專利名稱：印刷布線板及其制造方法
技術領域：
本發明涉及裝栽IC芯片等的電子部件的印刷基板及其制造方法， 尤其涉及內裝電容器的印刷布線板及其制造方法。
技術背景目前在封裝基板用的印刷布線板中，為了平滑地向IC芯片供電等， 對片狀電容進行表面安裝。由于從片狀電容器到IC芯片的布線電抗部分依賴于頻率，隨著IC 芯片的驅動頻率的增加，即使對片狀電容器進行表面安裝也得不到很 好的效果。因此，本申請人在特愿平11-248311號中提出一種方案 在核心基板上形成凹部，把片狀電容器容納在凹部中。還有，作為在 基板上埋入電容器的技術，有特開平6-326472號、特開平7-263619 號、特開平10-256429號、特開平11-45955號、特開平11-126978號、 特開平11-312868號等。特開平6-326472號中，公開了在玻璃環氧樹脂構成的樹脂基板上 埋入電容器的技術。利用該結構可降低電源噪音，并且，不需要安裝 片狀電容器的空間，可使絕緣基板小型化。另外，特開平7-263619號 中，公開了在陶瓷、鋁氧化物等的基板上埋入電容器的技術。利用該 結構，通過在電源層和接地層之間連接，使布線變短，降低布線的電 感。但是，上述的特開平6-326472號、特開平7-263619號中，不能使 從IC芯片到電容器的距離變得很短，在IC芯片的更高頻率區中，不 能使電感降低到當前所需要的那樣。尤其，在樹脂制的多層組合布線 板中，由于陶瓷構成的電容器與樹脂構成的核心基板及層間樹脂絕緣層的熱膨脹率差別，所以會發生片狀電容器的端子與穿孔之間斷路、 片狀電容器與層間樹脂絕緣層之間剝離、層間樹脂絕緣層中的裂紋， 不能長期實現高可靠性。另一方面，特愿平11-248311號的發明中，電容器的配設位置偏離 時，電容器的端子與穿孔(匕'7)之間不能正確連接，有不能從電容器 向IC芯片供電的可能性。發明內容本發明為解決上述問題而作出，其目的是提供一種內裝電容器、提 高了連接可靠性的印刷布線板及印刷布線板的制造方法。為實現上述目的，本發明第1方面的印刷布線板在容納電容器的核 心基板上交替層層疊間樹脂絕緣層和導體電路，其技術特征在于容納 所述電容器的核心基板由使粘接板介于中間層疊笫一樹脂基板、具有 容納電容器的開口的第二樹脂基板和第三樹脂基板構成。另外，本發明第16方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于 至少包括以下(a) ~ (d)工序(a) 在第 一樹脂基板上形成導電連接部的工序；(b) 在所述第一樹脂基板的所述導電連接部上經導電粘接劑連接電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間層疊第三樹脂基板、具有容納所迷電容器的 開口的第二樹脂基板和所述第一樹脂基板以把所述笫一樹脂基板的所述電容器容納在所述第二樹脂基板的所述開口中并且用第三樹脂基板 堵住所述第二樹脂基板的所述開口的工序；以及(d) 對所述第一樹脂基板、所述第二樹脂基板和所述第三樹脂基板 進行加熱加壓作成核心基板的工序。本發明第1方面的印刷布線板和本發明第16方面的印刷布線板的 制造方法中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯片與電容器的距離 變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，由于層疊樹脂基板來 構成，故核心基板上可得到足夠高的強度。而且，由于通過在核心基 板的兩面上配設第一樹脂基板、第三樹脂基板而平滑地構成核心基板， 故能夠在核心基板之上適當形成層間樹脂絕緣層和導體電路，可降低 印刷布線板的不合格品發生率。意思指的是通過在核心基板上設置層間樹脂絕緣層、在該層間樹脂絕緣層上布置通路孔(戶4 7水一/W或通孔、形成作為導電層的導體 電路的裝配法形成的電路。對于這些可使用半添加法、全添加法中的 任何一種。希望在空隙中填充樹脂。通過去除電容器、核心基板之間的空隙， 內裝的電容器的運動變小，即使以電容器為起點產生了應力也可通過 該填充的樹脂得到緩解。還有，在該樹脂上，電容器與核心基板粘接 并降低遷移。在本發明第2方面中，由于粘接板經在芯材浸含熱固化樹脂而構 成，故核心基板可具有高強度。本發明第3方面中，由于第l、第2及第3樹脂基板經在芯材浸含 樹脂而構成，故核心基板可具有高強度。本發明第4方面中，由于核心基板內容納多個電容器，故電容器可 高集成化。本發明第5方面中，由于第2樹脂基板上形成導體電路，故可提高 基板的布線密度、降低層間樹脂絕緣層的層數。本發明第6中，除在基板內容納了的電容器外，還在表面上配設電 容器。由于印刷布線板內容納電容器，故IC芯片與電容器的距離變短， 降低環路電感，可瞬時供電，另一方面，由于印刷布線板表面上也配 設電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提供大功率。本發明第7方面中，由于表面電容器的靜電電容在內層的電容器的 靜電電容以上，在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工 作。本發明第8方面中，由于表面電容器的電感在內層的電容器的電感 以上，故在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發明第9、 IO方面中，通過電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的片 狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構成的 表面上有凹凸，但通過金屬膜可使表面平滑，即使實施熱循環試驗， 也不會在電極與粘接板等處產生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內裝的電容器上錫和鋅等的層容易誘發遷移。因此， 可防止遷移發生。此外，片狀電容器的表面上可進行粗化處理。這樣，由陶瓷構成的片狀電容器和由樹脂構成的粘接層、與層間樹脂絕緣層的密接性增高， 即使實施熱循環試驗，界面處的粘接層、層間樹脂絕緣層也不發生剝 離。本發明第ll方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線板中，在從覆蓋層露出的電極上作電連接。此時，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。這是因為可降低連接電阻。本發明第12方面中，由于使用了在外緣的內側形成電極的片狀電 容器，故即使經通路孔取得導通，但由于外部電極增大，許可對齊的 范圍寬，故也不會連接不良。本發明第1方面3中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型的片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學上的問題。另外，即使經過各種熱過程等，在印刷布線 板中也難以發生翹曲。本發明第14方面中，作為電容器可以使多個、多個使用的片狀電 容器連接。因此，可適當調整靜電電容，可使IC芯片適當工作。本發明第15中，絕緣性粘接劑的熱膨脹率設定得比容納層小，即， 設定在由陶瓷構成的電容器附近。因此，在熱循環試驗中，即使在核 心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產生內應力，核心基板上也難 以產生斷裂、剝離等，可實現高可靠性。為達到上述目的，本發明第17方面中，在核心基板上層疊樹脂絕 緣層和導體電路層而構成印刷布線板，其技術特征在于所迷核心基板 由形成導體電路的多個樹脂基板貼合而成，所述核心基板內容納電容 器。本發明第18方面中，在核心基板上層疊樹脂絕緣層和導體電路而 構成印刷布線板，其技術特征在于所述核心基板由形成了導體電路的 多個樹脂基板貼合而成，在所述核心基板內形成的凹部中容納電容器。在本發明第17和18方面中，可在核心基板內容納電容器，由于 IC芯片與電容器的距離縮短，故可降低印刷布線板的環路電感。另夕卜， 由于層疊多個形成導體電路的樹脂基板而形成核心基板，故核心基板 內的布線密度增高，可降低層間樹脂絕緣層的層數。意思指的是通過在核心基板上設置層間樹脂絕緣層、在該層間樹脂 絕緣層上布置通路孔或通孔、形成作為導電層的導體電路的裝配法形成的電路。對于這些可使用半添;^法、全添加法中的任何一種。希望在空隙中填充樹脂。通過去除電容器、核心基板之間的空隙， 內裝的電容器的運動變小，即使以電容器為起點產生了應力也可通過 該填充的樹脂得到緩解。還有，在該樹脂上，電容器與核心基板粘接 并降低遷移。在本發明第19方面中，由于使粘接板介于中間、貼合多個樹脂基 板而構成，故可強固地粘接。本發明第20方面中，由于粘接板經在芯材浸含熱固化樹脂而構成， 故核心基板可具有高強度。本發明第21方面中，由于樹脂基板經在芯材浸含樹脂而構成，核 心基板可具有高強度。本發明第22方面中，由于核心基板內容納多個電容器，故電容器 可高集成化。本發明第23方面中，除在基板內容納了的電容器外，還在表面上 配設電容器。由于印刷布線板內容納電容器，故IC芯片與電容器的距 離變短，降低環路電感，可瞬時供電，另一方面，由于印刷布線板表 面上也配設電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提 供大功率。本發明第24方面中，由于表面電容器的靜電電容在內層的電容器 的靜電電容以上，故在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望 的工作。本發明第25方面中，由于表面電容器的電感在內層的電容器的電 感以上，故在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發明第26、 27方面中，通過電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的 片狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構成 的表面上有凹凸，但由于通過金屬膜可使表面平滑而形成通路孔，故 電極上覆蓋的樹脂中形成通孔時，不殘留樹脂，可提高通路孔和電極 的連接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過電鍍形成通路孔， 故電極和通路孔的連接性高，即使實施熱循環試驗，也不會在電極與 通路孔之間產生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內裝的電容器上錫和鋅等的層容易在與通路孔的連接部上誘發遷移。— 因此，可防止遷移發生。此外，片狀電容器的表面上可進行粗化處理。這樣，由陶瓷構成的 片狀電容器和由樹脂構成的層間樹脂絕緣層的密接性增高，即使實施 熱循環試驗，界面處層間樹脂絕緣層也不發生剝離。本發明第28方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線板中，在從覆蓋層露出的電極上通過電鍍作電連接。 此時，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接性也變高，可降低連接電阻。本發明第29方面中，由于使用了在外緣的內側形成電板的片狀電 容器，故即使經通路孔取得導通，但由于外部電極增大，許可對齊的 范圍寬，故也不會連接不良。本發明第30方面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納多個片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學上的問題。另外，即使經過各種熱過程等，在印刷布線 板中也難以發生翹曲。本發明第31方面中，在電容器上可連接多個片狀電容器。因此， 可適當調整靜電電容，可使IC芯片適當工作。本發明第32方面中，絕緣性澆灌劑的熱膨脹率設定得比核心基板 小，即，設定在由陶瓷構成的電容器附近。因此，在熱循環試驗中， 即使在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產生內應力，核心基 板上也難以產生斷裂、剝離等，可實現高可靠性。本發明第33方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 在多個樹脂基板上形成導體電路的工序；(b) 經粘接板層疊多個所述樹脂基板的工序；(c) 經所述粘接板彼此粘接所述樹脂基板而形成核心基板的工序；(d) 在所述核心基板上形成凹部的工序；以及(e) 在所述凹部中容納電容器的工序。本發明第34方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 形成具備通孔、在表面上配設了導體電路的樹脂基板的工序；(b) 形成不具備通孔、在表面上配設了導體電路的樹脂基板的工序;—(c) 經粘接板層疊所述具備通孔的樹脂基板和所述不具備通孔的 樹脂基板的工序；(d) 經所述粘接板彼此粘接所述樹脂基板而形成核心基板的工序；(e) 在所述通孔中容納電容器的工序。本發明第33和34方面中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯 片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，由 于層疊多個形成了導體電路的樹脂基板來構成核心基板，故核心基板 內的布線密度提高，可降低層間樹脂絕緣層的層數。為實現上述目的，本發明第35方面的印刷布線板在容納電容器的 核心基板上交替層層疊間樹脂絕緣層和導體電路，其技術特征在于容 納所述電容器的核心基板由使粘接板介于中間、層疊第 一樹脂基板、 具有容納電容器的開口的第二樹脂基板和第三樹脂基板構成，在所述 核心基板的兩面上配設與所述電容器的端子連接的通路孔。本發明第35方面的印刷布線板中，由于核心基板內可容納電容器， IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另夕卜， 由于層疊樹脂基板來構成，故核心基板上可得到足夠的強度。而且， 由于通過在核心基板的兩面上配設第一樹脂基板、第三樹脂基板而平 滑地構成核心基板，故能夠在核心基板之上適當形成層間樹脂絕緣層 和導體電路，可降低印刷布線板的不合格品發生率。此外，由于在核 心基板的兩面上設置通路孔，故可用最短的距離對IC芯片與電容器以 及外部連接基板與電容器進行連接，可從外部連接基板向IC芯片提供 瞬時大功率。意思指的是通過在核心基板上設置層間樹脂絕緣層、在該層間樹脂 絕緣層上布置通路孔或通孔、形成作為導電層的導體電路的裝配法形 成的電路。對于這些可使用半添加法、全添加法中的任何一種。另外，通過配設連接用布線，在電容器下部也可實施布線。因此， 布線自由度增加，可高密度化、小型化。希望在電容器與基板之間填充樹脂。通過去除電容器和基板之間的 空隙，內裝的電容器的運動變小，即使以電容器為起點產生了應力也 可通過該填充的樹脂得到緩解。還有，在該樹脂上，粘接電容器與核 心基板，降低遷移。在本發明第36方面中，由于粘接板經在芯材浸含熱固化樹脂而構 成，故核心基板可具有高強度。本發明第37方面中，由于第1、第2及第3樹脂基板經在芯材浸 含樹脂而構成，故核心基板可具有高強度，作為具體例子，可使用浸 含玻璃環氧樹脂、玻璃苯酚等的加強材料的物質。本發明笫38方面中，由于核心基板內容納多個電容器，故電容器 可高集成化。因此，可確保更多的靜電電容。本發明第39方面中，由于第2樹脂基板上形成導體電路，故可提 高基板的布線密度、降低層間樹脂絕緣層的層數。本發明第40方面中，除在基板內容納了的電容器外，還在表面上 配設電容器。由于印刷布線板內容納電容器，故IC芯片與電容器的距 離變短，降低環路電感，可瞬時供電，另一方面，由于印刷布線板表 面上也配設電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提 供大功率。本發明第41方面中，由于表面電容器的靜電電容在內層的電容器 的靜電電容以上，故在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望 的工作。本發明第42方面中，由于表面電容器的電感在內層的電容器的電 感以上，故在高頻區沒有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發明第43、 44方面中，通過電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的 片狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構成 的表面上有凹凸，但由于通過金屬膜可使表面平滑而形成通路孔，故 在電極上覆蓋的樹脂中形成通孔時，不殘留樹脂，可提高通路孔和電 極的連接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過電鍍形成通路孔， 故電極和通路孔的連接性高，即使實施熱循環試驗，也不會在電極與 通路孔之間產生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內裝的電容器上錫和鋅等的層容易在與通路孔的連 接部i秀發遷移。因此，可防止遷移發生。此外，片狀電容器的表面上可進行粗化處理。這樣，由陶瓷構成的 片狀電容器和由樹脂構成的粘接層、層間樹脂絕緣層的密接性增高， 即使實施熱循環試驗，界面處的粘接層、層間樹脂絕緣層也不發生剝離。本發明第45方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線板中，在從覆蓋層露出的電極上通過電鍍作電連接。 此時，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接也變，可降低連接電阻。本發明第46方面中，由于使用了在外緣的內側形成電極的片狀電 容器，故即使經通路孔取得導通，但由于外部電極增大，許可對齊的 范圍寬，故也不會連接不良。本發明第47方面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學上的問題。另外，即使經過各種熱過程等，在印刷布線 板中也難以發生翹曲。本發明第48方面中，在電容器上可連接多個使用的片狀電容器。 因此，可適當調整靜電電容，使IC芯片適當工作。本發明第4 9方面中，絕緣性澆灌劑的熱膨脹率設定得比容納層小， 即，設定在由陶覺構成的電容器附近。因此，在熱循環試驗中，即使 在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產生內應力，核心基板上 也難以產生斷裂、剝離等，可實現高可靠性。本發明第50方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (d)工序(a) 經粘接材料在第一樹脂基板上安裝電容器的工序；(b) 層疊第三樹脂基板、具有容納所述電容器的開口的第二樹脂基 板和所述第一樹脂基板以把所述第一樹脂基板的所述電容器容納在所 述第二樹脂基板的所述開口中并且用所述笫三樹脂基板堵住所述第二樹脂基板的所述開口而作成核心基板的工序；(c) 照射激光，在所述核心基板上形成到達所述電容器的通路孔用 開口的工序；以及(d) 在所述通路孔用開口中形成通路孔的工序。 本發明第50方面中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，可降低印刷布線板的環路電感。本發明第51方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (f)工序(a) 在第一樹脂基板的一個面的金屬膜上形成通路孔形成用開—口的工序；(b) 在所述第一樹脂基板的金屬膜未形成面上經粘接材料安裝電容器的工序；(C)使粘接板介于中間、層疊第三樹脂基板、具有容納所述電容器 的開口的第二樹脂基板和所述第一樹脂基板以把所述第一樹脂基板的所述電容器容納在所述第二樹脂基板的所述開口中并且用所述第三樹脂基板堵住所述第二樹脂基板的所迷開口的工序；(d) 對所述第一樹脂基板、所述第二樹脂基板和所述第三樹脂基板 進行加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹脂基板的所述金屬膜上形成的所述通路孔形成用 開口照射激光，形成到達所述電容器的通路孔用開口的工序；以及(f) 在所述通路孔用開口中形成通路孔的工序。 本發明笫51方面中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，在一個面 上形成金屬膜的第一樹脂基板的金屬膜上通過蝕刻等設置開口，通過 向開口位置照射激光，去除從開口露出的樹脂絕緣層，設置通路孔用 的開口。由此，由于通路孔的開口口徑依賴于金屬膜的開口口徑，故 可用適當的開口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開口位置精度 也依賴于金屬膜的開口位置，故即使激光的照射位置精度低，也可在 適當位置形成通路孔。本發明第52方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (f)工序(a) 在一個面上貼合了金屬膜的第一樹脂基板和第三樹脂基板的金 屬膜上形成通路孔形成用開口的工序；(b) 在所述第一樹脂基板的金屬膜非形成面上經粘接材料安裝電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間、在所述金屬膜未形成面上層疊所述第三樹 脂基板、具有容納所述電容器的開口的第二樹脂基板和所述第一樹脂 基板以把所述第一樹脂基板的所述電容器容納在所述第二樹脂基板的 所述開口中并且用所述第三樹脂基板堵住所述第二樹脂基板的所述開 口的工序；(d) 對所迷第一樹脂基板、所述第二樹脂基板和所述第三樹脂基板進4亍加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹脂基板和所述第三樹脂基板上形成的所述通路孔 形成用開口照射激光，形成到達所述電容器的通路孔用開口的工序； 以及(f) 在所述通路孔用開口中形成通路孔的工序。 本發明第52方面中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，在一個面 上形成金屬膜的第一樹脂基板和第三樹脂基板的金屬膜上通過蝕刻等 設置開口，通過在開口位置照射激光，去除從開口露出的樹脂絕緣層， 設置通路孔用的開口。由此，由于通路孔的開口口徑依賴于金屬膜的 開口口徑，故可用適當的開口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的 開口位置精度也依賴于金屬膜的開口位置，故即使激光的照射位置精 度低，也可在適當位置形成通路孔。此外，由于層疊樹脂基板來構成，故核心基板上可得到足夠的強度。 而且，由于通過核心基板的兩面上配設第一樹脂基板、第三樹脂基板 而平滑地構成核心基板，故能夠在核心基板之上適當形成層間樹脂絕 緣層和導體電路，可降低印刷布線板的不合格品發生率。此外，由于 在核心基板的兩面上設置通路孔，故可用最短的距離對IC芯片和電容 器以及外部連接基板和電容器進行連接，可從外部連接基板向IC芯片 提供瞬時大功率。本發明第53方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (g)工序(a) 在一個面上貼合了金屬膜的第一樹脂基板和笫三樹脂基板的金 屬膜上形成通孔的工序；(b) 在所述第一樹脂基板的金屬膜未形成面上經粘接材料安裝電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間、在所述金屬膜未形成面上，層疊所述第三 樹脂基板、具有容納所述電容器的開口的笫二樹脂基板和所述第一樹 脂基板以把所述第一樹脂基板的所述電容器容納在所述第二樹脂基板 的所述開口中并且用所述笫三樹脂基板堵住所述第二樹脂基板的所述 開口的工序；(d) 對所述第一樹脂基板、所速第二樹脂基板和所迷第三樹脂基板進行加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹脂基板和所述第三樹脂基板上形成的所述通孔照 射激光，在所述核心基板的兩面上形成到達電容器的通路孔用開口的 工序；(f) 去除或減薄所述金屬膜的工序；以及(g) 在所述核心基板上形成導體電路和通路孔的工序。 本發明第53方面中，由于核心基板內可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，在一個面 上形成金屬膜的第一樹脂基板和第三樹脂基板的金屬膜上通過蝕刻等 設置開口，通過向開口位置照射激光，去除從開口露出的樹脂絕緣層， 設置通路孔用的開口。此后，通過蝕刻等去除金屬膜。這樣，由于通 路孔的開口 口徑依賴于金屬膜的開口 口徑，故可用適當的開口 口徑形 成通路孔。同樣，由于通路孔的開口位置精度也依賴于金屬膜的開口 位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當位置形成通路孔。還 有，通過蝕刻等去除金屬膜，可使布線的厚度形成得薄，從而可形成 細小間if巨的布線。此外，由于層疊樹脂基板來構成，故核心基板上可得到足夠的強度。 而且，由于通過核心基板的兩面上配設第一樹脂基板、第三樹脂基板 而平滑地構成核心基板，故能夠在核心基板之上適當形成層間樹脂絕 緣層和導體電路，可降低印刷布線板的不合格品發生率。為實現上述目的，本發明第54方面是在核心基板上層疊樹脂絕緣 層和導體電路而構成的印刷布線板，其技術特征在于在所迷核心基板 中內裝電容器，形成與所述電容器的端子連接的相對大的下層穿孔， 在所述核心基板的上表面的層間樹脂絕緣層上配設與一個所述下層穿 孔連接的多個相對小的上層穿孔。本發明笫54方面中，核心基板內裝電容器，在電容器上形成與電 容器的端子連接的相對大的下層穿孔，在核心基板的上表面的層間樹 脂絕緣層上配設與一個下層穿孔連接的多個相對小的上層穿孔。這樣， 對應于電容器的配設位置偏離，可連接電容器的端子與下層穿孔，能 夠可靠地進行從電容器向IC芯片的供電。此外，通過配設多個相對小 的上層穿孔，由于得到與并聯連接電感部分相同的結果，故可提高電源線和接地線的高特性，可防止供電不足或接地電平的變動引起的IC芯片的誤工作。另外，由于可縮短布線長度，故可降低環路電感。希望在凹部內填充樹脂。通過去除電容器和核心基板之間的空隙， 內裝的電容器的運動變小，即使以電容器為起點產生了應力也可通過 該填充的樹脂得到緩解。還有，在該樹脂上，電容器與核心基板粘接， 并降低遷移。在本發明第55、 56方面中，作為下層穿孔使用表面平坦的填充的 穿孔。這樣，在一個下層穿孔中可直接連接多個上層穿孔。由此，可 提高下層穿孔和上層穿孔的連接性，能可靠地進行從電容器向ic芯片 的供電。本發明第57方面中，在核心基板上形成的凹部中容納一個電容器。 由此，由于在核心基板內配置電容器，從而縮短IC芯片與電容器的距 離，可降低環路電感。本發明第58方面中，由于凹部內容納多個電容器，故電容器可高 集成化。本發明第59、 60方面中，通過電鍍形成的穿孔向形成金屬膜的片 狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構成的 表面上有凹凸，但由于通過金屬膜可使表面平滑來形成穿孔，故在電 極上覆蓋的樹脂中形成通孔時，不殘留樹脂，可提高穿孔和電極的連 接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過電鍍形成穿孔，故電極 和穿孔的連接性高，即使實施熱循環試驗，也不會在電極與穿孔之間 產生斷路。片狀電容器的表面可進行粗化處理。這樣，由陶瓷構成的片狀電容 器和由樹脂構成的粘接層、層間樹脂絕緣層的密接性增高，即使實施 熱循環試驗，界面處的粘接層、層間樹脂絕緣層也不發生剝離。本發明第61方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線板中，在從覆蓋層露出的電極上通過電鍍作電連接。 此時，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分是Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接性也變高，可降低連接電阻。本發明第62方面中，由于使用了在外緣的內側形成電極的片狀電 容器，故即使經通路孔導通使外部電極增大，由于許可對齊的范圍寬， 故也不會連接不良。—本發明第63方面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學上的問題。另外，即使經過各種熱過程等，在印刷布線 板中也難以發生翹曲。本發明第64方面中，在電容器上可連接多個使用的片狀電容器。 因此，可適當調整靜電電容，使IC芯片適當工作。本發明第65方面中，核心基板與電容器之間填充樹脂，樹脂的熱 膨脹率設定得比核心基板小，即，設定在由陶瓷構成的電容器附近。 因此，在熱循環試驗中，即使在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差 別而產生內應力，核心基板上也難以產生斷裂、剝離等，可實現高可 靠性。本發明第66方面的印刷布線板的制造方法的技術特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 在核心基板上內裝電容器的工序；(b) 在所述電容器的上表面上形成樹脂絕緣層的工序；(c) 在所述樹脂絕緣層上形成與所述電容器的端子連接的相對大 的下層穿孔的工序；(d) 在所述核心基板的上表面上形成層間樹脂絕緣層的工序；(e) 在所述層間樹脂絕緣層上配設與一個所述下層穿孔連接的多個 相對小的上層穿孔的工序。本發明第66方面中，核心基板內裝電容器，在電容器上形成與電 容器的端子連接的相對大的下層穿孔，在核心基板的上表面的層間樹 脂絕緣層上配設與一個下層穿孔連接的多個相對小的上層穿孔。這樣， 對應于電容器的配設位置偏離，可連接電容器的端子與下層穿孔，能 夠可靠地進行從電容器向IC芯片的供電。此外，通過配設多個相對小 的上層穿孔，由于得到與并聯連接電感部分相同的結果，故可提高電 源線和接地線的高頻特性，可防止供電不足或接地電平的變動引起的 IC芯片的誤工作。另外，由于可縮短布線長度，故可降低環路電感。本發明第67方面中，在核心基板上形成的凹部中容納一個電容器。 由此，由于在核心基板內配置電容器，從而縮短IC芯片與電容器的距 離，可降低環路電感。本發明笫68方面中，由于凹部內容納多個電容器，電容器可高集成化。本發明第69方面中，在包括構成芯材的樹脂的樹脂材料中形成通 孔，在形成通孔的樹脂材料上貼合樹脂材料，形成具有凹部的核心基 板。這樣，形成底部具有平坦凹部的核心基板。本發明第70、 71方面中，作為下層穿孔使用表面平坦的填充的穿 孔。這樣，在一個下層穿孔中可直接連接多個上層穿孔。由此，可提 高下層穿孔和上層穿孔的連接性，能可靠地進行從電容器向IC芯片的 供電。本發明第72方面中，通過向凹部內多個電容器的上表面施加或作 用壓力把電容器的上表面的高度對齊。由此，凹部內配設電容器時， 即使多個電容器的大小有偏差，也能對齊高度，把核心基板作平滑。 因此，由于不損壞核心基板的平滑性而適當形成上層的層間樹脂絕緣 層和導體電路，從而可降低印刷布線板的不合格品發生率。
圖l是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖2是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖3是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖4是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖5是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖6是本發明的第一實施形態的印刷布線板的制造工序圖；圖7是本發明的第一實施形態的印刷布線板的剖面圖；圖8是表示在圖7的印刷布線板上裝載IC芯片、安裝到子板(F—夕才:一 F)上的狀態的剖面圖；圖9是表示在本發明的第一實施形態的第一特例的印刷布線板上裝栽IC芯片的狀態的剖面圖；圖IO是本發明的第一實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖11是本發明的第一實施形態的第一變形例的印刷布線板的剖面圖；圖12表示向IC芯片的供電電壓與時間的變化的曲線； 圖13是在本發明的第一實施形態的第一變形例的印刷布線板上容 納的片狀電容器的剖面圖；圖14在本發明的第一實施形態的第二變形例的印刷布線板上容納的片狀電容器的平面圖;圖15在本發明的第一實施形態的第二變形例的印刷布線板上容納的片狀電容器的平面圖；圖16在本發明的第一實施形態的第二變形例的印刷布線板上容納的片狀電容器的平面圖；圖17是本發明的第二實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖18是本發明的笫二實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖19是本發明的第二實施形態的印刷布線板的剖面圖； 圖20是表示在圖19所示的印刷布線板上裝載IC芯片、安裝到子板上的狀態的剖面圖；圖21是本發明的第二實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖22是本發明的第二實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖23是表示在本發明的第二實施形態的印刷布線板上裝載IC芯片的狀態的剖面圖；圖24是表示在本發明的第二實施形態的變形例的印刷布線板上裝載IC芯片的狀態的剖面圖；圖25是本發明的第三實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖26是本發明的第三實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖27是本發明的第三實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖28是本發明的笫三實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖29是本發明的第三實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖30是本發明的第三實施形態的印刷布線板的剖面圖； 圖31是表示在圖30的印刷布線板上裝載IC芯片、安裝到子板上的狀態的剖面圖；圖32是表示在本發明的第三實施形態的變形例的印刷布線板上裝載IC芯片的狀態的剖面圖；圖33是本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖34是本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造 工序圖；圖35是本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖36是本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的剖面圖；圖37是本發明的第4實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖38是本發明的第4實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖39是本發明的第4實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖40是本發明的第4實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖41是本發明的第4實施形態的印刷布線板的制造工序圖； 圖42是本發明的第4實施形態的印刷布線板的剖面圖； 圖43是表示在本發明的第4實施形態的印刷布線板上裝載于IC芯片的狀態的剖面圖；圖44 (A)是圖42的通路孔660的放大圖，圖44 ( B )是圖44 ( A )的B向視圖；圖45是本發明的第4實施形態的笫一變形例的印刷布線板的制造 工序圖；圖46是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造 工序圖；圖47是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造 工序圖；圖48是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖49是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖50是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖51是本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序圖；圖52旭表示在本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷布線板 上裝載于IC芯片的狀態的剖面圖；圖53是表示在本發明的第4實施形態的第二變形例的印刷布線板 上裝載了 IC芯片的狀態的剖面圖。
具體實施方式
(第一實施形態) 下面，參考
本發明的實施形態。首先，參考圖7和8說明本發明的第一實施形態的印刷布線板的結 構。圖7表示印刷布線板10的剖面，圖8表示圖7所示的印刷布線板 IO上裝載IC芯片90、向子板95安裝的狀態。如圖7所示，印刷布線板10由容納多個片狀電容器20的核心基板 30和裝配布線層80A、 80B構成。裝配布線層80A、 80B由樹脂層40 和層間樹脂絕緣層140、 141構成。上側的樹脂層40上形成導體電路 58和通路孔60，在上側和下側的層間樹脂絕緣層140上形成導體電路 158和通路孔160，在上側和下側的層間樹脂絕緣層141上形成導體電 路159和通路孔164。層間樹脂絕緣層141之上形成阻焊劑層70。裝 配布線層80A和裝配布線層80B經形成在核心基板30上的通孔56連 接。如圖7所示，片狀電容器20由第一電極21和第二電極22以及夾 在第一和第二電極之間的介電體23構成，介電體23上相對配置多對 連接于第一電極21側的第一導電膜24和連接于第二電極22側的第二 導電膜25。如圖8所示，上側的裝配布線層80A上配置用于連接到IC芯片90 的連接端92P1，92P2的焊料凸點76U。另一方面，下側的裝配布線層 80B上配置用于連接到子板95的連接端94P1,94P2的焊料凸點76D。IC芯片90的接地用連接端92P1經凸點76U, —導體電路159， 一 通路孔164， 一導體電路158， 一通路孔160, —導體電路58， 一通路 孔60連接到片狀電容器20的第一電極21。另一方面，子板95的接地 用連接端94P1經凸點76D， 一通路孔164, —導體電路158， 一通路孔 160， 一通孔56， 一導體電路58， 一通路孔60連接到片狀電容器20 的第一電極21。IC芯片90的電源用連接端92P2經凸點76U, —通路孔164， 一導 體電路158, —通路孔160, —導體電路58， 一通路孔60連接到片狀 電容器20的第二電極22。另一方面，子板95的電源用連接端94P2經 凸點76D， 一通路孑L164， 一導體電路158， 一通路孔160, —通孔56， 一通路孔60連接到片狀電容器20的第二電極22。另外，盡管圖中未 示出，IC芯片的信號用連接端經印刷布線板的導體電路、通路孔和通孔連接于子板的信號用連接端。如圖7所示，本實施形態的核心基板30由一個面上形成連接片狀 電容器20的導電連接部34的第一樹脂基板30a、經粘接用樹脂層(粘 接板)38a連接于第一樹脂基板30a的第二樹脂基板30b以及經粘接用 樹脂層(粘接板)38b連接于第二樹脂基板30b的第三樹脂基板30c 構成。第二樹脂基板30b上形成可容納片狀電容器20的開口 30B。這樣，由于核心基板30內可容納片狀電容器20，縮短IC芯片90 和片狀電容器20的距離，因此，可降低印刷布線板10的環路電感。 另外，由于層疊第一樹脂基板30a、第二樹脂基板30b和第三樹脂基板 30c而形成，核心基板30上可得到足夠的強度。而且，由于通過在核 心基板30的兩面上配設第一樹脂基板30a、第三樹脂基板30c平滑地 構成核心基板30，故核心基板30上可適當形成樹脂層40， 140， 141和 導體電路58， 158， 159,可降低印刷布線板的不合格品發生率。而且，本實施形態中，如圖1 (D)所示，使絕緣性粘接劑33介于 第一樹脂基板30a和片狀電容器20之間。這里，粘接劑36的熱膨脹 率設定得比核心基板30小，即，設定在由陶瓷構成的片狀電容器20 附近。因此，在熱循環試驗中，即使核心基板和粘接層40與片狀電容 器20之間因熱膨脹率差別而產生內應力，在核心基板上也難以產生斷 裂、剝離等，可實現高可靠性。還有，也能防止遷移的發生。接著，就參考圖7的上述的印刷布線板的制造方法，參考圖1~圖 7來說明。(1) 以厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT(粘膠絲 馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的第一樹脂基板30a的一個面上 層疊了銅箔32的覆銅層疊板作為開始材料(參考圖1 (A))。接著，通過把該覆銅層疊板的銅箔32側蝕刻成圖形而在第一樹脂 基板30a的一個面上形成導電連接部34 (參考圖1 (B))。另外，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板這是因為該基板的 外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹脂填充也會產生空隙。(2) 之后，使用印刷機在導電連接部34上涂布焊錫糊劑、導電性 糊劑等的粘接材料36(參考圖l(C))。此時，除涂布外，也可使用澆 灌等。作為焊錫糊劑，可使用Sn/Pb、 Sn/Sb、 Sn/Ag、 Sn/Ag/Cu中的 任何一種。之后，導電連接部34之間配設樹脂填充劑33(參考圖l(D))。這樣，如后所述，可填充片狀電容器20和笫一樹脂基板30a的間隙. 接著，在導電連接部34上裝載由多個陶瓷構成的片狀電容器20，經粘 接材料36把片狀電容器20連接于導電連接部34上(參考圖2 (A))。 片狀電容器20可以是一個或多個，但通過使用多個片狀電容器20，可 實現電容器的高集成化。(3) 隨后，準備玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用 樹脂層(粘接用樹脂層)38a、 38b及玻璃織物等的芯體材料中浸含BT 樹脂并固化的第二樹脂基板30b (厚度O. 4mm)、第三樹脂基板30c(厚 度0. lmm)。粘接用樹脂層38a和第二樹脂基板30b中形成可容納片狀 電容器20的通孔38A、 30B。首先，在第三樹脂基板30c之上經粘接用 樹脂層38b裝載第二樹脂基板30b。接著，在第二樹脂基板30b之上 經粘接用樹脂層38a對第一樹脂基板30a進行反轉裝載。即，連接于 笫一樹脂基板30a的片狀電容器20向著粘接用樹脂層38a側，重合成 在笫二樹脂基板30b中形成的通孔中可容納片狀電容器20 (參考圖2(B))。這樣，核心基板30內可容納片狀電容器20,可提供降低環路 電感的印刷布線板。(4) 接著，通過使用熱壓對重合的基板進行壓力加工，對第一、 第二、第三樹脂基板30a、 30b、 30c進行多層一體化，形成具有多個 片狀電容器20的核心基板30 (參考圖2 (C))。這里，首先，通過加 壓把環氧樹脂(絕緣性樹脂)從粘接用樹脂層38a、 38b壓出到周圍， 填充開口 30B與片狀電容器20之間的間隙。而且，由于與加壓同時進 行加熱，故環氧樹脂固化，通過把粘接用樹脂層38a、 38b作為粘接用 樹脂介于中間，強固地粘接第一、第二、第三樹脂基板30a、 30b、 30c。 另外，本實施形態中，利用從粘接用樹脂層出來的環氧樹脂填充開口 30B內的間隙，但是，也可代之以在開口 30B內配置填充材料。這里，由于核心基板30的兩面是平滑的第一樹脂基板30a、第三 樹脂基板30c，不損壞核心基板30的平滑性，在后述工序中，在核心 基板30之上可適當形成樹脂層40和導體電路58，可降低印刷布線板 的不合格品發生率。另外，核心基板30上可得到足夠的強度。(5) 對經上述工序的基板30，邊對后述的熱固化型環氧系樹脂板 進行升溫到50 - 150"C,邊在5kg/cm2的壓力進行真空接的層疊，設置 層間樹脂絕緣層40 (參考圖2 (D—(6 )隨后，在第一樹脂基板30a側的層間樹脂絕緣層40和第一樹 脂基板30a上通過激光形成直到導電連接部34的通路孔用開口 42(參 考圖3 (A))。(7) 接著，通過鉆頭或激光在核心基板30上形成通孔用貫通孔 44 (參考圖3 (B))。之后，使用氧等離子體進行去污斑處理。或者使 用過錳酸等的藥液進行去污斑處理。(8) 隨后，使用日本真空技術林式會社制造的SV-4540進行等離 子體處理，在核心基板30的整個表面上形成粗化面46。此時，作為惰 性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓O. 6Pa、溫度70TC的條件下，進 行2分鐘的等離子體處理。接著，以Ni和Cu作為靶進行濺射，在層 間樹脂絕緣層40的表面上形成Ni-Cu金屬層48 (參考圖3 (C))。這 里，雖然使用濺射，但也可通過非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層。 此外，也可根據情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜。可通過酸或 氧化劑實施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(9) 接著，在Ni-Cu金屬層48的表面上貼合感光性干膜，裝載掩 模，進行啄光顯像處理，形成規定圖形的抗蝕劑50 (參考圖3 (D))。 之后，把核心基板30浸入電解電鍍液中，經Ni-Cu金屬層48流過電 流，在未形成抗蝕劑50的部分上在下面的條件下進行電解電鍍，形成 電解電鍍膜52 (參考圖4 (A)):[電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(<formula>formula see original document page 23</formula>[電解電鍍條件〗電流密度 1A/dm2時間 120分4中溫度 22±2匸(10) 用5°/ 的NaOH剝離去除抗蝕劑50后，通過使用硝酸和疏酸 與雙氧水的混合液的蝕刻溶解去除該抗蝕劑50下面的Ni-Cu金屬層 48，形成由Ni-Cu金屬層48和電解電鍍膜52構成的厚度為16微米的 通孔56及導體電路58 (包括通路孔60)。接著，對基板進行水洗干燥 后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過蝕刻通孔56及導體電路58 (包括通路孔60)的表面，在通孔56及導體電路58 (包括通路孔 60)的整個表面上形成粗化面62 (參考圖4 (B))。作為蝕刻液，使用 IO份重量的銅(II)亞胺溶液絡合物、7份重量的乙二醇酸、5份重量的 氯化鐘和78份重量的離子交換水的混合物。(11) 把以環氧系樹脂為主要成分的樹脂填充劑64填充到通孔56 內進行加熱干燥(參考圖4 (C))。(12) 隨后，邊對(5)的工序中使用的熱固化型環氧系樹脂板進 -f亍升溫到50~ 150TC,邊在5kg/cn^的壓力下進4亍真空壓接的層疊，i殳 置層間樹脂絕緣層140(參考圖4(D))。真空壓接時的真空度是10mmHg。(13) 接著，通過激光在層間樹脂絕緣層140上形成通路孔用開口 142 (參考圖5 (A))。(14) 隨后，通過反復(8) ~ (10)的工序，在層間樹脂絕緣層 140上形成由Ni-Cu金屬層148和電解電鍍膜152構成的厚度為16微 米的導體電路158 (包括通路孔160)和粗化面158 cx (參考圖5(B))。(15) 另外，通過反復(l2) ~ (IO的工序，在上層上形成層間 樹脂絕緣層141和導體電路159(包括通路孔164)和粗化面159 oc (參 考圖5(C))。(16) 隨后，用容器將46.67份重量的把在-工f 1^7/y 3 — 乂k ->子>工一:f^ (DMDG)中溶解成60重量％的濃度的甲酚酚醛型環 氧樹脂(日本化藥會社制造)的環氧基的50%丙烯基化的帶有感光性的 齊聚物(分子量4000)、 15份重量的把在丁酮中溶解的80重量％的雙酚 A型環氧樹脂(油化、》工^社制造，商品名稱是工匕。-一卜1001)、 1. 6 份重量的咪唑固化劑(四國化成社制造，商品名稱是2E4MZ-CN)、 3份 重量的作為感光性單體的多功能丙烯基單體(共榮化學社制造，商品 名稱是R604 )、1.5份重量的相同的多價丙烯基單體(共榮化學社制造， 商品名稱是DPE6A )、0. 71份重量的分散系消泡劑(廿》/ y-社制造， 商品名稱是S-65)攪拌、混合并調整混合組成物，對于該混合組成物， 添加2. O份重量的作為光重量開始劑的苯酮(關東化學社制造)、0. 2 份重量的作為增光劑的米蚩酮(關東化學社制造)，得到在251C下把粘 度調整到2. OPa*S的阻焊劑組成物(有機樹脂絕緣材料)。另外，粘度測定用B型粘度計(東京計器社制造DLV-B型)測量， 60rpm時是No. 4回轉器，6rpm時是No. 3。(17) 在基板30的兩面上涂布20微米厚的上述阻焊劑組成物，在 70匸下進行20分鐘、在701C下進行30分鐘的條件下進行干燥處理后， 把阻焊劑開口部的圖形描繪的厚度為5咖的光掩模密接在阻焊劑層70 上后用1000mJ/cm2的紫外線膝光，用DTMG溶液作顯像處理，形成開 口 71U、 71D (參考圖6 ( A))。(18) 接著，把形成阻焊劑層(有機樹脂絕緣層)70的基板在包 括氯化鎳(2. 3X1(T111101/1 )、亞磷酸鈉(2. 8Xl(T'mo1/1 )、檸檬酸鈉(1. 6X10—'mo1/1 )的Ph=4. 5的非電解鎳電鍍液中浸漬20分鐘，在開 口 71U、 71D上形成厚度為5微米的鎳電鍍層72。此外，把該基板在 80"C的條件下在包括氰化金鉀(7. 6X10—3mol/l )、 氯化銨 (1. 9X10—'mo1/1 )、 檸檬酸鈉(1. 2X1(T111101/1 )、亞磷酸鈉 (1. 7X10—imo1/1 )的非電解電鍍液中浸漬7. 5分鐘，在鎳電鍍層72上 形成厚度為0. 3微米的金電鍍層74 (參考圖6 (B))。(19) 之后，阻焊劑層70的開口部71U、 71D上印刷焊錫糊劑，在 2001C下進行回流，形成焊料凸點(焊錫體)76U、 76D,這樣，得到具 有焊料凸點76U、 76D的印刷布線板10 (參考圖7)。接著，參考圖8說明向用上述工序完成的印刷布線板10裝載IC 芯片90和安裝子板95的情況。通過完成的印刷布線板10的焊料凸點 76U上對應于IC芯片90的焊料凸點92P1、 92P2來裝載IC芯片90， 進行回流來安裝IC芯片90。同樣，通過印刷布線板10的焊料凸點76D 上對應于子板95的焊區94P1、 94P2,進行回流向子板95安裝印刷布 線板10。在上述的樹脂膜中，包括難溶性樹脂、可溶性粒子、固化劑、其它 成份。對此分別在下面iJl明。本發明的制造方法中使用的樹脂膜是把在酸或氧化劑中可溶解的 粒子(下面，叫作可溶性粒子)分散在酸或氧化劑中難以溶解的樹脂 (下面，叫作難溶性樹脂)中的材料。另夕卜，本發明使用的"難溶性"、"可溶性，，表示在由同一酸或氧化 劑構成的溶液中浸漬相同時間時，溶解速度相對快的簡單叫作"可溶 性"、溶解速度相對慢的簡單叫作"難溶性"。作為上述可溶性粒子，例如可舉出在酸或氧化劑中可溶解的樹脂粒 子(下面，叫作可溶性樹脂粒子)、在酸或氧化劑中可溶解的無機粒子(下面，叫作可溶性無機粒子)、在酸或氧化劑中可溶解的金屬粒子(下 面，叫作可溶性金屬粒子)等。這些可溶性粒子可單獨使用，也可并 用兩種以上。上述可溶性粒子的形狀并不特殊限定，可舉出球狀、破碎狀等。另 外，上述可溶性粒子的形狀希望為一樣的形狀。這是因為可形成具有 均勻粗度的凹凸的粗化面。作為上述可溶性粒子的平均粒徑，希望為0. 1~10微米。只要在這個粒徑范圍，則可有兩種以上的不同粒徑。即，可以是包括平均粒徑為0. 1 ~ 0. 5微米的可溶性粒子和平均粒徑為1 ~ 3微米的可溶性粒子 等。因此，可形成更復雜的粗化面，有利于與導體電路的密接性。另 外，本發明中，可溶性粒子的粒徑是可溶性粒子的最長的部分的長度。作為上述可溶性樹脂粒子，可列舉出由熱固性樹脂、熱塑性樹脂等 構成，浸漬在由酸或氧化劑構成的溶液中時，只要是溶解速度比上述 難溶性樹脂快就不特別加以限定。作為上述可溶性樹脂粒子的具體例子，可舉出例如由環氧樹脂、苯 酚樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、對聚苯樹脂、聚烯烴樹脂、氟樹 脂等構成的樹脂，可以由這些樹脂中的一種構成，也可以由兩種以上 的樹脂的混合物構成。作為上述可溶性樹脂粒子，可使用橡膠構成的樹脂粒子。作為上述 橡膠，例如可舉出聚丁二烯橡膠、環氧變性、尿烷變性、(偏)丙烯晴 變性等各種變性聚丁二烯橡膠、含羧基的(偏)丙烯晴 聚丁橡膠等。通過使用這些橡膠，可溶性樹脂粒子容易在酸或氧化劑中溶解。即， 使用酸溶解可溶性樹脂粒子時，即使是強酸以外的酸也能容解，使用 氧化劑溶解可溶性樹脂粒子時，即使是酸性比較弱的過錳酸鹽也能將 其溶解。另外，即使使用鉻酸時，在低濃度下也能溶解。因此，酸或 氧化劑不會殘留在樹脂表面，如后所述，形成粗化表面后，在提供氯 化鈀等的催化劑時，不會一邊提供催化劑一邊氧化催化劑。作為上述可溶性無機粒子，可舉出例如從由鋁化合物、鈣化合物、 鉀化合物、鎂化合物、硅化合物組成的一組中選擇出的至少由一種組 成的粒子等。作為上述鋁化合物，可舉出例如氧化鋁、氫氧化鋁等，作為上迷鈣 化合物，可舉出例如碳酸釣、氬氧化鉤等，作為上述鉀化合物，可舉出例如碳酸鉀等，作為上述鎂化合物，可舉出例如—氧化鎂、白云巖、鹽性碳酸鎂等，作為上述硅化合物，可舉出例如氧化硅(s y力)、沸 石等。這些可單獨使用，也可兩種以上并用。作為上述可溶性金屬粒子，可舉出例如銅、鎳、鐵、鋅、鉛、金、 銀、鋁、鎂、鈣和硅構成的一組中選擇的至少一種粒子等。另外，這 些可溶性金屬粒子為確保絕緣性，表層可用樹脂等覆蓋。混合兩種以上上述可溶性粒子使用時，作為混合的兩種可溶性粒子 的組合，希望是樹脂粒子和無機粒子的組合。這是因為，由于二者的 導電性都低，可確保樹脂膜的絕緣性，同時在與難溶性樹脂之間容易 調整熱膨脹，由樹脂膜構成的層間樹脂絕緣層上不產生裂紋，層間樹 脂絕緣層與導體電路之間不產生剝離。作為上上述難溶性樹脂，只要是使用酸或氧化劑在層間樹脂絕緣層 上形成粗化面時可保持粗化面的形狀，就不特別加以限定，例如可舉 出熱固性樹脂、熱塑性樹脂、其組合體等。另外，可以是對這些樹脂 提供了感光性的感光性樹脂。通過使用感光性樹脂，可使用暴光、顯 象處理在層間樹脂絕緣層上形成穿孔用開口。在上述之中，希望包括熱固性樹脂。這是由于即使通過電鍍液或各 種熱處理也可保持粗化面的形狀。作為上述難溶性樹脂的具體例子，可舉出例如環氧樹脂、苯酚樹脂、 酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、對聚苯樹脂、聚烯烴樹脂、氟樹脂等。這 些樹脂可單獨使用，也可兩種以上并用。另外，更希望一個分子中有具有兩個以上的環氧基的環氧樹脂。由 于不僅能形成所述的粗化面而且耐熱性優越，故即使在熱循環條件下， 金屬層中也不產生應力集中，難以引起金屬層的剝離等。作為上述環氧樹脂，可舉出例如曱酚酚醛型環氧樹脂、雙酚A型環 氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、烷基酚酚醛型環氧 樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二聚環戊二烯型環氧樹脂、 與具有酚類和酚型羧基的芳香族醛的縮合物的環氧化物、卜！i夕，、》 ;/) 7 51 卜、脂環式環氧樹脂等。這些可單獨使用，也可 兩種以上并用。因此，耐熱性方面優越。本發明使用的樹脂膜中，希望上述可溶性粒子大致均勻地分散到上 述難溶性樹脂中。這是因為可形成具有均勻粗度的凹凸的粗化面，即使在樹脂膜上形成穿孔和通孔，也能確保在其上形成的導體電路的金 屬層的密接性。此外，可使用僅在形成粗化面的表層部中舍有可溶性 粒子的樹脂膜。因此，由于樹脂膜的表層部以外不暴露在酸或氧化劑 中，故能可靠地確保經層間樹脂絕緣層的導體電路間的絕緣性。在上述樹脂膜中，希望在難溶性樹脂中分散的可溶性粒予相對于樹脂膜的混合量為3-40重量％。可溶性粒子的混合量不足3重量％時，有 時不能形成具有所希望的凹凸的粗化面，超出40重量％時，使用酸或 氧化劑溶解可溶性粒子時，會溶解到樹脂膜的深處，不能維持經樹脂 膜構成的層間樹脂絕緣層的導體電路間的絕緣性，有時成為短路的原 因。希望上述樹脂膜除包括上述可溶性粒子、上述難溶性樹脂外，還包 括固化劑和其他成分等。作為上述固化劑，可舉出例如亞胺系固化劑、胺系固化劑、胍系固 化劑、把這些固化劑的環氧加和物和這些固化劑微嚢化的產物、三苯 磷、四苯基轔、四苯硼酸脂等的有機磷系化合物等。希望上述固化劑相對于樹脂膜的含量為0. 05-10重量％。不足0. 05 重量％時，由于樹脂膜固化不充分，故酸或氧化劑浸入樹脂膜的程度變 大，有時損壞樹脂膜的絕緣性。另一方面，如果超出10重量％，則過 剩的固化劑成分使樹脂的組成變性，導致可靠性降低。作為上述其他成分，可舉出例如不影響粗化的形成的無機化合物或 樹脂等的填料。作為上述無機化合物，可舉出例如氧化硅、氧化鋁、 白云石等，作為上述樹脂，可舉出例如聚酰亞胺樹脂、聚丙烯樹脂、 聚酰胺亞胺樹脂、對聚苯樹脂、黑色素樹脂、烯烴系樹脂等。通過包 括這些填料，力求使熱膨脹系數的一致和耐熱性、耐藥品性提高等， 可提高印刷布線板的性能。另外,上述樹脂膜可含有溶劑。作為上述溶劑，可舉出例如丙酮、 丁酮、環己醇等的酮類、乙基醋酸、丁基醋酸、乙二醇乙醚醋酸鹽和 甲苯、二甲苯等芳香族炭氫化合物。這些可單獨使用，也可兩種以上 并用。(第一實施形態的笫一特例)參考圖9說明本發明的第一實施形態的第一特例的印刷布線板。第 一實施形態的第 一特例的印刷布線板和上述第 一 實施形態基本相同。但是，該第一特例的—印刷布線板中，配設導電連接管腳96，經該導電 連接管腳96與子板連接而形成。另外，上述第一實施形態中，僅配置在核心基板30中容納的片狀 電容器20,但在第一特例中，在表面和里面都安裝大容量的片狀電容 器86。IC芯片瞬時消耗大功率進行復雜的運算。這里，為在IC芯片側上 提供大功率，在第一特例中，在印刷布線板上配設電源用的片狀電容 器20和片狀電容器86。對于該片狀電容器的效果，參考圖12來說明。圖12以對IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時間作為橫軸。這里， 雙點劃線C表示未配備電源用電容器的印刷布線板的電壓變動。沒有 配備電源用電容器時，電壓大大衰減。虛線A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線板的電壓變動。與上述雙點劃線C相比，電壓沒 有很大的降低，由于環路長度變長，不能充分地進行速度有決定性的 電源供電。即，在供電開始時電壓下降。另外，雙點劃線B表示參考 圖8內裝上述的片狀電容器的印刷布線板的電壓下降。環路長度可縮 短，但由于核心基板30上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動。 這里，實線E表示參考圖9安裝上述核心基板內的片狀電容器20、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器86的第一特例的印刷布線板的電壓 變動。通過在IC芯片附近配置片狀電容器20還配置大容量(及相對 大的電感)的片狀電容器86，把電壓變動抑制到最小。 (第一實施形態的第一變形例)接著，參考圖11說明本發明的第一實施形態的第一變形例的印刷 布線板。該第一變形例的印刷布線板的結構與上述第一實施形態基本相同。 但是，第一變形例的印刷布線板14上，在第一樹脂基板30a、第三樹 脂基板30c的一個面上形成導體電路35,在設置容納片狀電容器20的 開口 30B的第二樹脂基板30b的兩面上形成導體電路37。該第一實施 形態中，由于在第一樹脂基板30a、第三樹脂基板30c的一個面上形成 導體電路35,在第二樹脂基板30b的兩面上形成導體電路37,故優點 是可提高布線密度，減少裝配的層間樹脂絕緣層的層數。另外，在笫一變形例的印刷布線板中，如圖13 (A)所示，在完全 剝離第一、第二電極21、 22的覆蓋層(圖中未示出)后，用銅電鍍膜29覆蓋片狀電容器20。接著，用銅電鍍形成的通路孔50在用銅電鍍 膜29覆蓋的第一、第二電極21、 22上作電連接。這里，片狀電容器 的電極21、 22在金屬化構成的表面上有凹凸。與此相反，在笫一變形 例中，通過銅電鍍膜29使第一、第二電極21、 22的表面平滑，也不 會產生遷移，也不會引起電容器電極處的不良情況。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線板裝載的階段 中剝離下來之后，進行設置。可代之以在片狀電容器20的制造階段中， 在金屬層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第一變形例中，與笫一實施 形態同樣，用激光設置直到電極的銅電鍍膜29的開口后，進行去污斑 處理等，通過銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使形 成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可進 行適當的連接。另外，如圖13 (B)所示，可去除電容器20的第一、第二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來使用。這是由于通過露出第一電極21、第 二電極22，可提高連接性。而且，片狀電容器20的陶瓷構成的介電體23的表面上設置粗化層 23oc。因此，陶覺構成的片狀電容器20與樹脂構成的第一樹脂基板30a 的密接性高，即使實施熱循環試驗，界面處的第一樹脂基板30a也不 發生剝離。該粗化層23 ct可在燒制后通過研磨片狀電容器20的表面， 還在燒制前通過實施粗化處理而形成。此外，第一變形例中，在電容 器的表面實施粗化處理，提高了和樹脂的密接性，但可代之以在電容 器的表面實施硅烷偶聯處理。本發明的第一變形例的印刷布線板的制造工序參考圖10和11來說明。(1) 準備厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸舍BT(粘膠 絲馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的第一樹脂基板30a。在第一樹 脂基板30a上在一個面上形成導電連接部34、在另一個面上形成導體 電路35。接著，在導電連接部34上經焊錫、導電性糊劑等的粘接材料 36裝載多個片狀電容器20，把片狀電容器20連接于導電連接部34(參 考圖10 (A))。(2) 之后，準備玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用樹脂層(粘接用樹脂層)38a、 38b及玻璃織物等的芯體材料中浸含BT 樹脂并固化的第二樹脂基板30b (厚度O. 4mm)、第三樹脂基板30c(厚 度0. l咖)，粘接用樹脂層38a和第二樹脂基板30b中形成可容納片狀 電容器20的通孔38A、 30B。此外，第二樹脂基板30b的兩面上形成導 體電路37,第三樹脂基板30c的一個面上形成導體電路35。首先，在 第三樹脂基板30c的未形成導體電路35的面上經粘接用樹脂層38b 裝載第二樹脂基板30b。在第二樹脂基板30b之上經粘接用樹脂層38 a 對第一樹脂基板30a進行反轉裝載。即，重合成第一樹脂基板30a上 連接的片狀電容器20容納在第二樹脂基板30b中形成的通開口 30B中 (參考圖10 (B))。(3)通過使用熱壓對重合的基板進行壓力加工，對第一、第二、 第三樹脂基板30a、 30b、 30c進行多層一體化，形成具有多個片狀電 容器20的核心基板30(參考圖IO(C))。首先，通過加壓把環氧樹脂 (絕緣性樹脂)從粘接用樹脂層38a、 38b壓出到周圍，填充開口30B 與片狀電容器20之間的間隙。而且，由于與加壓同時進行加熱，故環 氧樹脂固化，由于作為粘接用樹脂把粘接用樹脂層38a、 38b介于中間， 強固地粘接第一、第二、第三樹脂基板30a、 30b、 30c。(4 )對經上述工序的基板邊對熱固化型環氧系樹脂層進行升溫到 50 - 150t:，邊在5kg/cm2的壓力下進行真空壓接的層疊，設置層間樹 脂絕緣層40 (參考圖10 (D))。真空壓接時的真空度是10mmHg。(5 )隨后，通過激光在基板30的上表面和下面形成連接于導電連 接部34和導體電路35、 37的通路孔用開口 42 (參考圖10 (E))。由于以后的工序與上述第一實施形態的(7) ~ (19)相同，故省 略了其說明。(第一實施形態的笫二變形例) 接著，參考圖14說明第一實施形態的第二變形例的印刷布線板的 結構。該第二變形例的印刷布線板的結構與上述第一實施形態基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖14表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個使用的切斷之前的片狀電容器，圖 中的點劃線表示切斷線。上述的第一實施形態的印刷布線板中，如在 圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側緣上配置笫一電極21和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個使用的、切斷前的片 狀電容器，圖中的點劃線表示切斷線。第二變形例的印刷布線板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側緣的內側上配置笫一電極 21和第二電極22。該笫二變形例的印刷布線板上，由于使用在外緣內側形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說明第二變形例的第l特例的印刷布線板。 圖15表示第一特例的印刷布線板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實施形態中，在核心基板上容納多個小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導電膜24、連接于第二電極22 側上的笫二導電膜25、未連接于第一導電膜24和第二導電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用的電極27構成。經該電極27連接IC芯 片側和子板側。該第一變形例的印刷布線板中，由于使用大型的片狀電容器20, 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20， 故即使反復熱循環印刷布線板也不會發生翹曲。參考圖16說明第二特例的印刷布線板。圖16 (A)表示多個使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點劃線表示通常的切斷線，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該笫二特例 中，連接多個(圖中之例為3個)、多個使用的片狀電容器而以大型來 使用。該第二特例中，由于使用大型的片狀電容器20,故可使用容量大 的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復熱 循環印刷布線板也不會發生翹曲。上述的實施形態中，把片狀電容器內裝在印刷布線板中，但也可使 用在陶覺板上設置導電膜而構成的板狀電容器，來代替片狀電容器。通過第一實施形態的制造方法，由于核心基板內可容納電容器、IC 芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外， 由于層疊樹脂基板來構成，故核心基板上得到足夠的強度。而且，由 于通過核心基板的兩面上配設笫一樹脂基板、第三樹脂基板而平滑地構成核心基板，故能夠在核心基板之上適當地形成層間樹脂絕緣層和 導體電路，可降低印刷布線板的不合格品發生率。由于在核心基板與電容器之間填充樹脂，故即產生了起因于電容器 等的應力，也可得到緩解，不產生遷移。因此，不影響電容器的電極 和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進行可靠性試驗，也可 保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時，也能防止產生遷移。 (第二實施形態)參考圖19和20說明本發明的第二實施形態的印刷布線板的結構。 圖19表示印刷布線板210的剖面，圖20表示圖19所示的印刷布線板 210上裝栽IC芯片290、向子板295側安裝的狀態。如圖19所示，印刷布線板210由容納片狀電容器220的核心基板 230和裝配布線層280A、 280B構成。裝配布線層280A、 280B經通孔 256連接。裝配布線層280A、 280B由層間樹脂絕緣層240、 340構成。 上側的裝配布線層280A側的層間樹脂絕緣層240上形成導體電路358 和連接于片狀電容器220的第一電極221和第二電極222的通路孔 260，在層間樹脂絕緣層340上形成導體電路358和通路孔360。另一 方面，在下側的裝配布線層280B側的層間樹脂絕緣層240上形成導體 電路258,在層間樹脂絕緣層340上形成導體電路358和通路孔360。 裝配布線層280A、 280B的層間樹脂絕緣層340之上形成阻焊劑層270。如圖19所示，片狀電容器220由第一電極221和第二電極222以 及被第一和第二電極夾住的介電體23構成，介電體23上相對配置多 對連接于第一電極221側的第一導電膜224和連接于第二電極222側 的第二導電膜225。如圖20所示，上側的裝配布線層280A上配置用于連接到IC芯片 290的連接端292E、 292P、 292S的焊料凸點276U。另一方面，下側的 裝配布線層280B上配置用于連接到子板295的連接端2ME、294P、294S 的焊料凸點276D。如圖20所示，IC芯片290的信號用連接端292S經凸點276U-導 體電路358 -通路孔360 -通孔256 -通路孔360 -凸點276D連接到子 板295的信號用連接端294S。IC芯片290的接地用連接端292E經凸點276U -通路孔360 -導體電路258 -通路孔260連接到片狀電容器220的第一電極221。另 一方 面，子板295的接地用連接端294E經凸點276D-通路孔360 -通孔256 -通路孔260連接到片狀電容器220的第一電極221。IC芯片290的電源用連接端292P經凸點276U-通路孔360 -導體 電路258 -通路孔260連接到片狀電容器220的第二電極222。另一方 面，子板295的電源用連接端294P經凸點276D-通路孔360 -通孔256 -通路孔260連接到片狀電容器220的第二電極222。如圖19所示，本實施形態的核心基板230由第一樹脂基板230a、 經粘接用樹脂層(粘接板)238a連接于第一樹脂基板230a的笫二樹脂 基板230b以及經粘接用樹脂層(粘接板)238b連接于第二樹脂基板 230b的第三樹脂基板230c構成。第一樹脂基板230a、第二樹脂基板 230b和第三樹脂基板230c的兩面上形成導體電路235。另外，核心基 板230中通過锪孔加工形成可容納片狀電容器220的凹部334，在凹部 334中容納片狀電容器220。這樣，由于核心基板230內可容納片狀電容器220，縮短IC芯片 290和片狀電容器220的距離，可降低印刷布線板210的環路電感。另 外，由于層疊在兩面上設置導體電路235的第一樹脂基板230a、第二 樹脂基板230b和第三樹脂基板230c而形成核心基板230，所以可提高 在核心基板230內的布線密度；可降低層間樹脂絕緣層的層數。而且，第二實施形態中，如圖18(A)所示，使粘接劑236介于核 心基板230的通孔34的下面與片狀電容器220之間、通孔337的側面 與片狀電容器220之間填充樹脂填充劑233。這里，粘接劑236和樹脂 填充劑233的熱膨脹率設定得比核心基板230小，即，設定在由陶瓷 構成的片狀電容器220附近。因此，在熱循環試驗中，即使核心基板 230和片狀電容器220之間因熱膨脹率差別而產生內應力，在核心基板 230上也難以產生斷裂、剝離等，可實現高可靠性。還有，也有防止遷 移的發生。接著，就參考圖19的上述的印刷布線板的制造方法，參考圖17 ~ 圖19來說明。(1)以厚度為0. 3咖的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的樹脂基板231a的兩面上層疊了 銅箔232的覆銅層疊板231M作為起始材料(圖17 ( A))。把該覆銅層疊板231M的銅箔232蝕刻成圖形，從而形成在兩面上配置導體電路235 的笫一、第二、第三樹脂基板230a、 230b、 2 30c (圖17(B)),之后， 經玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用樹脂層238b層疊第 三樹脂基板230c和第二樹脂基板230 b。同樣，經粘接用樹脂層238a 層疊第二樹脂基板230b與第一樹脂基板230a (圖17 (C))。作為核心基板，不能使用陶資和A1N等的基板。這是由于該基板外 形加工性差不能容納電容器，即使用樹脂填充也會出現空隙。(2) 隨后，通過使用熱壓對重合的基板壓力加工進行，對第一、 第二、第三樹脂基板230a、 230b、 230c進行多層一體化，形成核心基 板230(圖17(D))。這里，首先，通過加壓把粘接用樹脂層238a、 238b 的環氧樹脂(絕緣性樹脂)壓出到周圍，把環氧樹脂密著于第一、第 二、第三樹脂基板230a、 230b、 230c。而且，由于與加壓同時進行加 熱，故環氧樹脂固化，通過把粘接用樹脂層238a、 238b作為粘接板介 于中間，強固地粘接第一、第二、第三樹脂基板230a、 230b、 230c。(3) 隨后，通過锪孔加工在核心基板230中形成容納片狀電容器 220用的凹部334 (圖17(E)。這里，通過鐿孔加工設置容納電容器用 的凹部，但也可通過把設置有開口的絕緣樹脂基板和未設置開口的樹 脂絕緣基板壓合，形成配有容納部的核心基板。(4) 接著，使用印刷機在凹部334的底面上涂布熱固化系或UV 固化系粘接材料236 (圖18(A))。此時，除涂布外，還可使用澆灌等。隨后，把片狀電容器220裝載在粘接材料236上(圖18(B))。片 狀電容器220可以是一個或多個，但通過使用多個片狀電容器220可 實現電容器的高集成化。(5) 隨后，在凹部234內填充熱固化樹脂，加熱固化后形成樹脂 層233 (圖18(C))。此時，作為熱固化樹脂，最好是環氧樹脂、苯酚、 聚酰亞胺、三嗪。由此，固定凹部334內的片狀電容器"0，并填充片 狀電容器220與凹部334壁面的間隙。(6) 對經上述工序的基板230，邊對后述的熱固化型環氧系樹脂 板進行升溫到50~ 1501C，邊在5kg/cn^的壓力下進行真空壓接的層疊， 設置層間樹脂絕緣層240(圖18(D))。真空壓接時的真空度是10mmHg。由于以后的工序與上述第一實施形態的(7) ~ (9)相同，故省略 了其說明。接著，參考圖2(T說明向上述工序中完成的印刷布線板210裝栽IC 芯片290以及向子板295的安裝。完成的印刷布線板210的焊料凸點 276U上對應于IC芯片290的焊料連接端292E、 292P、 292S來裝栽IC 芯片290，通過進行回流進行IC芯片290的安裝。同時，印刷布線板 210的焊料凸點276D上對應于子板295的連接端294E、 294P、 294S 通過進行回流來向子板295安裝印刷布線板210。在形成上述的層間樹脂絕緣層240、 340的熱固化型環氧系樹脂板 中包括難溶性粒子、可溶性粒子、固化劑和其它成分。由于對于這些 與上述實施形態l相同，故省略了其說明。 (第二實施形態的第一變形例)接著，參考圖23說明本發明的第二實施形態的笫一變形例的印刷 布線板212。上述的第二實施形態中，配置BGA(球柵陣列)。如圖23 所示，該第二實施形態的第一變形例的印刷布線板的結構以經導電連 接管腳296進行連接的PGA方式構成。在上述第二實施形態中，通過锪孔(廿*/!;)加工在核心基板230 上放置容納片狀電容器220的凹部334，容納片狀電容器220。第二實 施形態的第一變形例中，經粘接用樹脂層(粘接板)238a、 238b把設 置通孔230A的第一樹脂基板230a和未設置通孔的笫二、第三樹脂基 板230b、 230c貼合來形成配置容納片狀電容器220的凹部335的核心 基板230，在凹部335中容納多個片狀電容器220，本發明的第二實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序參 考圖21和22來i兌明。(1)以厚度為0. 3mm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的樹脂基板231a的兩面上層疊銅 箔232的覆銅層疊板231M作為起始材料(圖21 ( A))。把該覆銅層疊 板231M的銅箔232蝕刻成圖形，從而形成在兩面上配置導體電路235 的第二、第三樹脂基板230b、 230c。在蝕刻出圖形的同時，通過形成 通孔230A來形成配置導體電路235的第一樹脂基板230a(圖21(B))。 之后，經玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用樹脂層238b 層疊第三樹脂基板230c和第二樹脂基板230b。同樣，經形成通孔238A 的粘接用樹脂層(粘接板)238a層疊第二樹脂基板230b與形成通孔 230A的第一樹脂基板230a (參考圖21 (C))。(2) 隨后，通過使用熱壓對重合的基板進行壓力加工，對第一、 第二、笫三樹脂基板230a、 230b、 230c進行多層一體化，形成配置容 納片狀電容器220的凹部335的核心基板230 (圖21 (D))。這里，首 先，通過加壓把粘接用樹脂層238a、 238b的環氧樹脂(絕緣性樹脂) 壓出到周圍，把環氧樹脂密著于第一、第二、第三樹脂基板230a、 230b、 230c。而且，由于與加壓同時進行加熱，故環氧樹脂固化，通過把粘 接用樹脂層238a、 238b作為粘接板介于中間，穩固地粘接第一、第二、 第三樹脂基板230a、 230b、 230c。(3) 隨后，使用印刷機在凹部335的底面上涂布熱固系或UV固化 系粘接材料236 (看圖21 (E))。此時，除涂布外，可使用澆灌等。(4 )接著，把多個片狀電容器220裝載在粘接材料236上(圖22 )。 通過在核心基板上容納多個片狀電容器220可實現電容器的高集成化。(5) 隨后，在凹部335內的片狀電容器220之間填充熱固化樹脂， 加熱固化后形成樹脂層233 (圖22(B)),此時，作為熱固化樹脂，最 好是環氧樹脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，固定凹部335內的片 狀電容器220并填充片狀電容器220與凹部335壁面的間隙。(6) 對經上述工序的基板230,邊對熱固化型環氧系樹脂板進行 升溫到50 150X:，邊在5kg/cm2的壓力下進行真空壓接的層疊，設置 由環氧系樹脂構成的層間樹脂絕緣層240 (圖22 (C))。(7 )之后，上通過激光在樹脂基板230a側的層間樹脂絕緣層240 形成直到片狀電容器220的第一端子221、第二端子222的通路孔用開 口 42 (圖22 (D))。由于以后的工序與上述第一實施形態的(8) ~ (21)相同，故省 略了其說明。(第二實施形態的第一變形例的第一特例)接著，參考圖24說明本發明的第二實施形態的第一變形例的第1 特例的印刷布線板。笫一特例的印刷布線板與上述的第二實施形態的 第一變形例基本相同。但是，第二實施形態的第一變形例中，僅配有 在核心基板230中容納的片狀電容器220,但在第一特例中，在表面和 里面上安裝了大容量的片狀電容器286。IC芯片瞬時消耗大功率進行復雜的運算。這里，為在IC芯片側上 提供大功率，在變形例中，在印刷布線板上配設電源用片狀電容器220和片狀電容器286。對于該片狀電容器的效果，參考圖J2來說明。圖12以對IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時間作為橫軸。這里， 雙點劃線C表示未配備電源用電容器的印刷布線板的電壓變動。沒有 配備電源用電容器時，電壓大大衰減。虛線A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線板的電壓變動。與上述雙點劃線C相比，電壓沒 有很大的降低，由于環路長度變長，故不能充分地進行快速的電源供 電。即，在供電開始時電壓下降。另外，雙點劃線B表示參考圖23內 裝上述的片狀電容器的印刷布線板的電壓下降。環路長度可縮短，但 由于核心基板230上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動。這 里，實線E表示參考圖24安裝上述核心基板內的片狀電容器220、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器286的變形例的印刷布線板的電壓 變動。通過在IC芯片附近配置片狀電容器220還配置大容量(及相對 大的電感)的片狀電容器286，把電壓變動抑制到最小。另外，在第二實施形態的第一特例中，如圖13 (A)所示，在完全 剝離第一、第二電極221、 222的覆蓋層(圖中未示出)后，用銅電鍍 膜29覆蓋片狀電容器220。接著，用銅電鍍形成的通路孔260在用銅 電鍍膜29覆蓋的第一、第二電極221、 222上作電連接。這里，片狀 電容器的電極221、 222在金屬化構成的表面上有凹凸，因此，剝落金 屬層的狀態下使用時，在連接層240中穿設非貫通孔242的工序中， 在該凹凸上會殘留樹脂。此時，通過該樹脂殘留會產生第一、第二電 極221、 222與通路孔260的連接不良。與此相反，在變形例中，通過 銅電鍍膜29使第一、第二電極221、 222的表面平滑，在電極上覆蓋 的層間樹脂絕緣層240中穿設非貫通孔42時，不會殘留樹脂，可提高 形成通路孔260時的與電極221、 222的連接可靠性。而且，由于形成銅電鍍膜29的電極221、 222上通過電鍍形成通路 孔260，故電極221、 222和通路孔260的連接性高，即使進行熱循環 試驗，在電極221、 222和通路孔260之間也不會產生斷路。也不會產 生遷移，也不會引起電容器的通路孔連接部處的不良情況。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線板裝載的階段 中剝離下來之后，進行設置。可代之以在片狀電容器220的制造階段 中，在金屬層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第一特例沖，與第二實施形態同樣，用激光設置直到電極的銅電鍍膜29的開口后，進行去污 斑處理等，通過銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使 形成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可 進行適當的連接。而且，片狀電容器220的陶資構成的介電體23的表面上設置粗化 層23ct。因此，陶資構成的片狀電容器220與樹脂構成的層間樹脂絕 緣層240的密接性高，即使實施熱循環試驗，界面處的層間樹脂絕緣 層240也不發生剝離。該粗化層23ot可在燒制后通過研磨片狀電容器 220的表面，還在燒制前通過實施粗化處理而形成。此外，笫一特例中， 在電容器的表面實施粗化處理，提高了和樹脂的密接性，但可代之以 在電容器的表面實施硅烷偶聯處理。另外，如圖13(B)所示，可去除電容器220的第一、第二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來使用。這是由于通過露出第一電極21、笫 二電極22可提高與由電鍍構成的通路孔的連接性。 (第二實施形態的第二變形例)接著，參考圖14說明第二實施形態的第二變形例的印刷布線板的 結構。該第二變形例的印刷布線板的結構與上述第一實施形態基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖H表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點劃線表示切斷線。上述的第一實施形態的印刷布線板中，如 在圖14(B)中平面圖所示，在片狀電容器的側緣上配置第一電極21 和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個使用的、切斯前的 片狀電容器，圖中的點劃線表示切斷線。第二變形例的印刷布線板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側緣的內側上配置第一電極 21和第二電極22。該第二變形例的印刷布線板上，由于使用在外緣內側形成電極的片 狀電容器20，可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說明第二變形例的第一特例的印刷布線板。圖15表示第一特例的印刷布線板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實施形態中，在核心基板上容納多個小容量 的片狀電容器，在笫一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、介 電體23、連接于第一電極21的第一導電膜24、連接于第二電極22側 上的第二導電膜25、未連接于第一導電膜24和第二導電膜25的片狀 電容器的上下表面的連接用的電極27構成，經該電極27連接IC芯片 側和子板側。該第一變形例的印刷布線板中，由于使用大型的片狀電容器20， 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20, 故即使反復熱循環印刷布線板也不會發生翹曲。參考圖16說明第二特例的印刷布線板。圖16 (A)表示多個使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點劃線表示通常的切斷線，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(圖中之例為3個)、多個使用的片狀電容器而以大型來 使用。該笫二特例中，由于使用大型的片狀電容器20故可使用容量大的 片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復熱循 環印刷布線板也不會發生翹曲。上述的實施形態中，把片狀電容器內裝在印刷布線板中，但也可使 用在陶資板上設置導電膜而構成的板狀電容器，來代替片狀電容器。如以上說明了的那樣，按照第二實施形態，由于核心基板內可容納 電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電 感。另外，由于層疊多個形成了導體電路的樹脂基板來形成核心基板， 故可提高核心基板內的布線密度，可減少層間樹脂絕緣層的層數。由于在核心基板與電容器之間填充樹脂，故即使產生了起因于電容 器等的應力，也可得到緩解。不產生遷移。因此，不影響電容器的電 極和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進行可靠性試驗，也 可保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時，也能防止產生遷移。 (第三實施形態)參考圖30和31說明本發明的第三實施形態的印刷布線板的結構。 圖30表示印刷布線板410的剖面，圖31表示圖30所示的印刷布線板 410上裝載IC芯片490、向子板495側安裝的狀態。如圖30所示，印刷布線板410由容納多個片狀電容器420的核心基板430和裝配布線層480A、 480B構成。裝配布線—層480A、 480B由 層間樹脂絕緣層540、 541構成。裝配布線層480A、 480B的層間樹脂 絕緣層540上形成導體電路558和通路孔560，在層間樹脂絕緣層541 上形成導體電路559和通路孔564。在層間樹脂絕緣層541之上形成阻 焊劑層470。核心基板430上配置和片狀電容器420連接的通路孔460 和導體電路458。裝配布線層480A和裝配布線層480B經在核心基板 430上形成的通孔456連接。如圖30所示，片狀電容器420由第一電極421和第二電極422以 及#_第一和第二電極夾住的介電體423構成，介電體23上相對配置多 對連接于第一電極421側的第一導電膜424和連接于第二電極422側 的第二導電膜425。如圖31所示，上側的裝配布線層480A上配置用于連接到IC芯片 490的連接端492E、 492P、 492S的焊料凸點476U。另一方面，下側的 裝配布線層480B上配置用于連接到子板495的連接端494El、 494E2、 494P1、 494P2、 494S的焊料凸點476D。IC芯片490的信號用連接端492S經凸點476U -導體電路559 -通 路孔564 -導體電路558 -通路孔560 -通孔456 -通路孔560 -導體電 路558 -通路孔564 -導體電路559 -墊塊476D連接到子板495的信號 用連接端494S。IC芯片490的接地用連接端492E經凸點476U -通路孔564 -導體 電路558 —通路孔560 -導體電路458 —通路孔460連接到片狀電容器 420的笫一電極421。另一方面，子板495的接地用連接端494E1經凸 點476D-通路孔564 -導體電路558 -通路孔560 -通孔456 -導體電 路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第一電極421。接地用連 接端494E2經凸點476D -通路孔564 -導體電路558 -通路孑L 560 -導 體電路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第一電極421。IC芯片490的電源用連接端492P經凸點476U-通路孔564 -導體 電路558 -通路孔560 -導體電路458 -通路孔460連接到片狀電容器 420的第二電極422。另一方面，子板495的電源用連接端494P1經凸 點476D -通路孔564 -導體電路558 -通路孔560 -通孔456 -導體電 路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第二電極422。另外，電 源用連接端494P2經凸點476D-通路孔564 -導體電路558 -通路孔560 -導體電路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第二電極 422。在該實施形態中，經通孔456從子板495側向片狀電容器420的 第一、第二電極421、 422連接，但可省略經通孔的連接。如圖30所示，本實施形態的核心基板430由經粘接材料連接片狀 電容器420的第一樹脂基板430a、經粘接用樹脂層(粘接板)438a連 接于第一樹脂基板430a的第二樹脂基板430b以及經粘接用樹脂層(粘 接板)438b連接于第二樹脂基板430b的第三樹脂基板430c構成。在 第二樹脂基板430b上形成可容納片狀電容器420的開口 430B。這樣，由于核心基板430內可容納片狀電容器420，故縮短IC芯 片490和片狀電容器420的距離，可降低印刷布線板410的環路電感。 另外，由于層疊第一樹脂基板430a、第二樹脂基板430b和第三樹脂基 板430c而形成，核心基板430內可得到足夠的強度。而且，通過在核 心基板430的兩面上配置第一樹脂基板430a、第三樹脂基板430c而平 滑地構成核心基板430，故可在核心基板430之上適當形成層間樹脂絕 緣層540、 541及導體電路558、 559、通路孔560、 564，可降低印刷 布線板的不合格品發生率。該實施形態中，由于核心基板430的兩面上設置通路孔460，故可 以最短的距離連接IC芯片490和片狀電容器420、還有，子板495與 片狀電容器420，可從子板向IC芯片提供瞬時大功率。而且，本實施形態中，如圖25 (D)所示使絕緣粘接劑436介于， 第一樹脂基板430a與片狀電容器420之間。這里，粘接劑436的熱膨 脹率設定得比核心基板430的小，即，設定在由陶瓷構成的片狀電容 器420附近。因此，在熱循環試驗中，即使核心基板及粘接劑436和 片狀電容器420之間因熱膨脹率差別而產生應力，在核心基板上也難 以產生斷裂、剝離等，可實現高可靠性。還有，也能防止遷移的發生。接著，就參考圖30的上述的印刷布線板的制造方法，參考圖25-圖30來說明。(1)以厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的樹脂基板的一個面上層疊銅箔 432的單面覆銅層疊板430M(第一樹脂基板430a和第三樹脂基板430c) 作為起始材料(參考圖25 (A))。接著，把該覆銅層疊板430M的銅箔432蝕刻成圖形，從而在銅箔432上形成通路孔形威用開口 432a (參考圖25 (B))。(2) 隨后，使用印刷機在第一樹脂基板430a的沒有層疊銅箔432 的面上，涂布熱固化系或UV固化系粘接材料436 (參照圖25 (C))。 此時，除涂布外，可使用澆灌等。隨后，把多個陶瓷構成的片狀電容器420裝載在粘接材料436上， 經粘接材料436把片狀電容器420粘接到第一樹脂基板430a (參照圖 25(D))。片狀電容器420可以是一個或多個，但通過使用多個片狀電 容器420可實現電容器的高集成化。(3) 接著，準備玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用 樹脂層(粘接用樹脂層)438a、 438b及玻璃織物等的芯體材料中浸含 BT樹脂并固化的第二樹脂基板430b(厚度0.4,)。粘接用樹脂層"8a 和第二樹脂基板430b中形成可容納片狀電容器"0的開口 3"J30B。 首先，在把層疊了銅箔432的面放在下面的第三樹脂基板430c之上經 粘接用樹脂層438b裝載第二樹脂基板430b。接著，在笫二樹脂基板 430b上經粘接用樹脂層438a對一樹脂基板430a進行反轉裝載。即， 連接于第一樹脂基板430a的片狀電容器420向著粘接用樹脂層438a 側，重合成在第二樹脂基板430b中形成的開口 430B中可容納片狀電 容器420 (參考圖26(A))。這樣，核心基板430內可容納片狀電容器 420，可提供降低環路電感的印刷布線板。另外，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板。這是因為該基板 的外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹脂填充也會產生空隙。(4) 另外，通過使用熱壓對重合的基板進行壓力加工，對第一、笫 二、第三樹脂基板430a、 430b、 430c進行多層一體化，形成具有多個 片狀電容器420的核心基板430 (參考圖26 (B))。這里，首先，通過加壓把環氧樹脂(絕緣性樹脂)從粘接用樹脂層 438a、438b壓出到周圍，填充開口 430B和片狀電容器420之間的間隙。 而且，由于與加壓同時進行加熱，故環氧樹脂固化，通過把粘接用樹 脂層438a、 438b作為粘接用樹脂(粘接板)介于中間，強固地粘接笫 一、第二、第三樹脂基板430a、 430b、 430c。另外，本實施形態中， 利用從粘接用樹脂層出來的環氧樹脂填充開口 430B內的間隙，但是， 也可代之以在開口 430B內配置填充材料。這里，由于在核心基板430的兩面上配置平滑的第一樹脂基板430a、第三樹脂基板430c，核心基板430的平滑性不受損壞，在后述 工序中在核心基板430之上可適當形成層間樹脂絕緣層540、 541和導 體電路558、 559、通路孔560、 564,可降^f氐印刷布線板的不合格品發 生率。另外，核心基板430上可得到足夠的強度。(5) 隨后，通過照射激光，去除從銅箔432的通路孔形成用開口 432a露出的部位，形成直到片狀電容器420的第一電極421和第二電 極422的通路孔用開口 442。即，把銅箔432用作共形掩模，通過激光 在核心基板430上形成通路孔用開口 442。之后，在基板的另一面上也 進行同樣的工序(參考圖26 (C))。由此，由于通路孔的開口 口徑依賴于銅蕩432的通路孔形成用開口 432的開口口徑，故可以適當的開口 口徑形成通路孔。同樣，由于通路 孔的開口位置精度也依賴于銅箔432的通路孔形成用開口 432的開口 位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當位置形成通路孔。(6) 接著，通過鉆頭或激光在核心基板430上形成通孔用貫通孔 444 (參考圖26 (D))。之后，使用氧等離子體進行去污斑處理。或者 使用過錳酸等的藥液進行去污斑處理。(7) 隨后，使用日本真空技術林式會社制造的SV-4540進行等離 子體處理，在核心基板430的整個表面上形成粗化面。此時，作為惰 性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓O. 6Pa、溫度70t:的條件下，進 行2分鐘的等離子體處理。接著，以Ni和Cu作為靶進行濺射，在核 心基板430的表面上形成Ni-Cu金屬層448 (參考圖27 ( A ))。這里， 雖然使用濺射，但也可通過非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層。此夕卜， 也可根據情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜。可通過酸或氧化劑 實施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(8) 接著，在Ni-Cu金屬層448的表面上貼合感光性干膜，裝載 掩模，進行曝光顯像處理，形成規定圖形的抗蝕劑450。之后，把核心 基板430浸入電解電鍍液中，經Ni-Cu金屬層448流過電流，在未形 成抗蝕劑450的部分上在下面的條件下進行電解電鍍，形成電解電鍍 膜452 (參考圖27 (B)):[電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 辟b酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜亍7夕5弋 ；/社制造的力y《，少卜，HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時間 120分鐘溫度 2 2 ± 2 "C(9) 用5%的NaOH剝離去除抗蝕劑450后，通過使用硝酸和疏酸 與雙氧水的混合液的蝕刻溶解去除該抗蝕劑450下面的Ni-Cu金屬層 448和銅箔432，形成銅箔432、 Ni-Cu金屬層448和電解電鍍膜452 構成的導體電路458 (包括通路孔460 )及通孔456。接著，對基板進 行水洗干燥后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過蝕刻導體電 路458 (包括通路孔460 )及通孔456的表面，在導體電路458 (包括 通路孔460 )及通孔456的整個表面上形成粗化面462(參考圖27(C))。 作為蝕刻液，使用IO份重量的銅(II)亞胺溶液絡合物、7份重量的乙 二醇酸、5份重量的氯化鉀和78份重量的離子交換水的混合物。(10) 使用印刷機把以環氧系樹脂為主要成分的樹脂填充劑464 涂布到基板430的兩面上，從而填充到導體電路458之間或通孔456 內，進行加熱干燥。即，通過該工序，在導體電路458之間，通路孔 460、通孔456內填充樹脂填充劑464 (參考圖27 (D))。(11 )對結束上述(10 )的處理的基板430的一個面通過使用帶狀 研磨紙(三共理化學社制造)的帶砂研磨，以在導體電路458的表面 和通孔456的凸緣(rand)表面456a上不殘留樹脂填充劑464的方式進 行研磨，接著，進行去除因上述帶砂研磨產生的劃傷用的拋光研磨，。 對基板430的另一面也同樣進行這樣一連串的研磨。接著，加熱并固 化填充的樹脂填充劑464。這樣一來，除去通孔456等中填充的樹脂填 充劑464的表層部和導體電路458上表面的粗化面462而平滑基板430 的兩面，經粗化面462把樹脂填充劑464和導體電路458強固地密著， 得到經粗化面462把通孔456的內壁面和樹脂填充劑464強固地密著 的布線基板。接著，用噴霧器在基板430的兩面上噴上與上述(9)中使用的蝕 刻液相同的蝕刻液，通過蝕刻一度平坦的導體電路458的表面和通孔 456的凸緣表面456a，在導體電路458的整個表面上形成粗化面458 oc (參考圖28 (A))。(12 )在經過上述工序的基板430上，邊對后述的熱固化型環氧系 樹脂板進行升溫到50~150t:,邊在5kg/cm2的壓力真空壓發的層疊， 設置層間樹脂絕緣層540 (參考圖28 (B))。真空壓接時的真空度是 lOmmHg。(13) 接著，通過激光在層間樹脂絕緣層540上形成通路孔用開口 542 (參考圖28 (C))。(14) 隨后，使用工序(7)使用的日本真空技術株式會社制造的 SV-4540進行等離子體處理，在層間樹脂絕緣層54G的表面上形成粗化 面540 a (參考圖28(D))。在此，也可通過酸或氧化劑實施粗化處理。 還有，粗化層希望為0. 1 ~ 5微米。(15) 隨后與工序(7)同樣，以Ni和Cu作為靶進行濺射，在層 間樹脂絕緣層540的表面上形成Ni-Cu金屬層548 (參考圖29 (A))。 這里，雖然使用濺射，但也可通過非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層。 此外，也可根據情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜。(16) 隨后與工序(8)同樣，在Ni-Cu金屬層M8的表面上貼合 感光性干膜，裝載掩模，進行曝光顯像處理，形成規定圖形的抗蝕劑 544。之后，把基板浸入電解電鍍液中，經Ni-Cu金屬層548流過電流， 在未形成抗蝕劑544的部分上進行電解電鍍，形成電解電鍍膜552 (參 考圖29 (B))。(17) 隨后，進行與工序(9)同樣的處理，形成Ni-Cu金屬層5" 和電解電鍍膜552構成的導體電路558 (包括通路孔560)。接著，對 基板進行水洗干燥后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過蝕刻， 在導體電路558 (包括通路孔560 )的整個表面上形成粗化面154 (參 考圖29 (C))。(18) 通過反復(12) ~ (17)的工序，在上層上形成層間樹脂絕 緣層541和導體電路559 (包括通路孔564 )和粗化面565 (參考圖 29(D))。由于以后的工序與上述第一實施形態的(16) ~ (19)相同，故省 略了其說明。由于把IC芯片490裝載到在上述工序中完成了的印刷布線板410 以及向子板495安裝的情況與第一實施形態一樣，故省略了其說明。 (第三實施形態的第一特例)參考圖32說明本發明的第三實施形態的第一特例的印刷布線板。 第一特例的印刷布線板和上述第三實施形態基本相同。但是，該第一 特例的印刷布線板中，配設導電連接管腳496，經該導電連接管腳496 與子板連接而形成。另外，上述第三實施形態中，僅配置在核心基板430中容納的片狀 電容器420，但在第一特例中，在表面和里面都安裝大容量的片狀電容 器486。IC芯片瞬時消耗大功率進行復雜的運算。這里，為在IC芯片側上 提供大功率，在變形例中，在印刷布線板上配設電源用的片狀電容器 420和片狀電容器486。對于該片狀電容器的效果，參考圖12來說明。圖12以對IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時間作為橫軸。這里， 雙點劃線C表示未配備電源用電容器的印刷布線板的電壓變動。沒有 配備電源用電容器時，電壓大大衰減。虛線A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線板的電壓變動。與上述雙點劃線C相比，電壓沒 有很大的降低，但因環路長度變長，故不能充分地進行快速的電源供 電。即，在供電開始時電壓下降。另外，雙點劃線B表示參考圖31內 裝上述的片狀電容器的印刷布線板的電壓下降。環路長度可縮短，但 由于核心基板430上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動。這 里，實線E表示參考圖32安裝上述核心基板內的片狀電容器420、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器486的變形例的印刷布線板的電壓 變動。通過在IC芯片附近配置片狀電容器420還配置大容量(及相對 大的電感)的片狀電容器486,把電壓變動抑制到最小。 (笫三實施形態的第一變形例)接著，參考圖36說明本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷 布線板414。該第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的結構與上述 第三實施形態基本相同。但是，參考圖30說明的上述第三實施形態中， 導體電路458由銅箔432和Ni-Cu金屬層448、電解電鍍膜452共3 層構成。與此相對，第三實施形態的第一變形例的印刷布線板412中， 導體電路458由非電解電鍍膜443和電解電鍍膜452共2層構成。即 通過去除銅箔432、把厚度減薄，以細小間距形成導體電路458。在第三實施形態的第一變形例的印刷布線板414中，設置容納片狀 電容器420的開口 430B的第二樹脂基板430b的兩面上形成導體電路435。該第三實施形態的第一變形例中，由于第二樹jf旨基板430b的兩 面上形成導體電路435，故優點是可提高核心基板430內的布線密度， 減少裝配的層間樹脂絕緣層的層數。另外，在第三實施形態的第一變形例的印刷布線板中，如圖13(A) 所示，在完全剝離第一、第二電極421、 422的覆蓋層(圖中未示出) 后，用銅電鍍膜29覆蓋片狀電容器420。接著，用銅電鍍形成的通路 孔460在用銅電鍍膜29覆蓋的第一、第二電極421、 422上作電連接。 這里，片狀電容器的電極421、 422在金屬化構成的表面上有凹凸。因 此，剝落金屬層的狀態下使用時，在第一樹脂基板430a中穿設非貫通 孔442的工序中，在該凹凸上會殘留樹脂。此時，通過該樹脂殘留會 產生第一、第二電極421、 422與通路孔460的在接不良。與此相對， 在第三實施形態的第一變形例中，通過銅電鍍膜29使第一、第二電極 421、 422的表面平滑，在電極上覆蓋的第一樹脂基板430a中穿設開口 442時，不會殘留樹脂，可提高形成通路孔460時的與電極421、 422 的連接可靠性。而且由于形成銅電鍍膜29的電極421、422上通過電鍍形成通路孔 460,故電極421、 422和通路孔460的連接性高，即使進行熱循環試 驗，在電極421、 422和通路孔460之間也不會產生斷路。也不會產生 遷移，也不會引起電容器的通路孔連接部處的不良情況。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線板裝載階段中 剝離下來之后，進行設置。可代之以在片狀電容器420的制造階段中， 在金屬層26之上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第三實施形態的第一變形 例中，與第三實施形態同樣，用激光設置直到電極的銅電鍍膜29的開 口后，進行去污斑處理等，通過銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜 29的表面上即使形成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去 除氧化膜，故可進行適當的連接。而且，片狀電容器420的陶資構成的介電體423的表面上設置粗化 層23oc。因此，陶瓷構成的片狀電容器420與樹脂構成的粘接層438a、 438b的密接性高，即y使實施熱循環試驗，界面處的第一樹脂基板430a 也不發生剝離。該粗化層23ct可在燒制后通過研磨片狀電容器420的 表面，還在燒制前通過實施粗化處理而形成。此外，笫三實施形態的第一變形例中，在電容器的表面實施粗化處理，提高了和樹脂的密接 性，但可代之以在電容器的表面實施硅烷偶聯處理。另外，如圖13(B)所示，可去除電容器420的第一、第二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來使用。這是由于通過露出第一電極21、第 二電極22可提高與電鍍構成的通路孔的連接性。本發明的第三實施形態的第一變形例的印刷布線板的制造工序參 考圖33到35來說明。(1) 準備厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT(粘膠 絲馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的樹脂基板的一個面上層疊銅 箔432的單面覆銅層疊板430M (第一樹脂基板430a和第三樹脂基板 430c)。準備厚度為0.4腿的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT(粘膠絲 馬來酰亞胺三氮雜苯)樹脂并固化后的樹脂基板的兩面上層疊銅箔432 的兩面覆銅層疊板430N (第二樹脂基板430b)(參考圖"(A))。(2) 接著把該覆銅層疊板430M的銅箔432蝕刻成圖形，從而在銅 箔432上形成通路孔形成用開口 432a。同樣把雙面覆銅層疊板430N 的銅箔432蝕刻成圖形，形成導體電路435 (參考圖33(B))。在第三 實施形態的第一變形例中，由于在第二樹脂基板430b的兩面上形成導 體電路435，故可提高核心基板的布線密度，可減少裝配的層間樹脂絕 緣層的層數。(3) 隨后，使用印刷機在第一樹脂基板430a的沒有層疊銅箔432 的面上，涂布熱固化系或UV固化系粘接材料436 (參考圖33 (C))。 此時，除涂布外，還可使用澆灌等。接著，把多個陶瓷構成的片狀電容器420裝載在粘接材料436上， 經粘接材料436把片狀電容器420粘接到笫一樹脂基板430a (參考圖 33(D))。片狀電容器420可以是一個或多個，但通過使用多個片狀電 容器420可實現電容器的高集成化。(4) 接著，準備玻璃織物等的芯體材料中浸含環氧樹脂的粘接用 樹脂層(粘接用樹脂層)438a、 438b和第二樹脂基板430 b。粘接用 樹脂層438a和第二樹脂基板430b中形成可容納片狀電容器420的開 口 36A、 430B。首先，在把層疊了銅蕩432的面放在下面的第三樹脂基 板430c之上，經粘接用樹脂層438b裝載第二樹脂基板430b。接著， 在第二樹脂基板430b之上經粘接用樹脂層438a對笫一樹脂基板430a進行反轉裝栽。即，重合成在第二樹脂基板430b中形成的開口 430B 上，容納片狀電容器420 (參考圖34 (A))。這樣，核心基板430內可 容納片狀電容器420,可提供降低環路電感的印刷布線板。(5) 另外，通過使用熱壓對重合的基板進行壓力加工，對第一、笫 二、第三樹脂基板430a、 430b、 430c進行多層一體化，形成具有多個 片狀電容器420的核心基板430 (參考圖34 (B))。本實施形態中，利用從粘接用樹脂層出來的環氧樹脂填充了開口 430B內的間隙，但是，也可代之以在開口 430B內配置填充材料，這里，核心基板430的兩面是平滑的第一樹脂基板430a，第三樹脂 基板430c,核心基板430的平滑性不受損壞，在后述工序中在核心基 板430之上可適當形成層間樹脂絕緣層540、541和導體電路558、 559、 通路孔560、 564，可降低印刷布線板的不合格品發生率。核心基板430 上可得到足夠的強度。(6) 隨后，從基板上照射激光，去除銅箔432的從通路孔形成用 開口 432a露出的部位，形成直到片狀電容器420的笫一電極421和第 二電極422的通路孔用開口 442。即，把銅箔432用作共形掩模，通過 激光在核心基板430上形成通路孔用開口 442。之后，在基板的另一面 上也進行同樣的工序(看圖34(C))。由此，由于通路孔的開口 口徑依 賴于銅箔432的通路孔形成用開口 432a的開口 口徑，故可用適當的開 口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開口位置精度也依賴于銅箔 432的通路孔形成用開口 432a的開口位置，故即使激光照射位置精度 低，也可在適當位置形成通路孔。(7) 之后，使用蝕刻液對核心基板430的兩面的銅箔432進行蝕 刻，由此，將其去除。這樣，在后述的工序中，可把導體電路458的 厚度減薄，可形成細小間距。接著，通過鉆頭或激光在核心基板430上形成通孔用貫通孔444(參 考圖34(D))。之后，使用氧等離子體進行去污斑處理。或者使用過錳 酸等的藥液進行去污斑處理。(8) 隨后，使用日本真空技術林式會社制造的SV-4540進行等離 子體處理，在核心基板430的整個表面上形成粗化面446 (參考圖35(A))。此時，作為惰性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓0. 6Pa、溫 度70t:的條件下，進行2分鐘的等離子體處理。可通過酸或氧化劑實施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(9)接著，把基板430浸漬在下面的成份的非電解銅電鍍水溶液 中，在整個粗化面446上形成厚度為0. 6到3. 0微米的非電解銅電鍍膜443 (參考圖35 (B)): [非電解電鍍水溶液]NiSi04 0.003mol/l酒石酸 0. 200 mol/1硫酸銅 0. 0430mol/lHCHO 0.050mol/lNaOH 0.100 mol/1 oc， ot，- BP 'J 40mg/l 聚乙烯乙二醇(PEG) 0. 10g/l[非電解電鍍條件]在35X:的溶液溫度下，40分鐘這里，使用了非電解電鍍，但也可通過濺射形成銅、鎳等金屬層。 另外，也可根據情況在用濺射形成之后，形成非電解電鍍膜。(10 )把市售的感光性干膜貼合在非電解銅電鍍膜443上，裝載掩 模，以100mJ/cn^進行啄光，在0. 8%的碳酸鈉水溶液中進行顯像處理， 設置出厚度為30微米的電鍍抗蝕劑450。接著，在50"C的水中洗凈基 板430并進行脫脂，在25匸的水中水洗后，再用硫酸清洗，之后，在 下面的條件下進行電解銅電鍍，形成厚度為20微米的電解銅電鍍膜 452 (參考圖35 (C))。 [電解電鍍水溶液]硫酸2. 24mol/l硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜r '7夕-弋乂《^社制造的力"，夕卜* HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時間 65分鐘溫度 22土2X:(11)用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑450后，通過使用疏酸與 雙氧水的混合液對該電鍍抗蝕劑450下面的非電解電鍍膜443進行蝕刻處理、將其溶解去除，形成非電解銅電鍍膜443和電解銅電鍍膜452 構成的18微米厚的導體電路458 (包括通路孔460 )和通孔456 (參考 圖35(D))。第三實施形態的第一變形例中，如上所述，通過預先除去 銅箔432，可把導體電路458的厚度減薄，可形成細小間距。另外，這 里，完全去除并剝離銅箔432，但是即使通過光蝕刻把銅箔432減薄， 也能降低導體電路458的厚度，形成細小間距。由于以后的工序與上述笫三實施形態的(10) ~ (18)相同，故省 略了其說明。在上述實施形態的第一變形例中，在核心基板的兩面上設置通路 孔，但也可僅在一個面上形成通路孔。此外，把核心基板430的表面 的銅箔432的開口 432a作為共形掩模來使用，但也可以不使用核心基 板430的共形掩模而照射激光來設置直到電容器的開口 。 (第三實施形態的第二變形例)接著，參考圖14說明第一實施形態的第二變形例的印刷布線板的 結構。該第二變形例的印刷布線板的結構和上述第一實施形態基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖14表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點劃線表示切斷線。上述的笫一實施形態的印刷布線板中，如 在圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側緣上配置第一電極21 和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個使用的、切斷前的 片狀電容器，圖中的點劃線表示切斷線。第二變形例的印刷布線板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側緣的內側上配置第一電極 21和第二電極22。該笫二變形例的印刷布線板上，由于使用在外緣內側形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說明第二變形例的第一特例的印刷布線板。圖15表示第一特例的印刷布線板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實施形態中，在核心基板上容納多個小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導電膜24、連接于第二電極22側上的第二導電膜25、未連接于第一導電膜24和第二導電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用電極27構成。經該電極27連接IC芯片 側和子板側。該第一變形例的印刷布線板中，由于使用大型的片狀電容器20， 所以可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器 20，故即使反復熱循環印刷布線板也不會發生翹曲。參考圖16說明第二特例的印刷布線板。圖16 (A)表示多個使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點劃線表示通常的切斷線，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(圖中之例為3個)、多個使用的片狀電容器而以大型來 使用。該第二特例中，由于使用大型的片狀電容器20，所以可使用容量 大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復 熱循環印刷布線板也不會發生翹曲。上述的實施形態中，把片狀電容器內裝在印刷布線板中，但也可使 用在陶資板上設置導電膜而構成的板狀電容器，來代替片狀電容器。通過第三實施形態的結構，由于核心基板內可容納電容器、IC芯 片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線板的環路電感。另外，由 于層疊樹脂基板來構成，故核心基板上可得到足夠的強度。而且，由 于通過核心基板的兩面上配設第一樹脂基板、第三樹脂基板而平滑地 構成核心基板，故能夠在核心基板之上適當地形成層間樹脂絕緣層和 導體電路，可降低印刷布線板的不合格品發生率。根據第三實施形態的制造方法，由于通路孔的開口 口徑依賴于金屬 膜的開口口徑，故可用適當的開口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開口位置精度也依賴于金屬膜的開口位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當位置形成通路孔。從電容器的下部也可連接，因此，可以說是環路電感的距離縮短、 配置自由度增高的結構。由于在核心基板和電容器之間填充樹脂，故即使產生了在于電容器 等的應力，也可得到緩解，不會產生遷移。因此，不影響電容器的電 極和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進行可靠性試驗，也 可保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時，也能防止產生遷移。 (第四實施形態)參考圖42到44說明本發明的第四實施形態的印刷布線板的結構。 圖42表示印刷布線板610的剖面，圖43表示圖42所示的印刷布線板 610上裝載IC芯片690、向子板694側安裝的狀態。圖44 (A)為圖 42中的通路孔660的放大圖，圖44 (B)是表示從箭頭B側看去圖44 (A)中的通路孔660上配置多個通路孔760的狀態的示意圖。如圖42所示，印刷布線板610由容納多個片狀電容器620的核心 基板630和裝配布線層680A、 680B構成。核心基板630容納的多個片 狀電容器620的電極621、 622上連接相對大的通路孔660。裝配布線 層680A、 680B由層間樹脂絕緣層740、 741構成。層間樹脂絕緣層740 上形成導體電路758和相對小的通路孔760,在層間樹脂絕緣層741 上形成導體電路759和相對小的通路孔764。層間樹脂絕緣層741之上 形成阻焊劑層670。如圖13(A)所示，片狀電容器620由第一電極621和第二電極622 以及被第一和第二電極夾住的介電體23構成，介電體23上相對配置 多對連接于第一電極621側的第一導電膜24和連接于笫二電極622側 的第二導電膜25。另外，如圖13 (B)所示，可去除片狀電容器620 的第一電極21和第二電極22的覆蓋膜28的一部分來使用。這是由于 通過露出第一電極21、第二電極22可提高與電鍍形成的通路孔的連接 性。如圖43所示，上側的裝配布線層680A的通路孔764上形成用于連 接到IC芯片690的連接端692的焊料凸點676U。另一方面，下側的裝 配布線層680B的通路孔764上形成用于連接到子板695的連接端694 的焊料凸點676D。作為核心基板，使用樹脂構成的物質。例如，可使用浸含玻璃環氧 樹脂的基體材料、浸含苯酚樹脂的基體材料等的一般印刷布線板中使 用的樹脂材料。但是，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板，因 為該基板的外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹脂填充也會產 生空隙。由于把多個片狀電容器620容納在核心基板630中形成的凹部734 中，故可高密度地配置片狀電容器620。另外，由于凹部734中容納多個片狀電容器620，故可對齊片狀電容器620的高度。—因此，由于片狀 電容器620上的樹脂層640可做成均勻的厚度，故可適當形成通路孔 660。此外，由于IC芯片690與片狀電容器620的距離縮短，故可降 低環路電感。如作為圖42和43的通路孔660的放大圖的圖44A所示，多個上側 的裝配布線層680A的通路孔760連接于1個通路孔660。如圖44 (B) 所示，形成為大通路孔660內徑125微米，凸緣直徑165微米，小通 路孔760內徑25微米，凸緣直徑65微米。另一方面，片狀電容器620 形成為矩形，第一電極621和第二電極622都形成為一邊為250微米 的矩形。因此，片狀電容器620的配置位置可偏離數十微米，也能連 接片狀電容器620的第一電極621和第二電極622與通路孔660,能可 靠地進行從片狀電容器620向IC芯片690的供電。還有，由于通過配 置多個通路孔760可得到與并聯連接電感部分相同的效果，故可提高 電源線和接地線的高頻特性，可防止供電不足或接地電平的變動帶來 的IC芯片的誤工作。另外，從IC芯片到片狀電容器620的布線長度 可縮短，從而可降低環路電感。如圖42所示，在通路孔660上填充電鍍，其表面作為平坦的填充 的通路孔而被形成。由此，通路孔660上可直接連接多個通路孔760。 從而可提高通路孔660與通路孔760的連接性，能可靠地進行從片狀 電容器620向IC芯片690的供電。在本實施形態中，電鍍填充形成填 充的通路孔，但也可代之以，在內部填充樹脂后、在表面上配置金屬 膜的填充通路孔作為通路孔660來使用。樹脂填充劑633和片狀電容器620下部的粘接材料636的膨脹率設 定得比核心基板630和樹脂絕緣層640小，即設定在由陶瓷構成的片 狀電容器620附近。因此，在熱循環試驗中，即使在核心基板630和 樹脂絕緣層640與片狀電容器620之間因熱膨脹率差別而產生內應力， 核心基板630和樹脂絕緣層640上也難以產生斷裂、剝離等，可實現 高可靠性。在片狀電容器620間的樹脂層633上形成通孔656，因此由于信號 線不通過陶資構成的片狀電容器620，不會發生強介電體帶來的阻抗不 連續所導致的反射和通過強介電體所帶來的傳輸延遲。如圖13 (A)所示，片狀電容器620在構成第一、第二電極621、622的金屬層26的表面上覆蓋銅電鍍艇29。電鍍膜覆蓋可通過電解電 鍍、非電解電鍍等電鍍形成。之后，如圖42所示，覆蓋銅電鍍膜29 的第一、第二電極621、 622上用銅電鍍形成的通路孔660作電連接。 這里，片狀電容器的電極621、 622在金屬化構成的表面上有凹凸，因 此，剝落金屬層26的狀態下使用時，在后述的樹脂絕緣層640中穿設 開口 639的工序中，在該凹凸上會殘留樹脂，此時，通過該樹脂殘留 會產生第一、第二電極621、 622與通路孔660的連接不良。與此相反， 在本實施形態中，通過銅電鍍膜29使第一、第二電極621、 622的表 面平滑，在電極上覆蓋的樹脂絕緣層640中穿設開口 639時，不會殘 留樹脂，可提高形成通路孔660時的電極621、 622的連接可靠性。而且由于形成銅電鍍膜29的電極621、 622上通過電鍍形成通路孔 660,電極621、 622和通路孔660的連接性高，即使進行熱循環試驗， 在電極621、 622和通路孔660之間也不會產生斷路。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層、在向印刷布線板裝載的階段中剝離下 來之后進行設置。可代之以在片狀電容器620的制造階段中，在金屬 層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，在本實施形態中，用激光設置直到 電極的銅電鍍膜29的開口后，進行去污斑處理等，通過銅電鍍形成通 路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使形成氧化膜，由于也能夠用上 述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可進行適當的連接。而且，可在片狀電容器620的陶乾構成的介電體23的表面上設置 粗化層23a。因此，陶資構成的片狀電容器620與樹脂構成的樹脂絕 緣層640的密接性高，即使實施熱循環試驗，界面處的樹脂絕緣層640 也不發生剝離。該粗化層23oc可在燒制后通過研磨片狀電容器620的 表面，還在燒制前通過實施粗化處理而形成。此外，本實施形態中， 在電容器的表面實施粗化處理，提高了和樹脂的密接性，但也可代之 以在電容器表面上進行硅烷偶聯處理。接著，就參考圖42的上述的印刷布線板的制造方法，參考圖37 ~ 圖42來說明。(1 )首先，以絕緣樹脂基板構成的核心基板630作為開始材料(參 考圖37( A))。接著，通過核心基板630的單面上锪孔加工或在絕緣樹 脂中設置通孔進行加壓貼合形成電容器配置用的凹部734 (參考圖37(B) )。此時，凹部734形成得比可配置多個電容器的區域廣闊。由此， 可把多個電容器可靠地配置到核心基板630上。(2) 之后，使用印刷機在凹部734涂布粘接材料636 (參考圖37(C) )。或者，可通過澆灌、管芯焊接、貼合粘接板等的方法在凹部中 涂布粘接材料。粘接材料636使用其熱膨脹率比核心基板小的。接著 在凹部734中經粘接材料636粘接陶瓷構成的多個片狀電容器6M(如 圖37 (D)所示)。這里，通過在底部平滑的凹部734中配置多個片狀 電容器620可對齊多個片狀電容器620的高度。因此，在后述的工序 中，可在核心基板630之上把樹脂絕緣層640形成為均勻厚度，可適 當形成通路孔660。接著，在片狀電容器620上表面按壓或施加作用力對齊高度，使得 多個片狀電容器620的上表面成為相同高度(圖37(E))。通過這一工 序，在凹部734內配置多個片狀電容器620時，即使多個片狀電容器 620大小有偏差，可完全對齊高度，可使核心基板630平滑。(3) 隨后，在凹部734內的片狀電容器620之間填充熱固化樹脂， 加熱固化后形成樹脂層633 (參考圖38( A))。此時，作為熱固化樹脂， 最好是環氧樹脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，可固定凹部734內 的片狀電容器620。樹脂層633使用其熱膨脹率比核心基板小的。除此之外也可使用熱塑性樹脂等樹脂。為使樹脂之間熱膨脹率一 致，可浸漬含料。作為填料的例子，有無機填料、陶瓷填料、金屬填 料等。(4) 之后，使用印刷機從其上涂布后述的環氧系樹脂或聚烯烴系 樹脂而形成樹脂絕緣層640 (參考圖38(B))。另外，可貼付樹脂膜來 代替涂布樹脂，。除此之外，可使用一種以上的熱固化樹脂、熱塑性樹脂、感光樹脂 熱固化樹脂和熱塑性樹脂的組合體、感光樹脂和熱塑性樹脂的組合體 等樹脂。也可把這些構成2層結構。(5 )接著，通過激光在樹脂絕緣層640上形成相對大的通路孔用 開口 639 (參考圖38 (C))。之后，進行去污斑處理。可使用曝光、顯 像處理來代替激光。隨后，通過鉆頭或激光在樹脂層633上形成通孔 用的通孔644并進行加熱固化(參考圖38(D))。可根據情況實施使用 酸或氧化劑或藥液進行的粗化處理、等離子體處理的粗化處理。由此，確保粗化層的密接性。(6) 隨后，通過非電解銅電鍍在樹脂絕緣層640的表面上形成銅 電鍍膜729(參考圖39(A))。也可以銅和鎳作為靶進行濺射，形成Ni-Cu 金屬層，來代替非電解電鍍。另外，也可根據情況在用濺射形成后、 可形成非電解電鍍膜。(7) 接著，在銅電鍍膜729的表面上貼付感光性干膜，裝載掩模、 進行曝光顯像處理，形成規定圖形的抗蝕劑649。之后，把核心基板 630浸入電解電鍍液中，經銅電鍍膜729流過電流，在未形成抗蝕劑 649的部分中填充電解電鍍651 (參考圖39 (B)),(8) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑649后，通過使用硫酸與 雙氧水的混合液對該電鍍抗蝕劑649下面的銅電鍍膜729進行蝕刻處 理、將其溶解去除，形成銅電鍍膜729和作為電解銅電鍍651構成的 填充通路孔結構的相對大的通路孔660和通孔656。希望該大通路孔的 口徑是100到600微米的范圍內。尤其希望是125到350微米。當前 情況下，以165微米形成。通孔形成為250微米。接著，用噴霧器在 基板630的兩面上噴上蝕刻液，通過對通路孔660的表面和通孔656 的凸緣表面進行蝕刻，在通路孔660和通孔656的整個表面上形成粗 化面660ot (參照圖39 (C))。(9他以環氧系樹脂為主要成分的樹脂填充劑664填充在通孔656 內，進行干燥(參考圖39 (D))。(10) 在經過上述工序的基板630的兩面上邊對厚度為50微米的 熱固化型環氧系樹脂板進行升溫到50~ 150匸，邊在5kg/cn^的壓力下 進行真空壓接的層疊，設置環氧系樹脂構成的層間樹脂絕緣層740 (參 考圖40(A))。真空壓接時的真空度是10mmHg。也可使用環烯烴系樹 脂來代替環氧系樹脂。(11) 接著，用C02氣體激光，在層間樹脂絕緣層740上設置65 微米的相對小的通路孔用開口 642 (參考圖40(B))。希望相對小的通 路孔口徑在25~100微米的范圍內。此后，使用氧等離子體進行去污 斑處理。(12) 隨后，使用日本真空技術抹式會社制造的SV-4540進行等離 子體處理，粗化層間樹脂絕緣層740的表面，形成粗化面646 (參考圖 40(C))。此時，作為惰性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓0.6Pa、溫度70"C的條件下，進行2分鐘的等離子體處理。可通過酸或氧化劑 實施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(13) 接著，使用同一裝置，交換內部氬氣后，以Ni和Cu作為耙 在氣壓O. 6Pa、溫度80度、功率200W、時間5分鐘的條件下，進行濺 射，在層間樹脂絕緣層740的表面上形成Ni-Cu金屬層648.此時，形 成的Ni-Cu金屬層648的厚度為0. 2微米(參考圖40(D))。可在非電 解電鍍等的電鍍膜或濺射上施加電鍍膜。(14) 在結束了上述處理的基板630的兩面上貼合市售感光性干 膜，裝載光掩膜，以100mJ/cn^進行曝光后，以0. 8%碳酸鈉作顯像處 理，設置出厚度為15微米的電鍍抗蝕劑650。之后，在下面的條件下 進行電解電鍍，形成厚度為15微米的電解電鍍膜652(參考圖41(A))。 此外，電解電鍍水溶液中的添加劑是7卜亍'》夕、;？《A》社制造的力 乂" W HL:[電解電鍍水溶液] 硫酸2.24mo1/1 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜^少夕2《一》社制造的力乂《，'〉卜'HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時間 65分鐘溫度 22 ± 2XU(15) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑650后，通過使用硝酸和 硫酸與雙氧水的混合液對該電鍍抗蝕劑下面的Ni-Cu金屬層648進行 蝕刻處理、將其溶解去除，形成Ni-Cu金屬層648和電解電鍍膜652 構成的導體電路758和通路孔660上連接的多個相對小的通路孔760(參考圖41(B))。在本實施形態中把通路孔660做成填充的通路孔的 結構，從而可在通路孔660中直接連接多個通路孔760。由于以后的工序與上述實施形態1的(16) ~ (19)相同，故省略 了其說明。接著，參考圖43說明IC芯片向在上述工序中完成了的印刷布線板 610 (參考圖42)的裝載以及向子板的安裝。以使IC芯片690的焊料 凸點692對應于完成的印刷布線板610的焊料凸點676U的方式來裝載IC芯片690,通過進行回流來安裝IC芯片690。同樣，通過以使子板 695的焊區694對應于印刷布線板610的焊料凸點676D的方式進行回 流來向子板695安裝印刷布線板610。在上述的環氧系樹脂中，可包括難溶性樹脂、可溶性粒子、固化劑、 其它成份。它們與實施形態l中相同，因此省略了對它們的說明。 (第四實施形態的第一變形例)接著，參考圖52說明本發明的第4實施形態的第一變形例的印刷 布線板612。在上述的實施形態4中，說明的是配置BGA的清況。在第 4實施形態的第一變形例中，基本與第四實施形態相同，但如圖52所 示，以經導電連接管腳696作連接的PGA方式來構成。接下來，參考圖45到52說明參考圖32說明的上述印刷布線板的 制造方法。(1 )首先，在層疊4層浸漬環氧樹脂的粘接用樹脂層638而構成 的層疊板730 ot上形成容納片狀電容器用的通孔733a。接著，另一方 面，準備層疊2層粘接用樹脂層638而構成的層疊板730 P (參考圖 45(A))。這里，作為粘接用樹脂層638除環氧樹脂外，還可使用包括 BT、苯酴樹脂或玻璃織物等的加強材料的樹脂。(2) 接著，通過壓合層疊板730 oc和層疊板730 P并加熱硬化，形 成配備可容納多個片狀電容器620的凹部735的核心基板630(參考圖 45 (B))。(3) 隨后，使用澆灌(分配器)在凹部735的電容器配置位置上 涂布粘接材料636 (參考圖45 (C))。或者，可通過印刷、管芯焊接、 貼合粘接板等方法在凹部涂布粘接材料。之后，在凹部735內經粘接 材料636容納陶瓷構成的多個片狀電容器620 (參考圖45 (D))。H)之后，在凹部735內的片狀電容器620之間填充熱固性樹脂， 加熱固化后形成樹脂層633 (參考圖46(A))。此時，作為熱固化樹脂， 最好是環氧樹脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，固定凹部735內的 片狀電容器620。(5) 另外，使用印刷機從其上涂布上述的環氧系或聚烯烴系構成 的樹脂來形成樹脂絕緣層640 (參考圖46(B))。還可貼合樹脂膜來代 替涂布樹脂。(6) 接著，通過膝光、顯像處理或激光在樹脂絕緣層640上形成相對大的通路孔用開口 639 (參考圖46(C))。希望該大通路孔口徑在— 100到600微米的范圍內，特別希望在125到350微米。在逸種情況下 形成為165微米。之后，通過鉆頭或激光在樹脂層633上形成250微 米口徑的通孔用的通孔644并加熱固化(參考圖46 (D))。(7) 之后，對基板630提供鈀催化劑后，將核心基板浸漬在非電 解電鍍液中，均勻析出非電解電鍍膜745 (參考圖47 (A))。隨后，形成非電解電鍍膜745的開口 639內部填充樹脂填充劑并進 行干燥。由此，在開口 639內部形成樹脂層747 (參考圖47 (B))。(8) 隨后，在非電解電鍍膜745的表面上貼付感光性干膜，裝載 掩模、進行曝光顯像處理，形成規定圖形的抗蝕劑649。之后，把核心 基板630浸漬非電解電鍍液中，形成非電解電鍍膜構成的覆蓋電鍍膜 751 (參考圖47 (C))。(9) 上述工序后，用5%的NaOH剝離抗蝕劑649后，通過用硫酸 與雙氧水的混合液對抗蝕劑649下面的非電解電鍍膜745進行蝕刻將 其去除，形成作為填充通路孔結構的相對大的通路孔661和通孔656(參考圖47(D))。通過把通路孔661作成填充通路孔結構，在后迷工 序中在一個通路孔661上可直接連接多個通路孔760。(10) 接著，對基板630進行水洗、酸性脫脂后，進行軟蝕刻，再 用噴霧器在基板630兩面上噴上蝕刻液，蝕刻通路孔661的表面和通 孔656的凸緣表面與內壁，在通路孔661和通孔656的整個表面上形 成粗化面663(參考圖48(A))。作為蝕刻液，使用IO份重量的銅(II) 亞胺溶液絡合物、7份重量的乙二醇酸、5份重量的氯化鉀構成的蝕刻 液( > 少夕社制造的> :v夕工少f求:x卜* )。(11) 接著，用容器把100份重量的雙苯酚F型環氧單體(油化-〉 工A社制造，分子量為310、 YL983U)、 170份重量的在表面涂覆硅烷 偶聯劑的平均粒徑為1. 6微米的最大粒子直徑為15微米以下的Si02 球狀粒子(7卜'^ ，7夕社制造的CRS 1101-CE)及1. 5份重量的調整劑(廿x / y-社制造的、k / —S4)攪拌混合，把粘度調整為在 23士1"C下為45~49Pa*s的樹脂填充劑664。另外，作為固化劑，使用 6. 5份重量的亞胺溶液固化劑(四國化成社制造的2E4MZ-CN )。隨后，在通孔656內填充樹脂填充劑664并進行干燥(參考圖48(B))。(12堪著，把30份重量的雙苯酚A型環氧樹脂(環氧當量為469， 油化夕工^環氧社制造的工匕。3—卜1001)、 40份重量的甲酚酚醛型 環氧樹脂(環氧當量為215，日本吖》3H匕學工業社制造的工匕°夕口 > N-673 )及30份重量的包括三溱結構的苯酚甲酚樹脂(苯盼性羥基當 量120，日本O《化學工業社制造的7工乂 ， >f卜KA-7052 )在20 份重量的乙基氧二乙醋酸鹽、20份重量的溶劑汽油中，邊攪拌邊加熱 使之溶解，再向其添加15份重量的末端環氧化聚丁二烯橡膠(大力'七 化成工業社制造的f大k少夕X R-45EPT)、 1.5份重量的2—苯基一 4， 5-雙(匕卜'口 * '》> A )亞胺溶液粉狀物和2份重量的微小粉末 硅氧化物、0. 5份重量的硅系消泡劑而調制環氧樹脂組成物。使用旋涂機涂布得到的環氧樹脂組成物后，使得在38微米厚的PET 膜上干燥后的厚度為50微米，在80-120"C下進行干燥10分鐘，制成層間樹脂絕緣層用樹脂膜。(13) 在基板的兩面上，把比(12)制作的基板630稍大的層間樹 脂絕緣層用樹脂膜裝載在基板630上，在壓力4kgf/cm2、溫度801C、 壓接時間IO秒的條件下進行偽壓接而截斷后，還通過以下方法使用真 空層疊裝置進行貼合，從而形成層間樹脂絕緣層740(參考圖48(C))。 即，在真空度為0. 5Torr、壓力為4kgf/cm2、溫度為80"C、壓接時間 為60秒的條件下，把層間樹脂絕緣層用樹脂膜正式壓接在基板630上， 之后，在170"C加熱30分鐘進行熱固化。(14) 接著，用C02氣體激光器經在層間樹脂絕緣層740上的形成 厚度為1. 2mm的貫通孔757a的掩模757在層間樹脂絕緣層740上形成 65微米的相對小的通路孔用開口 642 (參考圖48(D))。希望相對小的 通路孔口徑是25到IOO微米的范圍內。(15) 把形成通路孔用開口 642的基板630在包括60g/l的過錳酸 的801C的溶液中浸漬10分鐘，通過對存在于層間樹脂絕緣層740的表 面上的環氧樹脂粒子進行溶解去除，把包含通路孔用開口 642的內壁 的層間樹脂絕緣層740的表面作成粗化面646 (參考圖49( A))。也可 通過酸或氧化劑實施粗化處理。另外，希望粗化層為0. 1~5微米。(16) 接著，把結束上述處理的基板630浸漬在中和溶液('》/k 4社制造)中后進行水洗。此外，在進行粗化處理(粗化深度是3微 米)的該基板630的表面上通過提供鈀催化劑使催化劑核心附著于層間樹脂絕緣層740的表面和通路孔用開口 642的內壁表面上。(17) 接著，在下面組成的非電解銅電鍍水溶液中浸漬基板630, 在粗化面646整個面上形成厚度為0. 6到3. 0微米的非電解銅電鍍膜 763 (參考圖49 (B))。[非電解電鍍水溶液] NiSi04 0.003mol/l 酒石酸 0. 200 mol/1 硫酸銅 0. 030mol/l HCHO 0.050mol/l NaOH 0.100 mol/1oc， oc，- BP卩- A 40mg/l 聚乙烯乙二醇(PEG) 0. 10g/l[非電解電鍍條件] 在35t:的溶液溫度下40分鐘(18) 把市售的感光性干膜貼合在非電解銅電鍍膜763上，裝載掩 模，以100mJ/cn^進行曝光，在0. 8%的碳酸鈉水溶液中進行顯像處理， 設置出厚度為30微米的電鍍抗蝕劑650。接著，在50"C的水中洗凈基 板630并進行脫脂，在25"C的水中水洗后，再用辟k酸清洗，之后，在 下面的條件下進行電解電鍍，形成厚度為20微米的電解銅電鍍膜652(參考圖49 (C))。 [電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜^少夕5《八:x; 土制造的力,，'〉卜* HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時間 65分鐘溫度 22土2"C(19) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑650后，通過使用硫酸與 雙氧水的混合液對該電鍍抗蝕劑650下面的非電解銅電鍍膜763進行 蝕刻處理將其溶解去除，形成非電解銅電鍍膜763和電解銅電鍍膜652 構成的18微米厚的導體電路758和相對小的通路孔760 (參考圖49(D))。之后，進行與(—10)同樣的處理，通過包括二價銅絡合體和有 機酸的蝕刻溶液，形成粗化面662 (參考圖50 (A))。(20) 接著，通過反復上述(13) ~ (19)的工序，還形成上述的 層間樹脂絕緣層741和導體電路759以及通路孔764(參考圖50(B))。(21) 隨后，與第一實施形態相同得到阻焊劑組合物(有機樹脂絕 緣材料)。(22) 接著，以20微米的厚度把在(21)中調制的阻焊劑組合物 涂布在多層布線基板的兩面上。此后，在70"C20分鐘、70TC30分鐘的 條件下進行干燥處理后，使阻焊劑開口部的圖形描繪的厚度為5mm的 光掩模密接于阻焊劑組合物后，在1000mJ/cm2的紫外線下進行曝光， 在DMTG溶液中進行顯像處理，形成開口 671U、 671D。接著，在80"C下i小時、ioox:下i小時、120t:下i小時、isox:下3小時的條件下分別進行加熱處理使阻焊劑組合物固化，形成具有 開口 671U、 671D的厚度為20微米的阻焊劑層670 (參考圖51 (A))。 作為上述阻焊劑組合物，可使用市售的阻焊劑組合物。(23) 接著，把形成阻焊劑層670的基板浸漬在與第一實施形態相 同的非電解鎳電鍍液中，在開口 671U、 671D上形成厚度為5微米的鎳 電鍍層672,此外，把該基板浸漬在與第一實施形態相同的非電解金電 鍍液中，在鎳電鍍層672上形成厚度為0. 03微米的金電鍍層674 (參 考圖51 (B))。(24 )此后，在基板的裝載IC芯片的面的阻焊劑層670的開口 671U 上印刷包括錫一鉛的焊錫粘接劑。此外，在另一面的開口部671D內作 為導電性澆灌劑697印刷焊錫粘接劑。接著，把導電性連接管腳696 安裝并支持在適當的管腳保持裝置上，使導電性連接管腳696的固定 部698與開口部671D內的導電性澆灌劑697適當接觸。隨后，進行回 流，把導電性連接管腳696固定于導電性粘接劑697。另外，作為導電 性連接管腳696的安裝方法，可以把導電性粘接劑697形成為球狀等 之后裝入開口部671D中，或者，也可以把導電性粘接劑697粘接到固 定部698后安裝導電性連接管腳696，其后，進行回流。隨后，以使IC芯片690的焊料焊區692對應于印刷布線板612的 開口 671U側的焊料凸點676U的方式來安裝IC芯片690，通過進行回 流來安裝I芯片690 (參考圖53)。(第四實施形態的第二變形例)接著，參考圖53說明本發明的第四實施形態的第二變形例的印刷 布線板。第四實施形態的第二變形例的印刷布線板614與上述的第四 實施形態基本相同。但是，該第四實施形態的第二變形例的印刷布線 板614中，在核心基板630上形成的凹部736中容納一個片狀電容器 620。由于核心基板630內配置片狀電容器620，故IC芯片690與片狀 電容器620的距離變短，可降低環路電感。 (第四實施形態的第三變形例)接著，參考圖14說明第四實施形態的第三變形例的印刷布線板的 結構。該第三變形例的印刷布線板的結構與上述第一實施形態基本相同。 但是，向核心基板30中容納的片狀電容器20不同。圖14表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點劃線表示切斷線。上述的第一實施形態的印刷布線板中，如在圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側緣上配置第一電極n和第二電極22。圖14 (C)表示第三變形例的多個使用的、切斷前的 片狀電容器，圖中的點劃線表示切斷線。第三變形例的印刷布線板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側緣的內側上配置第一電極 21和第二電極22。該第三變形例的印刷布線板上，由于使用在外緣內側形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說明第三變形例的第一特例的印刷布線板。 圖15表示第一特例的印刷布線板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實施形態中，在核心基板上容納多個小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導電膜24、連接于第二電極22 側上的第二導電膜25、未連接于第一導電膜24和第二導電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用的電極27構成。經該電極27連接IC芯 片側和子板側。該第一變形例的印刷布線板中，由于使用大型的片狀電容器20, 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20,故即使反復熱循環印刷布線板也不會發生翹曲。參考圖16說明第二特例的印刷布線板。圖16 (A)表示多個使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點劃線表示通常的切斷線，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(圖中之例為3個)、多個使用的片狀電容器而以大型來 使用。該第二特例中，由于使用在型的片狀電容器20故可使用容量大的 片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復熱循 環印刷布線板也不會發生翹曲。上述的實施形態中，把片狀電容器內裝在印刷布線板中，但也可使 用在陶覺板上設置導電膜而構成的板狀電容器，來代替片狀電容器。在上述第四實施形態中，僅配置在核心基板中容納的片狀電容器， 但也第一實施形態的笫一特例相同，也可在表面和/或里面安裝大容量 的片狀電容器。如上參考圖12所述，通過在核心基板內，即在IC芯片的附近配 置片狀電容器20還在里面和外面配置大容量的(及相對大的電感)片 狀電容器，可把電壓變動抑制到最小。這里，對于第四實施形態的印刷布線板，把測定在核心基板中埋入 的片狀電容器620的電感和印刷布線板的里面(子板側的面)安裝的片狀電容器的電感的值表示如下。 電容器的單體的情況埋入形式 137pH 里面安裝形式 287pH 把8個電容器并聯連接的情況 埋入形式 60pH 里面安裝形式 72pH如上所述，以單體使用電容器、或為了增大容量而并聯連接時，通 過內置片狀電容器，均可降低電感。隨后，說明進行可靠性試驗的結果。這里，對于第四實施形態的印 刷布線板，測定一個片狀電容器的靜電電容的變化率。 靜電電容的變化率測定頻率100Hz 測定頻率1kHzStream 168小時 0.3°/。 0.4%HAST 100小時 -0.9% —0.9%TS 1000次 1.1% 1.3%Stream試驗對應于在蒸汽中，濕度保持在100%。另外，HAST試驗 中，在相對濕度為100%、施加電壓為1. 3V、溫度為121度的條件下放 置100小時。TS測試中，把在-125匸下放置30分鐘、在55"C下放置 30分鐘的試驗反復1000次，對于上述可靠性試驗，獲知即使內裝片狀電容器的印刷布線板也可 達到與已有的對電容器進行表面安裝的形式同等的可靠性。另外，如 上所述，在TS試驗中判斷出，即使由于陶瓷構成的電容器與樹脂構成 的核心基板及層間樹脂絕緣層的熱膨脹率差別而產生內部應力，也不 會產生片狀電容器的電極與通路孔之間的斷路、片狀電容器與層間樹 脂絕緣層之間的剝離、層間樹脂絕緣層上的斷裂，并且可長期實現高 可靠性。在第四實施形態的結構中，導體電路與電容器之間由于形成了第四 實施形態的通路孔，故不會發生因電源供電不足帶來的工作延遲，可 保持希望的性能，即使進行可靠性試驗也不會出現問題。另外，通過該通路孔，即使形成層間絕緣層的通路孔、引起位置 偏離，由于其許可范圍變寬，也可確保電連接。
權利要求
1.一種印刷布線板，包括電容器，具有第一電極、第二電極和介電體；核心基板，其中包括了所述電容；層間樹脂絕緣層，其在所述核心基板上形成，且在其中形成連接到所述電容器的電極的通路孔；其特征在于所述電極被銅電鍍膜覆蓋。
2. 如權利要求1所述的印刷布線板，其特征在于 在所述層間樹脂絕緣層中形成的所述通路孔是電鍍的。
3. 如權利要求2所述的印刷布線板，其特征在于 所述通路孔由電鍍銅制成。
4. 如權利要求1所述的印刷布線板，其特征在于 所述電極的表面是粗糙的。
全文摘要
一種印刷布線板及其制造方法，所述印刷布線板在印刷布線板10的核心基板30內配設片狀電容器20。由此，IC芯片90與片狀電容器20的距離變短，可降低環路電感。由于層疊第一樹脂基板30a、第二樹脂基板30b、第三樹脂基板30c而構成，故在核心基板30上可得到足夠的強度。
文檔編號H05K1/18GK101232779SQ20081000977
公開日2008年7月30日 申請日期2000年9月1日 優先權日1999年9月2日
發明者淺井元雄, 王東冬, 白井誠二, 矢橋英郎, 稻垣靖 申請人:伊比登株式會社