專利名稱：電磁干擾屏蔽裝置及其制造方法
電磁干擾屏蔽裝置及其制造方法技術領域本公開總體涉及一種用于電子系統和電子設備的屏蔽裝置，更具體 地涉及一種具有部分拉制和部分形成的角部以用于提高剛度的屏蔽裝 置。
背景技術：
本部分的陳述僅僅提供與本公開相關的背景信息，可能不構成現有 技術。電子設備通常在其一部分中產生可能向該電子設備的另一部分輻射且干擾該另一部分的電磁信號。該電磁干擾(EMI)可能引起重要信號的 減弱或完全損失，從而使得電子設備效率低下或不能工作。為了減輕EMI 的不利影響，在電子電路的所述兩個部分之間插設用于吸收和/或反射 EMI能量的導電(有時為導磁的)材料。該屏蔽可呈壁或者完全封裝的 形式，并且可放置在電子電路的產生電磁信號的部分周圍并且/或者可放 置在電子電路的易受電磁信號影響的部分周圍。例如，印刷電路板(PCB) 的電子電路或元件通常用屏蔽件封裝以將EMI局限于其源內，并且將 EMI源附近的其它裝置隔離。用在此處時，術語"EMI"應認為一般包括和指代EMI和RFI發射， 術語"電磁"應認為一般包括和指代來自外部源和內部源的電磁頻率和 無線電頻率。因此，術語屏蔽(用在此處時) 一般包括和指代EMI屏蔽 和RFI屏蔽，以例如防止(或者至少減輕)EMI和RFI進出其中布置有 電子設備的殼體或其它封裝件。發明內容根據本公開的各個方面，提供了適用于為基板上的一個或多個電子元件提供電磁干擾屏蔽的屏蔽裝置的示例性實施方式。所述屏蔽裝置可 具有部分拉制和部分形成的角部以用于提高剛度。在一個示例性實施方 式中，屏蔽裝置大致包括構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件 布置的側壁。角部與所述側壁一體形成。各個角部具有將對應的一對側 壁一體連接的拉制部、以及大致定位在所述拉制部下方并大致位于所述 對應的一對側壁的側邊緣部分之間的下部。在另一示例性實施方式中，屏蔽裝置大致包括上表面和與所述上表 面一體形成并從所述上表面向下懸置的側壁。所述側壁構成為大致圍繞 基板上的一個或多個電子元件布置。所述側壁具有側邊緣，所述側邊緣 均構成為用于與對應的相鄰側壁的側邊緣互鎖接合。角部與所述側壁和 所述上表面一體形成。各個角部包括將對應的一對側壁和所述上表面一 體連接的拉制部。所述拉制部相對于所述上表面向下懸置。各個角部還 包括大致定位在所述拉制部下方的下部。所述下部包括通過所述對應的 一對側壁的所述側邊緣的互鎖接合而形成的接縫。對于各個角部，還存 在由所述角部的所述拉制部和所述下部共同限定定位的幵口。其它方面涉及具有側壁和大致位于對應的每對側壁之間的角部的電 磁干擾屏蔽裝置的制造方法。在一個示例性實施方式中， 一種方法大致 包括拉制一塊材料以形成用于各個角部的拉制部，該拉制部將對應的一 對側壁一體連接。該特定方法還包括成形所述材料塊，使得所述側壁構 成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布置，并且使得各個角部包 括大致定位在所述拉制部下方并大致位于所述對應的一對側壁的側邊緣 部分之間的下部。從這里提供的描述將清楚適用的其它領域。應理解，描述和具體實 施例都只用于闡釋的目的，而不是為了限制本公開的范圍。
這里描述的附圖僅用于闡釋的目的，而不是為了以任何方式限制本 公開的范圍。圖1是示例性實施方式的分解立體圖，示出了屏蔽裝置以及該屏蔽裝置可固定到其上的印刷電路板；圖2是圖1示出的屏蔽裝置的框架的立體圖，其中該框架倒置；圖3是圖2所示的框架的側壁的局部立體圖，示出了沿著側壁的下邊緣部分形成的城墻形結構；圖4是圖2所示的框架的局部立體圖，示出了該框架的角部(的外部)，在該角部中相鄰側壁的側邊緣部分互連從而形成角部的下部； 圖5是示出了從圖1所示的框架內部看去的角部的局部立體圖； 圖6是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的局部立體圖，其中該框架倒置以更好地示出該框架的角部(的外部)，該角部由相鄰側壁的側邊緣部分的另一互連而形成；圖7是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的立體圖；圖8是圖7所示的框架的局部立體圖，示出了具有大致方形形狀的下部的角部(的外部)，該角部由相鄰側壁的側邊緣部分的另一互連而形成；圖9是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的局部立體圖，其中 該框架包括均具有大致方形形狀的下部的角部，該角部由相鄰側壁的側 邊緣部分的又一互連而形成；圖IO是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的立體圖，其中該框 架的角部具有大致方形形狀的下部，所述角部均由相鄰側壁的側邊緣部 分的又一互連而形成；圖11是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的局部立體圖，示出 了框架的包括下部的角部，該下部由相鄰側壁的隔開的側邊緣部分形成；圖12是屏蔽裝置的框架的另一示例性實施方式的立體圖；圖13是圖12所示的框架的局部立體圖，示出了框架的包括下部的 角部，該下部由相鄰側壁的隔開的側邊緣部分形成；并且圖14示出了用于制造根據示例性實施方式的屏蔽裝置的示例性方法。
具體實施方式
以下描述實際上僅是示例性的，而不是為了對本公開、應用或用途 進行限制。應理解，在所有附圖中，對應的附圖標記表示相同或對應的 部件和特征。如上所述，印刷電路板(PCB)的電子電路或元件通常用屏蔽件封 裝以將EMI局限于其源內，并且將EMI源附近的其它裝置隔離。形成這 些屏蔽件的一種公知方式是通過利用例如模沖壓處理沖壓一塊材料而形 成封裝件，然后將材料的沖壓塊的側部向下折疊，大致垂直折疊以形成 側壁。然后可將該屏蔽件安裝到PCB以封裝期望的電子電路或元件。然 而這種屏蔽件的結構一體性往往是非常重要的。不幸的是，公知的模沖 壓屏蔽件的折疊側壁可能在屏蔽件安裝到PCB之前容易變形。本發明人 認識到，構成有部分拉制和部分形成的角部的屏蔽裝置(例如框架、屏 蔽罩等)可有利地提供改進的結構一體性用于抵抗變形。舉例來說，增 強的剛度在屏蔽裝置安裝到PCB之前可提供益處。在安裝期間，平面度 要求對于在焊接處理之前確保與PCB上的焊膏厚度的適當接觸特別重 要。如這里所公開的，本發明人研制了具有增強剛度的各種實施方式的 部件，而從在使用時通過安裝形成的角度來看，增強的剛度又可有助于 保持平面度。如這里所述，本公開的各個方面涉及適用于為基板上的一個或多個 電子元件提供電磁干擾屏蔽的屏蔽裝置。屏蔽裝置可具有部分拉制和部 分形成的角部用于提高剛度。在一個示例性實施方式中，屏蔽裝置大致 包括構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布置的側壁。角部與 側壁一體形成。各個角部具有將對應的一對側壁一體連接的拉制部、以 及大致定位在拉制部下方并大致位于所述對應的一對側壁的側邊緣部分 之間的下部。在另一示例性實施方式中，屏蔽裝置大致包括上表面和與上表面一 體形成并從上表面向下懸置的側壁。側壁構成為大致圍繞基板上的一個 或多個電子元件布置。側壁具有側邊緣，側邊緣均構成為用于與對應的 相鄰側壁的側邊緣互鎖接合。角部與側壁和上表面一體形成。各個角部 包括將對應的一對側壁和上表面一體連接的拉制部。拉制部相對于上表面向下懸置。各個角部還包括大致定位在拉制部下方的下部。下部包括 通過對應的一對側壁的側邊緣的互鎖接合而形成的接縫。對于各個角部， 還有由角部的拉制部和下部共同限定定位的開口。其它方面涉及電磁干擾屏蔽裝置的使用方法和/或制造方法，該電磁 干擾屏蔽裝置具有側壁和大致位于對應的每對側壁之間的角部。在一個 示例性實施方式中， 一種方法大致包括拉制一塊材料以形成用于各個角 部的拉制部，該拉制部將對應的一對側壁一體連接。該特定方法還包括 成形材料塊，使得側壁構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布 置，并且使得各個角部包括大致定位在拉制部下方并大致位于所述對應 的一對側壁的側邊緣部分之間的下部。下面參照附圖，圖1是實施一個或多個方面的屏蔽裝置100的示例性實施方式的分解立體圖。屏蔽裝置100適用于為印刷電路板103(PCB， 更廣泛的說是基板)上的一個或多個電子元件101提供電磁干擾(EMI)屏蔽。圖示的屏蔽裝置包括框架102和可附接至框架102的蓋(或罩)104。 在該特定實施方式中，框架102有利地通過制造處理的組合而形成，該 制造處理包括在模具上拉制框架，然后折疊或彎曲框架的部分以產生最 終期望的形狀。該方法在下文中進行更加詳細的描述。最終成形的框架 102構成為通過現有技術公知的方式固定至PCB 103。例如，框架102可 通過焊接、機械緊固等固定至PCB 103。同時，框架102和蓋104可封 裝期望的電子元件IOI以為其提供EMI屏蔽。參照圖1和圖2，圖示的框架102大致為矩形并且包括上表面106 (或頂表面)、四個彼此間并與上表面一體(或整體)形成的側壁108。 框架102還包括四個與側壁108和上表面106 —體形成的角部110。在另 一示例性實施方式中，上表面106的至少一部分可與側壁108和角部110 分開形成并分開附接到其上。在又一示例性實施方式中，框架102可包 括多于或少于四個的側壁108和角部110，而且/或者側壁構造與圖示不 同。例如，側壁108可具有方形構造、三角形構造、六邊形構造、其它 多邊形構造、圓形構造、非矩形構造等等。繼續參照圖1和圖2，框架的上表面106、側壁108和角部110由單 塊導電材料形成，從而具有一體、整體的結構。可使用范圍廣泛的材料用于框架102。例如，框架的上表面106、側 壁108和角部110可由冷軋鋼、鎳銀合金、銅鎳合金、不銹鋼、鍍錫冷 軋鋼、鍍錫銅合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼及其 合金，或者任何其它適當的導電和/或磁性材料形成。在一個示例性實施 方式中，框架102由一片厚度為大約0.20毫米的冷軋鋼形成。作為另一 實施例，框架102可由厚度在大約0.10毫米到大約0.30毫米范圍內的適 當材料構成。這里提供的材料和尺寸僅用于闡釋的目的，因為框架可例 如根據具體應用(例如待屏蔽的電子元件、整個電子設備內的空間考慮、 EMI屏蔽和散熱需要以及其它因素)由不同的材料構成并且/或者構成為 具有不同的尺寸。如前所述，框架的上表面106與各個側壁108和角部110 —體形成。 在圖示實施方式中，上表面包括沿著各個側壁108圍繞框架102的周邊 作為單件延伸的一體凸緣112。各個凸緣112相對于各個側壁108沿著拉 制線114向內彎曲，使得各個凸緣112大致相對于各個側壁108垂直定 向，并且各個側壁108從各個對應的凸緣112大致向下懸置。在另一示 例性實施方式中，上表面106可包括在其中具有開口的凸緣112，并且/ 或者可包括向內折疊的唇部、周緣等。在又一示例性實施方式中，上表 面106可包括側壁108的上邊緣。上表面106還包括四個將凸緣112互連的橫拉條116。橫拉條116 從各個凸緣112的中央位置延伸到中央轂118。橫拉條116優選構成為向 框架102提供加強支撐，例如抵抗變形(例如彎曲等)。橫拉條116還可 以構成為幫助保持側壁108為框架102的大致矩形。在另一示例性實施 方式中，橫拉條116可從凸緣112的其它位置(例如從凸緣的角部等) 延伸，并且/或者橫拉條116可直接延伸到凸緣112的其它位置而不利用 中央轂118。在又一示例性實施方式中，上表面106可不包括橫拉條。或 者，上表面106可包括多于或少于四個的橫拉條116并且/或者橫拉條116 呈不同取向。包含第-"^#第二部賴連接器組件M領域本發明涉及具有適于癡艮電輸入并將聲音及電信號輸出給第二;^的一個 第4分，其中第二元件狄電輸出，產生聲音，^Mt自第一元件的聲音并輸出聲音。特別的，本發明涉及一種組件，這種類型的組件中第—第二部分 可不需要;IW^怍而相互連接^N目互分離。本發明尤其非常適合應用于""#鄉的助聽器，被稱為BTE-RIC/RIE助聽器，因為她的連接器組件除包棘過插頭和插孔部甜展的聲學^t,還包^^as給的電接觸(器)。 背景狄BTE"RIC/RIE助聽器可有利地包^個位于耳塞中的高頻接收器以及一 個位于助聽器殼M外殼內部的^J5接收器。耳塞中高頻接收器的位置允許在 高頻接收器的聲音出口和用戶耳it^JtM之間形iU艮短的聲學通道。傳統的 BTE設計中接收im于助聽器殼體內部并與耳塞經較長的聲音管道聲學M 接，與W目比，JJiM的聲學itit可使艦ig/放大的聲音的高頻擴展得到g^EP1681904A1公開了多個雙M器BTE-RIC/RIE助聽器。發明內容本發明的優點在于^電學聲學連接器系,頭和插孔部分的可分離設計 允許BTE-RIC/RIE助聽器的高頻M器可斷開。 i^t于例如即時服^/^^目 的以;M^^者的^M^室ii^^"換非常有效，由于不需JN^IH^BTE^RIC/RIE 助聽器運到工廠。因為在BTE"RIC/RIE助聽器正常使用的過程中， BTE"RIC/RDE型助聽器的高頻MII^于接近助聽器用戶耳iti^其內部，其 對由耳祐、汗^^及勒以有害的因素造成的腐蝕和FJ^，轉的。在第一方面，本發明涉及一種連接器組件，其包含第4第二可#^^接 的連接器，其中第一連接器包含第一聲音傳,分，第一導電終端，'^X^—沿著各個側壁108延伸的邊緣。在該特定實施方式中，相鄰側壁108的 側邊緣部分124示出為沿著接縫140在角部110處接合。相鄰側壁108 的側邊緣部分124的形狀大致為圓形和鍵形以用于互連。例如， 一個側 壁108 (例如圖4中左邊的側壁108)的側邊緣部分124包括一個指部或 突起132和兩個凹部134。對應地，相鄰側壁108 (例如圖4中右邊的側 壁108)的側邊緣部分124包括兩個指部或突起132和一個凹部134。因 此， 一個側壁108的指部132定向成裝配在相鄰側壁108的對應凹部134 內，從而在相鄰側壁108的側邊緣部分124之間提供互鎖接合。該互鎖 接合優選構成為提高框架102的剛度，從而有助于確保側壁108彼此間 的正確對準，并且有助于確保側壁的下邊緣部分122大致對準和共面， 以用于提供與PCB 103的良好配合表面。下面參照圖5，大致從框架102內部示出了框架的角部110。雖然圖 5所示和下文所描述的是僅僅一個角部110，但框架102的其它角部110 基本相同，從而對其它角部110的描述基本相同。如圖5所示，角部110包括通過相鄰側壁108的側邊緣部分124的 互連而形成的拉制部136和折疊部138。在圖示實施方式中，上拉制部 136和下折疊部138大致為圓形。上拉制部136 —體連接框架102的相鄰側壁108和對應的凸緣112。 上拉制部136與相鄰側壁108和對應的凸緣112成一體，使得側壁108 和上拉制部136相對于凸緣112大致向下懸置。下部138大致定位在上拉制部136的下方。下部138由相鄰側壁108 的互鎖側邊緣部分124限定，從而形成接縫140。開口 142定位在上拉制 部136與下部138之間并由它們共同限定，使得開口 142大致將角部110 的上部136和下部138分開。在圖示實施方式中，接縫140延伸角部110的下部138的長度。在 其它示例性實施方式中，接縫140可僅延伸下部138的一部分長度。在 其它示例性實施方式中，開口 142可與圖示不同地定位。例如，可選實 施方式可以不包括位于角部110中的任何開口。在其它實施方式中，可 沿著下部138的長度附加或可選地定位一個或多個開口 142。例如， 一個側邊緣部分124可包括凹部134，其中相鄰的配合側邊緣部分不包括用于 裝配在凹部中的指部132。角部110的上拉制部136優選構成為增大框架102的剛度。例如， 上拉制部136與相鄰側壁108和對應凸緣112在角部110處的一體結構 優選為框架102提供了提高的結構強度。與其它結構(例如通過在沒有 任何拉制部的情況下將側壁從凸緣直接向下折疊來形成框架的結構，等 等)相比，該提高的結構強度可有助于減少不期望的變形(例如彎曲等)。再次參照圖1和圖2，圖示的框架102可構成為用于通過拾放設備 (例如真空拾放設備等)操作。為此，中央轂118可構成(例如確定尺 寸、形狀等)為用作框架拾起區域，例如在框架102的制造期間以及/或 者將框架安裝至PCB 103的期間，可夾持該框架拾起區域，或者通過用 于操作的拾放設備向該框架拾起區域施加吸引。在其它示例性實施方式 中，框架102可例如包括位于角部處和/或沿著側壁108的突片，該突片 用作除中央轂118之外或代替中央轂118的拾放區域。圖1還示出了屏蔽裝置100的示例性蓋104。如圖所示，蓋104構 成(例如確定尺寸、形狀等)為大致裝配在框架102上方，用于覆蓋其 上表面106中的開口 120。在該處，框架102和蓋104從而可為PCB 103 上的在由框架102和蓋104共同限定的區域內的一個或多個電子元件101 提供屏蔽。蓋104示出為具有與框架102的形狀對應的大致矩形形狀。蓋104 包括構成為大致裝配在側壁108的至少一部分的上方的邊144。或者，蓋 104可包括多于或少于四條的邊144并且/或者可包括構造與圖中所示不 同的邊。例如，蓋的邊可具有方形構造、三角形構造、六邊形構造、其 它多邊形構造、圓形構造、非矩形構造等等。此外，圖示的蓋104包括多個孔口或孔146。這些孔146可有利于 蓋104內部的焊接回流加熱，可以使電子元件101冷卻，并且/或者可以 允許目測電子元件101在蓋104下方的部分。在一些實施方式中，孔146 足夠小以抑制干擾的EMI/RFI的通過。孔146的具體數量、尺寸、形狀、 取向等可例如根據具體應用(例如電子設備的敏感度，其中更加敏感的電路可能需要使用直徑更小的孔，等等)而改變。例如， 一些實施方式 包括沒有任何這樣的孔的蓋。在圖示實施方式中，蓋104可通過焊接固定至框架102。在其它示 例性實施方式中，蓋104可以以允許該蓋相當容易地從框架102移除并 重新放到框架102上的方式可卸下地固定至框架102。例如， 一些實施方 式包括設有隆起的框架側壁，這些隆起構成為與形成在蓋的邊中的對應 開口對準并由所述對應開口保持。在其它實施方式中，框架側壁可包括 一個或多個保持開口 (例如，凹部、空穴、空腔、槽、溝、孑L、凹陷以 及它們的組合，等等)，這些保持開口構成為與形成在蓋的邊中的一個或 多個隆起(例如，制動件、扣合件、閂鎖件、突片、爪、隆起、突起、 肋、脊、上斜面(ramp-up)、矢狀件、矛狀件、凹窩、半凹窩及它們的 組合等等)對準并接合地接收這些隆起。在其它一些實施方式中，框架 側壁可包括一個或多個保持孔口以及一個或多個隆起。或者，除了隆起 在開口內的接合之外，還可采用其它方式用于將蓋附接至框架。蓋104可由范圍廣泛的材料形成，所述材料優選為導電材料。例如， 蓋104可由冷軋鋼、鎳銀合金、銅鎳合金、不銹鋼、鍍錫冷軋鋼、鍍錫 銅合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼及其合金，或者 任何其它適當的導電和/或磁性材料形成。在一個示例性實施方式中，蓋 104由一片厚度為大約0.20毫米的冷軋鋼形成。作為另一實施例，蓋104 可由厚度在大約O.IO毫米到大約0.30毫米范圍內的適當材料構成。這里 提供的材料和尺寸僅用于闡釋的目的，因為蓋可例如根據具體應用(例 如待屏蔽的電子元件、整個電子設備內的空間考慮、EMI屏蔽和散熱需 要以及其它因素)由不同的材料構成并且/或者構成為具有不同的尺寸。在其它示例性實施方式中，蓋104可與框架102 —體構成為單體部 件。例如，上表面106可包括基本越過框架102從一個側壁108延伸到 另一側壁108的平坦上表面，從而該平坦上表面與角部110和側壁108 成一體。在這些實施方式中，平坦上表面作為用于屏蔽裝置100的罩或 蓋操作。在這種情況下，屏蔽裝置IOO可 于屏蔽PCB 103上在由 側壁108、角部110、平坦上表面和PCB 103的至少一部分共同限定的內部中的一個或多個電子元件101。在一些實施方式中，平坦上表面可包括 一個或多個用于通風的通孔或開口等。圖6示出了根據本發明另一示例性實施方式的屏蔽裝置的框架202 的角部210。雖然圖6所示和下文所描述的是僅僅一個角部210，但對框 架202的其它角部210的描述相同。在該實施方式中，框架202包括具 有側邊緣部分224的側壁208，側邊緣部分224形成有構造不同的配合指 部232和凹部234，用于在相鄰側壁208的側邊緣部分224之間提供互鎖 接合。如圖6所示，在該實施方式中，相鄰側壁208的側邊緣部分224 均包括定向成互連的一個指部232和一個凹部234。圖7和圖8示出了根據又一示例性實施方式的框架302。在該實施 方式中，框架302包括具有側邊緣部分324的側壁308，側邊緣部分324 形成有構造不同的配合指部332和凹部334，用于在相鄰側壁308的側邊 緣部分324之間提供互鎖接合。如圖8所示，互鎖的側邊緣部分324接合而形成角部310的大致方 形的下部338。 一個側壁308 (例如圖8中的左側壁308)的側邊緣部分 324包括兩個指部332和一個凹部334，相鄰側壁308 (例如圖8中的右 側壁308)的側邊緣部分324包括一個指部332和兩個凹部334。相鄰側 壁308的側邊緣部分324的指部332和凹部334定向成互連從而形成角 部310的大致方形的下部338。圖9示出了根據再一示例性實施方式的框架402的角部410。雖然 圖9所示和下文所描述的是僅僅兩個角部410，但對框架402的其它角部 410的描述基本相同因此不再給出。在該實施方式中，框架402包括具有 側邊緣部分424的側壁408，側邊緣部分424形成有構造不同的配合指部 432和凹部434，用于在相鄰側壁408的側邊緣部分424之間提供互鎖接合。如圖9所示，互鎖的側邊緣部分424接合而形成角部410的大致方 形的下部438。相鄰側壁408的側邊緣部分424各包括一個指部432和一 個凹部434。相鄰側壁408的側邊緣部分424的指部432和凹部434定向 成互連而形成角部410的大致方形的下部438。圖IO示出了根據另一示例性實施方式的框架502。在該實施方式中， 框架502包括具有側邊緣部分524的側壁508，側邊緣部分524沒有配合 指部或凹部。取而代之，該實施方式具有相鄰側壁508的側邊緣部分524， 所述側邊緣部分524在開口 542下方彼此抵靠，從而形成角部510的大 致方形的下部538。圖11示出了根據又一示例性實施方式的框架602的角部610。雖然 圖11所示和下文所描述的是僅僅一個角部610，但對框架602的其它角 部610的描述相同。在該實施方式中，框架602包括具有側邊緣部分624 的側壁608，側邊緣部分624沒有配合指部或凹部。取而代之，相鄰側壁 608的側邊緣部分624大致在角部610的上拉制部636下方間隔開一間距 或間隙650。在該實施方式中，角部610的下部638大致由空間650和相 鄰側壁608的間隔開的側邊緣部分624限定。圖12和圖13示出了根據又一示例性實施方式的框架702。在該實 施方式中，框架702包括具有側邊緣部分724的側壁708，側邊緣部分 724沒有配合指部或凹部。取而代之，相鄰側壁708的側邊緣部分724在 角部710的上拉制部736下方被空間或間隙750分開。從而，角部710 的下部738大致由空間750和相鄰側壁708的被隔開的側邊緣部分724 限定。如圖13所示，各個角部710的上拉制部736從框架702的上表面 706向下延伸的程度比圖ll所示的框架602的拉制部636延伸的程度大。 在圖13中，框架角部710的通過拉制形成的部分比通過彎曲或折疊形成 的部分多。與折疊或彎曲相比，通過拉制形成的框架、蓋、屏蔽罩等的 角部的程度可根據例如具體應用而改變。圖14示意性地示出了用于制作根據本公開的實施方式的屏蔽裝置 的示例性方法860。利用該示例性方法860，可以制造范圍廣泛的屏蔽裝 置中的任何一種，例如具有框架(例如，102、 202、 303、 402、 502、 602、 702等)的EMI屏蔽裝置(例如，100等)和/或單件屏蔽罩。如處理862 所示，首先從較大塊的導電材料沖壓出一塊呈例如大致框架(例如，102、 202、 303、 402、 502、 602、 702等)形狀的材料(例如，坯件等)。坯件 的形狀大致平坦并且可包括具有與側壁(例如，108、 208、 308、 408、508、 608、 708等) 一體的凸緣(例如，112、 212、 312、 412、 512、 612、 712等)的上表面(例如，106、 206、 306、 406、 506、 606、 706等)， 所述側壁具有側邊緣部分(例如，124、 224、 324、 424、 524、 624、 724 等)和下邊緣部分(例如，122、 222、 322、 422、 522、 622、 722等)。 在坯件中，側壁(例如，108、 208、 308、 408、 508、 608、 708等)從上 表面凸緣(例如，112、 212、 312、 412、 512、 612、 712等)大致向外輻 射，使得相鄰側壁的側邊緣部分(例如，124、 224、 324、 424、 524、 624、 724等)被隔開。在一些示例性實施方式中，坯件可通過模沖壓處理由較 大塊材料形成。在其它示例性實施方式中，坯件可通過化學蝕刻或通過 任何其它適當的處理由較大塊材料形成。如處理864所表明的，然后對沖壓的坯件成形。在該成形處理864 期間，將沖壓的坯件在成形模或成形沖頭上拉制或拉動。這樣形成了具 有將對應的凸緣(例如，112、 212、 312、 412、 512、 612、 712等)和相 鄰側壁(例如，108、 208、 308、 408、 508、 608、 708等) 一體連接的拉 制部(例如，136、 236、 336、 436、 536、 636、 736等)的角部(例如， 110、 210、 310、 410、 510、 610、 710等)。角部(例如，110、 210、 310、 410、 510、 610、 710等)的拉制部(例如，136、 236、 336、 436、 536、 636、 736等)與一體連接的側壁(例如，108、 208、 308、 408、 508、 608、 708等) 一起從凸緣(例如，112、 212、 312、 412、 512、 612、 712等) 大致向下懸置。在處理864期間除了形成拉制部之外，還在相同的處理864期間形 成側壁。換言之，側壁與拉制部一起在相同的處理或操作864期間形成 (根據本示例性實施方式不在單獨不同的操作中形成)。當在操作864期 間形成坯件時，在角部開始在成形沖頭上拉制時側壁形成為高達近似90 度。當在操作864處繼續拉制處理時，相鄰側壁(例如，108、 208、 308、 408等)的側邊緣部分(例如，124、 224、 324、 424等)徑向向內形成 以沿著選擇的互鎖幾何形狀(如果有的話)相結合。如這里公開的那樣， 互鎖的幾何形狀可包括配合或互連的指部(例如，132、 232、 332、 432等)和凹部(例如，134、 234、 334、 434等)，用于在相鄰側壁的側邊緣 部分之間提供互鎖接合。在其它示例性方法中，相鄰的折疊側壁(例如 608等)的側邊緣部分(例如，524等)可抵靠。在其它示例性方法中， 相鄰的折疊側壁(例如608、 708等)的側邊緣部分(例如，624、 724等) 可通過空間或間隙(例如，650、 750等)隔開。進一步參照圖14，處理866可包括大致圍繞PCB (例如，圖1中的 103)上的一個或多個電子元件(例如，圖1中的101)布置并安裝(例 如，焊接、粘性結合、夾上等)到PCB的最終成形的框架(例如，102、 202、 302、 402、 502、 602、 702等)。然后可將蓋(例如，104等)緊固 至框架(例如，102、 202、 302、 402、 502、 602、 702等)，并且框架和 蓋可一起用于屏蔽PCB上的位于框架內部禾n/或外部的電子元件不受EMI 影響。可以看出，這里公開的屏蔽裝置的實施方式包括角部(例如，110、 210、 310、 410、 510、 610、 710等)，所述角部部分通過拉制一塊材料并 且部分通過對所述材料塊進行折疊、彎曲或其它形式的成形而形成。與 具有僅通過折疊形成的側壁的那些屏蔽件相比，拉制處理864可有利地 為屏蔽裝置提供增強了的強度。如這里所公開的，屏蔽裝置、框架(例 如，102、 202、 302、 402、 502、 602、 702等)以及/或者單件屏蔽罩在 側壁之間可包括一體、整體的結構，使得角部(例如，110等)的拉制部 將相鄰側壁與上表面一體連接。拉制部、相鄰側壁和上表面的該單件結 構與傳統的折疊結構相比提供了增強的強度和剛度。此外，其中側壁(例 如，108、 208、 308、 408、 508、 608、 708等)的下部被折疊或彎曲成最 終形狀的處理864優選不再需要沿著側壁下邊緣部分(例如，122、 222、 322、 422、 522、 622、 722等)的拉制凸緣，而這在傳統的全拉制結構中 通常是很普遍的。該示例性方法還優選不再需要全拉制結構在PCB上通 常需要的額外空間。這又可有助于促進下邊緣部分(例如，122、 222、 322、 422、 522、 622、 722等)與PCB (例如，圖1中的103)的更加精 確和一致的配合。這里提供的材料和尺寸僅用于闡釋的目的，因為其組件和部件可例如根據具體應用(例如待屏蔽的元件、整個設備內的空間考慮、EMI屏 蔽和散熱需要以及其它因素)由不同的材料構成并且/或者構成為不同的 尺寸。術語"一體"和"整體"在這里可互換地使用。使用一個術語而不 是另一術語不是為了限制。這兩個術語都是為了描述這里所公開的用于屏蔽裝置(例如框架102、 202、 302、 402、 502、 602、 702等)的單件 結構。如這里所公開的，各個實施方式包括這樣的結構，其中上表面(例 如，106、 206、 306、 406、 506、 606、 706等)、側壁(例如，108、 208、 308、 408、 508、 608、 708等)和角部(例如，110、 210、 310、 410、 510、 610、 710等)的上拉制部(例如，136、 236、 336、 436、 536、 636、 736 等)都形成為單件。當使用術語"一體"和"整體"及其變型時，指的 是該單件結構。這里使用的某些術語只是為了參考，而不是為了限制。例如，諸如 "上"、"下"、"上方"、"下方"、"頂"和"底"的術語指的是所參考的 圖中方向。諸如"前"、"背"、"后"、"底"和"側"的術語描述了在一 致但任意的參照系內的元件的部分的定向，該定向通過參考對所討論的 部件進行描述的文本以及相關附圖而變得清楚。該術語可包括以上具體 提到的詞語、它們的派生詞、以及具有類似含義的詞語。同樣，除非文 中清楚地指出，術語"第一"、"第二"和其它這種指代結構的數字術語 并不意味著序列或順序。在介紹元件或特征以及示例性實施方式時，"一"和"所述"用于表 示存在一個或多個這樣的元件或特征。術語"包括"、"包含"和"具有" 旨在是包括性的，表明除了具體指出的元件或特征之外還可能有附加的 元件或特征。還應理解，這里描述的方法步驟、處理和操作不應理解成 必須按照所述或所示的特定順序執行，除非特別指出了執行順序。還應 理解，可采用附加或可選的步驟。本公開的描述實際上僅僅是示例性的，因此不脫離本公開本質的變 型仍落在本公開的范圍內。這些變型不應被認為脫離了本公開的精神和 范圍。
權利要求
1.一種適用于為基板上的一個或多個電子元件提供電磁干擾屏蔽的屏蔽裝置，該屏蔽裝置包括側壁，所述側壁構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布置；與所述側壁一體形成的角部，每個角部具有拉制部，該拉制部將對應的一對側壁一體連接；以及下部，該下部大致定位在所述拉制部下方并大致位于所述對應的一對側壁的側邊緣部分之間。
2. 如權利要求1所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括與所述側壁和 拉制部一體形成的頂表面，使得所述側壁和拉制部相對于所述頂表面向 下懸置，并且各個拉制部將對應的一對側壁和所述頂表面一體連接。
3. 如權利要求2所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括在各個側壁與 所述頂表面之間的拉制線，使得各個側壁大致垂直于所述頂表面。
4，如權利要求2或3所述的屏蔽裝置，其中所述頂表面沿著所述屏 蔽裝置的上部限定開口。
5. 如權利要求4所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括用于覆蓋由所 述頂表面限定的所述開口的蓋，從而所述屏蔽裝置可操作用于屏蔽所述 基板上的在由所述側壁、角部、頂表面、蓋和所述基板的至少一部分共 同限定的內部中的一個或多個電子元件。
6. 如權利要求2所述的屏蔽裝置，其中，所述頂表面、側壁和角部 由單塊導電材料一體形成，從而具有整體結構。
7. 如權利要求2所述的屏蔽裝置，其中，所述頂表面由所述側壁的 頂邊緣限定。
8. 如權利要求1或3所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括與所述側壁和拉制部一體形成的頂表面，使得所述側壁和拉制部相對于所述頂表面向下懸置，并且所述拉制部將所述對應的側壁和所述頂表面一體連接， 并且其中所述頂表面從側壁到側壁越過所述屏蔽裝置延伸，從而所述屏蔽裝置可操作用于屏蔽所述基板上的在由所述側壁、角部、頂表面和所述基板的至少一部分共同限定的內部中的一個或多個電子元件。
9. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包 括與所述側壁和拉制部一體形成的凸緣，使得所述側壁和拉制部相對于 所述凸緣向下懸置，并且所述拉制部將所述對應的側壁和所述凸緣一體 連接，并且其中所述凸緣相對于所述側壁向內延伸從而沿著所述屏蔽裝 置的上部限定開口。
10. 如權利要求9所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括用于覆蓋所 述開口的蓋，從而所述屏蔽裝置可操作用于屏蔽所述基板上的在由所述 側壁、角部、凸緣、蓋和所述基板的至少一部分共同限定的內部中的一 個或多個電子元件。
11. 如權利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述凸緣、側壁和角部 由單塊導電材料一體形成，從而具有整體結構。
12. 如權利要求9所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括在各個側壁 與對應的凸緣之間的拉制線，使得所述側壁大致垂直于所述凸緣。
13. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，所述側壁 的所述側邊緣部分為鍵形，用于在所述角部的所述下部處互連，從而有 助于確保所述側壁相對彼此的正確對準。
14. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，至少一個 所述側壁包括具有城墻形結構的下邊緣部分。
15. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，至少一個 所述側壁包括基本沒有拉制凸緣并且與另一側壁的所述下邊緣部分大致 共面的下邊緣部分。
16. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，所述角部 的所述下部包括由所述對應的一對側壁的所述側邊緣部分形成的接縫。
17. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，至少一個 所述角部還包括由所述角部的所述拉制部和所述下部共同限定的開口。
18. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，所述對應 的一對側壁中的至少一個側壁的所述側邊緣部分被所述對應角部的所述 下部分開一間隔距離。
19. 如權利要求l、 2、 3、 6或7所述的屏蔽裝置，其中，所述角部 的所述拉制部構成為增大所述屏蔽裝置的剛度。
20. —種適用于為基板上的一個或多個電子元件提供電磁干擾屏蔽 的屏蔽裝置，該屏蔽裝置包括上表面；側壁，所述側壁與所述上表面一體形成并從該上表面向下懸置，所 述側壁構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布置，所述側壁具 有側邊緣，所述側邊緣均構成為用于與對應的相鄰的側壁的側邊緣互鎖 接合；與所述側壁和所述上表面一體形成的角部，每個角部具有.-拉制部，該拉制部將對應的一對側壁與所述上表面一體連接，所述拉制部相對于所述上表面向下懸置；下部，該下部大致定位在所述拉制部的下方，所述下部包括通過所述對應的一對側壁的所述側邊緣的互鎖接合而形成的接縫；以及幵口，該開口由所述角部的所述拉制部和所述下部共同限定定位。
21. 如權利要求20所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括凸緣，所述 凸緣限定所述上表面并從所述側壁向內延伸從而在它們之間限定開口， 并且其中所述屏蔽裝置還包括用于覆蓋所述開口的蓋，從而所述屏蔽裝 置可操作用于屏蔽所述基板上的在由所述側壁、角部、上表面、蓋和所 述基板的至少一部分共同限定的內部中的一個或多個電子元件。
22. 如權利要求20或21所述的屏蔽裝置，其中，所述上表面、側 壁和角部由單塊導電材料一體形成，從而具有整體結構。
23. 如權利要求20或21所述的屏蔽裝置，其中，所述側壁的所述 側邊緣為鍵形，用于在所述角部的所述下部處互連，從而有助于確保所 述側壁相對彼此的正確對準。
24. 如權利要求20或21所述的屏蔽裝置，該屏蔽裝置還包括在各 個側壁與所述上表面之間的拉制線，使得各個側壁大致垂直于所述上表 面。
25. 如權利要求20或21所述的屏蔽裝置，其中，至少一個所述側 壁包括基本沒有拉制凸緣并且與另一側壁的所述下邊緣部分大致共面的 下邊緣部分。
26. 如權利要求20或21所述的屏蔽裝置，其中，所述上表面從側 壁到側壁越過所述屏蔽裝置延伸，從而所述屏蔽裝置可操作用于屏蔽所 述基板上的在由所述側壁、角部、上表面和所述基板的至少一部分共同 限定的內部中的一個或多個電子元件。
27. —種制造電磁干擾屏蔽裝置的方法，該屏蔽裝置具有上表面、 從該上表面向下懸置的側壁和大致位于各對對應側壁之間的角部，所述 方法包括拉制一塊材料以形成用于各個角部的拉制部，所述拉制部相 對于所述上表面向下懸置并將對應的一對側壁和所述上表面一體連接； 以及形成大致垂直于所述上表面的所述側壁，使得各個角部包括大致定 位在所述拉制部的下方并大致位于所述對應的一對側壁的側邊緣部分之 間的下部。
28. 如權利要求27所述的方法，其中，所述拉制還包S^向內形成所 述側壁的所述側邊緣部分，從而將所述側邊緣部分彼此互鎖。
29. 如權利要求27或28所述的方法，其中，所述拉制包括彎曲或 折疊所述側壁。
30. 如權利要求27或28所述的方法，該方法還包括在拉制材料塊 之前從較大的導電材料片中形成作為坯件的所述材料塊。
31. 如權利要求30所述的方法，其中，形成作為坯件的所述材料塊 包括通過沖壓或化學蝕刻中的至少一種或多種從較大的導電材料片中形 成作為坯件的所述材料塊。
全文摘要
本發明涉及一種電磁干擾屏蔽裝置及其制造方法。根據本公開的各個方面，提供了適用于為基板上的一個或多個電子元件提供電磁干擾屏蔽的屏蔽裝置的示例性實施方式。所述屏蔽裝置可具有部分拉制和部分形成的角部用于提高剛度。在一個示例性實施方式中，屏蔽裝置大致包括構成為大致圍繞基板上的一個或多個電子元件布置的側壁。角部與所述側壁一體形成。各個角部具有將對應的一對側壁一體連接的拉制部、以及大致定位在所述拉制部下方并大致位于所述對應的一對側壁的側邊緣部分之間的下部。
文檔編號H05K9/00GK101232798SQ200710161908
公開日2008年7月30日 申請日期2007年9月26日 優先權日2007年1月25日
發明者丹尼爾·C·格林, 保羅·W·小克羅蒂, 杰拉爾德·R·英格利希 申請人:萊爾德技術股份有限公司