專利名稱：電子電路裝置和制造電子電路裝置的方法
電子電路裝置和制造電子電路裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及尤其是用在機動車電子領(lǐng)域中的電子電路裝置以及用 于制造電子電路裝置的方法.
公知的是，在設(shè)計包括配備有至少一個電子元件的電路栽體(例 如印制電路板，陶瓷，柔性膜等等)的電子單元時，設(shè)置盡可能良好 的導熱，其中熱量在電子元件運行中不可避免地作為熱損耗功率而產(chǎn) 生。導熱延長了元件的壽命，并因此提高了為此所形成的電子設(shè)備的 可靠性.
用于改善導熱的迄今的解決方案首先在于，例如通過提供在電路 栽體內(nèi)具有高導熱能力的導熱路徑(例如"水平熱量擴散")和/或通
過安放與元件良好熱接觸的特意為此所設(shè)置的冷卻體，來改善電子元 件與其環(huán)境的熱連接.
用于改善導熱的公知措施常常巨大的耗費相聯(lián)系，尤其是當有關(guān) 的電路裝置產(chǎn)生特別高的損耗功率和/或要在具有較高環(huán)境溫度的環(huán)境 中運行時，正像例如這在汽車技術(shù)領(lǐng)域中在控制電子單元中所發(fā)生的 那樣.在那里在諸如發(fā)動機、傳動裝置或制動器的具有提高的溫度的 車輛組件區(qū)域中越來越多地布置這種單元.此外，專門的導熱措施常 常妨礙所采用的電路栽體的印制導線的節(jié)省空間的布局.
已知電路裝置的另一缺點是，在涉及電子元件的配備和/或在這些 元件之間的布線的甚至較小的變化方面，常常缺乏靈活性.對此一個
實例如果針對未來系列的發(fā)動機控制設(shè)備應(yīng)被配備現(xiàn)代的微控制器 芯片，則針對機動車中的發(fā)動機控制設(shè)備所開發(fā)的和此外配備微控制 器芯片的電路栽體大多在很大程度上必須被重新構(gòu)造或新開發(fā).以往 的開發(fā)耗費于是大部分變成無價值的，因為以前的電路栽體不能被繼 續(xù)繼續(xù)用于新的系列.
本發(fā)明的任務(wù)是消除上面所提及的缺點，并且尤其是說明一種電 子電路裝置以及一種用于制造這種電路裝置的方法，其中，可以將良 好的導熱能力與在實踐中所出現(xiàn)的電路技術(shù)變化方面的高度靈活性相 組合。
通過按照權(quán)利要求1所述的電子電路裝置和按照權(quán)利要求15所述
的用于制造電子電路裝置的方法來解決該任務(wù).從屬權(quán)利要求涉及本 發(fā)明的有利改進方案.
在本發(fā)明中，只要將電路栽體(以下稱為"第一電路栽體")與 散熱片的上側(cè)面以平面平放的方式熱耦合，則首先采取本身已知的成 本低廉的并在導熱方面非常有利的方案.
但是根據(jù)本發(fā)明，對于電路裝置的至少一個電子元件設(shè)置特別的 集成或布置，所述集成或布置隨著針對有關(guān)元件的大大提高的導熱能 力而出現(xiàn)并且此外意外地還提供與在實踐中可能出現(xiàn)的配備和/或布線 的改變有關(guān)的其它優(yōu)點.對此重要的是，設(shè)置以下也稱為"第二電路 栽體"的至少一個其它電路栽體，借助該其它電路栽體實現(xiàn)一個或多 個有關(guān)元件的在實踐中可很簡單匹配的配備或可匹配的電接觸.此外， 第二電路栽體在從一個或多個有關(guān)元件向散熱片的最佳導熱方面有意 義.下面還將詳細闡述這些優(yōu)點.
例如也可以形成有關(guān)電子單元的外殼的一部分的散熱片，優(yōu)選地 由具有高導熱能力的材料(例如金屬板)構(gòu)成.
如果散熱片具有平的上側(cè)面，則對于電路裝置的簡單構(gòu)造和尤其 是對于在笫一電路栽體和散熱片之間要簡單和有效實現(xiàn)的熱輛合是有 利的。尤其是當也利用平的下側(cè)面板狀地構(gòu)造第一電路栽體時，則可 以以簡單的方式例如通過導熱膜或?qū)嵴澈蟿┑闹虚g接合來實現(xiàn)熱耦 合.
可以以本身公知的方式在第一電路栽體的背離散熱片的側(cè)上設(shè)置 用電路裝置的電子元件的配備，其中所述電子元件根據(jù)電氣布局通過 在電路栽體上和/或中的印制導線互相連接.
鑒于在本發(fā)明范圍內(nèi)電路裝置在機動車電子領(lǐng)域中的特別感興趣 的應(yīng)用和與此相聯(lián)系的對盡可能多個元件的有效導熱的提高了的要
求，在一種實施形式中規(guī)定，將第一電路栽體構(gòu)造為陶瓷或構(gòu)造為常
規(guī)的PCB (="印制電路板(printed circuit board)").
在一種實施形式中規(guī)定，第二電路栽體是板狀的，例如被構(gòu)造為 基本矩形的板.
在一種優(yōu)選的實施形式中，第二電路栽體被構(gòu)造為所謂的LTCC 襯底(LTCC= "1氐溫共燒陶資(low temperature cofired ceramic)"). 對于在第一電路栽體和第二電路栽體之間的簡單電連接，為此所
設(shè)置的裝置例如可以包括結(jié)合線裝置和/或(例如粘合的)印制導線膜. 如果笫一電路栽體的和笫二電路栽體的要互相電連接的或互相連接的
上側(cè)接觸位置("焊盤(pad)")大約處于相同的高度，則在此方面 也是有利的.如果不僅第一電路栽體而且笫二電路栽體分別被構(gòu)造為 平的板，這則意味著，笫二電路栽體的厚度大約對應(yīng)于笫一電路栽體 的減小了相應(yīng)元件厚度的板厚.但是原則上可能的是，第二電路栽體 更厚或更薄，并因此向上伸出凹口 (Aussparung)(僅部分地接納在 凹口中)或沉入凹口中.可以以簡單的方式例如通過結(jié)合線來跨接當 時產(chǎn)生的高度差.
用于接納第二電路栽體所設(shè)罝的凹口，原則上也可以設(shè)置在第一 電路栽體的邊緣，這在某些情況下可能是有利的.但是鑒于第二電路
栽體的盡可能穩(wěn)定的布置，如果將凹口設(shè)置在笫一電路栽體的中間區(qū) 域中，則完全通常是優(yōu)選的.在此情況下，常常已經(jīng)可以通過環(huán)繞的 和/或覆蓋第二電路栽體的電連接裝置確?；蜻M一步改善笫二電路栽體 的機械穩(wěn)定的安置.
在一種優(yōu)選的實施形式中，布置在笫二電路栽體和散熱片之間的 電子元件是無殼芯片(微電子元件，尤其是集成電路裝置).因此產(chǎn) 生一定的空間節(jié)約，并除此之外還產(chǎn)生有關(guān)導熱的另一優(yōu)點，其中熱 量在此情況下可以直接(不經(jīng)由外殼)被引向散熱片.
例如如果元件的下側(cè)面與散熱片的上側(cè)面以平面平放的方式熱耦 合，則產(chǎn)生在元件和散熱片之間特別良好的熱耦合.在此應(yīng)該可能的 是，例如中間接合薄的導熱粘附層.
在一種實施形式中規(guī)定，布置在第二電路栽體和散熱片之間的電 子元件在其下側(cè)面處被磨削.尤其是當元件的下側(cè)面與散熱片的上側(cè) 面接觸時，這種磨削可以提供一系列優(yōu)點.因此可以以此首先縮短從 元件的電活性區(qū)域向散熱片(或中間層)的導熱路徑和/或減小在元件 和散熱片的上側(cè)面之間的傳熱阻(Warmeiibergangswiderstand ) 因 此還可以使元件的高度達到所希望的尺度，用于確保由笫二電路栽體 和元件所組成的復合體(Verbund)的預定高度或用于使元件厚度與布 置在同一笫二電路栽體和散熱片之間的一個或多個其它元件的厚度相 匹配，
在一種實施形式中規(guī)定，布置在第二電路栽體和散熱片之間的電
子元件通過導熱的填充材料、例如導熱的粘劑層與散熱片的上側(cè)面相 耦合.也可以使用同一填充材料或其它填充材料，用于例如為了提高 導熱能力而填滿在第二電路栽體和散熱片之間的中間空間的否則用空 氣填充的區(qū)域.在有些應(yīng)用情況下，例如也可能具有彈性特性的這種 填充材料也可以改善耐振性.
本發(fā)明電路裝置的制造可以例如包括以下步驟
-提供笫一復合體，該第一復合體由用于傳導熱量的散熱片和以平 面平放的方式與散熱片的上側(cè)面熱輛合的用于對電路裝置的電子元件 布線的笫一電路栽體組成，其中，第一電路栽體具有朝向散熱片的上 側(cè)面貫通的凹口 (第一電路栽體可以在其與散熱片相連接之前、期間 或之后被配備元件.此外，第一電路栽體可以配備有多個這種凹口 ).
-提供由第二電路栽體和電子元件所組成的笫二復合體，其中從所 述電子元件，元件端子與第二電路栽體的下側(cè)接觸位置電連接(在此 情況下，也可以將多個元件以這種方式連接在笫二電路栽體上和/或也 可以提供多個這種第二復合體)，
-將第二復合體(或多個笫二復合體)如此插入笫一復合體的(多 個)凹口中，使得電子元件的下側(cè)面例如通過平面放置或者直接或者 間接地經(jīng)由導熱中間層與散熱片的上側(cè)面熱接觸(在插入第二復合體 之前，也可以至少部分地用良好導熱的料、例如可硬化的澆注料來充 滿凹口 )，和
-笫一電路栽體的上側(cè)接觸位置與一個或多個第二電路栽體的上 側(cè)接觸位置電連接.
本發(fā)明電路裝置確保，從一個或多個與笫二電路栽體接觸的元件 向散熱片的良好的、或多或少直接的導熱.利用第二電路栽體可以有 利地實現(xiàn)元件端子的所謂分開，所迷元件端子與笫二電路栽體的下側(cè) 接觸位置直接電接觸，并穿過第二電路栽體引向上側(cè)接觸位置.根據(jù) 為笫二電路栽體所選擇的技術(shù)(例如LTCC)，還可以在該電路栽體 上或中集成其它電子元件或電子功能性，譬如用于與由笫一電路栽體 連同其配備件所形成的"外圍電子裝置"相匹配.尤其是對于這種匹 配也可以規(guī)定，第二電路栽體也在其背離散熱片的側(cè)上被配備至少一 個元件.例如可以與上面提及的第二復合體的制造同時或也稍后地實 現(xiàn)這種配備.但是在此情況下要注意，在笫二電路栽體上對于這種附
加元件的導熱能力較差，使得該配備地點尤其適合于以下元件，即所 述元件比布置在第二電路栽體下的一個或多個元件產(chǎn)生少得多的熱損 耗功率.
根據(jù)本發(fā)明，因為(在與第二電路栽體的復合體中) 一個或多個 電子元件模塊式地包含在電路裝置中，所以有利地得出整個構(gòu)造的一 定的模塊化.對于有關(guān)的電路組件，這看來在電路裝置的可修理性方 面(通過更換模塊)以及在電路裝置在實際中可能出現(xiàn)的稍后的改變 方面(配備變型方案)具有優(yōu)點，在后者的情況下，模塊式構(gòu)造可能 能夠?qū)崿F(xiàn)外圍電子裝置(第一電路栽體連同配備件)結(jié)合一個或多個 改變了的模塊(笫二電路栽體連同配備件)的繼續(xù)使用.
以下根據(jù)實施例參照附困來詳細闡述本發(fā)明.
圖l示出了電路裝置的示意性俯視圖，和
圖2示出了在困1中沿線II-II的剖視困，
圖1展示了在機動車傳動裝置控制設(shè)備中所包含的電路裝置10， 所述電路裝置10包括散熱片12(其在這里所示出的實施例中構(gòu)成控制 設(shè)備外殼的一部分)、以平面平放的方式與散熱片的上側(cè)面14熱耦合 的第一電路栽體16以及笫二電路栽體18-1、 18-2、 18-3和18-4.
由統(tǒng)一厚度的平的鋁壓鑄板以簡單和有效的方式形成散熱片12， 該鋁壓鑄板構(gòu)成接納電路裝置的(未示出的)外殼的底部.散熱片12 的厚度顯著大于電路栽體16的厚度.
第一電路栽體16被構(gòu)造為厚層陶瓷.用于形成陶瓷栽體板的常用 材料例如是AL203.這種厚層陶瓷對于高溫電子領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟 知的，并因此不需要詳細闡述.
電路裝置10還包括多個電子元件，所述電子元件部分地以本身公 知的方式布置在笫一電路栽體16的上側(cè)面上并借助該第一電路栽體16 布線.在該閨中，在元件的該部分中，僅僅示范性地繪出了以所謂的 倒裝片(Flip-Chip )技術(shù)所安放的無殼集成電路20和有殼集成電路22.
完全一般地，在像芯片20那樣的倒裝片的情況下，不是通過結(jié)合、 而是通過在芯片的和電路栽體的接觸位置之間的直接粘接或焊接連接 來建立通向電路栽體的連接.倒裝片技術(shù)因此能夠?qū)崿F(xiàn)在沒有結(jié)合連 接的情況下通過電路栽體的連接的分開.用于電子設(shè)備微型化的這種 技術(shù)的一種特殊變型方案是所謂的"球柵陣列(Ball-Grid-Array)"
(BGA)，其中代替外圍元件端子，通過以點矩陣布置的導電球?qū)崿F(xiàn) 電接觸.對于這種球布置，有利地兩個維度可供使用，由此也可以以 空間節(jié)約的方式實現(xiàn)較大數(shù)量的接觸.
與此相反，電路裝置10的元件的其它部分(這里在倒裝片技術(shù) 中，可替代地例如BGA)布置在笫二電路栽體18的下側(cè)面，所述笫二 電路栽體分別被接納在朝向散熱片12的上側(cè)面14貫通的凹口 24-1、 24-2和24-3中.
第二電路栽體18被構(gòu)造為LTCC.以混合技術(shù)或微混合技術(shù)制造 的這種多層陶瓷栽體板本身是公知的，并且除了其布線功能之外，也 允許以三維構(gòu)造集成其它元件.
每個笫二電路栽體18在它的上側(cè)面都具有接觸位置("焊盤") 26,所述接觸位置("焊盤")26分別要么與在同一凹口 24中直接相 鄰布置的第二電路栽體18的這種接觸位置26電連接，要么與笫一電 路栽體16的上側(cè)接觸位置28電連接.
在所示出的實施例中，第二電路栽體18-2和18-3共同以相鄰的方 式被接納在設(shè)置在第一電路栽體16中間區(qū)域中的凹口 24-2中.
與此相反，笫二電路栽體18-1和18-4被接納在單獨設(shè)置的凹口 24-1或24-3中，其中，凹口 24-3被設(shè)置在第一電路栽體16的邊緣，
不同于所示出的實施例，也可以將為接納一個或多個第二電路栽 體18所設(shè)置的凹口 24設(shè)置為在兩個側(cè)向互相間隔的笫一電路栽體16 之間的中間空間.
在一方面第二電路栽體18-1、 18-2和18-3和第一電路栽體16之間 的電連接在所示出的實施例中由在焊盤26、 28處的結(jié)合線30來實現(xiàn)， 而在第二電路栽體18-4和第一電路栽體16之間的連接這里由具有相應(yīng) 印制導線的所粘接的印制導線膜32來建立.在結(jié)合工藝之后，還對結(jié) 合線30進行澆注(機械保護和耐振性改善).
在圖中用34-1至34-5來表示布置在第二電路栽體18的下側(cè)面處 的元件.在所示出的實施例中，這些元件34是無殼集成電路("棵片 (bare die)"),其中，元件端子以倒裝片技術(shù)與有關(guān)的笫二電路栽 體18的下側(cè)接觸位置電連接，并且其下側(cè)面與散熱片12的上側(cè)面14 以平面平放的方式熱耦合.
在圖2的剖視圖中，以元件34-l為例，可以特別好地看出對于元
件34對導熱非常有利的這種布置.芯片34-1的下倒面直接或經(jīng)由導熱 的中間層(例如祐合層，未示出)全平面地緊靠散熱片12的上側(cè)面14, 元件34-l的電活性區(qū)域位于其上段中，其中朝向第二電路栽體18-1進 行直接電接觸.在元件34-l的熱活性區(qū)域和散熱片12之間有利地僅存 在微小的熱阻.元件34-l的熱活性區(qū)域因此最佳地與散熱片12相耦合. 與此相聯(lián)系的是，對有關(guān)電子裝置朝向更高環(huán)境溫度和/或更高損耗功 率的使用范圍的充分利用.與常規(guī)的倒裝片構(gòu)造相反，不經(jīng)由電路栽 體來實現(xiàn)元件的散熱.更確切地說，使元件最佳地與大面積的和比較 厚的散熱片熱連接.
在圖1的第二電路栽體18-3下多于一個的元件34 (元件34-3和 34-4)的對于該電路栽體所示出的布置中，可以通過澆注材料、導電粘 接劑諸如此類或通過對有關(guān)元件背側(cè)磨削來補償這些元件的高度差 別。
第二電路栽體18-1提供了從其下側(cè)接觸位置至其上側(cè)接觸位置26 的電布線，經(jīng)由所述其上側(cè)接觸位置26實現(xiàn)上述的進一步接觸(這里 至笫一電路栽體16的接觸位置28).相應(yīng)地適用于圖2中不能看出的 電路栽體18-2、 18-3和18-4.
圖1中，在第二電路栽體18-4中可以看出在笫一電路栽體和笫二 電路栽體之間的另一方式的電連接.在那里，借助所粘接的印制導線 膜32來實現(xiàn)在焊盤26、 28之間的連接，所述印制導線膜32同時將印 制導線引向第一電路栽體16的其它上側(cè)焊盤36，以便將電路裝置10 與外部線路連接和/或其它電路栽體或安置在同一電子單元(控制設(shè)備) 中的電路裝置相連接.
雖然在所述實施例中所提及的用于實現(xiàn)電路栽體16和18的技術(shù) 可被認為是優(yōu)選的，但原則上也可以以允許元件的布置和電布線的另 一適當技術(shù)來制造這些電路栽體中的每一個.對于笫二電路栽體18, 在此尤其是也考慮所謂的HTCC技術(shù)(HTCC- "高溫共燒陶瓷").
為了制造電路裝置10，首先制造由散熱片12和笫一電路栽體16 所組成的第一復合體，其中，在亊先或之后用其上所設(shè)置的元件(20, 22等等)來配備第一電路栽體16.此外，還制造笫二復合體，所述第 二復合體分別由第二電路栽體18之一和一個或多個其上所布置的元件 (34)組成，于是將這些第二復合體或模塊以元件超前的方式插入第
一電路栽體16的凹口 24中，其中，設(shè)置良好導熱的粘合材料或適當 的澆注材料用于固定和/或更好的熱接觸.最后，將笫一電路栽體16的 上側(cè)接觸位置與笫二電路栽體18的相鄰的上側(cè)接觸位置電連接，在上 面的實施例中，部分地通過結(jié)合線30并且部分地通過印制導線膜32.
總之，在電路裝置10中，對于或多或少直接向散熱片熱耦合的元 件34，得出卓越的散熱.關(guān)于元件34的布置的特別的設(shè)計方案尤其是 既適用于標準芯片也適用于專門準備的倒裝片.在一種實施形式中規(guī) 定，這些元件34中的至少一個是功率器件(例如ASIC或開關(guān)晶體管) 或微控制器芯片.此外，在實踐中可以有利地將這些元件34與所分配 的笫二電路栽體18—起作為隨時間改變的電子模塊集成到否則不變的 外圍電子裝置中，其中所述外圍電子裝置由第一電路栽體16連同其配 備件來創(chuàng)造.以下的優(yōu)點也是值得一提的為了與外圍電子裝置或技 術(shù)相匹配，不必再在晶片層面上發(fā)生復雜的微電子電路(例如所提及 的微控制器或另外的微處理器設(shè)備)的所謂重新布線，而是必要時可 以通過有關(guān)的笫二電路栽體18來發(fā)生.
權(quán)利要求
1.電子電路裝置，包括-用于導熱的散熱片(12)，-以平面平放的方式與散熱片(12)的上側(cè)面(14)熱耦合的用于對電路裝置的電子元件(20，22，34)布線的第一電路載體(16)，-第二電路載體(18)，所述第二電路載體(18)被接納在第一電路載體(16)的朝向散熱片(12)的上側(cè)面(14)貫通的凹口(24)中，其中設(shè)置連接裝置(30，32)，其中第一電路載體(16)的上側(cè)接觸位置(28)借助所述連接裝置(30，32)與第二電路載體(18)的上側(cè)接觸位置(26)互相電連接，和-布置在第二電路載體(18)和散熱片(12)之間的電子元件(34)，從所述電子元件中，元件端子與第二電路載體(18)的下側(cè)接觸位置電連接，并且所述電子元件的下側(cè)面與散熱片(12)的上側(cè)面(14)熱耦合。
2. 按照權(quán)利要求1的電路裝置，其中，所述散熱片(12)由金屬板 形成.
3. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，所述散熱片(12)具 有平的上側(cè)面(14).
4. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，所述笫一電路栽體 (16)是板狀的.
5. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，所述笫一電路栽體 (16)被構(gòu)造為厚層陶瓷.
6. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，所述第二電路栽體 (18)是板狀的.
7. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，所述第二電路栽體 (18 )被構(gòu)造為LTCC或HTCC.
8. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，在第一電路栽體U6) 和第二電路載體(18)之間的連接裝置(30, 32 )包括結(jié)合線裝置(30).
9. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，在第一電路栽體(16) 和第二電路栽體(18 )之間的連接裝置(30， 32 )包括印制導線膜(32 ).
10. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，第一電路栽體U6) 的和第二電路栽體(18)的互相電連接的上側(cè)接觸位置(28)大致處 于相同的高度.
11. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，為接納第二電路栽體(18)所設(shè)置的凹口 (24)被設(shè)置在第一電路栽體(16)的中間區(qū) 域中.
12. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，布置在第二電路栽 體(18)和散熱片(12)之間的電子元件(34)是無殼芯片.
13. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，布置在第二電路栽 體(18)和散熱片(12)之間的電子元件(34)在其下側(cè)面被磨削.
14. 按照以上權(quán)利要求之一的電路裝置，其中，布置在第二電路栽 體(18)和散熱片(12)之間的電子元件(34)經(jīng)由導熱的填充材料、 尤其是導熱的粘劑層與散熱片的上側(cè)面相耦合.
15. 用于制造電子電路裝置(10)的方法，包括以下的步稞 -提供第一復合體(12， 16)，所述笫一復合體(12， 16)由用于導熱的散熱片(12)和以平面平放的方式與散熱片(12)上側(cè)面(14) 熱輛合的用于對電路裝置(10)的電子元件(20， 22, 34)布線的笫 一電路栽體(16)組成，其中，笫一電路栽體(16)具有朝向散熱片 (12)的上側(cè)面(14)貫通的凹口 (24)，-提供由笫二電路栽體(18)和電子元件(34)所組成的第二復合 體(18， 34)，其中從所迷電子元件(34)，元件端子與笫二電路栽 體(18)的下側(cè)接觸位置電連接，-將笫二復合體(18， 34)插入到第一復合體(12, 16)的凹口 (24) 中，使得電子元件(34)的下側(cè)面與散熱片(12)的上側(cè)面(14)熱 接觸，和-將第一電路栽體(16 )的上側(cè)接觸位置(28 )與第二電路栽體(18) 的上側(cè)接觸位置(26)電連接.
全文摘要
本發(fā)明電子電路裝置(10)包括散熱片(12)和以平面平放的方式與散熱片(12)熱耦合的用于對電路裝置的電子元件布線的第一電路載體(16)。對于至少一個電子元件(34-1)設(shè)置一種特別的布置，該布置伴隨有關(guān)電子元件(34-1)的大大提高的導熱能力而出現(xiàn)，并且除此之外還提供與配備和/或布線在實踐中可能出現(xiàn)的改變有關(guān)的其它優(yōu)點。對此重要的是，將元件(34-1)布置在第二電路載體(18-1)下，所述第二電路載體(18-1)被接納在第一電路載體(16)的朝向散熱片(12)的上側(cè)面(14)貫通的凹口(24-1)中。
文檔編號H05K1/14GK101356862SQ200680050898
公開日2009年1月28日 申請日期2006年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月11日
發(fā)明者A·科爾布, A·雷科夫斯基, D·沃爾夫, E·瓊, R·因根布利克, R·肖爾霍恩 申請人:歐陸汽車有限責任公司;Zf腓特烈港股份公司