抗靜電膜及包含該膜的制品的制作方法

專利名稱：抗靜電膜及包含該膜的制品的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種抗靜電膜，尤其涉及元器件包裝蓋帶用的透明低污染 的抗靜電膜。本發明還涉及包含該膜的制品，例如蓋帶以及包含載帶、所 述蓋帶和任選的帶包裝體的系統。
背景技術：
在元器件包裝領域，元器件通常由制造商開發制造，并輸送到另一個 制造商或用戶以作進一步處理。例如，在一個制造廠或"超凈室"設備制造 出半導體芯片后，包裝并輸送到另一個制造商或用戶，例如計算機制造商， 使制造商可將其安裝在印刷線路板或類似的裝置上。元器件主要包括，但不限于存儲芯片，晶體管，連接器，DIPS,電容器等。近年來，IC芯片或 電容器等芯片性電子部件，以被帶包裝在載帶中的形式，被提供用于在電 路板等上進行表面安裝。載帶上有容納元器件的凹部。將元器件容納在凹 部內后，蓋帶將相應的凹部密封，形成帶包裝體。在使用時，帶包裝體的 蓋帶剝離，元器件被取出并被安裝在電路基板上。蓋帶必須可以容易地從載帶剝離，并且剝離力要具有一定的穩定性。 如果該剝離力(剝離強度、熱封強度、或也可以稱為"剝離強度")過低， 則蓋帶易脫落。如果剝離力過強或剝離力波動范圍過大，則用安裝機剝離 蓋帶時，不易穩定地進行剝離操作。此外，靜電會對組裝過程或元器件本 身造成影響，因此蓋帶被要求具有穩定的抗靜電性能。而且，為了檢查元 器件，蓋帶被要求具有良好的透明性。此外，蓋帶表面不能對元器件產生 污染。蓋帶通常有兩種類型，壓敏型和熱敏型。對于熱敏型蓋帶，通過在熱 敏膠中或膠層表面添加導電劑可獲取導電性能。 一種導電劑是無機導電填 料，通過添加導電填料獲得XY方向的導電性能(XY方向的導電性指平行于膜表面方向的導電性，下同)。由于逾滲理論的限制，為了達到XY 方向導電，需要添加大量導電填充物(通常質量百分含量在30°/。以上)。 這樣會大大降低膜的透光率，美國專利US5208103等揭示了這種方法； 另一種是添加有機鹽類導電劑來獲得XY方向的導電性，這種方法的缺點 是抗靜電性對濕度敏感，并且容易對元器件產生污染，美國專利 US5064064等揭示了這種方法。對于壓敏型蓋帶， 一種是使用導電聚合物或通過加抗靜電劑來獲得涂 層的抗靜電效果，常用的導電聚合物包括聚吡咯、聚苯胺等，常用的抗靜 電劑包括季銨鹽、脂肪族磺酸鹽等。不過抗靜電劑易存在對元器件污染， 對環境濕度敏感等問題。另一種方法是通過在基膜上的金屬鍍層來獲得膜 的導電性，通常金屬鍍層可以通過蒸發鍍或磁控濺鍍的方法來制造，美國 專利US6027802揭示了這種方法。金屬層和基膜的附著性通常較差，如 果沒有保護涂層，摩擦時容易掉落。而且游離的金屬顆粒會引起元器件污 染問題。美國專利US5441809A揭示了一種透明的靜電耗散型蓋帶。這種蓋帶 由雙向拉伸基膜層、真空金屬鍍膜導電層和熱封膠層組成，熱封膠層中加 入了防粘微球和導電填料。這項發明較好地解決了膜對濕度敏感的問題， 并對金屬鍍層提供了保護。但是，該發明蓋帶透明性差，對透過其觀察元 器件造成困難，并且其中的熱敏膠層可能會使元器件受到污染。發明內容本發明的第一個方面提供了一種抗靜電膜，該膜尤其適合用于蓋帶，該膜包括基膜；和導電層，其位于基膜的一個表面上以提供導電性；和保護層，其位于導電層的與基膜相對的表面上以保護導電層，該保護層包括高分子成膜聚合物和用于抑制膜表面導電性下降的粒子，其中至少一部分粒子的粒徑大于保護層本身厚度。本發明的再一個方面提供了一種制品，其包括如上所述的本發明的抗靜電膜。所述制品包括但不限于蓋帶、包含蓋帶和載帶以及任選的帶包裝體的系統等。上面的概括性描述并不是用來描述本發明所公開的每一種實施方案。 下面參照附圖
和詳盡的描述，更具體地舉例描述本發明的實施方案。圖l是本發明抗靜電膜的橫截面示意圖；圖2是作為本發明制品的一種實施方案的蓋帶的橫截面示意圖； 圖3是作為本發明制品的另一種實施方案的蓋帶的橫截面示意圖；以及圖4是用于包裝元器件的本發明制品(載帶/蓋帶系統)的透視圖，其 中示出了蓋帶正從該系統上分離。盡管上述附圖例舉了本發明的幾個實施方案，但是未示出的其它實施 方案也在本發明范圍之內。在任何情況下，這些附圖都僅僅用來解釋本發 明而決非對本發明的限制。應當理解，本領域普通技術人員可以作出很多 落入本發明原理的范圍和精神內的其它改進和實施方案。這些附圖并不是 按尺寸比例繪制的。相同的附圖標記在整個說明書中表示類似的部件。
具體實施方式
本發明中，除非特別指出，術語"用于抑制膜表面導電性下降的粒子" 是指任何能夠降低保護層引起的抗靜電膜的表面導電性下降程度的粒子， 該粒子可以是無機或有機的、導電或不導電的、金屬或非金屬的。本發明提供了一種抗靜電膜，該膜可以為透明的、低霧度的、導電或 靜電耗散的薄膜，這種薄膜可以被用于制備蓋帶、抗靜電包裝袋及其他抗 靜電制品。本發明的膜包括基膜、導電層和保護層。基膜可以用相對透明并且具有良好機械性能的任意材料制成。適用的 材料包括但不限于聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、賽璐珞、尼龍、聚酯等， 對于圖2所示的蓋帶優選用雙向拉伸聚丙烯(BOPP)等易撕裂塑料薄膜。 對于基膜的厚度沒有特別限制，被用于制備蓋帶的基膜優選為透明。導電層位于基膜的一個表面上(基膜的另一面任選地涂有離形劑)，是一種提供導電性質的材料，可以是金屬層，也可以是金屬氧化物層。常 用的金屬有鎳鉻合金、鋁等；常用的金屬氧化物有氧化銦錫，摻雜氧化錫、 氧化鎂等；該層可通過蒸發鍍或磁控濺鍍等方法形成。導電層也可以是導 電聚合物(如拜耳公司的Baytror^P)，或是用碳黑、碳納米管、金屬粉、 金屬氧化物等導電粒子填充的聚合物材料，這種導電層可以通過將這些材 料涂布在基膜上形成。該導電層的表面電阻率應不高于lxlO^歐姆/平方， 較好不高于^107歐姆/平方，最好不高于口105歐姆/平方。
保護層位于導電層的與基膜相對的表面上以對容易刮落的導電層提 供機械上的保護。保護層不能使蓋帶的導電性能下降太大，以保證整個結 構仍舊保持所需的抗靜電性能。因此，該保護層含有用于抑制膜表面導電 性下降的粒子(在本發明中有時簡稱為"粒子")。保護層的厚度優選不大 于12微米，更優選不大于10微米，還優選不大于5微米，還更優選不大于2 微米，最優選0.2-l微米。所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子的形狀和 結構沒有特別限制，可以為細粉、片狀、樹枝狀、細絲狀，優選為顆粒狀。 所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子優選為導電或半導電粒子，包括 金屬粒子、碳黑、碳納米管、導電或半導電聚合物粒子、涂有導電或半導 電材料的聚合物粒子、金屬氧化物(例如二氧化鈦、氧化鋅等)粒子以 及它們各種混合物的組合。并且，至少部分所述粒子的粒徑大于保護層本 身的厚度以便于形成金屬層到涂層表面的Z向(即垂直于蓋帶表面的方向) 導電通路，同時也可起代替增加抗粘性的粒子的作用(如圖3所示)。保護 層還包含一種高分子成膜聚合物。對于聚合物的種類和含量沒有特殊限 制，例如可以是聚氨酯、環氧聚合物、丙烯酸聚合物或者它們的混合物等。
保護層中添加的用于抑制膜表面導電性下降的粒子的平均粒徑推薦 為50微米以下，更好是15微米以下，最好是10微米以下。用于抑制膜表面 導電性下降的粒子占保護層的重量百分含量推薦為30%以下，更好是O.l 到5%，最好是0.3到2%。這是因為，在較低添加量的情況下，能使膜更好 地保持透明性及較低的霧度。優選地，添加的用于抑制膜表面導電性下降 的粒子中百萬分之一以上的顆粒粒徑大于膜厚，更優選十萬分之一以上的 顆粒粒徑大于膜厚，以保證提供Z方向的電導通性能，使抗靜電膜具備靜 電耗散或導電性能。對于保護層中用于抑制膜表面導電性下降的粒子和任選的聚合物的 混合形式沒有特別限制，但必須保證能夠提供Z方向的電導通性能，使抗 靜電膜具備靜電耗散或導電性能。本發明蓋帶用透明低污染抗靜電膜的表面電阻率優選為lxlOU1><10|2歐姆/平方。當其對導電性要求較高時，該膜的表面電阻率優選小于lxicT歐姆/平方。保護層中除添加導電性粒子外，還加入增加抗粘性的粒子，該抗粘性 粒子與導電填充物可以是一種粒子，也可以是不同粒子。可用作抗粘性粒 子的有二氧化硅、二氧化鈦、碳黑、金屬粉和聚合物微球等，抗粘性粒子的平均粒徑為0-15微米，占保護層的重量百分含量為0-10%。下面參照附圖進一步描述本發明的具體實施方案。測試方法1) 耐磨測試測試儀器TaberAbraser5130 (耐磨耗試驗機)，Taber Industries制造。 使用CS-5磨輪，測定樣品表面在摩擦一定轉數后的表面電阻率，如果表面 電阻率高于&1013歐姆/平方，則認為樣品在該轉數下已經失效。2) 表面電阻率測試測試儀器Trek 152電阻率測試儀，TREK, INC.制造。 測試符合ESD Sll.ll標準測試方法，在常溫常濕條件下測量 將開關調到所需的電壓位置U0伏或100伏)，用152P-CR-CE-EX測量探頭 持續壓在待測膜表面，此時LCD屏會顯示出測量的表面電阻率。表面電阻 率單位是歐姆/平方。3) 膜厚控制涂層厚度通過增重法測量裁一定尺寸大小的膜(面積S)，稱重(Wo)， 涂上涂層后再稱重(W,)，然后通過增重(AW-WrWo)、樣品面積(S) 和涂層的平均密度(D)計算涂層厚度(T):<formula>formula see original document page 10</formula>4)老化試驗將所有待測樣品放入52攝氏度，95%濕度的老化箱中，放置一周、兩 周、三周及四周后測試樣品的表面電阻率變化情況。將所有待測樣品放入60攝氏度的烘箱中，放置一周、兩周、三周及四 周后測試樣品的表面電阻率變化情況。注除非特別指明，本發明中所用濃度均為質量百分比濃度。二氧化硅的 粒徑為D50粒徑(D50也叫中位粒徑或中值粒徑。D50常用來表示粉體的平 均粒度)，數據由供應商提供。二氧化鈦和碳黑的粒徑為平均粒徑，數據 由刮板細度計測得。 原料雙組分聚氨酯(拜耳材料科技貿易(上海)有限公司，中國上海) 碳黑(立邦涂料(中國)有限公司，中國上海) 二氧化鈦(PPG涂料(天津)有限公司，中國天津) 二氧化硅(德固賽(中國)投資有限公司，中國上海)制備實施例50微米厚的BOPP薄膜經過金屬化處理，透光率70%左右，表面電阻 率在1"03歐姆/平方到1>X104歐姆/平方之間，在鍍金屬的一面涂上聚氨酯 涂層，涂層厚度在0.3到1.5微米之間。聚氨酯涂層中含有0.3%到3%的用于 抑制膜表面導電性下降的粒子。實施例l:圖l所示為本發明一種實施方案的透明低污染抗靜電薄膜l的橫截面 示意圖。基膜2為雙向拉伸的BOPP薄膜(也可以是聚丙烯、聚乙烯、聚碳 酸酯、賽璐珞、尼龍、聚酯等)，在基膜2的一個面上有一層導電層3，該 導電層3為金屬層(也可以是金屬氧化物層)，可通過蒸發鍍或磁控濺鍍的 方法實現。在導電層3相對于基膜的另一面是一層保護層4，該保護層4是用來保護導電層3的，該保護層中含有用于抑制膜表面導電性下降的粒子 5，粒子5主要用于提供Z方向上的電導通性。該薄膜具有透明性好，低污 染，耐磨及永久抗靜電的性能。實施例2:圖2所示為本發明一種實施方案的蓋帶6的橫截面示意圖。 蓋帶6包含基膜2、導電層3、保護層4、離形劑層7和條狀膠粘劑層8。 基膜2為雙向拉伸的BOPP薄膜，厚度為50微米。在基膜2的一個面上有一 層導電層3，該導電層3為金屬層。在導電層3的相對于基膜的另一面上有 一層保護層4，該保護層4是用來保護導電層3的，該保護層是含有用于抑 制膜表面導電性下降的粒子5的聚氨酯涂層，粒子5主要用于提供Z方向上 的電導通性。保護層4中也含有抗粘性填充物9，該抗粘性填充物9和粒子5 可以是同一種物質(見圖3)也可以是不同種物質(見圖2)。在保護層4 相對于導電層3的外面涂一層條狀膠粘劑層8,該膠粘劑可以是壓敏型膠粘 劑也可以是熱敏型膠粘劑。在基膜2的相對于導電層3的另一面涂有離形劑 7。撕裂刻槽10和11是沿著條狀膠粘劑方向的，取出元器件時可以沿該撕 裂刻槽撕開蓋帶，從而取出元器件。實施例3:本發明的蓋帶6可以被用于載帶/蓋帶系統14中用于元器件封裝。圖4 所示為包含載帶15和蓋帶6的載帶/蓋帶系統透視圖。載帶15有一對長邊16、 一個或多個凹部17。元器件18可以被放在凹部17中。將元器件18放入 載帶凹部17中之后，將蓋帶6通過載帶的長邊16與載帶粘上從而蓋住凹部17。 這樣就可以在載帶15和蓋帶6之間裝載元器件18。為了打開蓋帶6，轉 移元器件，蓋帶最終會被從載帶/蓋帶系統14中剝離。如圖4所示，蓋帶6 的中間部分13 (位于兩條撕裂刻槽12之間)被剝離掉，蓋帶6的外延19在 中間部分13被剝離掉之后還繼續保持與載帶15相粘。在蓋帶中間部分13 被剝離以后，被繞成一巻20然后廢棄或可重復利用。實施例4:50%濃度的雙組分聚氨酯溶液中摻入0.3wt。/。的平均粒徑為5微米的二氧化鈦，將此均勻懸浮液涂布到蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁 面上。此蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面的表面電阻率是lxl06歐姆/平方。涂布后的薄膜置入IOO攝氏度的烘箱烘烤15分鐘以便聚氨酯 充分交聯。烘烤后的聚氨酯涂層厚度在0.9到l.O微米之間，表面電阻率 在1><106到1><108歐姆/平方之間。此薄膜置入52攝氏度95%相對濕度的 老化箱老化一個月，表面電阻率衰減至口109到1><1012歐姆/平方。此保 護涂層可以通過300轉的耐磨測試。實施例5:50%濃度的雙組分聚氨酯溶液中摻入0.3wtM的平均粒徑為5微米的碳黑以及0.6wt。/。的D50粒徑為6微米的二氧化硅，攪拌均勻后將此懸浮液涂布到蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面上。此蒸發鍍鋁的雙向 拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面的表面電阻率是lxl()e歐姆/平方。涂布后的薄膜以每分鐘10米的速度通過6米長100攝氏度的烘箱以便聚氨酯充分交聯。烘烤后的聚氨酯涂層厚度在1.0到1.2微米之間，表面電阻率在口107到1><109歐姆/平方之間。此薄膜置入52攝氏度95%相對濕度的老化箱老化一個月，表面電阻率衰減至lxl(f到"101()歐姆/平方。此保護涂層可以通過300轉的耐磨測試。實施例6:50%濃度的雙組分聚氨酯溶液中摻入0.6wt。/。的D50粒徑為6微米的 二氧化硅，攪拌均勻后將此懸浮液涂布到蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜 的鍍鋁面上。此蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面的表面電阻率是 1><106歐姆/平方。涂布后的薄膜以每分鐘10米的速度通過6米長100攝 氏度的烘箱以便聚氨酯充分交聯。烘烤后的聚氨酯涂層厚度在1.0到1.2 微米之間，表面電阻率在"107到lxlO"歐姆/平方之間。此薄膜置入52 攝氏度95%相對濕度的老化箱老化一個月，表面電阻率衰減至1><107到 lxl011歐姆/平方。此保護涂層可以通過300轉的耐磨測試。實施例7:50%濃度的聚氨酯溶液中摻入2.0wtn/。的平均粒徑為10微米的碳黑，將此均勻懸浮液涂布到蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面上。此蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面的表面電阻率是^106歐姆/平方。 涂布后的薄膜以每分鐘10米的速度通過6米長100攝氏度的烘箱以便聚 氨酯充分交聯。烘烤后的聚氨酯涂層厚度在l.O到1.2微米之間，表面電 阻率在^107到1><109歐姆/平方之間。此薄膜置入52攝氏度95%相對濕 度的老化箱老化一個月，表面電阻率衰減至^107到1><101()歐姆/平方。 此保護涂層可以通過500轉的耐磨測試。實施例8:50%濃度的雙組分聚氨酯溶液中摻入0.6wt。/。的平均粒徑為5微米的 碳黑以及2.0wt。/。的D50粒徑為6微米的二氧化硅，攪拌均勻后將此懸浮 液涂布到蒸發鍍鋁的雙向拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面上。此蒸發鍍鋁的雙向 拉伸聚丙烯薄膜的鍍鋁面的表面電阻率是lxl(^歐姆/平方。涂布后的薄膜 以每分鐘10米的速度通過6米長100攝氏度的烘箱以便聚氨酯充分交聯。 烘烤后的聚氨酯涂層厚度在0.9到1.2微米之間，表面電阻率在^107到 1><109歐姆/平方之間。此薄膜置入52攝氏度95%相對濕度的老化箱老化 一個月，表面電阻率衰減至^107到lxlO"歐姆/平方。此保護涂層可以 通過300轉的耐磨測試。如上所述，本發明抗靜電膜及其制品，例如蓋帶，具有很多優點。例 如，本發明蓋帶在低濕度環境下，抗靜電性能沒有下降。由于保護層耐磨 擦，因而可以對導電層形成很好的保護。尤其是，本發明蓋帶中用保護涂 層來保護導電層，導電顆粒形成的導電通路在保護涂層內，而膠粘層在蓋 帶兩邊，蓋帶中間區域沒有膠粘層，也沒有小分子抗靜電劑，因而不易對 元器件造成污染，不管采用壓敏膠作為膠粘層還是熱敏膠作為膠粘層，也 不會影響剝離穩定性。此外，由于本發明的導電保護層可以做得很薄，而 且添加的粒子粒徑較小且含量低，因此可保持薄膜很好的透光率(透光率 可大于40%，通常大于50%;霧度可低于30%，通常低于15%)。因此，用 本發明的薄膜制成的蓋帶具有卓越的綜合性能，其不僅符合光學，電學方面的性能要求，而且對濕度不敏感，剝離力穩定，清潔無污染，質量易控。盡管本發明已經在某些實施方案和實施例中進行了描述，但是本領域 技術人員應當理解為本發明從具體公開的實施方案延及到其它備選實施 方案和/或本發明的用途和顯而易見的改進及等價內容。另外，本發明并 不受此處的優選實施方案的具體公開內容的限制。而是，申請人意指本發 明的范圍只受后附權利要求的限制，并且此處所公開方法和材料對于本領 域技術人員是顯而易見的變化都將落在申請人的發明的范圍內。
權利要求
1.一種抗靜電膜，其包括基膜；和導電層，其位于基膜的一個表面上以提供導電性；和保護層，其位于導電層的與基膜相對的表面上以保護導電層，該保護層包括高分子成膜聚合物和用于抑制膜表面導電性下降的粒子，其中至少一部分粒子的粒徑大于保護層本身厚度。
2. 權利要求1的抗靜電膜，其表面電阻率為lxl(^到lxlO"歐姆/平方。
3. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述保護層的厚度不大于12微米。
4. 權利要求3的抗靜電膜，其中所述保護層的厚度不大于5微米。
5. 權利要求4的抗靜電膜，其中所述保護層的厚度不大于2微米。
6. 權利要求5的抗靜電膜，其中所述保護層的厚度為0.2-l微米。
7. 權利要求1的抗靜電膜，其中以所述粒子的總數計，粒徑大于膜厚的粒 子的數量占百萬分之一以上。
8. 權利要求7的抗靜電膜，其中以所述粒子的總數計，粒徑大于膜厚的粒 子的數量占十萬分之一以上。
9. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述粒子選自金屬粒子、碳黑、碳納米管、 導電或半導電聚合物粒子、涂了導電或半導電材料的聚合物粒子、金屬氧化 物粒子及它們的各種混合物的組合。
10. 權利要求I的抗靜電膜，其中基于保護層的總重量，所述用于抑制膜 表面導電性下降的粒子的含量為30wtM以下。
11. 權利要求10的抗靜電膜，其中基于保護層的總重量，所述用于抑制 膜表面導電性下降的粒子的含量為0.1-5 wt%。
12. 權利要求ll的抗靜電膜，其中基于保護層的總重量，所述用于抑制 膜表面導電性下降的粒子的含量為0.3-2 wt%。
13. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述保護層中還包含增加抗粘性的粒子， 該抗粘性粒子與所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子可以是一種粒子，也可以是不同粒子。
14. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述導電層為金屬層。
15. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述導電層為金屬氧化物層。
16. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述導電層為導電聚合物層。
17. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述導電層為用選自碳黑、碳納米管、 金屬粉、金屬氧化物、及其混合物的粒子填充的聚合物材料層。
18. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述導電層的表面電阻率不高于lxl()W歐姆/平方。
19. 權利要求18的抗靜電膜，其中所述導電層的表面電阻率不高于lx107 歐姆/平方。
20. 權利要求19的抗靜電膜，其中所述導電層的表面電阻率不高于lx105 歐姆/平方。
21. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述成膜聚合物選自聚氨酯，環氧樹脂， 丙烯酸聚合物及它們的混合物。
22. 權利要求1的抗靜電膜，其中所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子 的平均粒徑為50微米以下。
23. 權利要求22的抗靜電膜，其中所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子 的平均粒徑為15微米以下。
24. 權利要求23的抗靜電膜，其中所述用于抑制膜表面導電性下降的粒子 的平均粒徑為10微米以下。
25. —種制品，其包括如權利要求l-24中任意一項所述的抗靜電膜。
26. 權利要求25的制品，所述制品為蓋帶。
27. 權利要求26的制品，其結構還包括-膠粘層，其分別設置在與導電層相對的那個保護層表面的鄰近相對的長 邊的部分上；撕裂刻槽，其分別沿著所述相對的長邊的方向直接設置在抗靜電膜的保 護層那一側；離形劑層，其設置在與導電層相對的那個基膜表面上。
28. 權利要求27的制品，其中的膠粘層為壓敏膠層。
29. 權利要求26-28中任一項所述的制品，其還包括載帶。
30. 權利要求29的制品，其還包括帶包裝體。
全文摘要
一種抗靜電膜及包含該膜的制品。該膜包括基膜；導電層，其位于基膜的一個表面上；保護層，其位于導電層的與基膜相對的表面上以保護導電層，該保護層含有用于抑制膜表面導電性下降的粒子和高分子成膜聚合物，其中至少一部分粒子的粒徑大于保護層的本身厚度。
文檔編號H05F3/02GK101321426SQ200710109930
公開日2008年12月10日 申請日期2007年6月6日 優先權日2007年6月6日
發明者張偉祥, 張琳琳, 楊立章, 舟 金 申請人:3M創新有限公司