改進的電極，內層、電容器和印刷電路板及制造方法-部分Ⅱ的制作方法

專利名稱：：改進的電極，內層、電容器和印刷電路板及制造方法-部分Ⅱ的制作方法
技術領域：
：本
技術領域：
是在印刷電路板(PWB)中嵌埋的電容器。更具體地，本
技術領域：
包括在印刷電路板中嵌埋由厚膜電介質和電極構成的電容器。
背景技術：
：將高電容密度的電容器嵌埋在印刷電路板中能夠減小電路的尺寸并提高電路的性能。電容器通常嵌埋在堆疊的板中并通過互連電路連接，所述板的堆疊體形成多層印刷電路板。堆疊的板一般稱作"內層板"。己知通過箔上燒制技術形成嵌埋在印刷電路板中的無源電路元件。"獨立箔上燒制"的電容器可通過以下方式形成在金屬箔基片上沉積至少一種厚膜介電層并干燥，然后在該厚膜電容器介電層上沉積厚膜電極材料并干燥，最后在銅厚膜燒制條件下對該電容器結構進行燒制。美國專利申請公報US2004/0099999Al和US2004/023361Al公開了這種方法。燒制后，將制成的制品層疊在預浸漬介電層上，對金屬箔進行蝕刻，形成電容器的電極和所有相關電路，形成含厚膜電容器的內層板。然后，將該內層板層疊并與其他內層板互連，形成多層印刷電路板。厚膜介電材料在燒制后應具有高介電常數(K)。適合絲網印刷的高K厚膜介電糊料可通過以下方式形成將高介電常數的粉料("功能相")與玻璃粉混合，并將該混合物分散到厚膜絲網印刷載劑中。玻璃可以是玻璃質的或結晶的，取決于其組成。在厚膜介電材料的燒制期間，介電材料的玻璃組分在達到峰值燒制溫度之前軟化并流動。在保持峰值溫度期間介電材料熔合并包封功能相，形成箔上燒制的電容器結構。玻璃隨后結晶，沉淀所有需要的相。銅是形成電極的優選材料。適合絲網印刷的厚膜銅電極糊料可以通過以下方式形成將銅粉與少量玻璃粉混合，并將該混合物分散到厚膜絲網印刷載劑中。但是，厚膜銅和厚膜電容器電介質之間較大的溫度膨脹系數(TCE)差以及燒制期間的收縮差異常在電極的周邊外圍的電介質中產生張應力。張應力可導致在電極周邊的電介質產生碎裂，如圖1A和圖1B所示。在極端情況，裂紋沿所有方向向下擴展到銅箔。這種碎裂是不希望的，因為會影響電容器的長期可靠性。能消除導致這種碎裂的狀況的備選電容器結構設計將是有利的。共同轉讓的發明(案巻號EL-0593USPRV(Maj咖dar等)美國臨時申請第60/692,119號(于2005年6月20日提交)被本申請要求為優先權，并且是本發明人發明的，該申請提供了形成電極和內層、嵌埋箔上燒制的厚膜電容器和形成印刷電路板(PWB)的新穎方法，這些方法除了形成電極、內層、電容器和印刷電路板外還避免了電介質中的碎裂。但是，采用上述發明，在PWB最外層(第一層和/或最后一層)上設置嵌埋電容器和使用鍍敷通孔(PTH)通道都是不可能的。本發明成功地解決了這些缺陷。觸；發明概述本文公開一種形成嵌埋的電容器的方法，該方法包括以下步驟提供金屬箔；在該金屬箔上形成陶瓷電介質；在大部分所述電介質和至少一部分所述金屬箔上形成電極；在堿金屬(basemetal)燒制條件下對該電容器結構進行燒制；和對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極。還公開一種形成電容器的方法，該方法包括提供金屬箔；在金屬箔上形成絕緣隔離層；在金屬箔上形成陶瓷電介質，其中，該電介質被絕緣隔離層包圍并與該層接在大部分絕緣隔離層和一部分金屬箔上，在大部分或者全部電介質上形成第一電極；在堿金屬燒制條件下對該電容器結構進行燒制；和對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極。該描述中，"在堿金屬燒制條件下對電容器結構進行燒制；以及對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極"中的詞語"在堿金屬燒制條件下對電容器結構進行燒制"表示在惰性氣氛例如氬氣或氮氣中，于大于或等于75(TC的溫度進行燒制。燒制可以在熱壁或箱式爐中進行。在詳細說明中揭示了本發明的進一步的結構。還公開了通過上述方法形成的電容器以及包含這些電容器的其他器件。這些器件包括但不限于內插件，印刷電路板，多芯片模塊，區域陣列封裝(areaarraypackage),封裝上的系統和封裝內的系統。附圖簡述參見以下附圖進行詳細描述，其中圖1A-1B是在現有技術設計的常規箔上燒制的電容器中觀察到的裂紋的示意圖。圖2A-2K是顯示制造具有箔上燒制的嵌埋的電容器的印刷電路板的方法的一系列視圖，所述電容器具有覆蓋了大部分的電介質的印刷的電極。一些或全部未被覆蓋的電介質在電容器的頂部電極和底部電極之間提供所需的絕緣，使電容器能夠將一個電極與一個鍍敷通孔通道相連，如圖2L所示。圖3A-3P是顯示制造具有箔上燒制的嵌埋的電容器的印刷電路板的方法的一系列視圖，所述電容器具有在電介質周圍的絕緣隔離層和覆蓋大部分隔離層的印刷的電極。所述絕緣隔離層可以是與電介質相同的材料或具有足夠的絕緣電阻的不同材料，從而在其厚度上使一對電極電隔離。圖4示出對圖3所示的厚膜電容器布局的另一種設計。根據常規實踐，附圖中的各種特征不必按照比例繪制。各種特征的尺寸可以放大或縮小，以更清楚地說明本發明的實施方式。發明詳述本文揭示的方法和產品有各種結構。根據第一實施方式，提供一種制造箔上燒制的單介電層電容器結構的方法，該方法包括提供金屬箔；在金屬箔上形成電容器的電介質；在大部分電介質和部分或全部金屬箔上形成第一電極，并在銅厚膜燒制條件下對該電容器結構進行燒制。根據第二實施方式，提供一種制造箔上燒制的單電介質層電容器結構的方法，該方法包括6提供金屬箔；在金屬箔上形成絕緣隔離層；在金屬箔上形成電容器的電介質，至由該絕緣隔離層產生的外殼;在大部分電介質和部分或全部絕緣隔離層上形成第一電極，并在銅厚膜燒制條件下對該電容器結構進行燒制。根據第三實施方式，提供一種制造箔上燒制的單電介質層電容器結構的方法，該方法包括提供金屬箔；在金屬箔上形成絕緣隔離層；在金屬箔上形成電容器的電介質，至由該絕緣隔離層產生的外殼；在大部分電介質和部分或全部絕緣隔離層以及一部分金屬箔上形成第一電極，并在銅厚膜燒制條件下對該電容器結構進行燒制。根據另一個實施方式，提供一種制造箔上燒制的嵌埋的電容器內層的方法，該方法包括將箔上燒制的電容器結構的有元件的一面層疊到預浸漬材料上，對金屬箔進行蝕刻，形成第一和第二電極。根據又一個實施方式，提供制造具有箔上燒制的嵌埋的電容器的多層印刷電路板的方法，該方法包括將箔上燒制的嵌埋的電容器的內層層疊到另外的預浸漬材料上，形成至少一個通過該預浸漬材料的通道，從而與至少一個電極相連。根據上述實施方式，電極覆蓋了大部分的電介質，并對該電介質施加壓應力，因而消除張應力。這樣能夠制造無裂紋的箔上燒制的電容器并嵌埋在多層印刷電路板內。此外，在上述實施方式中，絕緣層還可以用作阻擋層，以保護電容器的電介質免于蝕刻化學品的破壞。因而提高了電容器的可靠性。雖然按照形成印刷電路板描述了本發明，但是本領域的技術人員應理解，本發明的實施方式可用于各種器件，包括內插件，印刷電路板，多芯片模塊，區域陣列封裝，封裝上的系統和封裝內的系統。圖2A-2K圖示制造具有單層嵌埋的電容器的多層印刷電路板2010(圖2J)的第一方法，該電容器具有在金屬箔圖案上的箔上燒制的電容器，其中印刷的電極覆蓋大部分電介質和一部分金屬箔。為說明的目的，在圖2A-2K中示出形成的兩個嵌埋的電容器。然而，采用本說明書中所述的方法可以在箔上形成一個、兩個、三個或更多個電容器。為了簡便，下面的描述是針對僅形成一個所示電容器提出的。圖2A-2D和2F-21以及2J是正視的剖面圖。圖2E是圖2D的俯視圖。圖2K是圖2J的仰視圖。圖2A中，提供金屬箔210。該金屬箔210可以是工業上一般易得的類型。例如，金屬箔210可以是銅，銅-不脹鋼-銅，不脹鋼，鎳，涂覆鎳的銅，或其他熔點高于厚膜糊料燒制溫度的金屬和合金。合適的箔包括主要包含銅的箔，如背面處理過的銅箔，雙面處理過的銅箔，以及在多層印刷電路板工業中常用的其他銅箔。金屬箔210的厚度在例如約1-100微米范圍。其他厚度范圍包括3-75微米，更優選12-36微米。這些厚度范圍相應于約1/3盎司至1盎司的銅箔。在一些實施方式中，所述箔210通過在其上施用底印刷層(underprint)212并進行燒制進行預處理。在圖2A中示出的底印刷層212作為表面涂層，并且可能是施用于箔210的元件側表面上的相對薄層。底印刷層212能與金屬箔210及沉積在該底印刷層上的層良好粘合。底印刷層212可以例如由施涂于箔210的糊料在低于箔210熔點的溫度下燒制后形成。可以將底印刷糊料印刷在箔210是整個表面上作為疏涂層(opencoating),或者印刷在箔210的選擇區域上。將底印刷糊料印刷在箔210的選擇區域上一般比印刷在整個箔210上更經濟。但是，如果對銅箔210進行氧摻雜燒制，則優選涂覆箔210的整個表面，因為底印刷層中的玻璃含量會有損于銅箔210的氧化腐蝕。其他適合用作底印刷層的厚膜銅糊料(在美國專利申請10/801326中揭示；代理人案巻號No.EL-0545(Borland等)，參考結合于本文)具有以下組成(相對質量)銅粉58.4玻璃A1.7氧化亞銅粉5.8載劑11.7TEXANOL⑧溶劑12.9表面活性劑__總量91.0該組成中玻璃A包含鍺酸鉛，組成PBsGE30n載劑包含乙基纖維素N20011%TEX認0L⑧89%表面活性劑包含VARIQUATCC-9NS表面活性劑TEXANOL⑧可從伊斯曼化學公司(EastmanChemicalCo)得到。VARIQUATCC-9NS可從阿旭蘭德公司(AshlandInc)獲得。將電容器的介電材料220沉積在經過預處理的箔210的底印刷層212上，形成第一電容器介電材料層220，如圖2A所示。電容器的介電材料可以是例如絲網印刷或鋼印(stencile)在箔210上的厚膜電容器糊料。然后，對第一電容器介電材料層220進行干燥。圖2B中，然后，施涂第二電容器介電材料層225并干燥。在另一個實施方式中，在單一絲網印刷步驟中，沉積單層電容器介電材料，其厚度等價于兩個層220，225的厚度。其他適合用于箔上燒制實施方式的厚膜電容器材料(在美國專利申請10/801257中揭示；代理人案巻號No,EL-0545(Borland等)，參考結合于本文)具有以下組成(相對質量)<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>該組成中，玻璃A包含:玻璃B包含:玻璃C包含:載劑包含氧化劑包含:鍺酸鉛，組成PBsGE30nPB4BAGE"SI,.s0nPBsGESITIOn乙基纖維素N20011%TEXANOUD溶劑89%硝酸鋇粉84%載劑16°%圖2C中，主要在第二電容器介電材料層225和金屬箔在電容器電介質周圍的部分上形成導電材料層230，以形成第一電極，并干燥。導電材料層230可以通過例如將糊料金屬糊料絲網印刷在第二電容器介電材料層225上來形成。用來形成底印刷層212的糊料也適合用于形成導電材料層230。然后，將第一電容器介電材料層220，第二電容器介電材料層225和形成第一電極的導電材料層230共同燒制，將所得的結構燒結在一起。在圖2D中示出燒制后的結構部分的正視圖。燒制產生由電容器介電材料層220和225形成的單一電容器電介質228，因為在共燒制期間有效去除了電容器電介質層220和225之間的邊界。在共燒制步驟還形成主要包封電容器電介質層228的頂部電極232。從頂部俯視，電容器外觀如圖2E所示。當在氮氣中于約900。C峰值溫度在銅箔上燒制10分鐘時，產生的電容器電介質228的介電常數約為3000，耗散因數約為2.5%。可以采用其他燒制條件，以獲得對電容器電介質228的不同材料性質。在圖2F中，箔與具有第一電極232的預浸漬材料240層疊，第一電極232覆蓋面向該預浸漬材料的大部分電容器電介質228。例如可以在標準印刷電路板方法中使用FR4預浸漬材料進行層疊。一個實施方式中，可以使用106環氧預浸漬材料。合適的層疊條件例如是在抽真空至28英寸汞柱的真空室內，185°C，208psig條件下處理1小時。將箔250施用于層疊材料240的相反面，提供形成電路的表面。使有機硅橡膠壓片(presspad)和光滑的填充PTFE的玻璃脫模片(releasesheet)與箔210和250接觸，防止環氧樹脂將層疊片膠合在一起。層疊材料240可以是任何類型的介電材料，例如，標準環氧樹脂，高Tg環氧樹脂，聚酰亞胺，聚四氟乙烯，氰酸酯樹脂，填充樹脂體系，BT環氧樹脂，以及能在電路層之間提供絕緣的其他樹脂和層疊物。參見圖2G,層疊之后，在箔210和箔250上施涂光刻膠。將光刻膠成像并顯影，形成光刻膠圖案260和262。參見圖2H，對箔210和250進行蝕刻，使用例如標準印刷電路板處理條件剝離光刻膠260和262，形成圖2I所示的制品。蝕刻在箔210中形成溝槽215，并生第二電容器的箔電極218，該電極與箔的剩余部分以及第一電極232隔離。第二電容器箔電極218，電介質228和第一電極232形成電容器200。蝕刻過程還由箔210形成銅片217和219，箔210可以用作連接電容器電極232的通道片。還由箔250形成電路252,254，256。參見圖2J，可以將另外的層疊物和銅箔對層疊到制品2001上，如圖21所示，并鉆出PTH通道2020和/或微通道，并進行鍍敷。可以將光刻膠加到外部銅層上，并進行成像和顯影。然后，采用標準印刷電路條件，對外層銅箔進行蝕刻，將殘留的光刻膠剝離，完成印刷電路板2010。圖2K是圖2J所示的制品的仰視圖。在圖2K中，示出由蝕刻箔210中的溝槽215形成的兩個電容器200。但是，該數量是舉例的，按照本文揭示的實施方式，由箔可以形成任何數量的電容器。但是，圖2J示出兩個類似結構的電容器200，該實施方式能夠形成不同尺寸和/或形狀的電容器。所述的制造方法適合于圖2J所示的四金屬層的印刷電路板2010，該電路板在與其外層相鄰的層中具有嵌埋的電容器200。但是，可以改變制造順序，并且印刷電路板可以具有任意數量的層。該實施方式的嵌埋電容器還可以位于多層印刷電路板中的任意層中。也可以使用機械鉆孔并鍍敷的通孔通道，將電路與電容器箔電極232相連。圖3A-3N圖示制造具有嵌埋的電容器的多層印刷電路板3000(圖3N)的方法，該電容器具有在金屬箔圖案上的箔上燒制的電容器，其中印刷的電極覆蓋大部分電介質和一部分絕緣隔離層。為說明的目的，在圖3A-3N中示出形成的兩個嵌埋的電容器。然而，采用本說明書中所述的方法可以在箔上形成一個、兩個、三個或更多個電容器。為了簡便，下面的描述是針對僅形成一個所示電容器提出的。圖3A-3E，3I-3L和3N-3P是正視剖面圖。圖3F，3G和3H分別是圖3A，3C和3E的俯視圖。圖3M是圖3N的仰視圖。圖3A中，提供金屬箔310。金屬箔310可以是在第一實施方式中一般性描述的類型，并且還可以按照第一實施方式中所述，通過在箔310上施用底印刷層312并進行燒制，對該金屬箔進行預處理。在該底印刷層312上沉積絕緣隔離層313，因此形成外殼。合適的絕緣隔離層可以是填充絕緣陶瓷的玻璃組合物，該組合物與銅一起在銅厚膜燒制條件下共燒制時不會碎裂。形成的制品俯視圖示于圖3F。參見圖3B，將第一實施方式中所述的電容器介電材料沉積在經過預處理的箔310的底印刷層312上，至由該絕緣隔離層313形成的封閉區域，形成第一電容器介電材料層320。然后，對第一電容器介電材料層320進行干燥。然后，施涂第二電容器介電材料層325并干燥。在另一個實施方式中，在單一絲網印刷步驟中，沉積單層電容器介電材料，其厚度等價于兩個層320，325的厚度。圖3G是圖3C的俯視圖。在圖3D中，在大部分第二介電材料層325和一部分絕緣隔離層313上形成導電材料層330，并干燥。導電材料層330可以通過例如將在第一實施方式中所述的厚膜金屬糊料絲網印刷在第二介電材料層325上來形成。然后，將絕緣隔離層313，第一電容器介電材料層320，第二電容器介電材料層325和形成第一電極的導電材料層330共同燒制，將所得的結構燒結在一起。在圖3E中示出燒制后的結構部分的正視圖。燒制產生由電容器介電材料層320和325形成的單一電容器電介質328，因為在共燒制期間有效去除了電容器電介質層320和325之間的邊界。通過燒制，將絕緣隔離層314與單一電容器電介質328接合。在共燒制步驟還形成主要包封電容器電介質層328的頂部電極332。電容器電介質層328的表面積小于導電材料層332的表面積。當在氮氣中于約90(TC峰值溫度在銅箔上燒制10分鐘時，產生的電容器電介質328的介電常數約為3000，耗散因數約為2.5%。可以采用其他燒制條件，以獲得對電容器電介質328的不同材料性質。圖3H是圖3E的俯視圖。在圖3I中，箔與具有第一電極332的預浸漬材料340層疊，第一電極232覆蓋面向該預浸漬材料的電容器電介質328。用第一實施方式中所述的材料和處理進行層疊。將箔350施用于層疊材料340的相反面，提供形成電路的表面。參見圖3J，層疊之后，在箔310和箔350上施涂光刻膠。將光刻膠成像并顯影，形成光刻膠圖案360。按照這種制造順序，在該階段不對箔350上的光刻膠362進行成像和顯影，銅箔350—般在最后外層處理期間進行圖案化。對箔310迸行蝕刻，采用例如標準印刷電路板處理條件剝離圖3K所示的光刻膠360和362，形成圖3L所示的制品。蝕刻步驟在箔310中形成溝槽316，并產生限定的第二電容器箔電極318，該電極與箔的其余部分隔離，而不需要蝕刻化學品與電容器的電介質接觸。第二電容器箔電極318，電介質328和第一電極332形成電容器300。參見圖3N，鉆出通孔通道3020和/或微通道并進行鍍敷。可以將光刻膠加到外部銅層370上，并進行成像和顯影。然后，采用標準印刷電路條件，對外層銅箔進行蝕刻，形成電路385，并將殘留的光刻膠剝離，完成印刷電路板3000，如圖3N所示。所述的制造方法適合用于三金屬層的印刷電路板3000，該電路板在其中間層具有嵌埋的電容器300。但是，可以改變制造順序，并且印刷電路板3000可以具12有任意數量的層。該實施方式的嵌埋電容器還可以位于多層印刷電路板中的任意層中。圖4示出對圖3所示的厚膜電容器布局的另一種設計，其中，印刷的頂部電極覆蓋了更大部分或全部的絕緣隔離層。但是，嵌埋圖4電容器的方法并非不同于圖3所述的方法，并且對本領域技術人員也應是顯而易見的。類似地，本領域的技術人員可以將上面的詳細概念容易地擴展到多層電容器結構。在上面的實施方式中，厚膜糊料可以包含陶瓷、玻璃、金屬或其他固體的細分的顆粒。顆粒的粒度可以在小于或等于l微米左右，并可以分散在"有機載劑"中，所述有機載劑包含溶解于分散劑和有機溶劑的混合物中的聚合物。厚膜介電材料在燒制后可具有高介電常數(K)。例如，高K厚膜電介質可通過以下方式形成將高介電常數的粉料("功能相")與摻雜劑和玻璃粉混合，并將該混合物分散到厚膜絲網印刷載劑中。燒制期間，電容器材料的玻璃組分在達到峰值溫度之前軟化和流動，熔合并包封功能相，形成燒制的電容器復合物。高K功能相包括通式AB03的鈣釹礦，如結晶鈦酸鋇(BT)，鈦酸鋯酸鉛(leadzirconatetitanate)(PZT)，鈦酸鋯酸鉛鑭(leadlanthanumzirconatetitanate)(PLZT)，鈮酸鉛鎂(leadmagnesiumniobate)(PMN)和鈦酸鋇鍶(bariumstrontiumtitanate)(BST)。優選將鈦酸鋇用于銅箔上燒制的應用，因為鈦酸鋇相對不受燒制過程中使用的還原條件的影響。通常，介電材料的厚膜玻璃組分對高K功能相為惰性，主要用來將復合物粘結結合在一起，并將電容器復合物與基片接合。優選僅使用少量的玻璃，以使高K功能相的介電常數不被過度減弱。玻璃例如可以是硼硅酸鈣-鋁，硼硅酸鉛-鋇，硅酸鎂-鋁，稀土金屬硼酸鹽或其他類似的組成。優選使用相對高介電常數的玻璃，原因是減弱效應不太明顯，并能保持復合物的高介電常數。組成為Pb5Ge30的鍺酸鉛玻璃是一種鐵電玻璃，其介電常數約為150，因此是合適的。鍺酸鉛的改進形式也是合適的。例如，通過在堿金屬燒制條件下對電容器結構進行燒制，鉛可以被鋇部分取代，鍺可以被硅、鋯和/或鈦部分取代；并蝕刻金屬箔形成第二電極。制造具有絲網印刷的電極的嵌埋電容器的PTO(印刷電路板)基片，其中所述電極主要包封電介質。將4層設計用于具有陶瓷電容器的PWB結構，所述電容器位于第2層(L2)。首先，制備包括L2/L3的內層，然后，將它們與第1層和第4層層疊，形成PWB堆疊體。在L2中使用1盎司的NT-TOI銅箔。TOI箔是單面無Zn的經過處理的電沉積箔，設計用來在寬范圍的各種有機基片上提供高結合強度。結果，具有電容器的箔不必進行氧化處理來保證與制造該電路板的1080FR4預浸漬材料有足夠的粘結。在內層和最終層疊物上使用125psi的較低層疊壓力，以避免對陶瓷電容器造成任何機械損害。電容器高度約為35微米，包含10微米的絲網印刷的電極和20微米的陶瓷電介質。在制成的電路板中，在各層中兩個FR4堆積體為約150微米。電路板上的外部涂覆層(externalfinish)是ENIG(無電Ni/Au)。用堿蝕刻劑進行銅的所有蝕刻。使用微通道和PTH通道的組合來連接嵌埋的電容器與基片表面上的銅片。制造總共39個完成的PWB板。每種板有6個試樣是有電容器的，有2個試樣使用本發明的圖2A-2L所示的電容器設計。每個試樣有20個具有不同面積的電容器。下面給出對圖2A-2L中所示的20個電容器的數據，這些數據顯示該電容器設計在完成的PWB中形成功能電容器。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>前面對本發明的描述內容說明和描述了本發明。此外，這些內容僅描述并顯示了本發明的選擇的優選實施方式，但是應理解，在與上述揭示內容和/或相關領域的技術人員能力或知識相當條件下，本發明能夠使用各種其他的組合、修改和環境，并能在本發明的范圍之內進行改變或修改。權利要求1.一種形成嵌埋的電容器的方法，該方法包括提供金屬箔；在該金屬箔上形成陶瓷電介質；在大部分所述電介質和至少一部分所述金屬箔上形成電極；在堿金屬燒制條件下對該電容器結構進行燒制；和對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極。2.—種形成電容器的方法，該方法包括提供金屬箔；在金屬箔上形成絕緣隔離層；在金屬箔上形成陶瓷電介質，其中，該電介質被絕緣隔離層包圍并與該層接觸；在大部分絕緣隔離層和一部分金屬箔上，在大部分或者全部電介質上形成第一電極；在堿金屬燒制條件下對該電容器結構進行燒制；和對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極。3.—種電容器，采用如權利要求1或2所述的方法形成。4.-種器件，包含至少一個如權利要求1或2所述的電容器。5.—種制造器件的方法，該方法包括.-提供金屬箔；在金屬箔上形成絕緣隔離層；在金屬箔上形成陶瓷電介質，其中，該電介質被絕緣隔離層包圍并與該層接觸；在大部分絕緣隔離層和一部分金屬箔上，在大部分或者全部電介質上形成第一電極；將金屬箔的元件側與至少-個預浸漬材料層層疊；對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極，其中，第一包封電極，電介質和第二電極形成電容器。6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，絕緣層還用作阻擋層，以防止蝕刻化學品與電容器電介質接觸。7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在對金屬箔進行蝕刻后，將器件與至少一個另外的預浸漬材料層層疊。8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括在預浸漬材料中形成一個或多個通道，以連接電容器，其中，所述通道選自微通道，鍍敷的通孔通道以及它們的組合。9.一種器件，采用如權利要求5所述的方法形成。10.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件選自內插件，印刷電路板，多芯片模塊，區域陣列封裝，封裝上的系統和封裝內的系統。全文摘要公開一種將由厚膜電介質和電極制造的電容器嵌埋在印刷電路板(PWB)中的改進的方法，該方法包括以下步驟提供金屬箔；在該金屬箔上形成陶瓷電介質；在大部分所述電介質和至少一部分所述金屬箔上形成電極；在堿金屬燒制條件下對該電容器結構進行燒制；和對金屬箔進行蝕刻，形成第二電極。所述方法可以進一步包括在形成陶瓷電介質之前在金屬箔上形成絕緣隔離層。文檔編號H05K1/16GK101467502SQ200780022023公開日2009年6月24日申請日期2007年6月13日優先權日2006年6月15日發明者D·馬居達,S·費古森申請人:E.I.內穆爾杜邦公司