝區域組對應地分 割芯層。另外，出于描述方便的考慮描繪了圖1的俯視圖，以便理解 多層配線基板的組成部分在垂直于平面的方向(與各層的表面垂直的 方向)上的相互位置關系。
例如，在附圖中，電子部件安裝區域2是由附圖標記5所表示 的正方形區域并且以虛線示出。因此，作為分割芯層的方法，例如， 芯層10a-10h中的每一個芯層都可以與對應的一個安裝區域5a-5h相 對應地設置。(例如，芯層10a與安裝區域5a相對應)。另外，例 如，芯層lOi-101中的每一個芯層都可以與對應的一個安裝區域組6a-6d相對應地設置，這些安裝區域組中的每一個安裝區域組都具有 四個安裝區域。(例如，芯層10i與安裝區域組6a相對應)。此外， 例如，芯層10m和10n可以與對應的一個安裝區域組7a和7b相對應 地設置，這些安裝區域組中的每一安裝區域組都具有十六個安裝區 域。
如圖2的橫截面圖(局部放大圖)所示，間隙9設置在彼此相 鄰的一個芯層與另一個芯層之間。在本實施例中，用絕緣層12的成 型材料填充間隙9。這里，間隙9沒有將芯層完全分割開，由間隙9 與多個安裝區域中的各個安裝區域相對應地分割的芯層在某些位置 通過連接部分(在下面描述的分割步驟中沒有被分割開的芯層部分) 相互連接。另外，不具體限制間隙9 (在面內方向上的相鄰芯層之間 的間隙)的寬度，而是可以根據配線基板1的厚度等適當設置該寬度。
如上文所述，因為在相鄰芯層之間設置有填充部分并且該填充 部分由剛性相對低于芯層剛度的絕緣層成型材料形成，所以可以防止 配線基板1彎曲成典型的凸起形狀，或者可以顯著地減少變形量。
另外，在根據本發明第二示例性實施例的配線基板1中，如圖3 的俯視圖所示，在表面層3的整個表面或部分表面中，在垂直于平面 的方向上與間隙9的形成區域相對應地設置凹槽部分31。
在本實施例中，凹槽部分31在垂直于平面的方向上與間隙9的 形成區域相對應地設置在表面層3的整個表面中(見圖3)，但是該 凹槽部分可以設置在某些位置。這里，出于描述方便的考慮描繪了圖 3，其中同時存在具有不同尺寸的芯層。
另外，不具體限制凹槽部分31的寬度和深度，而是可以根據配 線基板1的厚度等適當設置該寬度和深度。此外，不具體限制凹槽的 形狀，根據凹槽的形成方法，該形狀可以為各種形狀，例如U形和V 形。
如圖4的橫截面圖(局部放大圖)所示，因為設置了凹槽部分 31，所以可以減小基板的位于間隙9所在位置處的厚度。因此，與根 據第一示例性實施例的構造的絕緣層成型材料的剛性相比，填充在間 隙9中的絕緣層成型材料的剛性可以進一步降低。因此，可以進一步防止配線基板1彎曲成凸起形狀，或者可以顯著地減小變形量。
另外，在根據第三示例性實施例的配線基板1中，如圖5的俯
視圖所示，在配線基板1的在垂直于平面的方向上與間隙9的形成區 域相對應的局部位置處設置切口部分33和孔部分35這兩者中至少之 一。另外，出于描述方便的考慮描繪了圖5，其中既提供切口部分33 又提供孔部分35。
在本實施例中，切口部分33設置于在垂直于平面的方向上與間 隙9的形成區域相對應的局部位置處，更具體地說，切口部分33設 置成從配線基板1的外邊緣部分一直到某一長度的切口位置為止。另 外，孔部分(通孔)35可以與切口部分33—起設置在某些位置，或 者可以代替切口部分33。孔部分35的形狀不限于圖5所示的矩形， 而是可以使孔部分35形成一個或多個圓孔。
另外，不具體限制切口部分33和孔部分35在面內方向上的寬 度和長度，而是可以根據配線基板1的厚度等適當設置該寬度和長 度。
如圖6的橫截面圖(局部放大圖)所示，在設置有切口部分33 的位置處，相鄰的芯層彼此分開，從而不允許配線基板處于變形形狀。 另一方面，在沒有設置切口部分33的位置處，會在填充于相鄰芯層 之間的間隙9中的絕緣層成型材料中產生應力集中，并且重力施加在 配線基板上，從而容易使配線基板處于平直的形狀。
因此，與根據第二示例性實施例的構造的配線基板相比，可以 進一步防止配線基板1彎曲成凸起形狀，或者可以更加顯著地減少變
同時，根據圖7所示的修改實例，因為對切口部分33的切口起 始部分進行斜切，所以防止在傳送基板時基板被承載體掛住，從而可 以防止在傳送操作中出現錯誤。另外，如果將配線基板1的四個角都 斜切，則效果更佳。
另外，凹槽部分、切口部分和孔部分中兩者或三者可以相互組
合°
隨后，將參考圖8-圖IO描述制造根據本發明的配線基板1的方法。這里，將以具有多層結構的配線基板1作為例子，其中該多層結 構具有層疊在芯層10的兩個表面上的多個配線層和絕緣層。另外， 圖8-圖10的各個附圖是基板在相應制造步驟中的橫截面圖。
為了制造配線基板l，首先，制備圖8A所示的呈一張薄片形狀 的芯材61。芯材61具有以下構造，即在絕緣材料62的上表面上 設置銅箔63，在絕緣材料62的下表面上設置銅箔73。如上文所述， 絕緣材料62由預浸漬材料等形成。
通過絲網印刷法、光敏樹脂膜層壓法或涂布法將由光敏樹脂材 料形成的光致抗蝕劑設置在芯材61上。接下來，通過下面的方式進 行圖案化處理，即通過使光束經由掩模圖案(未示出)照射在光致 抗蝕劑上來進行曝光，從而在設置下述導通孔lla的位置形成開口。
然后，通過使用圖案化的光致抗蝕劑作為掩模對銅箔(在本實 施例中為形成在上表面上的銅箔63)的一個表面進行蝕刻。隨后， 當去除了光致抗蝕劑時，如圖8B所示，在設置導通孔lla的位置形 成激光口 64。
隨后，當使用具有激光口 64的銅箔63作為掩模進行激光處理 時，如圖8C所示，在絕緣材料62中形成導通孔開口 65。作為選擇， 可以通過對銅箔63直接進行激光處理的方式在絕緣材料62中形成導 通孔開口 65。
通過無電鍍銅法在銅箔73的表面上與導通孔開口 65相對應地 形成種晶層(未示出)作為導電通路。隨后，當形成種晶層時，進行 電解鍍銅，并且如圖8D所示，在導通孔開口 65中形成導通孔lla。
隨后，通過絲網印刷法、光敏樹脂膜層壓法或涂布法將由光敏 樹脂材料形成的光致抗蝕劑形成在具有導通孔lla的芯材61的兩個 表面上。隨后，通過下面的方式進行圖案化處理，即通過使光束經 由掩模圖案(未示出)照射在光致抗蝕劑上來進行曝光，然后去除除 了設置配線圖案llb和21b的位置以外的區域中的光致抗蝕劑。
隨后，使用圖案化的光致抗蝕劑作為掩模對銅箔63進行蝕刻。 隨后，當去除光致抗蝕劑時，如圖8E所示，形成包括導通孔lla和 配線圖案lib的配線層11、以及包括與導通孔lla連接的配線圖案
1121b的配線層21，從而制成具有一體結構的芯層10。
隨后，如圖8F所示，進行下面的步驟，即把具有一體結構的
芯層10分割成與各個電子部件安裝區域或包括多個電子部件安裝區
域的各個電子部件安裝區域組相對應的尺寸。在本實施例中，雖然通 過穿孔法進行分割步驟，但是可以通過切割法進行分割步驟。 隨后，將描述制造具有如下多層結構的配線基板1的步驟，其
中，在按照上述方式分割開的芯層10的兩個表面上層疊有多個配線
層和絕緣層。
首先，如圖9A所示，制備例如樹脂膜等呈一張薄片形狀的絕緣 層22(第一絕緣層)。另外，如上文所述，絕緣層22由具有熱固性 的基于環氧樹脂的積層樹脂材料形成。
接下來，如圖9B所示，將分割開的芯層10安置在絕緣層22上 表面的某些位置。此時，如果需要，芯層10可以粘接在絕緣層22 上。對于安置芯層10的方法，例如，可以想到按照與將電子部件安 裝到配線基板上的方法相同的方式進行定位和安置操作。
接下來，如圖9C所示，在將分割開的芯層IO安置或粘接到絕 緣層22上的狀態下，形成絕緣層12 (第二絕緣層)，以覆蓋芯層10 和在芯層10中形成的間隙9。例如，通過熱固性環氧樹脂涂布法或 樹脂膜疊層法在芯層10的上表面上形成絕緣層12 (積層)。
隨后，在絕緣層22上形成配線層23，在絕緣層12上形成配線 層13。另外，下面的步驟僅為制造方法的實例。例如，當然也可以 執行制造上述芯層的方法，也就是說，按照與上述方式相同的方式進 行銅箔蝕刻。
另外，在下面的步驟中，在夾著芯層10的上層和下層上整體地 進行處理。
如圖9D所示，通過激光處理，在絕緣層22的與將要形成導通 孔23a的區域相對應的部分中形成導通孔開口 66，在絕緣層12的與 將要形成導通孔13a的區域相對應的部分中形成導通孔開口 67。
接下來，通過鍍覆，在絕緣層22和12上分別形成配線層23和 13。也就是說，在絕緣層22和12的導通孔開口 66和67中分別形成
12導通孔23a和13a，在絕緣層22和12的最外表面上分別形成配線圖 案23b和13b。此時，配線圖案23b和13b與導通孔23a和13a—體 地連接，從而形成配線層23和13。
具體地說，通過無電鍍法在絕緣層22和12的最外表面上形成 種晶層。隨后，通過光刻法形成分別與配線圖案llb和21b相對應的 抗蝕圖案(未示出)。隨后，通過使用抗蝕圖案作為掩模的電解電鍍 法沉積銅(Cu)。隨后，去除抗蝕圖案和不必要的種晶層。因此， 如圖9E所示，形成包括導通孔23a和配線圖案23b的配線層23、以 及包括導通孔13a和配線圖案13b的配線層13。
如上文所述，在形成絕緣層22和12以及配線層23和13之后， 隨后形成絕緣層24和14以及配線層25和15。因為形成絕緣層24 和14以及配線層25和15的方式與形成絕緣層22和12以及配線層 23和13的方式相同，所以這里將不再對其進行描述。
隨后，通過絲網印刷法等方法在絕緣層24和14上形成阻焊劑 52和59。隨后，通過下面的方式進行圖案化處理，即通過使光束 經由掩模圖案(未示出)照射在阻焊劑52和59上來進行曝光，從而 形成開口 68和69。配線圖案25b和15b分別與形成開口 68和69的 位置相對。因此，在形成有阻焊劑52和59的狀態下，配線圖案25b 和15b分別從開口 68和69露出。另外，可以通過利用絲網印刷法印 刷熱固性樹脂材料(例如環氧樹脂)的方式形成分別具有開口 68和 69的阻焊劑52和59。
通過進行上述一系列步驟，制成了圖10所示的配線基板1。
接下來，將描述在配線基板1中形成凹槽部分31的步驟。例如， 可以通過所謂的半切塊法在配線基板1的表面層3中形成凹槽部分 31，在這種半切塊法中，利用切塊裝置對圖IO所示的配線基板1進 行切割并切割到某一位置。
又如，可以通過下面的方法在配線基板1的表面層3中形成凹 槽部分31，即按照與上述方式相同的方式在阻焊劑上形成開口。
按照這種方式，制成了圖3所示的具有凹槽部分31的配線基板此外，還將描述制成配線基板1的切口部分33的步驟。例如，
可以通過下面的方式在配線基板1中形成切口部分33， §卩進行切
塊，使得從外圍邊緣部分切割圖IO所示的配線基板1 一直到某一位
置為止。也就是說，可以在與大致呈矩形形狀的配線基板1的外圍邊
緣垂直的方向上沿著間隙9形成切口部分。同時，如果在配線基板1 中形成孔部分35，例如，可以通過利用鉆孔裝置對圖IO所示配線基 板1的某些位置進行鉆孔，在配線基板1中形成孔部分35。按照這 種方式，制成了圖5所示的具有切口部分33和孔部分35兩者中至少 之一的配線基板1。
另外，在上述制造多層配線基板1的方法中，己經描述了由彼 此相鄰的兩個分開的芯層IO制成一個配線基板1的情況，但實際上 可以獲得多個配線基板l。也就是說，可以這樣形成單獨的配線基板 1，即在彼此相鄰的多個分開的芯層IO上形成多個配線基板1，然 后將多個配線基板1分成多塊。因此，可以提高制造方法的效率。
如上文所述，根據本發明示例性實施例的配線基板以及制造配 線基板的方法，可以防止配線基板彎曲，或者可以顯著地減少基板的 變形量。因此，在將電子部件安裝到配線基板上的過程中，可以防止 在傳送操作和安裝操作時因配線基板變形而引起的錯誤。
另外，雖然特別以容易發生例如翹曲等變形的多層配線基板作 為例子，但是本發明的示例性實施例不限于此，而是可以應用于不同 類型的配線基板。
雖然已經參考本發明的一些示例性實施例示出并描述了本發 明，但是本領域技術人員應當理解，在不脫離所附權利要求書限定的 本發明的精神和范圍的情況下，可以對本發明進行各種形式和細節上 的變化。因此，所附權利要求書旨在涵蓋落入本發明實質精神和范圍 內的所有這些變化和修改。
本申請要求2007年12月19日提交的日本專利申請 No.2007-327499的優先權，在此通過引用方式將該日本專利申請的 全部內容并入本文。
權利要求
1. 一種配線基板，包括芯層，在所述芯層中形成有間隙，以及疊層，其形成在所述芯層的至少一個表面上并且包括絕緣層和配線層，所述疊層的熱膨脹系數與所述芯層的熱膨脹系數不同，在所述疊層上相互間隔地設置有多個安裝區域，在所述多個安裝區域上面將要安裝電子部件，其中，所述芯層的間隙填充有材料與所述絕緣層的材料相同的絕緣部件，并且包圍所述多個安裝區域中的每一個安裝區域，或者包圍包括一個或多個安裝區域的安裝區域組中的每一個安裝區域組。
2. 根據權利要求1所述的配線基板，其中，在所述疊層中與所述絕緣部件相對應地設置有凹槽部分。
3. 根據權利要求1所述的配線基板，其中，穿過所述絕緣部件和所述疊層形成切口部分和孔部分中 的至少之一。
4. 根據權利要求1所述的配線基板，其中，所述疊層形成在所述芯層的兩個表面上。
5. 根據權利要求1所述的配線基板，其中，所述芯層由預浸漬材料形成，所述絕緣層由樹脂材料形成。
6. —種半導體器件，包括根據權利要求1所述的配線基板；以及 安裝在所述安裝區域上的電子部件。
7. —種制造配線基板的方法，所述方法包括(a) 提供芯層，所述芯層包括板形部件；導通孔，其形成在所述板形部件中；以及配線圖案，其形成在所述板形部件上，并且每一個配線圖案都與所述導通孔中的一個對應導通孔連接；(b) 在所述芯層中形成間隙，使得所述間隙包圍所述配線圖案中的每一個配線圖案，或者包圍包括一個或多個配線圖案的配線圖案組中的每一個配線圖案組；(C)將所述芯層布置在絕緣部件上，所述絕緣部件的熱膨脹系數與所述板形部件的熱膨脹系數不同；(d) 形成絕緣層，使其覆蓋所述芯層并填充所述間隙；以及(e) 在所述絕緣層上形成配線層，從而在所述芯層上形成包括所述絕緣層和所述配線層的疊層。
8. 根據權利要求7所述的方法，還包括(f) 在所述疊層中與所述間隙的形成區域相對應地形成凹槽部分。
9. 根據權利要求7所述的方法，還包括(g) 與所述間隙的形成區域相對應地形成切口部分和孔部分中的至少之一。
全文摘要
本發明提供了一種配線基板以及制造配線基板的方法。所述配線基板包括芯層，在所述芯層中形成有間隙，以及疊層，其形成在所述芯層的至少一個表面上并且包括絕緣層和配線層。所述疊層的熱膨脹系數與所述芯層的熱膨脹系數不同。在所述疊層上相互間隔地設置有多個安裝區域，在所述多個安裝區域上面將要安裝電子部件。所述芯層的間隙填充有材料與所述絕緣層的材料相同的絕緣部件，并且包圍多個安裝區域中的每一個安裝區域，或者包圍包括一個或多個安裝區域的安裝區域組中的每一個安裝區域組。
文檔編號H05K3/46GK101466208SQ20081018647
公開日2009年6月24日 申請日期2008年12月19日 優先權日2007年12月19日
發明者倉持俊幸 申請人:新光電氣工業株式會社