坩堝用保護墊片及使用該坩堝用保護墊片的坩堝裝置的制作方法

專利名稱：：坩堝用保護墊片及使用該坩堝用保護墊片的坩堝裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種坩堝用保護墊片及使用了該坩堝用保護墊片的坩堝裝置等，詳細地說，涉及一種具備外側坩堝和內側坩堝的坩堝裝置及配置這兩個坩堝之間、用來保護兩坩堝而使用的坩堝用保護墊片等。
背景技術：
：作為獲得單晶硅錠的方法，已知懸浮區域熔解法(FZ法)和切克勞斯基單晶拉制法(CZ法)，不過，一般采用CZ法。利用該CZ法制造硅單晶等時，所使用的坩堝具備利用加熱器等加熱的外側坩堝和收容硅單晶等原材料的內側坩堝。通常，上述內側坩堝從與硅的反應性、純度問題而言采用石英制坩堝，另一方面，上述外側坩堝從純度、耐熱性及強度問題而言采用石墨制坩堝，在外側坩堝內插有內側坩堝的狀態下，使用于硅單晶等的制造。在此，上述坩堝裝置大致區分具有下述(1)(2)所示的問題。(1)上述石英制的內側坩堝重且不耐受沖擊，從而，存在的問題是往外側坩堝中內插時必須非常慎重地進行插接作業，作業性差。另外，還存在的問題是由于內側坩堝和外側坩堝的熱膨脹系數不同，而引起在硅單晶等制造結束后冷卻坩堝時兩坩堝上發生裂紋等損傷。再有，還產生的問題是從石英坩堝發生的SiO氣體等與外側坩堝反應，外側坩堝發生SiC化和壁厚減小等。為了解決這些問題，以前就提出方案是在外側坩堝和內側坩堝之間設置用來保護兩者損傷的構件[(a)及(b)]。〔a)的方案是揭示了一種在由碳素纖維構成的針織物等碳素纖維構件表面涂布熱分解碳的墊片和構造等，將這些墊片等配置在外側坩堝和內側坩堝之間(例如參照下述專利文獻l、2)。并且表述的宗旨是，根據這樣的構成，上述墊片等具有一定程度的柔軟性，因此發揮緩沖材料功能，而且涂布在表面的熱分解碳與從內側坩堝發生的SiO氣體等反應，因此能夠防止SiO氣體等與外側坩堝反應。〔b〕的方案是具有采用比碳素纖維構件柔軟性和壓縮性好的材料、即膨脹石墨形成板狀的膨脹石墨墊片，將該膨脹石墨墊片作為坩堝用保護墊片使用(例如，參照下述專利文獻35)。專利文獻3所述的宗旨是上述膨脹石墨墊片是具有柔軟性且壓縮率及復原率高的材料，而且面方向的熱傳導性良好，因此有效用于坩堝上下方向的溫度均勻化，還具有的作用是緩和熱沖擊和熱膨脹度的膨脹收縮應力。而且，膨脹石墨墊片是透氣性非常低的各向異性強的材料，因此抗透氣性。(2)在利用上述CZ法制造單晶硅過程中，為了提高制造出來的單晶硅的品質，要求原材料、即多晶硅盡可能高純度，換言之，要求盡可能沒有雜質。而實際的單晶硅制造過程中，為了獲得具有期望電特性的單晶硅，在原材料多晶硅中作為摻雜元素添加微量任意雜質，制造由含有摻雜元素的多晶硅構成的單晶硅。在此，有可能發生以下問題，即如果不控制存在于熔融的硅中的摻雜元素的量，制造的單晶硅的品質就會發生異常，不過，制造過程中從使用于多晶硅熔融的坩堝裝置、具體地說內側坩堝和外側坩堝及配置在兩坩堝間的墊片中蒸發出雜質，該雜質混入熔融的硅中。由于不可能控制這些從坩堝裝置中混入的雜質的量，因而，現實狀況中提出以下方案，通過盡力減少坩堝裝置本身所含有的雜質的量，從而降低雜質混入熔融的硅中的可能性(參照下述專利文獻6~8)。專利文獻l:特開2001—261481號公報專利文獻2:特開2002—226292號公報專利文獻3:專利第2528285號公報專利文獻4:特開20(J3—267781號公報專利文獻5:特開2004—75521號公報專利文獻6:特公平6—2637號公報專利文獻7:專利第2923260號公報專利文獻8:專利第3410380號公報盡管如此，在上述坩堝裝置還是具有以下所示的問題。(1)的〔a〕所涉及的問題當如上所述在兩坩堝間配置碳素纖維時，因為碳素纖維具有一定程度的柔軟性，所以能夠將其沿著內側坩堝外面和外側內面變形地配置。可是，專利文獻l、2所示的碳素纖維構件壓縮性不太高，因而存在的問題是，不能充分吸收往外側坩堝中內插內側坩堝時的沖擊，而且，不能充分緩和柑堝冷卻時在兩坩堝間發生的膨脹收縮應力。另外，即使表面涂布的熱分解碳與SiO氣體等反應，也不能將其與全部的SiO氣體等反應，因此還存在通過碳素纖維構件的SiO氣體等。并且，纖維間存在較多的間隙，因而不能期待隔氣性。的確，通過涂布熱分解碳而能夠具有一定程度的隔氣性。可是，若為了提高隔氣性而增加涂布，則損失了柔軟性。于是，在內插作業過程中破損的可能性升高。反之，若為了維持柔軟性而減少涂布，則纖維間保留了較多的間隙，因此不能充分提高隔氣性。(1)的〔b)所涉及的課題膨脹石墨墊片中，柔軟性和壓縮性等與體積密度關聯性高，體積密度越小，柔軟性和壓縮性等升高，緩和吸收沖擊能力和膨脹收縮應力的能力升高。另一方面，若體積密度變小，面方向的導熱率降低。也就是就，膨脹石墨墊片中，柔軟性和壓縮性等與導熱率是折衷的關系。從而，如果減小體積密度而提高膨脹石墨墊片的壓縮性，則由于柔軟性和壓縮性等提高，因此內插作業時和冷卻時等坩堝破損的可能降低，然而，由于面方向的導熱率降低而使硅單晶等制造時原材料和石英坩堝的溫度均勻性下降，制品品質下降的可能性升高。反之，如果增大體積密度而提高導熱率，則硅單晶等制造時材料和石英坩堝的溫度均勻性升高，制品品質提升，不過，膨脹石墨墊片的壓縮性下降，柑堝冷卻時破損的可能性升高。可是，專利文獻35中，在特定膨脹石墨墊片性能的前提下，只考慮了墊片的厚度和雜質濃度程度，而沒有考慮導熱率和壓縮率這兩者。并且，關于隔氣性在專利文獻3中如上所述有一定程度的敘述，而在特定膨脹石墨墊片性能的前提下，幾乎沒有考慮，沒有發現對配置在外側坩堝和內側坩堝之間的膨脹石墨墊片同時探討適于該墊片的透氣性、導熱率、壓縮率的例子。(2)所涉及的問題如果使用雜質量非常少的坩堝裝置、換言之是非常高品質的坩堝裝置，就能夠抑制雜質向熔融硅中混入，可是，這種非常高品質的坩堝裝置造價極高，成為硅制造設備價格上升的原因，也導致單晶硅的生產成本上升。另外，該高品質的坩堝裝置需要嚴密的品質管理以防止裝置制造后的污染，不過，保持其品質為一定以上的高純度這樣的品質管理很難實現，該管理成本也反映到單晶硅的生產成本上。特別是坩堝用保護墊片基本上很難再使用，幾乎每次都使用新的。因而，盡管每一次熔融作業所需要的墊片費用并不那么高額，但是從長期來看，由于高品質的墊片而使單晶硅的生產成本上升。'而且，塒堝用保護墊片還存在以下問題，其高純度化很難，與石墨坩堝相比，其高純度化的作業效果差。這是因為，通常的石墨坩堝采用保有微孔的所謂多孔質材質，通過該孔排出雜質，因而，按其體積來說能夠在比較短時間內簡單地進行高純度處理，與之相對，石墨墊片的情況是采用形成極端的層狀結構且表面沒有孔的材質，因而，內部按其體積小來說很難純化，若充分純化則需要長時間。此外，還有一個原因是坩堝用保護墊片具有柔軟性，在大面積制品上處理需要注意，與將石墨坩堝高純度化的作業相比，將墊片高純度化的作業效率惡化。如上所述，隨著坩堝裝置的高品質化，能夠提高單晶硅的制品品質，然而導致其生產成本的上升，特別是由于使用高品質墊片而助長了單晶硅的生產成本的上升，因此，希望開發出一種能夠防止單晶硅制品品質下降、且能夠抑制其生產成本的坩堝裝置。
發明內容本發明即是鑒于上述事情產生的，其目的在于提供一種能夠抑制內側坩堝損傷、同時能夠抑制外側坩堝SiC化，而且能夠從外側坩堝向內側坩堝均勻傳熱的坩堝用保護墊片。另外，本發明的目的在于提供一種能夠抑制生產成本上升、而且能夠有效地抑制制造出來的制品品質下降的坩堝保護墊片及坩堝裝置。為了實現上述目的，本發明是配置在含有硅的內側坩堝和含有石墨的外側坩堝之間、由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，下述(l)式所示的透氣率為1.0xl0"cm2/s以下、且下述(2)式所示的壓縮率為20%以上。透氣率-QL/(APA)…(1)還有，上述(1)式中，Q為氣體流量(Pa'cmVs)，AP是兩室間的壓力差(Pa)，A是坩堝用保護墊片的透氣面積、也就是連通兩室的通路的面積(cm2)，L是坩堝用保護墊片的厚度(cm)。壓縮率(％)二〔(t「t2)/tjX賜…(2)還有，上述(2)式中，t，是施加15秒鐘預壓(0.686MPa土l。/。)后的厚度(mm)，12是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)。根據上述構成，由于在規定條件下加壓壓縮時的壓縮率高達20%以上，因此，當往外側坩堝中內插內側坩堝時，能夠提高非常容易破損的內側坩堝的防止破損效果，其結果是往外側坩堝中內插內側坩堝時的作業性飛躍性提高。而且，即使由于壓縮率高引起在外側坩堝內底面存在凹凸，也由于坩堝用保護墊片為緩沖材料，因此能夠抑制內側坩堝在外側坩堝內的傾斜。另外，即使壓縮率高也可保持透氣率為能夠抑制加熱內側坩堝時發生的SiO氣體透過的程度，因此能夠防止外側坩堝的SiC化和壁厚減小等的發生。還有，上述壓縮率根據接合墊片JISR3453。另外，上述壓縮率的上限值優選是60%以下。理由是若上述壓縮率的上限值超過60%，則坩堝用保護墊片變硬，因而不能充分發揮防止內側坩堝破損的效果等。另外，為了實現上述目的，本發明是配置在含有硅的內側坩堝和含有石墨的外側坩堝之間、由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，面方向的導熱率為120W/(m*K)以上、且下述(2)式所示的壓縮率為20%以上。壓縮率(0/0)=〔(tl—t2)/t,)X100...(2)還有，上述式(2)中，t,是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±l%)后的厚度(mm)，t2是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)。根據上述構成，由于壓縮率高達20%以上，因此與上述的作用效果同樣，作業性飛躍性提高，同時能夠防止內側坩堝在外側坩堝內的傾斜。此外，即使壓縮率這樣高也由于面方向的導熱率為120W/(m*K)以上，因此能夠均勻地加熱內側坩堝，其結果是能夠防止制品品質的降低。在此，優選是面方向的導熱率為120W/(m，K)以上。根據該構成，由于壓縮率高，因此能夠謀求作業性的飛躍性提高和抑制內側坩堝在外側坩堝內的傾斜，且由于透氣率低，因此發揮的作用效果是能夠抑制加熱內側坩堝時發生的SiO氣體的透過，且由于面方向的導熱率為120W/(m.K)以上，因此能夠均勻地加熱內側坩堝，其結果是能夠防止制品品質的降低。另夕卜，優選是坩堝用保護墊片的厚度為0.2mm以上0.6mm以下。像這樣限制坩堝保護墊片的厚度，基于以下所示的理由。這是因為，如果坩堝保護墊片的厚度為0.2mm以上，則即使內側坩堝內插時坩堝用保護墊片被壓縮，也能夠維持該坩堝用保護墊片的緩沖性(能夠保持柔軟性)，因此能夠充分發揮緩和坩堝冷卻時在兩坩堝間發生的膨脹收縮應力的功能。另外，如果該坩堝用保護墊片的厚度為0.2mm以上，則能夠抑制拉伸強度和彎曲強度等下降，因此能夠抑制內插內側坩堝時坩堝保護用墊片發生裂紋等。另外，如果該坩堝用保護墊片的厚度為0.6mm以下，則能夠抑制彎曲性變差，因此坩堝安裝時，即使對坩堝用保護墊片施加彎曲應力時也能夠抑制坩堝用保護墊片發生裂紋和損傷等。優選是體積密度為0.5Mg/m3以上1.5Mg/m3以下。像這樣限制是出于以下考慮，即當體積密度不足0.5Mg/r^時，則坩堝用保護墊片的強度下降、或者坩堝用保護墊片變形時往往會產生裂紋等，另一方面，若體積密度超過1.5Mg/m3，則沖擊吸收性及變形量吸收能力往往下降。另外，優選是下述(3)式所示的復原率為5%以上。復原率(0/0)=((t廣t2)/(t「t2))X100…(3)還有，上述式(3)中，t,是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±l%)后的厚度(mm)，t2是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)，t3是再返回到預壓，經過了60秒后的厚度。如上述構成，復原性高達5%以上，因此，即使由于兩坩堝間發生的膨脹收縮量的差而引起在兩坩堝間發生問題時，也能夠用坩堝用保護墊片填滿兩者的間隙，且還能夠繼續維持坩堝用保護墊片的緩沖性。還有，上述復原率根據接合墊片JISR3453。另外，優選是將一條邊為200mm的正方形的所述坩堝用保護墊片劃分成一條邊為25mm的正方形，測定各區域中的導熱率，這種情況下，規定導熱率最大的試驗區域中的導熱率值和導熱率最小的試驗區域中的導熱率值之差除以全部試驗區域中的導熱率的平均值所得的值在0.1以下。根據上述構成，由于坩堝用保護墊片上隨著位置不同而產生的導熱率的離散小，因此能夠防止熱在坩堝用保護墊片內移動時，在坩堝用保護墊片上形成熱斑。從而能夠抑制由熱斑引起的石英柑堝局部性軟化變形和由于溫度不勻造成的硅單晶品質下降。優選是雜質的總量為10massppm以下。根據上述構成，由于坩堝用保護墊片中的雜質(灰分)總量少，因此能夠防止硅被污染。從而拉制的硅單晶為更高品質。另夕卜，優選是雜質的總量為100massppm以下，且混入的多種雜質中，硼、磷、砷、銻、鉍及金屬元素中的至少1種元素的量為3massppm以下。再有，上述金屬元素為鐵或銦。此外，優選是上述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的量各為3massppm以下。另外，優選是上述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的總量為10massppm以下。這些理由后述。可以采用層疊了多片上述坩堝用保護墊片的構成。如果將多片上述坩堝用保護墊片重疊構成坩堝保護用墊片體，則即使各墊片的厚度薄，也能夠提高坩堝用保護墊片體的強度，因此能夠抑制坩堝用保護墊片的破損，而且，即使l張坩堝用保護墊片破損時，也基于其他坩堝保護用墊片的存在，來維持坩堝用保護墊片的性能。此外，由于在各坩堝用保護墊片間的界面上存在界面阻力，因此與只采用l張柑堝用保護墊片的情況相比，通過SiO氣體更難。其結果是SiO氣體更難到達外側柑堝，隔氣性也越發升高。另外，為了實現上述目的，本發明是配置在具有內側柑堝和外側塒堝的坩堝的兩坩堝之間、由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，雜質的總量為100massppm以下，混入的多種雜質中，硼、磷、砷、銻、鉍及金屬元素中的至少l種元素的量為3massppm以下。根據上述構成，對使用坩堝制造的制品(以下有時只稱為制品)的品質影響大的硼、磷等(以下有時統稱為特定元素)中至少l種元素的量被抑制為3massppm以下，因此能夠抑制制品品質異常的發生。另一方面，墊片中的雜質總量為100massppm以下，坩堝用保護墊片的品質可以不那么高，因此，坩堝用保護墊片的制造及坩堝用保護墊片的品質管理變得容易。由此能夠抑制制品的制造成本且保持高制品品質。還有，特定元素設定為硼、磷、砷、銻、鉍及金屬元素，基于以下所示的理由。即是考慮到以下的不合理情況硼、磷、砷、銻及鉍是在半導體制造時作為摻雜劑采用的元素，從而若這些元素混入制品中，則即使在其后續工序中摻雜也無法獲得期望的特性。另外，還考慮到當混入金屬元素時，有時制不成半導體、而制成導體。上述金屬元素為鐵或銦。這是因為若混入這些金屬，則制品特別容易成為導體。此外，優選是上述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的量各為3massppm以下。如果在制作制品時對不合理的元素的量進行各種特別限制，則能夠進一步改善制品品質。另外，優選是上述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的總量為10massppm以下。如上述構成，如果連特定元素的總量也進行限制，則進一步發揮能夠抑制制品品質發生異常的作用效果。另外，為了實現上述目的，本發明的坩堝裝置，包括具有內側坩堝和外側坩堝的坩堝、配置在兩坩堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，所述坩堝裝置其特征在于，上述坩堝用保護墊片為技術方案14、15、16或17所述的坩堝用保護墊片，上述坩堝用保護墊片和上述外側坩堝的雜質總重量相對于上述坩堝用保護墊片和上述外側坩堝總重量的比例為30massppm以下。根據上述構成，由于坩堝用保護墊片和坩堝的總雜質少，因此能夠抑制混入材料中的雜質的量。而且，由于無須過度地提高各構件的品質，因此容易進行各構件的制造及品質管理，能夠抑制制品的制造成本，且保持高制品品質。另外，優選是上述外側坩堝采用雜質總量為20massppm以下的石墨制坩堝。根據上述構成，外側坩堝為石墨制坩堝，其雜質比例被抑制得低，因此整個裝置內的總雜質量少，能夠抑制制品品質異常的發生。而且，比外側坩堝難以進行高純度化的坩堝用保護墊片的品質無須是那么高的品質，因此坩堝用保護墊片的制造及坩堝用保護墊片的品質管理容易進行，能夠抑制制品的制造成本，且保持高制品品質。另外，優選是上述外側坩堝采用雜質總量為20massppm以下的碳復合材料制坩堝。根據上述構成，外側坩堝為碳復合材料(C/C)制坩堝，其雜質比例被抑制得低，因此整個裝置內的總雜質量少，能夠抑制制品品質異常的發生。而且，比外側柑堝難以進行高純度化的坩堝用保護墊片的品質無須是那么高的品質，因此坩堝用保護墊片的制造及坩堝用保護墊片的品質管理容易進行，能夠抑制制品的制造成本，且保持高制品品質。發明效果如以上說明，根據本發明，實現了能夠防止內側坩堝損傷、且抑制外側坩堝的SiC化，能夠從外側坩堝向內側坩堝均勻傳熱這樣優異的效果。另外，能夠實現抑制提供坩堝用保護墊片的生產成本的上升、且有效地抑制制造出來的制品品質下降這樣優異的效果。圖1是制造硅單晶等的設備的概略說明圖。圖2是圖1的局部放大說明圖。圖3是表示坩堝保護用墊片中體積密度和壓縮率及復原率的關系的曲線。圖4是表示坩堝保護用墊片中壓縮率和復原率的關系的曲線。圖5是表示坩堝保護用墊片中體積密度和壓縮率的關系的曲線。圖6是表示坩堝保護用墊片中體積密度和導熱率的關系的曲線。圖7是表示坩堝保護用墊片中體積密度和透氣率的關系的曲線。圖8是表示坩堝保護用墊片中壓縮率和導熱率的關系的曲線。圖9是表示坩堝保護用墊片中壓縮率和透氣率的關系的曲線。圖中，l一坩堝，2—內側坩堝，3—外側坩堝，4一坩堝用保護墊片。具體實施例方式根據本發明的第l方式。在說明本發明的坩堝用保護墊片之前，關于使用該坩堝用保護墊片的裝置進行簡單說明。圖l是制造硅單晶等的設備的概略說明圖，圖2是圖1的局部放大說明圖。圖1及圖2中，符號1的坩堝收容有作為硅單晶等原材料的多晶硅。在該坩堝裝置1的周圍配置加熱器5，形成的結構是利用從該加熱器5輻射的熱加熱坩堝裝置l。從而，若利用加熱器5加熱器坩堝裝置1，則通過從坩堝裝置1發生的熱傳導，加熱多晶硅，使其成為熔融，因此，通過使該熔融的硅接觸種晶進行拉提，從而能夠制造硅單晶。上述坩堝裝置1通常具有石英制的內側坩堝2、石墨制(例如其重量為20100kg左右)的外側坩堝3和配置在這兩坩堝之間的坩堝用保護墊片4。另外，該坩堝保護用墊片4的配置是為了抑制外側坩堝3的SiC化、防止往外側坩堝3中內插內側坩堝2時內側坩堝的破損、防止在硅單晶等制造結束后冷卻坩堝裝置1時由于形成兩坩堝2、3的材料的熱膨脹系數不同引起的損傷。在此，如上所述狀態下使用的本發明的坩堝用保護墊片能夠從外側坩堝向內側坩堝傳導熱，這是不言而喻的，不過，除此以外還謀求如下特性。(a)具有往外側坩堝中內插內側坩堝時沖擊吸收性(沖擊吸收性)。(b)能夠吸收冷卻坩堝時由于外側坩堝的材料(石墨)和內側坩堝的材料(石英)的熱膨脹系數不同引起的兩坩堝變形量的差(變形量吸收能力)。(C)防止由于從內側坩堝發生的SiO氣體造成外側坩堝的壁厚減小和SiC化等(隔氣性)。(d)能夠從外側坩堝向內側坩堝傳導熱以使內側坩堝其表面溫度均勻分布(加熱均勻性)。第l發明的坩堝用保護墊片由膨脹石墨形成，而且，上述(1)式所示的透氣率小于1.0xl0—4cm2/s，上述(2)式所示的壓縮率為20%以上，因此能夠滿足如上特性(a)~(c)。另外，第2發明的坩堝用保護墊片由膨脹石墨形成，而且，面方向的導熱率為120W/(m*K)以上，上述(2)式所示的壓縮率為20%以上，因此能夠滿足如上特性(a)(b)(d)。另外，第3發明的坩堝用保護墊片由膨脹石墨形成，而且，上述(1)式所示的透氣率小于1.0xl0—4cm2/s，上述(2)式所示的壓縮率為20%以上，且面方向的導熱率為120W/(m*K)以上，因此能夠全部滿足如上特性(a)(d)。以下，說明本發明的坩堝用保護墊片的各參數和特性(a)~(d)的關系。首先，本發明的坩堝用保護墊片是將天然石墨和漂浮石墨等浸漬在硫酸和硝酸等液體中后，在40(TC以上進行熱處理，將由^5^^^脹石墨形成片狀。膨脹石墨呈棉狀或纖維狀，也就是說，其軸方向的長度比半徑方向的長度長，例如，其軸方向的長度為l3mm左右，且半徑方向的長度為30060(Hmi左右。而且，在本發明的坩堝用保護墊片內部，如上所述的膨脹石墨彼此纏繞。還有，本發明的坩堝用保護墊片可以只由如上所述的膨脹石墨形成，不過，也可以混合一些(例如，5%左右)酚醛樹脂和橡膠成分等的粘合劑。(沖擊吸收性及變形量吸收能力)由如上所述膨脹石墨形成的第1第3發明的坩堝用保護墊片，上述(2)式所示的壓縮率被限制在20%以上，因此往外側坩堝中內插內側坩堝時，即使沿著將內側坩堝向外側坩堝壓緊的方向施加力，坩堝用保護墊片發生壓縮變形，能夠吸收作用的力。也就是說，由于內插內側坩堝時發生的沖擊由坩堝保護墊片吸收，因而能夠抑制內側坩堝的破損，隨之還能夠提高內插作業的作業性。而且，如果坩堝用保護墊片具有充足的壓縮率，則即使外側坩堝的內底面有凹凸，其凹凸也形成一種深入到坩堝用保護墊片中的狀態。于是，能夠利用坩堝用保護墊片填滿內側坩堝外面和外側坩堝內面之間。從而，往外側坩堝中內插內側坩堝時，即使外側坩堝的內底面有凹凸，也能夠防止內側坩堝傾斜。因而，能夠防止由于內側坩堝在外側坩堝內傾斜而引起的熔融硅泄漏。還有，盡管坩堝用保護墊片具有如上所述的壓縮率，但是如果其厚度過薄，有時也不能獲得足夠的緩沖余量。換言之，坩堝用保護墊片有可能無法吸收內插內側坩堝時的沖擊，或是無法在內側坩堝的外面及外側坩堝的內面密接坩堝用保護墊片。另外，坩堝用保護墊片若被夾入內側坩堝和外側坩堝之間，則需要彎曲變形以使密接在內側坩堝底面及外側坩堝內面。此時，如果坩堝用保護墊片本身的強度弱或柔軟性小，則坩堝用保護墊片即使具有如上所述的壓縮率，在夾入內側坩堝和外側坩堝之間時，也有可能發生坩堝用保護墊片本身斷裂、或缺損、或破壞。如果考慮到這些，則坩堝用保護墊片的厚度優選是0.20.6mm。這是因為，如果坩堝用保護墊片厚度在該范圍內，則不僅能夠獲得足夠的緩沖余量，而且能夠在內側坩堝外面及外側坩堝內面密接坩堝用保護墊片(能夠利用坩堝用保護墊片填滿兩坩堝間)、且還能夠抑制坩堝用保護墊片本身斷裂、或缺損、或破壞。而且，如果體積密度為0.5Mg/r^以上，則可使坩堝用保護墊片具有一定程度的強度，因此，即使坩堝用保護墊片變形也能夠防止其斷裂等。但是，若體積密度超過1.5Mg/m3，則沖擊吸收性及變形量吸收能力往往下降。由以上可知，被限制在所述壓縮率的坩堝用保護墊片，優選是其厚度限制在0.2~0.6mm，且體積密度限制在0.5~1.5Mg/m3，特別是如果按照厚度為0.4~0.6mm，而且體積密度為0.5~1.5Mg/m3這樣限制，則不僅能夠更可靠地防止坩堝用保護墊片的斷裂等，而且能夠更進一步提高沖出吸收性及變形量吸收能力。而且，如果坩堝用保護墊片厚度為0.20.6mm，特別是為0.40.6mm，則即使在內側坩堝配置在了外側坩堝內后，坩堝用保護墊片也維持能夠進一步壓縮變形的狀態。于是，在單晶硅制造后、冷卻坩堝整體時，即使由于材料的熱膨脹系數不同而引起外側坩堝的收縮量大于內側坩堝的收縮量，坩堝用保護墊片也能夠吸收收縮量的差。也就是說，還能夠緩和坩堝冷卻時在兩坩堝間發生的膨脹收縮應力，坩堝冷卻時能夠防止坩堝破損。還有，如果將多片坩堝用保護墊片重疊使用，則即使一塊坩堝用保護墊片厚度薄，也能夠提高強度，緩沖余量變大。從而，能夠防止坩堝用保護墊片斷裂，還能夠提高緩沖性。這種情況下，可以將一片坩堝用保護墊片重疊使用，還可以使用將多片坩堝用保護墊片事先重疊而形成的多層墊片。再有，如果復原率為5%以上，則壓縮后去除負載也能夠維持坩堝用保護墊片的緩沖性。于是，在硅單晶的制造作業中，即使由于兩坩堝的膨脹收縮量的差引起兩坩堝間的間隙變動，只要間隙的變動量在坩堝用保護墊片能夠復原其厚度的范圍內，就能夠利用坩堝用保護墊片始終填滿內側坩堝和外側坩堝之間，因此作為最佳選擇。還有，復原率根據接合墊片JISR3453，具體地說由下述(3)式表示。復原率(0/。)=((t3—12)/(t,—12))X100…(3)還有，上述式(3)中，t，是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±l%)后的厚度(mm)，t2是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)，t3是再返回到預壓，經過了60秒后的厚度。(隔氣性)本發明的坩堝用保護墊片透氣率調整為小于1.0xl0—4cm2/s。若壓縮率升高，則透氣率有增大的傾向(參照圖9)，只要使透氣率小于1.0xl0—4cm2/s，即使塒堝用保護墊片的壓縮率在如上所述范圍，也能夠抑制加熱內側坩堝時發生的SiO氣體透過坩堝用保護墊片。其結果是，能夠抑制SiO氣體與外側坩堝反應，將外側坩堝SiC化，因此能夠延長外側坩堝的壽命，且能夠削減硅單晶的制造成本。另外，當SiO氣體透過了坩堝用保護墊片時，流入到坩堝用保護墊片和外側坩堝之間的該SiO氣體被加熱。于是，在坩堝用保護墊片和外側坩堝之間發生SiO氣體的對流，外側坩堝被該對流削薄，有可能發生坩堝的壁厚減小。特別是，該現象多從坩堝的R部(彎曲部，參照圖2的A部)發現，隨著這種壁厚減小的發展，則外側坩堝有可能破裂。可是，如果透氣率小于1.0xl(T、mVs，流入到坩堝用保護墊片和外側坩堝之間的該SiO氣體本身變少，因此，能夠抑制如上所述對流的發生和由于對流造成的外側坩堝壁厚減小。還有，即使坩堝用保護墊片具有如上所述透氣率，也很難完全防止氣體透過。可是，只要坩堝用保護墊片具有如上所述的壓縮率及復原率，就能夠利用坩堝用保護墊片始終填滿內側坩堝和外側坩堝之間。于是，因為兩琳堝間不存在SiO氣體對流的間隙，所以能夠提高外側坩堝壁厚減小的抑制效果。另外，發生SiO氣體對流的部分是坩堝側面和底面連接的部分(圖2的A部)，因此只要能防止這種對流，本發明的坩堝用保護墊片可以只設置在那部分附近。另外，如果將多片坩堝用保護墊片重疊、或是使用由多張坩堝用保護墊片重疊而成的多層墊片，則即使一張墊片的隔氣性不那么高，也能夠提高隔氣性。(導熱率及加熱均勻性)石英制內側坩堝導熱率最多為2W/(m*K)左右，而與此相對，本發明的坩堝用保護墊片其面方向的導熱率為120W/(m'K)以上。加熱開始時，外側坩堝內面的溫度不一定是均勻的溫度分布，因而坩堝用保護墊片在加熱時也有可能產生溫度分布。可是，如上所述，如果本發明的坩堝用保護墊片面方向的導熱率為120W/(m'K)以上，則在極短時間內就成為均勻的溫度分布。因而，能夠大致均勻地加熱面方向的導熱率極低的石英制的內側坩堝，因此，內側坩堝內的硅的溫度也大致均勻，其結果是，能夠飛躍性提高制造出來的硅單晶的品質。而且，由于加熱開始時內側坩堝的溫度上升及冷卻開始時內側坩堝的溫度下降迅速，因此能夠提高硅單晶的生產性。再有，本發明的坩堝用保護墊片其面方向的導熱率為120W/(m，K)以上，不過，要調整其面方向的導熱率在面內大致均勻。具體地說，截取坩堝用保護墊片的一部分，形成一條邊為200mm的正方形試驗片，若將該試驗片劃分成一條邊為25mm的正方形的多個試驗區域，測量該多個試驗區中的導熱率，則調整導熱率最大的試驗區域中的導熱率值和導熱率最小的試驗區域中的導熱率值之差除以全部試驗區域中的導熱率平均值所得的值為0.1以下。如果柑堝用保護墊片的導熱率不均勻，則有可能在導熱率低的部分形成比其他部分溫度高的熱斑。若在坩堝用保護墊片上形成熱斑，則石英制的內側坩堝中有可能只是與熱斑接觸的部分比其他部分溫度高。于是，有可能發生的問題是內側坩堝內的硅沒能成為均勻的溫度，發生硅單晶的品質惡化，或只是內側坩堝的那部分逐漸軟化，內側坩堝破裂。可是，本發明的坩堝用保護墊片制造時使導熱率具有如上所述特性，因此能夠防止硅單晶的品質惡化和內側坩堝的軟化等。并且，如果采用以下方法，就能夠在制造時使本發明的坩堝用保護墊片的導熱率如上所述在面內大致均勻。首先，將天然石墨和漂浮石墨等浸漬在硫酸和硝酸等液體中后，在400'C以上進行熱處理，從而形成棉狀的石墨(膨脹石墨)。該膨脹石墨厚度為1.030.0mm，體積密度為O.l~0.5Mg/m3，將該膨脹石墨壓縮到厚度為0.20.6mm，體積密度為0.5~1.5Mg/m3，形成坩堝用保護墊片。此時，如果將膨脹石墨在進給速度20.0m/min的狀態下利用軋輥軋制進行壓縮，就能夠防止在坩堝用保護墊片表面發生褶皺，能夠防止出現由于褶皺而引起導熱率下降的部分。從而，能夠制造導熱率均勻的坩堝用保護墊片。而若進給速度不足0.1m/min，則膨脹石墨的生產性下降。因而，進給速度優選是為0.120.0m/min，特別是限定在0.515.0m/min為最佳。接下來，說明本發明的第2方式。還有，制造硅單晶等的設備和坩堝l的結構與上述第l方式同樣，因此省略其詳細說明。因而，下述說明中，關于與上述第l方式的不同點進行說明。(關于坩堝用保護墊片中特定元素的比例)坩堝用保護墊片4最好是混入其內部的多種雜質中、特定元素的量調整為3massppm以下，優選是分別調整為lmassppm以下。上述特定元素是指半金屬元素和金屬元素，而所謂半金屬元素可舉例為硼、磷、砷、銻、鉍，金屬元素可舉例為鐵或銦。這樣限制是因為，這些元素若混入單晶硅的原料即多晶硅中，則對制造出來的單晶硅的制品品質和其制造工序等造成的影響大。如上所述，如果坩堝用保護墊片4抑制了對單晶硅品質影響大的特定元素的量，則即使坩堝用保護墊片4整體的品質不那么高，也能夠有效地抑制制品品質異常的發生和制造工序中不合理情況的發生等。從而，容易進行坩堝用保護墊片4的制造及坩堝用保護墊片4的品質管理，能夠抑制制品的制造成本，且能夠保持高制品品質。還有，可以不是所有特定元素各為3massppm以下，只要是對制造出來的單晶硅所要求的特性影響大的特定元素為3massppm以下、優選是為lmassppm以下艮卩可。另外，如果制造出來的單晶硅的特性由于多種特定元素的量而受到影響時，則優選是所選擇的多種特定元素的總量為10massppm以下、優選是為5massppm以下。(關于坩堝整體的雜質量)外側坩堝3混入的雜質含量(總灰分量)調整為20massppm以下、優選是調整為10massppm以下(純化)，坩堝用保護墊片4混入的雜質含量(總灰分量)調整為lOOmassppm以下、優選是調整為50massppm以下(純化)。近年來，對制品純度的要求越來越嚴格。從而使用的坩堝1和坩堝用保護墊片4等也被要求更高的純度，為了應對這些要求，配置在內側坩堝2和外側坩堝3之間的坩堝用保護墊片4也開發出了更高純度化的物質。可是，本發明的坩堝裝置中，由于外側坩堝3的灰分為20massppm以下，從而即使采用灰分與現有同等的坩堝用保護墊片4、例如多于50massppm而在100massppm以下，也能夠獲得高純度的制品。更具體地說明，則例如采用內徑為18英寸的外側坩堝3時，其重量為約30kg，因此，如果灰分為20massppm，則灰分量為約0.6g。并且，當用坩堝用保護墊片4覆蓋該外側坩堝3的整個內面時，坩堝用保護墊片4的尺寸為①480mm左右，因此如果厚度為lmm、體積密度為1.5Mg/m3，則其重量為約270g。這種情況下，如果坩堝用保護墊片4的灰分為100massppm，則坩堝用保護墊片4中含有的灰分量為約0.03g，坩堝裝置整體的總灰分量為約0.63g，也就是說，灰分相對于坩堝裝置整體為約20massppm。于是，如果考慮利用具有如上所述外側坩堝3的坩堝裝置而熔融的多晶硅的重量為約60kg，則認為相對于多晶硅重量而言，坩堝裝置中含有的總灰分量相對少。如上所述，本發明的坩堝裝置中，由于外側坩堝3和坩堝用保護墊片4中含有的灰分相加的總灰分量少，因此能夠抑制混入材料中的雜質量。而且，各部件的品質無須過高。特別是純化困難的坩堝用保護墊片4的品質無須過高，因此容易進行外側坩堝3和坩堝用保護墊片4的制造及品質管理，能夠抑制制品的制造成本，且保持高制品品質。特別是，如果外側坩堝3其灰分為20massppm以下、優選是為10massppm以下左右，則能夠有效地進行外側坩堝3的制造及品質管理、且能夠有效地維持制品品質，因此為最佳選擇。同樣，如果坩堝用保護墊片4的灰分為100massppm左右、優選是為50massppm左右，則能夠有效地進行坩堝用保護墊片4的制造及品質管理、且能夠有效地維持制品品質，因此為最佳選擇。還有，將外側坩堝3和坩堝用保護墊片4等調整為如上所述灰分的方法并沒有特別限定，例如，能夠利用將外側坩堝3和坩堝用保護墊片4接觸鹵素氣體等的方法去除雜質。具體地說，當調整坩堝用保護墊片4的灰分時，例如在存在鹵化有機物的條件下、在100lTorr以下的減壓下，在80(TC以上加熱處理524小時，接下來冷卻，之后通過壓縮成形，從而制作規定體積密度的膨脹石墨墊片。另外，也可以附加以下這樣的工序，即在實施了上述鹵化有機物條件下的加熱處理后，停止鹵化有機物的供給，接下來取代鹵化有機物供給氫氣，并在1001Torr的減壓下，在80(TC以上進行處理。實施例將本發明的坩堝用保護墊片從厚度方向以34.3MPa的加壓力加壓壓縮，調查此時的壓縮率和復原率。還有，壓縮率由上述(2)式規定，復原率由上述(3)式規定。(實驗內容)(1)確認厚度0.5mm的坩堝用保護墊片中，設定體積密度為0.1、0.5、0.8、1.0、1.2、1.5、1.8Mg/m3時體積密度和壓縮率及復原率的關系。(2)采用鹵素氣體，坩堝用保護墊片的灰分(雜質)濃度被調整為10massppm以下。(實驗結果)如圖3所示，能夠確認隨著體積密度增大，壓縮率下降，而另一方面，復原率升高。另外，若確認壓縮率和復原率的關系，則如圖4所示，能夠確認整體是壓縮率越大，復原率越下降。也就是說，可知壓縮率和復原率為折衷的關系。調查本發明的坩堝用保護墊片中墊片厚度和彎曲性及緩沖性的關系。(實驗內容)(1)設定坩堝用保護墊片體積密度為O.l、0.3、0.5、0.7、1.0、1.5、1.7Mg/m3，厚度為O.l、0.2、0.4、0.6、1.0mm。(2)外側坩堝使用東洋碳(股份公司)制IG—110(內徑O500mm、高度490mm)、內側坩堝使用石英坩堝(外徑①480mm、高度500mm)。(3)采用鹵素氣體，坩堝用保護墊片的灰分(雜質)濃度被調整為10massppm以下。(評價)(1)在外側坩堝內面配置了坩堝用保護墊片的狀態下，往坩堝中內插內側坩堝，用目測確認坩堝用保護墊片的損傷，由此評價彎曲性和緩沖性。(2)具體地說，如表1所示，彎曲性良好沒有發生坩堝用保護墊片斷裂和破壞、缺損，且緩沖性優異時記作，彎曲性及緩沖性為能夠容許的程度時記作O，彎曲性、緩沖性某一個不好時記作A，均不好時記作X。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>(實驗結果)由膨脹石墨組成的坩堝用保護墊片，一般是體積密度越大，坩堝用保護墊片的強度越強，不過如表1所示，當坩堝用保護墊片厚度過薄時(O.lmm)，即使體積密度大也不能獲得足夠的強度。因而，若安裝坩堝時對坩堝用保護墊片施加彎曲的力，則有時發生破壞和斷裂、缺損等。另外，還沒有足夠的緩沖余量。另一方面，當坩堝用保護墊片厚度過厚時(lmm)，具有足夠的緩沖余量，其強度也足夠，作業性沒有惡化，不過，由于彎曲性惡化，因此，若安裝坩堝時對坩堝用保護墊片施加彎曲的力，則有時發生斷裂和缺損等。另外，體積密度小時由于強度不足而導致彎曲性低，除了坩堝用保護墊片為lmm的情況以外，若對坩堝用保護墊片施加彎曲的力，則產生斷裂和缺損等。反之，當體積密度為1.7Mg/n^時，壓縮性變低，即使厚度增大，也不能獲得足夠的緩沖余量。由以上可知，如果坩堝用保護墊片厚度為0.20.6mm，且體積密度為0.5~1.5Mg/m3，則能夠具有足夠的緩沖余量，維持彎曲性且能夠增大坩堝用保護墊片的強度。特別是坩堝用保護墊片的厚度為0.40.6mm，緩沖余量增大、墊片強度增大，因此作為最佳選擇。另外，若將這樣形成的坩堝用保護墊片多張重疊，則即使坩堝用保護墊片本身薄，也不會發生斷裂和缺損，能夠進一步提高緩沖性、隔氣性。[第3實施例]調查本發明的坩堝用保護墊片中上述(1)式所示的透氣率、上述(2)式所示的壓縮率及導熱率。(實驗內容)(1)確認厚度為0.5mm的坩堝用保護墊片中體積密度為0.1、0.3、0.5、0.7、1.0、1.5、1.7Mg/m3時的壓縮率、透氣率、導熱率。(2)透氣率的具體測量方法如下。a)在相互連通的一對密閉的室CA、CB中，本發明的坩堝用保護墊片(直徑30mm)塞住連通兩室CA、CB的通路(直徑10mm)進行配置。換言之，形成一種不通過坩堝用保護墊片，空氣不能在一對密閉的室CA、CB間流動的狀態。b)從該狀態將兩室CA、CB抽真空，直到兩室CA、CB內的氣壓為1.0X10—4Pa。然后，一面繼續進行一室CA內的抽真空，一面供給N2氣直到另一室CB內達到規定的壓力(1.0X105Pa)。c)若另一室CB內達到規定的壓力(1.0X105Pa)，則停止一室CA內的抽真空。于是根據兩室CA、CB間的壓力差和坩堝用保護墊片的透氣性，而使N2氣逐漸從另一室CB向一室CA流動，因此一室CA內的壓力上升。d)然后，測量停止一室CA內的抽真空后約100秒鐘內一室CA內的壓力上升速度，根據下述(1)式，算出透氣率K(cmVs)。K=QL/(APA)…(1)還有，上述(l)式中，Q為氣體流量(Pa'cmVs)，AP是兩室CA、CB間的壓力差(Pa)，A是坩堝用保護墊片的透氣面積、也就是連通兩室CA、CB的通路的面積(cm2)，L是坩堝用保護墊片(試驗片)的厚度(cm)。另外，上述氣體流量Q根據停止一室CA內的抽真空后約100秒鐘內一室CA內的壓力上升速度和一室CA的容積算出。(實驗結果)如圖5及圖6所示，能夠確認隨著體積密度增大，壓縮率變低，而導熱率升高。另外如圖7所示，能夠確認體積密度增大，則透氣率降低，換言之，若體積密度增大，則隔氣性升高。'另外，如圖8所示，若調査壓縮率和導熱率的關系，則能夠確認壓縮率越大，導熱率越小。也就是說，可知壓縮率和導熱率為折衷的關系。再有，如圖9所示，若調查壓縮率和透氣率的關系，則能夠確認壓縮率越小，透氣率越小(隔氣性越高)。也就是說，可知壓縮率和隔氣性為折衷的關系。比較了厚度為0.20.6mm、體積密度為0.5~1.5Mg/m3的本發明的膨脹石墨墊片(坩堝用保護墊片)的導熱率的離散。(實驗內容)導熱率的離散是從200X200mm的本發明的坩堝用保護墊片截取9個25X25mm的試驗片，將各試驗片的面方向的導熱率最大值(Max)和最小值(Min)之差除以平均導熱率(Ave.)，對所得的值進行比較。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>其中，面方向的導熱率的單位為W/(m.K)。(實驗結果)如表2所示，能夠確認如果坩堝用保護墊片的厚度為0.20.6mm、體積密度為0.51.5Mg/m3，則導熱率的離散為O.l以下，均熱性優異。工業上的可利用性本發明的坩堝用保護墊片適用于利用CZ法制造硅單晶等過程中在外側坩堝和內側坩堝的保護和用于均熱等使用的墊片。權利要求1.一種坩堝用保護墊片，是配置在含有硅的內側坩堝和含有石墨的外側坩堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，下述(1)式所示的透氣率為1.0×10-4cm2/s以下且下述(2)式所示的壓縮率為20％以上，透氣率＝Q·L/(ΔP·A)…(1)其中，上述(1)式中，Q為氣體流量(Pa·cm3/s)，ΔP是兩室間的壓力差(Pa)，A是坩堝用保護墊片的透氣面積也就是連通兩室的通路的面積(cm2)，L是坩堝用保護墊片的厚度(cm)，壓縮率(％)＝〔(t1—t2)/t1〕×100…(2)其中，上述(2)式中，t1是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±1％)后的厚度(mm)，t2是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±1％)后的厚度(mm)。2.—種坩堝用保護墊片，是配置在含有硅的內側坩堝和含有石墨的外側柑堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，面方向的導熱率為120W/(m'K)以上且下述(2)式所示的壓縮率為20%以上，壓縮率(%)二〔(t「t2)/t,〕X100'.'(2)其中，上述(2)式中，t,是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±l%)后的厚度(mm)，t2是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)。3.根據權利要求l所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，面方向的導熱率為120W/(m'K)以上。4.根據權利要求13任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，厚度為0.2mm以上0.6mm以下。5.根據權利要求14任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，體積密度為0.5Mg/m3以上1.5Mg/m3以下。6.根據權利要求l-5任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，下述(3)式所示的復原率為5%以上，復原率(％)=〔(t廣t2)/(t廣t》)X訓…(3)其中，上述(3)式中，t，是施加15秒鐘預壓(0.686MPa±l%)后的厚度(mm)，12是施加60秒鐘全壓(34.3MPa±l%)后的厚度(mm)，t3是再返回到預壓，經過了60秒后的厚度。7.根據權利要求26任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，將一條邊為200mm的正方形的所述坩堝用保護墊片劃分成一條邊為25mm的正方形，測定各區域的導熱率時，規定導熱率最大的試驗區域的導熱率值和導熱率最小的試驗區域的導熱率值之差除以全部試驗區域的導熱率的平均值所得的值在O.l以下。8.根據權利要求17任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，雜質的總量為10massppm以下。9.根據權利要求18任意一項所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，雜質的總量為100massppm以下，且混入的多種雜質中，硼、磷、石申、銻、鉍及金屬元素中的至少1種元素的量為3massppm以下。10.根據權利要求9所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述金屬元素為鐵或銦。11.根據權利要求10所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的量各為3massppm以下。12.根據權利要求10或11所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述硼、磷、砷、鐵、銻、銦及鉍的總量為10massppm以下。13.—種坩堝用保護墊片體，是層疊了多片權利要求1~12任意一項所述的坩堝用保護墊片的結構。14.一種坩堝用保護墊片，是配置在具有內側坩堝和外側坩堝的坩堝的兩坩堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，雜質的總量為1OOmassppm以下，混入的多種雜質中，硼、磷、砷、銻、鉍及金屬元素中的至少l種元素的量為3massppm以下。15.根據權利要求14所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述金屬元素為鐵或銦。16.根據權利要求15所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述硼、磷、砷、銻、鉍、鐵及銦的量各為3massppm以下。17.根據權利要求15或16所述的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述硼、磷、石申、銻、鉍、鐵及銦的總量為10massppm以下。18.—種坩堝裝置，包括具有內側坩堝和外側坩堝的坩堝、配置在兩坩堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，其特征在于，所述坩堝用保護墊片為權利要求14、15、16或17所述的坩堝用保護墊片，所述坩堝用保護墊片和所述外側坩堝的雜質總重量相對于所述坩堝用保護墊片和所述外側坩堝的總重量的比例為30massppm以下。19.根據權利要求18所述的坩堝裝置，其特征在于，所述外側坩堝采用雜質總量為20massppm以下的石墨制坩堝。20.根據權利要求18所述的坩堝裝置，其特征在于，所述外側坩堝采用雜質總量為20massppm以下的碳復合材料制坩堝。全文摘要一種在具有內側坩堝(2)和外側坩堝(3)的坩堝中配置在兩坩堝之間的由膨脹石墨構成的坩堝用保護墊片，面方向的導熱率為120W/(m·K)以上、透氣率小于1.0×10^-4cm²/s，從厚度方向以34.3MPa的加壓力加壓壓縮時，壓縮率為20％以上。由于壓縮率高，因此內側坩堝內插時防止破損效果提高，作業性提升，還能夠防止內側坩堝在外側坩堝內的傾斜。另外，即使壓縮率高也可保持導熱率為能夠均勻加熱內側坩堝的程度，還能夠保證隔氣性，因此能夠防止外側坩堝的SiC化和壁厚減小等的發生。能夠防止內側坩堝損傷、且抑制外側坩堝SiC化，能夠從外側坩堝向內側坩堝均勻傳熱的坩堝用保護墊片。文檔編號C30B15/10GK101490313SQ20078002643公開日2009年7月22日申請日期2007年7月9日優先權日2006年7月14日發明者岡田修,幸哲也,廣瀨芳明,近藤照久申請人:東洋炭素株式會社