有效發熱并具有機械穩定性的加熱元件結構的制作方法

專利名稱：有效發熱并具有機械穩定性的加熱元件結構的制作方法
技術領域：
本發明的實施例涉及熔爐領域， 熱元件結構。
并且更準確地i兌涉及熔爐中的加
背景技術：
熔爐通常將電阻絲用作發熱元件。采用熔爐的許多應用要求加熱 器對溫度變化敏感并在某時間段上維持均勻的溫度。電阻絲在其使用 壽命期間通常經歷多個熱循環。電阻絲由于隨時間變化遭受高溫而膨 脹、增長或者伸長。當由陶瓷分離器將這些金屬絲穩固地保持在某些 固定點以使其在機械上穩定時，這些金屬絲可膨脹或者伸長超過這些 點，同時產生過早毀損或者破裂。
提供可靠的金屬絲加熱元件的現有技術存在多個缺點。 一種技術 采用陶瓷分離器來約束金屬絲加熱元件并在分離器中為金屬絲伸長提 供空間。該技術要求采用嵌入絕緣體層的若干分離器，從而造成組裝 困難并提高成本。另外，該技術在分離器內限制伸長。另一種技術采 用多個固定器來固定金屬絲。這些固定器適配具有徑向保持槽的固定 器凹槽。該技術要求采用特別設計的固定器和固定器凹槽。該技術還 將伸長限制在該槽之內。


通過參考下面的說明和用于圖解說明本發明實施例的附圖可最好地理解本發明的實施例。在這些附圖中
圖1為示出其中實踐本發明的一個實施例的系統的圖。
圖2為示出根據本發明的一個實施例的加熱芯的圖。
圖3為示出根據本發明的一個實施例的加熱元件結構的頂視圖的圖。
圖4A為示出根據本發明的一個實施例的盤的圖。
圖4B為示出根據本發明的一個實施例的、具有附著柱(attached
post )的盤的圖。
圖4C為示出根據本發明的 一個實施例的、具有集成柱 (integrated post)的盤的圖。
圖4D為示出根據本發明的一個實施例的、具有豎桿的盤的圖。 圖5為示出才艮據本發明的一個實施例的連接桿和電源桿(power
bar )的圖。
圖6為示出形成根據本發明的一個實施例的加熱芯的過程的流程圖。
圖7為示出形成根據本發明的一個實施例的盤的過程的流程圖。 圖8為示出根據本發明的一個實施例的、采用機械加工的或者成 形的通道的系統的圖。
圖9為示出根據本發明的一個實施例的加熱芯的圖。 圖10為示出根據本發明的一個實施例的成形通道的圖。

發明內容
本發明的實施例為加熱元件結構。第一盤具有內邊界和外邊界。 內邊界和外邊界限定一空間。當通電時，適配到第一盤并圍繞內邊界 的第一加熱元件發熱。加熱元件在一溫度范圍內在該空間中膨脹。
在下面的描述中，闡述了許多細節。然而，應理解，本發明的實 施例可以在沒有這些細節的情況下實踐。在其它實例中，未示出公知 的電路、結構和技術，以避免混淆對該說明的理解。
本發明的一個實施例可被描述為通常以流程圖、操作程序圖、結 構圖或者框圖描繪的過程。盡管流程圖將操作描述為順序過程，但是 可平行或者同時執行多個操作。另外，操作的順序可以重新安排。當 其操作完成時，過程結束。過程可對應于方法、程序、流程、加工或者制造方法等等。
本發明的實施例為在熔爐中所采用的加熱元件結構。熔爐可水平 或者垂直安置。熔爐包括加熱芯。加熱芯具有多個相互堆疊的加熱元 件結構。每個加熱元件結構包括盤和被置于該盤周圍的加熱元件。盤 具有多個實施例。在一個實施例中，該盤包括環和圓盤。該環具有多 個隙槽或者孔，以在加熱元件發熱時有效傳熱。該圓盤被附著到環并 提供水平空間和垂直空間中的至少 一個，以在加熱元件隨著時間變化 遭受高溫時允許加熱元件膨脹或者伸長。加熱元件結構可有效發熱并 具有機械穩定性。通過設置允許加熱元件增長的空間，可延長加熱元 件的使用壽命，從而避免過早毀損。另外，可簡單構造加熱元件結構， 從而允許簡單構造加熱芯并減小組裝成本。盤組件還為加熱芯中的加 熱元件提供高度可靠的機械支承。
圖1為示出其中實踐本發明的一個實施例的系統100的圖。系統 100表示用于在熱設計或者控制應用中發熱的擴散表面。系統100包括 罩110、絕》彖層120、加熱芯130、蓋140、底環150、和電源160。注 意，系統IOO具有比上述部件更多或更少的部件。
罩(或殼)IIO提供容納或者封閉加熱芯130的外殼或者封裝。該 罩110可由不銹鋼制成。該罩110包括遮蓋加熱芯130和側罩114的 頂部的頂環112。通常，罩110的形狀為圓形、卵形、或者橢圓柱形。 罩110具有為電源桿和熱電偶提供機械和電支承的結構、部分或者元 件。
絕緣層120為加熱芯130提供絕緣。絕緣層120包括頂部絕緣層 122和側面絕緣層124。絕緣層12 0可由高度耐熱的任何材料制成，絕 緣層120的溫度膨脹系數低、傳熱系數低，并且絕緣層120隨時間變 化維持其屬性。這種材料的實例為氧化鋁(A1203 )和二氧化硅或者硅 石(SiOO的混合物。如本領域技術人員公知的那樣，可采用具有上述 期望特征的任何其它絕緣材料。
加熱芯130對置于芯內部的對象135加熱。對象135可以是需要 在某個預定溫度范圍加熱的任何對象、結構、元件或者部件。在一個 實施例中，對象135為半導體晶片。該溫度范圍可以是需要的任何合 適范圍，可以是從251C到1700TC。例如，對于半導體晶片應用，該溫 度范圍可以是在5 001C到12 00TC之間。加熱芯130具有連接到電源160的電源桿。加熱芯130可對加熱芯130內部的多個區域加熱。該加熱 區根據熔爐的要求以及規格可具有不同的溫度范圍。該電源桿被分配 來對應于加熱區。
蓋140在頂部密封加熱芯130并為頂環112提供緊密的機械配 合，以減小或者最小化熱損失。底環150為加熱芯130提供機械支承。
電源160為加熱芯供電，以在通電時發熱。電源160經由電源桿 被連接到加熱芯130。電源160具有控制到加熱芯130的電流量和/或 電壓量的電源控制器165。通過經各個電源桿接收不同的電流量或者電 壓量，加熱芯130能在相對應的加熱區產生不同的熱分布。
圖2為示出根據本發明的一個實施例的加熱芯130的圖。圖2示 出了沒有連接桿或者電源桿的加熱芯130的橫截面視圖。加熱芯130 包括多個加熱元件結構210,至210n。
相互對準并堆疊加熱元件結構21(h至210N。在一個實施例中，熔 爐100為豎式熔爐。因此，在垂直方向上堆疊加熱元件結構21(h至 H0N。對于垂直結構，考慮確保將加熱芯130底部的加熱元件結構(例 如加熱元件結構210n和210n —0設計為支撐其上所有加熱元件結構的 重量。加熱元件結構的數量N根據應用或者加熱區中所劃分的區域數 量變化。
通常，加熱元件結構21(h至210w具有類似的形狀和構造風格。因 此，大大筒化加熱芯130的構造和組裝。加熱元件結構21(K(k= 1，…， N)包括盤22(K和適配盤22(K的加熱元件23(K。當通電時，加熱元件 23(K發熱。由于持續加熱，所以加熱元件23(K可隨時間變化而膨脹或 者伸長。盤22(K的結構允許垂直尺寸的空間242k和水平尺寸的空間 25(K適應加熱元件23(K的膨脹或者伸長。這防止加熱元件23(K的變形 或防止對加熱元件23(K的結構和/或機械損壞，這些變形和損壞會減少 加熱元件23(K的〗吏用壽命。
圖3為示出根據本發明的一個實施例的圖2中所示的加熱元件結 構210的頂視圖的圖。加熱元件結構210包括盤220和加熱元件230。 為清楚起見，省略下標k。
盤220通常具有適配圖1所示的、由罩IIO和絕緣層120所提供 的外殼內部的圓形、卵形或者橢圓形。該盤220包括內邊界(或者圓 周)n2以及外邊界(或者圓周)316。內邊界和外邊界限定一空間240。根據應用、溫度范圍、加熱元件材料、加熱元件的熱膨脹系數、和其
它機械和/或電參數，空間240的尺寸或者距離從0. 1英寸到25英寸。
加熱元件230適配盤220并圍繞內邊界312，以在通電時發熱。 加熱元件230在一溫度范圍內在空間240和242中的至少一個空間中 膨脹或者伸長。實質上，空間240和242允許既在水平方向上又在垂 直方向上膨脹，或者在三維空間中膨脹。加熱元件230可以是具有金 屬絲形狀的金屬絲。該金屬絲形狀可以是螺旋形狀、立體形狀和平面 形狀中的一種。螺旋形狀為功率密度不高的高瓦特數提供大表面積。 對于加熱應用，金屬絲230可隨時間變化膨脹或者伸長。在遭受引起 隨著溫度周期變化而連續增長的高溫之后，該金屬絲230不能返回到 其初始長度。空間240和242為金屬絲230提供足夠的空間，以隨時 間變化而增長或者膨脹。這防止了金屬絲230過早毀損。加熱元件230 可由用于發熱的任何適當材料制成。通常采用的材料可以為坎薩爾斯 鉻鋁電熱絲、尼克朗泰爾(Nikrothal)、高級坎薩爾斯鉻鋁電熱絲 (Super - Kanthal ) 、 二珪化鉬(Molybdenum Discilicide)等等。 加熱元件230的熱膨脹系數在10001C時大約為15E - 6 [K1]。
圖4A為示出根據本發明的一個實施例的、圖3中所示的盤220的 圖。盤220包括環410和圓盤420。
環410限定內邊界312并具有環高度414。環410具有圍繞內邊 界312隔開的多個隙槽(或孔)412。通常，隙槽412以相等距離間 隔開，以均勻傳熱。加熱元件230在多個隙槽412周圍放置或者圍繞 多個隙槽412。為清楚起見，在圖4中僅僅部分示出了加熱元件230。 選擇環高度414來適配加熱元件230的直徑或者尺寸，以致在金屬絲 上存在空間242，以允許膨脹。空間242的尺寸可以是加熱元件230 的尺寸的0%到大約50%。當發熱元件230發熱時，多個隙槽412傳 熱。所生成的熱可通過隙槽412從加熱元件230向加熱芯130的中央 有效傳送。環410具有適配外殼或者封裝的內部的形狀。通常，該形 狀為圓形或者卵形。環410由于其厚度而具有內徑416和外徑418。 內徑416的范圍從0.5英寸變化到數百英寸。對于半導體晶片應用， 環410的內徑416從8英寸至30英寸。限定內邊界的環410的厚度可 大約為0. 5英寸，其范圍從0. 1英寸變化到數英寸。根據加熱元件230 的尺寸和其它機械參數，環高度414從0. 25英寸到50英寸。通常，環高度414的范圍從1. 5英寸變化到1. 8英寸。環410可由氧化鋁 (ALOO或者二氧化硅或硅石(SiOO 、其等效物或者任意組合制成。
圓盤420被附著到內邊界312附近或者內邊界312處的環410。 圓盤420可被附著來靠近環410的內徑416或外徑418。該圓盤420 具有或者限定外邊界316。圓盤420的表面實質上限定內邊界312與 外邊界316之間的空間330。該圓盤具有凹槽422，使得可插入柱或桿 以對準所堆疊的盤。另外，凹槽422可限定加熱元件230的端部，其 中可連接連接桿或者電源桿。圓盤420在其直徑的兩側具有兩個凹槽 422，以在相互堆疊盤時提供兩個對準點。該圓盤還可由氧化鋁或者硅 石制成。
環410和圓盤420可通過諸如焊接或者膠粘的任何附著機制而附 著在一起。可替換地，兩者可是構成整體所需的，以形成如盤220那 樣的單件。
對于形成環410有若干實施例。目的在于，在內邊界312周圍產 生多個導軌或者柱，并且產生多個隙槽或者孔來在通電時從加熱元件 2 30向芯有效傳熱。
圖4B為示出根據本發明的一個實施例的、具有附著柱的盤220的 橫截面視圖的圖。在該實施例中，通過附著到圓盤420并在內邊界312 周圍隔開的多個豎柱430來替換圖4A中所示的環410。可采用包括焊 接、膠粘等的任何合適的機制將柱430附著到圓盤420。當相互堆疊盤 時，豎柱430形成類似于環410的隙槽412的隙槽。
圖4C為示出根據本發明的一個實施例的、具有集成柱的盤220的 橫截面視圖的圖。在該實施例中，通過是整體的或者集成到圓盤420 并在內邊界312周圍隔開的多個豎柱430來替換圖4A中所示的環 410。當相互堆疊盤時，豎柱430形成類似于環410的隙槽412的隙槽。 在該實施例中，盤220被認為僅僅包括具有豎柱430的圓盤420。
圖4D為示出根據本發明的一個實施例的、具有豎桿的盤220的橫 截面視圖的圖。在該實施例中，通過在內邊界312周圍隔開并被附著 到內邊界312處的所堆疊的圓盤的多個豎柱440來替換圖4A中所示的 環410。除了豎桿440被附著來將所有所堆疊的圓盤420連接在一起 以外，豎桿440實質上類似于實施例4B和4C中的柱430。
圖5為示出根據本發明的一個實施例的連接桿和電源桿的圖。圖5示出了加熱芯130的橫截面視圖。
通過連接桿510k將加熱元件結構21(K中的加熱元件32(K連接到加 熱元件結構21(K + 1中的加熱元件32(K + 1。連接桿51(K被附著(或者焊 接)到加熱元件32(K在凹槽422k處的端部，而連接桿51(K被附著(或 者焊接)到加熱元件32(K"在凹槽422k"處的端部。類似地，電源桿 520j被附著(或者焊接)到加熱元件320j在凹槽422j處的端部，而電 源桿520j被附著(或者焊接)到加熱元件320w在凹槽422j"處的端 部。電源桿520j有雙重目的。 一個目的是像連接桿51(K那樣將兩個加 熱元件連接在一起。 一個目的是提供連接到電源160 (圖1)的終端。 連接桿51(K和電源桿520j可由任何導電材料制成，諸如由對于機械和 電穩定性具有足夠尺寸的金屬。
因此，加熱元件32(h至320n以Z字形圖案從頂盤被連接到底盤， 從而形成在電氣上連續的金屬絲。在所選擇的加熱區處設置電源桿 520j，以為了產生不同的熱量來提供合適的電力。
圖6為示出形成根據本發明的一個實施例的加熱芯的過程600的 流程圖。
一旦開始，過程6 00就形成具有內邊界和外邊界的第一盤，(塊 610)。內邊界和外邊界限定一空間。接下來，過程600適配或者將第 一加熱元件置于第一盤以圍繞內邊界，(塊620 )。第一加熱元件和第 一盤的高度限定第一加熱元件上的垂直空間。通電時，第一加熱元件 發熱。在其使用壽命期間，第一加熱元件在一溫度范圍內在該空間中 膨脹、伸長或者變形。
然后，過程600將連接桿或者電源桿附著到第一加熱元件在該柱 處的第一端，以將第一加熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，(塊 630 )。電源桿被連接到電源。第二盤在第一盤之上或者在第一盤之下 堆疊。然后，過程600結束。
圖7為示出形成根據本發明的一個實施例的盤的圖6中所示的過 程610的流程圖。圖7中所示的過程610對應于圖4A中所示的盤。
一旦開始，該過程610就形成限定內邊界的環，(塊710)。該環 具有在內邊界周圍隔開的多個隙槽。該環具有環高度。如果必要，除 了垂直空間以外，環高度適配加熱元件的尺寸或者直徑。當加熱元件 發熱時，多個隙槽向芯傳熱。接下來，該過程610將圓盤附著到內邊界處的環，(塊720 )。該 圓盤限定外邊界。該圓盤具有適配柱的凹槽。然后，過程610結束。 圓盤和環可由兩個分開的部件被附著、膠粘或者焊接在一起。可替換 地，圓盤和環可整體構造來形成單個部件。
過程610可^t修改來形成才艮據圖4B、 4C和4D的盤。例如，取代 形成環，該過程可附著圓盤上的豎柱或者附著到所有所堆疊的圓盤的 多個豎桿。另外，包括底部和完整的豎柱的圓盤可被形成。
圖8為示出根據本發明的一個實施例的、采用機械加工的或者成 形的通道的系統800的圖。系統800包括頂部絕緣環810、側面絕緣 環820、外殼830、和加熱芯840。除了加熱芯840不同以外，圖8中 所示的系統800與圖1中所示的系統100均相似。
頂部絕緣環810、側面絕緣環820、和外殼830與圖1中所示的系 統100的相對應部分類似。因此，在這里不對其重復說明。
加熱芯840具有螺旋狀或者平行狀的專用槽，這些專用槽被機械 加工或者形成到芯柱體的外徑中。芯840的形狀可以是圓柱、多邊形 或者矩形、或者任何合適的形狀。通過加熱元件和允許膨脹的空間的 形狀和尺寸來確定槽的深度。
圖9為示出才艮據本發明的一個實施例的、圖8中所示的加熱芯840 的圖。加熱芯840包括成形的通道910和隙槽920。
成形的通道910以螺旋狀或平行狀被形成到芯柱體的外徑中。可 通過特定的機械加工過程實現該通道。成形的通道910具有在槽的中 心等間距的隙槽(或孔)920。隙槽920的用途為允許從加熱元件到加 熱器的中心的處理區域快速傳熱。隙槽920之間的等間距部分有兩個 功能；首先，支承和保持柱體的初始形狀；而其次，用作阻擋加熱元 件試圖離開其位置的障礙物。
圖10為示出根據本發明的一個實施例的成形的通道910的圖。
成形的通道910具有針對加熱元件1010的形狀特別設計的槽 915。槽915提供允許加熱元件1010膨脹或者增長的形狀1020。通道 910還克服加熱元件1010的重力。因此，該加熱結構在機械上是穩定 的。
加熱元件1010實質上與圖2中所示的加熱元件230相似。加熱元 件IOIO被置于槽915的內部。在放置所有加熱元件之后，絕緣層或毯840與外殼830相應被纏繞在芯840周圍。當加熱元件IOIO朝芯的外 徑方向超出通道長度時，絕緣逸840可充當阻擋加熱元件1010移動的
障礙物。
在通道內，空間1020被設置來允許加熱元件1010在高溫下的膨 脹、伸長或者移動。空間1020的大小與圖2中所示的空間240的大小 類似。另外，槽920可提供在加熱元件1010的周圍的空間，以適應包 括垂直和水平方向的若干方向上的膨脹。
放置平行通道或者螺旋狀通道允許在其整個長度上均勻且連續地 放置加熱元件IOIO。這維持整個加熱器的溫度均勻，并且更準確地說， 這維持稱為"平坦區"的位于中心的區域的溫度均勻。平坦區是將處 理半導體產品的地方，而且溫度的均勻性影響半導體產品性能。根據 該應用，該區域的公差通常被控制為+/-0. 1"C至0. 25t:。以上述方式 準確控制電阻絲間隔的能力大大有助于獲得所要求的溫度均勻性。
通過將支承絕緣環放置在加熱器元件的兩個與加熱器的芯相鄰的 端部而繼續制造過程。然后將不銹鋼環焊接在這兩端，從而最后確定 加熱元件的結構。在該步驟之后，將必需的部件增加到外部不銹鋼殼， 以支承終端桿(terminal bar)，從而連接電源線并支承熱電偶。最 后一步為將警報標記放置在加熱器上。
如在圖1中所示的實施例那樣，加熱器的工作溫度范圍處于25匸 到1700"C的范圍中。電阻絲可以是任何通常使用的材料，諸如是坎薩 爾斯鉻鋁電熱絲、高級坎薩爾斯鉻鋁電熱絲、二硅化鉬等。將最后的 加熱元件組件放置在擴散熔爐中，其中，計算機系統將在處理半導體 襯底之前將加熱器控制到給定溫度。從制造角度而言，與采用陶瓷分 離器的方法相比，本發明實施例使加熱元件制造更簡單而且更快。該 優點節省了加熱元件的制造成本。
盡管本發明依據若干實施例進行了描述，但是本領域技術人員將 認識到，本發明不限于所描述的實施例，而是可以在隨附的權利要求 的精神和范圍內進行修改和改變。因此，該說明書被認為是示例性的 而不是限制性的。
權利要求
1.一種設備，其包括第一盤，該第一盤具有內邊界和外邊界，該內邊界和外邊界限定一空間；以及第一加熱元件，該第一加熱元件適配第一盤并圍繞內邊界，以在通電時發熱，該加熱元件在一溫度范圍內在空間中膨脹。
2. 如權利要求l所述的設備，其中，第一盤包括環，該環限定內邊界并具有在內邊界周圍隔開的多個隙槽，所述 環具有環高度，當加熱元件發熱時，所述多個隙槽傳熱；以及圓盤，該圓盤被附著到內邊界處的環并限定外邊界，所述圓盤具 有適配柱的凹槽。
3. 如權利要求2所述的設備，其中，第一加熱元件包括 具有以垂直空間適配環高度的金屬絲形狀并且圍繞多個隙槽的金屬絲。
4. 如權利要求3所述的設備，其中，金屬絲形狀為螺旋形狀、立 體形狀和平面形狀中的一種。
5. 如權利要求l所述的設備，其中，所述空間的尺寸從0. 1英寸 到25英寸。
6. 如權利要求5所述的設備，還包括連接桿，該連接桿附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以 將第一加熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，所述笫二盤在第一 盤之上或者在第一盤之下被堆疊。
7. 如權利要求5所述的設備，還包括電源桿，該電源桿附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以 將第一加熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，所述第二盤在第一 盤之上或者第一盤之下被堆疊，所述電源桿連接到電源。
8. —種方法，其包括形成具有內邊界和外邊界的第一盤，該內邊界和該外邊界限定一 空間；以及使第一加熱元件適配第一盤，以圍繞內邊界，所述第一加熱元件 在通電時發熱，并在一溫度范圍內在空間中膨脹。
9. 如權利要求8所述的方法，其中，形成第一盤包括形成限定內邊界并具有在內邊界周圍隔開的多個隙槽的環，所述環具有環高度，當加熱元件發熱時，所述多個隙槽傳熱；以及將圓盤附著到內邊界處的環，所述圓盤限定外邊界并具有適配柱 的凹槽。
10. 如權利要求9所述的方法，其中，適配第一加熱元件包括 適配具有以垂直空間適配環高度的金屬絲形狀并圍繞多個隙槽的金屬絲。
11. 如權利要求10所述的方法，其中，金屬絲形狀為螺旋形狀、 立體形狀和平面形狀中的一種。
12. 如權利要求8所述的方法，其中，所述空間的尺寸從O. l英 寸到25英寸。
13. 如權利要求12所述的方法，還包括將連接桿附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以將第一加 熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，所述第二盤在第一盤之上或 者在第一盤之下堆疊。
14. 如權利要求12所述的方法，還包括將電源桿附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以將第一加 熱元件連接到笫二盤中的第二加熱元件，所述第二盤在第一盤之上或 者在第一盤之下堆疊；以及將所述電源桿連接到電源。
15. —種熔爐，其包括罩；由所述罩封閉的絕緣層；以及由所述絕緣層封閉的加熱芯，所述加熱芯包括多個加熱元件結 構，每個加熱元件結構包括第一盤，該第一盤具有內邊界和外邊界，該內邊界和外邊界 限定一空間，以及第一加熱元件，該第一加熱元件適配第一盤并圍繞內邊界， 以在通電時發熱，所述加熱元件在一溫度范圍內在空間中膨脹。
16. 如權利要求15所述的熔爐，其中，第一盤包括環，該環限定內邊界并具有在內邊界周圍隔開的多個隙槽，所述 環具有環高度，當加熱元件發熱時，所述多個隙槽傳熱；以及圓盤，該圓盤被附著到內邊界處的環并限定外邊界，所述圓盤具 有適配所述柱的凹槽。
17. 如權利要求16所述的熔爐，其中，第一加熱元件包括 具有以垂直空間適配環高度的金屬絲形狀并圍繞多個隙槽的金屬絲。
18. 如權利要求17所述的熔爐，其中，金屬絲形狀為螺旋形狀、 立體形狀和平面形狀中的一種。
19. 如權利要求15所述的熔爐，其中，所述空間的尺寸從O. l英 寸到25英寸。
20. 如權利要求19所述的熔爐，其中，每個加熱元件結構還包括 連接桿，該連接桿被附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以將第一加熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，所述第二盤在第 一盤之上或者在第一盤之下堆疊。
21. 如權利要求19所述的熔爐，其中，每個加熱元件結構還包括 電源桿，該電源桿被附著到第一加熱元件在所述柱處的第一端，以將第一加熱元件連接到第二盤中的第二加熱元件，所述第二盤在第 一盤之上或者在第一盤之下堆疊，所述電源桿連接到電源。
全文摘要
本發明的實施例為一種加熱元件結構。第一盤具有內邊界和外邊界。內邊界和外邊界限定一空間。通電時，適配第一盤并圍繞內邊界的第一加熱元件發熱。加熱元件在一溫度范圍內在空間中膨脹。
文檔編號H05B3/62GK101288339SQ200680009454
公開日2008年10月15日 申請日期2006年1月24日 優先權日2005年1月24日
發明者A·埃馬米, M·阿加莫哈馬迪, S·塞德希 申請人:內克斯特赫姆公司