專利名稱：高溫晶體生長裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種高溫晶體生長裝置，尤其涉及一種用于2000"C以上 高溫晶體生長裝置。
背景技術：
如圖1所示，現有的高溫晶體生長裝置從上至下依次包括坩堝1、保 溫層2、子晶桿3。子晶桿3為不銹鋼圓桿。坩堝l、子晶桿3都與保溫 層2之間相互接觸良好，使坩堝1的熱量通過保溫層2傳遞給子晶桿3。 坩堝1內裝有用于生長的高溫晶體材料。 一般使用石墨、鉬、氧化鋯等 作為保溫層，氧化鋯同時可起絕緣作用。但生長高溫晶體材料(如白寶 石)時，生長溫度高達2000。C以上，這個溫度下，材料性能起了很大變 化，氧化鋯為多孔結構，易吸附高溫揮發的石墨或碳，在表面形成導電 層，導致絕緣性下降，這時極易產生"打火"導通，導致晶體生長溫場 分布被破壞，晶體生長失敗。發明內容針對現有技術存在的問題，本發明的目的是提供一種能夠防止保溫 層高溫"打火，，的高溫晶體生長裝置。為實現上述目的，本發明提供一種高溫晶體生長裝置，從上至下依 次包括坩堝、保溫層、子晶桿，坩堝、子晶桿都與保溫層之間相互接觸 良好，使坩堝的熱量通過保溫層傳遞給子晶桿，所述保溫層與子晶桿之 間還包括由耐高溫的絕緣材料制成的子晶桿護套，所述保溫層與子晶桿 通過所述子晶桿護套相互連接，使熱量可以經由子晶桿護套從保溫層傳 遞給子晶桿。進一步，所述子晶桿護套為筒形，與子晶桿相互配合地套裝在子晶 桿的上端頭部。進一步，所述子晶桿護套為平板形，與子晶桿相互配合地安裝在子晶桿的上端面上。進一步，所述子晶桿護套為圓筒形。 進一步，所述子晶桿護套為圓板形。 進一步，所述子晶桿護套由石英玻璃制成。本發明提供的高溫晶體生長裝置，通過采用在保溫層與子晶桿之間 加入由耐高溫的絕緣材料(高溫絕緣性好的絕緣材料)制成的子晶桿護 套，將保溫層與子晶桿隔開，可以有效防止保溫層與子晶桿之間在高溫 下產生"打火"導通現象。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明圖r為現有的高溫晶體生長裝置的結構示意圖；圖2為本發明的高溫晶體生長裝置的第 一種實施例的結構示意圖； 圖3為本發明的高溫晶體生長裝置的第二種實施例的結構示意圖。
具體實施方式
實施例1:如圖2所示，本發明實施例提供了一種高溫晶體生長裝置，從上至 下依次包括坩堝l、保溫層2、子晶桿護套4、子晶桿3，子晶桿護套4 套裝在子晶桿3的上端頭部，與子晶桿3精確配合。子晶桿護套4上端 與保溫層2直接接觸，使熱量從坩堝1通過保溫層2傳遞給子晶桿護套4， 再由子晶桿護套4傳遞給子晶桿3，使坩堝1的溫度下降，形成晶體生長 溫場分布，坩堝1內的晶體結晶生長。坩堝1由石墨制成，保溫層2由 氧化錯制成。子晶桿3由不銹鋼制成，截面為圓形。子晶桿護套4.為圓 筒形，由石英玻璃制成，石英玻璃材料具有如下特性 1 、耐高溫。石英玻璃的軟化點溫度約1730°C,可在110(TC下長時間使用，短時 間最高使用溫度可達1450°C 。 2、熱穩定性好。石英玻璃的熱膨脹系數極小，能承受劇烈的溫度變化，將石英玻璃 加熱至110(TC左右，放入常溫水中也不會炸裂。3、電絕緣性能好。石英玻璃的電阻值相當于普通玻璃的一萬倍，是極好的電絕緣材料， 即使在高溫下也具有良好的電性能。本發明提供的高溫晶體生長裝置，通過采用在保溫層與子晶桿之間 加入由耐高溫的絕緣材料石英玻璃(高溫絕緣性好的絕緣材料)制成的 子晶桿護套，將保溫層與子晶桿隔開，可以有效防止保溫層與子晶桿之 間在高溫下產生"打火，，導通現象。經過實驗，解決了 "打火，，導通問 題，完全可滿足要求。實施例2:如圖3所示，本發明實施例提供了一種高溫晶體生長裝置，從上至 下依次包括坩堝l、保溫層2、子晶桿護套4、子晶桿3，子晶桿護套4 安裝在子晶桿3的上端面上與子晶桿3精確配合。子晶桿護套4上端與 保溫層2直接接觸，使熱量從坩堝1通過保溫層2傳遞給子晶桿護套4， 再由子晶桿護套4傳遞給子晶桿3，使坩堝1的溫度下降，形成晶體生長 溫場分布，坩堝1內的晶體結晶生長。坩堝1由石墨制成，保溫層2由 氧化鋯制成。子晶桿3由不銹鋼制成，截面為圓形。子晶桿護套4為圓 板形，由石英玻璃制成。本發明提供的高溫晶體生長裝置，通過采用在保溫層與子晶桿之間 加入由耐高溫的絕緣材料石英玻璃(高溫絕緣性好的絕緣材料)制成的 子晶桿護套，將保溫層與子晶桿隔開，可以有效防止保溫層與子晶桿之 間在高溫下產生"打火"導通現象。經過實驗，解決了 "打火，，導通問 題，完全可滿足要求。
權利要求
1. 一種高溫晶體生長裝置，從上至下依次包括坩堝、保溫層、子晶桿， 蚶堝、子晶桿都與保溫層之間相互接觸良好，使坩堝的熱量通過保溫 層傳遞給子晶桿，其特征在于，所述保溫層與子晶桿之間還包括由耐 高溫的絕緣材料制成的子晶桿護套，所述保溫層與子晶桿通過所述子 晶桿護套相互連接，使熱量可以經由子晶桿護套從保溫層傳遞給子晶 桿。
2. 根據權利要求l所述的高溫晶體生長裝置，其特征在于，所述子晶桿 護套為筒形，與子晶桿相互配合地套裝在子晶桿的上端頭部。
3. 根據權利要求l所述的高溫晶體生長裝置，其特征在于，所述子晶桿 護套為平板形，與子晶桿相互配合地安裝在子晶桿的上端面上。
4. 根據權利要求2所述的高溫晶體生長裝置，其特征在于，所述子晶桿 護套為圓筒形。
5. 根據權利要求3所述的高溫晶體生長裝置，其特征在于，所述子晶桿 護套為圓板形。
6. 根據權利要求1至5中任一項所述的高溫晶體生長裝置，其特征在于， 所述子晶桿護套由石英玻璃制成。
全文摘要
本發明公開了一種高溫晶體生長裝置，從上至下依次包括坩堝、保溫層、子晶桿，坩堝、子晶桿都與保溫層之間相互接觸良好，使坩堝的熱量通過保溫層傳遞給子晶桿，所述保溫層與子晶桿之間還包括由耐高溫的絕緣材料制成的子晶桿護套，所述保溫層與子晶桿通過所述子晶桿護套相互連接，使熱量可以經由子晶桿護套從保溫層傳遞給子晶桿。本發明通過采用在保溫層與子晶桿之間加入由耐高溫的絕緣材料石英玻璃(高溫絕緣性好的絕緣材料)制成的子晶桿護套，將保溫層與子晶桿隔開，可以有效防止保溫層與子晶桿之間在高溫下產生“打火”導通現象。經過實驗，解決了“打火”導通問題，完全可滿足要求。
文檔編號C30B11/00GK101311333SQ200810104930
公開日2008年11月26日 申請日期2008年4月25日 優先權日2008年4月25日
發明者何庭秋, 尹利君, 左金才, 楠 李, 躍 李, 忠 王, 福華北, 珊 蒼, 范志達, 剛 陳 申請人:爍光特晶科技有限公司