專利名稱：：金屬圖形形成方法、金屬圖形、印刷引線板及tft引線板的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種形成金屬圖形的方法和由此獲得的金屬圖形。尤其，本發明涉及一種形成用作印刷引線板和TFT(薄膜晶體管)引線板導電層的金屬圖形的方法以及由此獲得的金屬圖形。
背景技術：
：在本領域中，主要的常規金屬圖形形成方法是相減法、半加性方法和全加性方法。相減法包括如下步驟在基板上形成的金屬層上方形成對照射到的激活光敏感的光致抗蝕劑層，將光致抗蝕劑層曝光以形成影像，通過顯影形成抗蝕劑圖形，通過蝕刻金屬形成金屬圖形，最終去除抗蝕劑。該方法使用的金屬基板的基板界面通常被粗糙化，以提高粘合效果，改善基板和金屬層之間的粘附。結果，所形成的金屬圖形的基板界面變粗糙，通常會導致當產品用于電氣布線時高頻特性變劣的問題。此外，由于在形成金屬基板之前需要進行基板表面粗糙化，這也帶來了需要用強酸如鉻酸等處理基板等復雜步驟的問題。例如，為了克服這些問題，在日本專利申請特開(JP-A)No.58-196238和2000年出版的《先進材料(AdvancedMaterials"第20巻，第14811494頁中提出了一種通過對基板表面接枝處理以提供一定粘附等級并由此簡化基板處理步驟的方法和通過于其上接枝可聚合組合物基團改變基板表面、由此使基板不均勻性最小化并由此簡化基板處理步驟的方法。然而，昂貴的裝置如Y射線產生裝置和電子束產生裝置是必須的。而且，可預計導致接枝聚合的聚合初始基團不被引入到基板中，從而導致形成了少量的接枝聚合物。因此，即使通過該方法制備的金屬基板通過相減法被圖形化，但是該產品仍含有如下的相減方法所固有的問題。為了通過相減方法形成具有較薄線寬的金屬圖形，抗蝕劑圖形的線寬在蝕刻之后變薄的所謂過蝕刻方法是有效的。然而，當精細的金屬圖形通過過蝕刻方法直接形成時，根據形成有利的精細金屬圖形的實際觀點，難以形成具有30pm或更小線寬的金屬圖形，這是由于所形成引線的缺陷如滲出、減薄、斷開連接等。此外，還會帶來與成本和環境相關的問題，這是因為為了除去在圖形化區域之外的區域中存在的金屬膜，還需要相當成本來處理由蝕刻處理導致的金屬廢水。為了克服這些問題，提出了新的金屬圖形形成方法，即半加性方法。半加性方法是包括以下步驟的方法。即，在基板上通過電鍍等形成包含Cr等的薄金屬下層，和由此在金屬下層上形成抗蝕劑圖形。布線圖形通過在除了抗蝕劑圖形化區域之外的金屬下層區域上由電鍍形成包含Cu等的金屬層以及隨后的去除抗蝕劑圖形步驟來產生。隨后通過蝕刻金屬下層同時掩模布線圖形，在除了抗蝕劑圖形區域之外的區域上形成金屬圖形。由于其是較少蝕刻工藝，因此該方法可以較容易地形成具有30nm或更小線寬的薄線圖形；并且，由于金屬僅沉積在所需區域上，因此其在成本方面也有利。然而，金屬需要粗糙化基板表面，用于改善基板和金屬圖形之間的粘附性。其結果是，所形成的金屬圖形的基板表面變粗糙，導致當將其用于電布線時高頻特性變劣的問題。可替換地，也提出了所謂全加性方法的金屬圖形形成方法。全加性方法是這樣一種方法，通過在除了抗蝕劑圖形之外的區域上由電鍍沉積金屬，之后去除抗蝕劑圖形，在基板上形成抗蝕劑圖形。由于其是蝕刻較少工藝，因此全加性方法更容易形成具有30pm或更小線寬的薄線圖形。其也以與半加性方法相似的方式使得基板界面粗糙，導致當其用于電布線時高頻特性變劣的問題。如上所述，可形成薄線圖形、具有較小基板界面不規則度、并產生較少量的蝕刻廢水的金屬圖形形成方法有待提出，且需要一種新的金屬圖形形成方法。上述的金屬圖形用作布線(導電膜)，用于半導體裝置的印刷電路板。近些年，對于電子裝置，非常需要以高處理速度處理批量存儲數據。用于處理圖像或控制處理的半導體器件中的內部時鐘頻率或外部時鐘頻率一年年增加，且連接管腳的數目也在增加。為了實施高速傳輸，重要的是降低延遲和信號振幅。為了降低信號的傳播延遲，有效的是降低介電常數。為了降低介電損失，有效的是分別降低介電常數和介電損耗角正切。然而，由于介電損失中的介電常數是介電常數的根源，因此，現實中，介電損耗角正切與此非常相關。由于這個原因，根據材料特性的觀點，有用的是采取具有低介電損耗角正切特性的絕緣材料用于實施高速數據處理。而且，導電材料的表面平滑處理有助于形成具有高密度的材料。在常規方法構建的印刷電路板中，粗糙化處理已經用于獲得剝離強度。然而，現狀是，幾微米的不規則形狀也會影響精細的布線。因此，根據形成用于半導體裝置的印刷電路板的觀點，將在光滑絕緣基板上形成具有高粘附性的非常精細金屬圖形。現已公開了一種在基板上形成導電金屬圖形而沒有不規則形狀的方法，包括通過使用光敏硅樹脂進行圖形化、賦予催化劑和通過電鍍形成金屬圖形(例如，見日本專利申請特開(JP-A)No.2000-349417)。然而，硅樹脂不能提供與通常使用的絕緣樹脂如用于印刷引線板如聚酰亞胺樹脂和環氧樹脂之間足夠的粘附性，需要能提供較高粘附性的方法。鑒于上述情況，本申請人提出了一種形成金屬圖形的方法，其包括在直接鍵合到基板的由接枝聚合物形成的精細圖形上沉積金屬顆粒(例如，見JP-ANo.2003-114525)。根據該方法，能根據曝光精確度形成所需精細圖形。然而，對于通過沉積金屬精細顆粒形成的金屬圖形，其導電性存在限制。為了應用到印刷引線材料等，需要在當前環境下進一步提高導電性，例如，通過增加金屬層厚度和同時保持線寬方向上金屬圖形的精確度的技術來實現。
發明內容考慮到使用常規技術所存在的上述問題，本發明提供了一種形成金屬圖形的方法，其能夠產生金屬精細圖形而不需蝕刻工藝，并且能形成具有與基板良好粘附、足夠導電性和在與基板界面上具有小不規則性的金屬圖形。本發明還提供了一種具有良好導電性、良好高頻特性和與基板良好粘附性的金屬圖形，以及使用該金屬圖形作為導電層的印刷引線板和TFT引線電路。本發明人最初發現與基板具有良好粘附性的金屬精細圖形能通過在具有無電鍍催化劑或其前體的聚合物以一定圖形直接鍵合到基板的區域上進行無電鍍來形成。根據本發明，雖然保持了所需線寬，但是金屬膜在厚度方向上選擇性生長，以實現精確度的進一步提高，同時保持一定導電性，并能形成導電金屬圖形。即，本發明提供了一種金屬圖形形成方法，包括(a)以形成于基板上的圖形形成聚合物層，該聚合物層含有具有與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團并能夠直接化學鍵合到基板的聚合物；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍溶液對具有聚合物層的基板進行無電鍍，以圖形形式形成金屬膜，其中在形成金屬膜之前或期間(c),使用包括表面電荷改進劑或者lxlO'"至lxl0"mmo1/1電鍍催化抑制劑的溶液來處理具有施加有無電鍍催化劑或其前體的聚合物層的基板。在本發明方法的一方面中，其中利用了表面電荷改進劑，形成金屬膜的工藝(c)可包括通過使用含有表面電荷改進劑的無電鍍溶液進行的無電鍍(c-l)。可替換地，在該方面中，形成金屬膜的工藝(c)包括用含有表面電荷改進劑的槽處理具有聚合物層的基板(C-2);和對具有聚合物層的基板進行無電鍍以便形成圖形形式的金屬膜(c-3)。表面電荷改進劑可以是有機化合物，在其分子中具有(i)對基板具有親和力的基團和(ii)離子離去基團。在本發明方法的另一方面中，其中利用了電鍍催化抑制劑，形成金屬膜的工藝(c)可包括通過使用含有lxl(T1Q至lxl0"mmo1/1電鍍催化抑制劑的無電鍍溶液進行的無電鍍(c-r)。可替換地，該方面中，形成金屬膜的工藝(c)包括對具有聚合物層的基板進行無電鍍(c-2')同時將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液中以使無電鍍溶液中電鍍催化抑制劑的濃度保持在lxl(T1Q至lxl0'4mmol/l的范圍內，以便以圖形形式形成金屬膜。電鍍催化抑制劑可以是無機陰離子，其選自由碘陰離子、溴陰離子、和硫陰離子構成的組。電鍍催化抑制劑可以是有機化合物，在其分子中具有與電鍍金屬有親和力的基團。有機化合物在其分子中可進一步具有離子離去基團。在本發明方法的兩個方面中，在無電鍍中使用的無電鍍溶液可選自由無電鍍銅溶液、無電鍍銀溶液和無電鍍金溶液構成的組。而且，本發明的兩種情況下，本發明的方法進一步包括在無電鍍之后實施電鍍。而且，在本發明方法的兩個方面中，基板可具有500nm或更小的表面不均勻度；在基板和金屬膜之間的粘附度是0.2kN/m或更大；以及滿足以下條件(1)至(3)中的至少一個(1)金屬膜厚度為3pm或更大；和滿足關系(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度；(2)聚合物層具有其中散布精細顆粒的區域，該精細顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量是25%或更多，該區域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05nm或更多；和金屬膜與金屬膜線寬的比率為l或更多；(3)金屬膜厚度是4jim或更多；聚合物層具有其中散布精細顆粒的區域，該精細顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量為25%或更多，該區域從聚合物層與金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸0.05pm或更多；和金屬膜厚度與金屬膜線寬的比率是l或更大。而且，在本發明方法兩個方面中，基板可具有100nm或更少的表面不均勻度。而且，本發明提供了一種通過上述金屬圖形形成方法形成的金屬圖形。而且，本發明提供了一種印刷引線板和TFT引線板，其每一個都具有金屬圖形作為其導電層。關于本發明，"基板"指的是具有聚合物直接位于其上并化學鍵合至其的表面材料。在直接提供聚合物以位于形成于樹脂膜上的圖形中的情況下，基板指的是樹脂膜本身。在提供聚合物以以圖形形式位于形成于基礎材料如樹脂膜表面上的中間層如聚合初始層表面上的情況下，基板指的是中間層承載膜基礎材料。在本發明金屬圖形形成方法的第一方面中，允許表面電荷改進劑在進行無電鍍工藝中的一定周期中共同存在，以使表面電荷改進劑在基板表面上吸收，從而抑制電鍍金屬離子的沉積。由此，電鍍在其上存在高密度電鍍催化劑的接枝圖形表面區域上選擇性進行。所形成的金屬膜不在圖形寬度方向上生長，并由此具有足夠厚度。結果，獲得根據非常精細的接枝圖形而非常精細并且具有高導電性的金屬圖形。本發明金屬圖形形成方法的第一方面優點在于具有任何所需厚度的金屬圖形都可通過在無電鍍之后進一步進行電鍍來形成。金屬膜的粘附通過在無電鍍或電鍍之后進行干法蝕刻來進一步增加。在本發明金屬圖形形成方法的第二方面中，在進行無電鍍的工藝中，將具體量電鍍催化抑制劑添加到電鍍槽中，以使一定量電鍍催化抑制劑被鍵合到無電鍍槽中的電鍍金屬離子，并且電鍍金屬離子對基板或者電鍍催化劑的吸附被抑制到一定程度。由此，無電鍍在具有其上存在高密度電鍍催化劑的具體表面區域的接枝圖形表面區域上選擇性進行。由此，無電鍍的發展在接枝圖形于每單位面積與電鍍催化抑制劑的接觸更頻繁地發生的一側上被有效地抑制，或者在于不具有確實接收電鍍金屬離子功能的基板表面上被有效地抑制。由此，所形成的金屬膜不在圖形寬度方向上生長，并由此具有足夠厚度，并獲得了根據非常精細的接枝圖形而非常精細的并且具有高導電性的金屬圖形。本發明金屬圖形形成方法的第二方面優點在于具有所需厚度的金屬圖形能通過在無電鍍之后進一步進行電鍍來形成。金屬膜的粘附能通過在無電鍍或電鍍之后進行干法蝕刻來進一步增加。在本發明的優選實施例中，使用具有500nm或更小表面均勻度的基板。當滿足基板條件時，能具有500nm或更小表面均勻度的聚合物層，同時以圖形形式形成聚合物層。添加無電鍍催化劑或其前體至圖形和在共同存在表面電荷改進劑或電鍍催化抑制劑情況下的無電鍍導致了電鍍催化劑和電鍍金屬被含在圖形中(復合狀態)切進一步地金屬電鍍層在厚度方向上選擇性地形成于圖形上方的狀態，以便提供足夠厚度和優良的導電性。由此形成的金屬圖形和基板之伺界面、即金屬和聚合物層(有機成分)之間界面的不均勻性變得稍大于聚合物圖形表面，這是由于電鍍催化劑和電鍍金屬滲入到了聚合物圖形中，但是程度很小以至對產品高頻特性沒有明顯影響。因此，這些金屬圖形在用于電引線時具有提高的高頻特性。高頻特性涉及到在高頻電傳輸期間的傳輸損失尤其涉及到導體損失。如上所述，對插入到金屬膜(金屬圖形)和基板之間的聚合物層(有機成分)的詳細學習中，在基板和金屬膜之間的聚合物層具有其中分散精細顆粒的區域，該精細顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量25%或更多，且該區域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05nm或更多。認為存在其中含有金屬等的精細顆粒能形成用于增強金屬膜粘附性的狀態。使用具有100nm或更少表面均勻度的基板是優選的，由于較小的基板表面均勻度會導致金屬圖形的基板界面較小的不均勻度，其反過來會導致所獲得金屬圖形高頻特性的改善。本發明的方法提供精確度高于通過使用抗蝕劑圖形的常規蝕刻的圖形形成方法獲得的那些金屬圖形，逸是由于其包括將無電鍍催化劑或其前體選擇性地施加到不與無電鍍或其前體反應的區域，該無電鍍和其前體通過如上面所述的實施例(1)或(2)以及隨后在共同存在表面電荷改進劑或者電鍍催化抑制劑的情況下進行無電鍍的方法形成。本發明的方法優點還在于不排放蝕刻廢水。在本發明中，金屬圖形的基板表面通過對基板進行表面接枝處理以便最小化基板界面的不規則性來形成。而且，基板界面處于通過組合金屬膜的金屬成分和直接鍵合到基板的接枝聚合物而形成的混合狀態。因此，認為由此形成的金屬膜和基板之間的粘附性高。本發明中，為由與表面結構相關的傳統公知的壓型方法限定的參數的Rz、即"特定表面上最高至第五高峰值Z數據的平均值和最低至第五深底部Z數據的平均值之間的差值"用作表面不均勻度的粗糙的標志。當通過根據本發明方法獲得的金屬圖形用作常規材料時，引線區域中的金屬和有機材料之間的界面的不規則性越小，高頻電傳輸中的電損耗(傳輸損耗)就越小。因此，具有通過使用金屬圖形作為其導電層(引線)獲得的本發明金屬圖形的印刷引線板和TFT引線板具有平坦度、與基板的粘附度、精細度、導電性和高頻特性方面都優良的引線。圖l是在實施例13中獲得的金屬圖形的SEM截面照片和圖2是通過圖像處理圖1中的截面SEM照片獲得的圖像，并且形成其中白色表示精細顆粒部分和黑色表示聚合物部分的兩種顏色梯度。具體實施方式以下，將詳細描述本發明。首先，將描述形成本發明所述金屬圖形的方法。形成金屬圖形的方法根據本發明的金屬圖形形成方法是一種形成金屬圖形的方法，其包括(a)在基板上以圖形形式形成聚合物層，該聚合物層包含具有與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團并且能直接化學鍵合到基板上的聚合物；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍溶液對具有聚合物層的基板進行無電鍍以圖形形式形成金屬膜，其中，在(C)形成金屬膜之前或期間，使用表面電荷改進劑或者lxlO"Q至lxlO"mmo1/1的電鍍催化抑制劑處理具有施加有無電鍍催化劑或其前體的聚合物層的基板。即，根據本發明的金屬圖形形成方法包括在基板上形成與無電鍍催化劑或其前體反應的區域以及不與其反應的區域，將無電鍍催化劑或其前體添加到反應區域，且之后對基板進行無電鍍。本發明中，具有與無電鍍催化劑或其前體反應的聚合物的區域(即聚合物層)將稱作"接枝圖形"。以下，將以該順序描述工藝(a)至(c)。(a)在基板上形成接枝圖形以下方法(1)和(2)中的任一種都用作這樣一種工藝，其用于(a)在基板上以圖形方式形成包含具有與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團的聚合物、并且能夠直接化學鍵合到基板上的聚合物層。(1)一種方法，包括直接和化學鍵合聚合物化合物到基板的整個表面，其中聚合物化合物具有通過加熱、酸或輻射改變為另一種官能團的官能團，該另一種官能團能與無電鍍催化劑或其前體反應，或者具有通過熱、酸或輻射損失與無電鍍催化劑或其前體反應的功能的官能團(以下，這種官能團如所需地稱作"極性轉換基團")，且之后基于圖像施加熱或輻射以形成能夠與無電鍍催化劑或其前體反應的圖形化區域。(2)—種方法，包括使得基板表面與具有可聚合基團和能夠與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團的化合物接觸；和基于圖像施加輻射以形成能夠與無電鍍催化劑或其前體反應的圖形化區域。表面接枝聚合物借助于所謂的表面接枝聚合物制備方法(1)中的聚合物層。接枝聚合物是一種通過將活性種類添加到聚合物化合物鏈并使其與另一種單體聚合以開始聚合來制備接枝聚合物的方法，并且尤其，當提供活性種類的聚合物化合物存在于固態表面時，將其稱作表面接枝聚合。用于實現改實施例的表面接枝聚合的方法包括在文獻中描述的任一種工藝方法。其實施例包括在《聚合物的新試驗方法(NewExperimentalMethodsofPolymer)》第lO巻(Soc.PolymerScienceJapanEd.1994，KyoritsuShuppanCo.，Ltd,第135頁)和日本專利申請特開jp-ANo.63-92658、10-296895和11-119413中描述的光接枝聚合方法和等離子體照射接枝聚合方法。此外，其實施例還包括在《AborptionTechnology》(NTS.，AkiraTakeuchiEd.，1999年2月，第203和695頁)等中描述的使用Y射線或電子束的輻射接枝聚合方法。光接枝聚合方法的具體實施例包括在JP-ANo.63-82658,10-296895和11-119413中描述的方法。除了上述那些方法之外，形成聚合物化合物鏈的終端直接化學鍵合至其的表面介質層的方法包括將反應官能基團如trialkoxysilyl基團、異氰酸鹽基團、氨基、羥基或者羧基引入到聚合物化合物鏈的終端、并且引起其官能團和基板表面上存在的官能團之間耦合反應的方法。根據該實施例的基板表面是將在表面上具有極性轉換基團的聚合物化合物終端直接或者經由主鏈聚合物化學鍵合至其的表面，和原材料具有現在這樣的這種表面特性，或者分離地形成在原材料上的中間層具有這種特性。這種基板優選具有500nm或更少的表面不均勻度。具有極性轉換基團的聚合物化合物鏈的終端經由主鏈聚合物化學鍵合至其的表面的形成方法包括將在耦合反應中能夠與基板表面上的官能團反應的官能團加入到主鏈聚合物的側鏈上、由此制備包含具有極性轉換基團的聚合物化合物鏈作為接枝鏈的聚合物化合物、和允許聚合物和下部層表面上官能團之間的耦合反應的方法。以下，將描述在該實施例中使用的極性轉換基團。根據該實施例的極性轉換基團包括通過熱或酸改變其極性的基團類型(A)和通過輻射(光)改變其極性的基團類型(B)。在本發明中，如果基團是以下描述的無電鍍催化劑或其前體能被鍵合的官能團，則不特別限制"與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團"，但是其通常是親水性基團。通過熱或酸改變其極性的官能團(A)首先，將描述通過熱或酸改變其極性的官能團(A)。通過熱或酸改變其極性的官能團類型(A)(A)被分類成兩種基團，通過熱或酸從疏水性向親水性改變極性的官能團和通過熱或酸從親水性向疏水性改變極性的官能團。通過熱或酸從疏水性向親水性改變其極性的官能團(A-l)通過熱或酸從疏水性向親水性改變其極性的官能團(A-l)包括在文獻中公開的任一已知官能團。以下，將描述通過熱或酸從疏水性向親水性改變極性的官能團(A-l)和具有官能團的化合物的實施例。官能團的實施例包括JP-ANo.10-282672中描述的烷基硫酸酯、二砜和磺胺；歐洲專利No.0652483和W.O.No.92/9934中描述的烷基烷氧基；H.Ito等人的《Macromolecules》第21巻第1477頁中描述的t-丁基；通過文獻中描述的可酸分解的基團如甲硅烷基酯、乙烯基酯等保護的羧酸酯；等等。該實施例還包括在MasahiroTsunooka在《Surface》第133巻(1995)第374頁中描述的亞氨基磺酸鹽基團；日本的MasahiroKadooka在《Polymerpreprints》第46巻(1997)第2045頁中描述的p-酮磺化酯；在TuguoYamaoka的JP-ANo.63-257750中描述的硝基芐基磺酸鹽，但是本發明不限于這些官能團。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團也合適。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團中，更優選通過通式(1)表示的二次烷基硫酸酯基團、三次羧基酸酯基團和通過通式(2)表示的烷氧基烷基酯基團，且在其中，通過通式(1)表示的二次垸基硫酸酯基團特別優選，盡管本發明不限于此。以下列出了特定優選官能團的具體實施例<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>如通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(A-2)本發明中，通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(A-2)包括任一種已知的官能團。以下，將描述通過熱或酸從親水性向疏水性改變其極性的官能團(A-2)和具有該官能團的化合物的實施例。官能團的實施例包括在JP-ANo.10-296895和美國專利No.6，190，830中描述的含有絡合陽離子的鹽類基團的聚合物，且尤其是含有銨鹽基團的聚合物。其具體實施例包括(甲基)丙烯酰氧烷基三甲基銨等。在JP-ANo.2001-117223中描述的官能團也合適。在上述專利公開中描述的官能團當中，特別優選由通式(3)表示的羧基酸基團和羧酸酯基鹽類基團，但是本發明不限于這些實施例。以下，列出了特別優選官能團的具體實施例。i9><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>根據本發明所述的具有極性轉換基團的接枝聚合物可以是由具有上述官能團的單個單體構成的均聚物或者是兩種或多種這種單體的共聚物。此外，其他單體可以以不削弱本發明有利效果的數量添加到共聚物中。以下示出通過熱或酸從疏水性到親水性改變其極性的官能團(A-l)的單體的具體實施例。SO3CKCH3CH3以下示出具有通過熱或酸從親水性到疏水性改變其極性的官能團(A-2)的單體的具體實施例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>光熱轉換材料如果施加到在基板上形成的聚合物層，用于通過上述表面接枝聚合實現極性轉換的能量是光能量例如IR激光，則優選將用于實現光能轉換成熱能的光熱轉換材料添加到聚合物層、基板和中間層中的任一個中。可替換地，可將其添加到在聚合初始層和原材料之間分離形成的光熱轉換材料層中。可將任一種化合物用作光熱轉換材料，只要其是吸收光如紫外線、可見光、紅外線或白光、并且將其轉換成熱的材料即可，且其實施例包括碳黑、碳精、染料、色素、酞花青、酞花青色素、金屬精細顆粒如鐵粉末、石墨粉末氧化鐵粉末、氧化鉛、氧化銀、氧化鉻、硫化鐵和硫化鉻等。特別優選的是染料、酞花青和金屬精細顆粒，其在用于施加能量的紅外激光能量曝光波長區域(760至1200nm)中具有最大吸收波長。染料的實施例包括市場上可獲得的染料和文獻(例如，由SocietyofSyntheticOrganicChemistry編輯的于1970年在日本出版的《DyeHandbook》)中描述的公眾公知的染料。更具體地，染料的實施例包括染料如偶氮基染料、金屬復合鹽偶氮基染料、吡唑啉酮偶氮基染料、蒽醌染料、酞花青染料、陽碳染料、醌亞胺染料、次甲基染料、花青染料或者金屬硫醇鹽復合物。染料優選實施例例如包括JP-A58-125246、59-202829、60-78787中描述的花青染料；日本專利申請特開(JP-A)No.58-273696、58-181690、58-194595等公開中描述的次甲基染料、在JP-ANo.58-112793、58-224793、59-48187、59-73996、60-52940No.60-63744等中描述的萘醌染料在JP-ANo.58-112792等中描述的squarylium染料；和GB專利No.434,875等中描述的花青染料。也優選使用美國專利No.5，156,938中描述的近紅外吸收感光劑，而且，紅外吸收感光劑的優選實施例包括在美國專利No.3，8S1，924中描述的芳基苯并(硫)吡喃洋鹽、日本專利申請特開(JP-A)No.57-142645(美國專禾UNo.4,327,169)中描述的三次甲基硫吡喃洋鹽、JP-ANo,58-181051、58-220143、59-41363、59-84248、59-84249、59146063和59-146061中描述的吡喃洋化合物、JP-ANo.59-216146中描述的花青染料、在美國專利No.4,283,475中描述的五甲炔花青硫吡喃洋鹽、JP-BNo.5-13514和5-19702中描述的吡喃洋化合物等。作為染料的另一優選實施例，也提到了在美國專利No.4，756，993的說明書中描述的由分子式(I)或(II)表示的近紅外吸收染料。其特別優選的實施例包括染料、花青染料、squarylium染料、吡喃洋染料和硫醇鎳復合物。可使用色素的實施例包括市場上可獲得的色素和在以下文獻中描述的色素《ColorIndex(C.I.)手冊》，"LatestPigmentsHandbook",1997年出版，由SocietyofPigmentTechnology出版，日本；《LatestAppliedTechnologyofPigment》，1986年出版，由CMC公開；和/或《PrintingInkTechnology》，1984年出版，由CMC公開。這種類型色素的實施例包括黑色素、黃色素、橘色素棕色素、紅色素、紫色素、藍色素、綠色素、熒光色素、金屬粉末色素和聚合物鍵合染料。可使用色素的具體實施例包括不溶的偶氮基色素、偶氮基色淀色素、濃縮偶氮基色素、螯合偶氮基色素、酞花青組合物色素、蒽醌化合物色素、二萘嵌苯化合物色素、perinone化合物色素、硫靛藍化合物色素、喹吖酮化合物色素、二惡嗪化合物色素、isoindolinone化合物色素、quinophthalone化合物色素、染色色淀色素、無機色素、碳黑等。在上述色素當中，優選使用炭黑。當將光熱轉換材料用在本發明中時，考慮到光熱轉換材料包含層的感光性和強度，光熱轉換材料量相對于包括光熱轉換材料的層的總固體含量的比率優選是0.01至50質量％，和更加優選為0.1至10質量％。當將染料用作光熱轉換材料時，染料量相對于包括染料的層的總固體兩的比率是0.5至10質量％。當將色素用作光熱轉換材料時，色素量相對于包括色素的層的總固體含量的優選比率是3.1至10質量％。酸產生材料為了當接枝圖形形成于使用具有極性轉換基團的聚合物的圖形形成材料表面上時施加用于極性轉換的酸，優選將酸產生材料添加到圖形形成材料的任一種構造中。將酸產生材料添加至其的構造實施例包括圖形形成層、中間層和原材料。酸產生材料是通過熱或光產生酸的化合物，其實施例通常包括光陽離子聚合的光引發劑、光原子團聚合的光引發劑、染料光脫色劑、光變色劑、光學產生在如微抗蝕劑的應用中使用的酸的常規公知化合物、及其混合物等等。適合于選自這些材料的材料能用于本發明。其具體實施例包括T.S.Bal等人的S.I.Schulesinger,《Photogr.Sci.Eng.》，18,387(1974)中描述的二氨鹽，聚合物，21，423(1980)等；JP-ANo.3-140140等中描述的胺鹽；美國專利Mo4，069,055等中描述的磷鹽；JP-ANo.2-150848和2296514等中描述碘鹽；J.V.Crivello等人的《PolymerJ.》17，73(1985)、美國專利No3，902，114、歐洲專利No.233,567、297,443和297,442、美國專利No.4，933,377、4，491，377、4，491，628、5,041,358、4，760，013、4，734，444和2，8827、德國專利No.2，904，626、3，604，580和3,604,581等中描述的巰鹽。J.V.Crivello等人的《Macromolecules》，10(6)，1307(1977)等中描述的硒鹽；C.S.When等人的Teh，，Proc，Conf，Rad，CuringASIA第478頁、Tokyo10月(1988)等中描述的包括砷鹽的鎗鹽；JP-ANo.63-298339等中描述的有機鹵素化合物；JP-ANo.2-161445等中描述的有機金屬/有機鹵化物；S.Hayase等人在《J.PolymerSci.》，25,753(1987)、JP-ANo.60-198538和53-133022等中描述的具有o-硝基芐基保護基團；在JP-ANo.64-18143、2-245756和3-140109等中描述的由亞氨基磺酸鹽等表示的光分解產生硫酸的化合物；和在JP-ANo.6-166544等中描述的二磺基化合物。根據含有酸產生材料的層的敏感性和強度的觀點，相對于包含酸產生材料的層中的總固體物質，這些酸產生材料的量在O.Ol至50質量％的范圍內，優選在0.1至30質量％的范圍內。通過光改變其極性的官能團(B)在改變其極性的官能團的很多實施例當中，存在通過具有700nm或更少波長的光的輻射改變極性的一些基團。通過光改變其極性的這種官能團(B)(極性轉換基團對700nm或更少波長光敏感的極性轉換基團)特征在于，通過引起分解、環形開口或者不通過熱或較長波長光如紅外射線的輻射而是通過一定波長光的照射進行二聚反應來改變具有高敏感性的極性。以下，將描述通過700nm或更小波長光的照射改變極性的官能團。通過光改變其極性的官能團(B)也被分成兩組，從疏水性到親水性改變其極性的官能團(B-l)和從親水性到疏水性改變其極性的官能團(B-2)。從疏水性到親水性改變其極性的官能團(B-l)從疏水性到親水性改變其極性的官能團(B-l)的實施例包括在JP-ANo,2003-222972中描述的通過通式(1)至(4)和(7)至(9)表示的官能團。從親水性到疏水性改變其極性的官能團(B-2)從親水性到疏水性改變其極性的官能團(B-2)的實施例包括bispyridinioethylene基團。基板用在實施例(1)中的基板具有表面接枝層和基板表面，具有極性轉換基團的上述聚合物化合物終端直接或者通過主鏈聚合物化合物化學鍵合到該表面接枝層，聚合物化合物的終端直接或者通過主鏈聚合物化合物化學鍵合至該基板表面。如上所述，原材料表面具有這種特性，或者可替換地，具有這種特性的中間層形成于原材料表面上。基板表面基板表面可以是無機或有機層，只要該表面具有適合于通過接枝合成形成如上所述的表面接枝層的特性即可。在該實施例中，基板表面的極性無關緊要，并且可以是親水性或是疏水性的，這是由于親水性和疏水性狀態之間的轉換通過具有聚合物化合物的薄圖形形成層來管理。在中間層中，尤其是當本實施例的薄聚合物層通過光接枝聚合方法、等離子體照射接枝聚合方法、或者輻射接枝聚合方法制備時，該部門優選是具有有機表面的層，并且尤其優選是具有有機聚合物層的層。有機聚合物的實施例包括合成樹脂如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、尿垸樹脂、酚醛樹脂、苯乙烯樹脂、乙烯基樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、三聚氰胺樹脂或形成樹脂；和天然樹脂如凝膠、酪蛋白、纖維素、或淀粉。由于在光接枝聚合方法、等離子體照射接枝聚合方法、輻射接枝聚合等方法中，接枝聚合以從有機聚合物提取氫開始，因此根據產量的觀點，特別優選使用對氫提取非常容易損壞的聚合物如丙烯酸樹脂、尿烷樹脂、苯乙烯樹脂、乙烯基樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂或環氧樹脂。中間層可以是進一步起到以下描述的原材料作用的層或者是根據需要在原材料上形成的層。在該實施例中，為了當基板由樹脂膜等形成時，使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優選調整原材料(即為基板)的表面不均勻度為500nm或更小。為了當基板通過提供中間層至源材料表面形成時使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優選調整中間層表面為500nm或更小。為了使得基板表面不均勻度為500nm或更小，優先選擇在表面平滑度方面優良的樹脂原材料，和當形成中間層時形成厚度均勻度優良的中間層。具有聚合初始特性的層在實施例(1)中，根據有效產生活性位置和改善圖形形成敏感度的目的，優選形成能夠顯示出聚合初始特性的層作為中間層，或通過添加作為通過施加能量能顯示出聚合初始特性的化合物的可聚合化合物或聚合引發劑至原材料表面形成基板表面。顯示出聚合初始特性的層(以下，適當地稱作"可聚合層")能通過將必要的成分溶解到能溶解這些成分的溶劑中、在原材料表面上通過涂敷等形成層、和通過加熱或光照射硬化該層來形成。用在可聚合層中的可聚合化合物不特別限制，只要其牢固地粘附到基板并結合到在終端和/或其側鏈上具有可聚合基團的親水性化合物、并且通過施加能量如活性光照射包含在上部層中即可，且在很多這種成分當中，在其分子中具有可聚合基團的疏水性聚合物是優選的。疏水性聚合物的具體實施例包括二烯均聚物如聚丁二烯、聚異戊二烯或聚戊二烯，和含有烯丙基單體基團的均聚物如聚丙基(甲基)丙烯酸酯或者2-烯丙基乙氧基甲基丙烯酸鹽；苯乙烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈等中的兩種或多種組分的共聚物，以及含有二烯系單體如丁二烯、異戊間二烯或戊二烯或含有烯丙基的單體的構成單元；在其分子中具有碳碳雙鍵的線性聚合物或三種成分的聚合物如不飽合聚酯、不飽合聚環氧化合物、不飽合聚酰胺、不飽合聚丙烯或高密度聚乙烯；等等。在說明書中，表示"丙烯和2甲基丙烯酰基"基團二者或其中之一的基團被稱作"(甲基)丙烯"基團。關于可聚合層中固體物質，可聚合化合物量優選在O到100質量％的范圍內，更優選在10到80質量％范圍內。(b)聚合引發劑實施例(1)中的可聚合層優選含有通過施加能量具有聚合初始特性的聚合引發劑。用在本發明終端聚合引發劑能從常規公知的通過根據目的施加一定能量如活性光照射、加熱、照射電子束等顯示出聚合初始特性的熱聚合引發劑、光聚合引發劑等中適當地選擇。在這些聚合引發劑當中，由于光聚合在反應速度(聚合速度)方面比熱聚合的高，因此考慮到產量，使用光聚合引發劑是優選的。可用在該實施例中的光聚合引發劑不特別限制，只要其能夠通過照射活性光激活并且能聚合包含在可聚合層中的可聚合化合物和在終端或者其側鏈上具有可聚合基團的親水性化合物、并且包含在上部層中即可，其實施例包括原子團聚合引發劑、陰離子聚合引發劑、陽離子聚合引發劑等。光聚合引發劑的具體實施例包括苯乙酮如p-三元醇丁基三氯苯乙酮，2，2'二密乙酰、或2羥基2甲基l-酮；酮如苯酰酮、4，4'二次二甲基胺苯酰酮、2氯噻噸銅、2甲基噻噸酮、2乙垸基噻噸酮或2異丙基噻噸酮；苯偶姻酯如苯偶姻、苯偶姻甲基酯、苯偶姻異丙基酯或者苯偶姻異丁基酯；苯甲基酮縮酮如苯甲基二甲基酮縮酮或羥基環已基苯基酮；等等。關于聚合層中固體物質，聚合引發劑的量優選0.1到70質量％的范圍內，更優選在1到40質量％的范圍內。用于施加(涂敷)可聚合化合物和聚合引發劑的溶劑不特別限制，只要其溶解這些成分即可。根據便于干燥和可操作的觀點，溶劑優選不具有過高的沸點，并且尤其，優選沸點在約40到15(TC范圍內的溶劑。其具體實施例包括丙酮、甲基乙垸基酮、環已垸、乙烷醋酸鹽、四氫呋喃、甲苯、乙烯乙二醇單甲基醚、乙烯乙二醇單乙烷醚、乙烯二乙醇二甲基醚、丙烯乙二醇單甲基醚、丙烯乙二醇單乙垸醚、乙酰丙酮、環已酮、甲醇、乙醇、1甲氧基2丙醇、3甲氧基丙醇、二乙烯乙二醇單甲基醚、二乙烯乙二醇單乙垸醚、二乙烯乙二醇二甲基醚、二乙烯乙二醇二乙醚、丙烯乙二醇氮甲基醚醋酸鹽、丙烯乙二醇單乙醚醋酸鹽、3甲氧基丙基醋酸鹽等。這些溶劑可單獨或組合使用。相對于涂敷溶液的總質量，在涂敷溶液中適當量的固體物質在2到50質量％的范圍內。當可聚合層形成于原材料上以形成基板時，考慮到顯示出足夠聚合初始特性并防止層剝離以便保持層特性，可聚合層涂敷量的量作為干燥質量優選在0.1至20g/m2的范圍內，且作為干燥質量更優選在1至15g/m2的范圍內。如上所述，在基板表面上通過使用涂敷等施加用于可聚合層的組合物形成可聚合層，和去除容易以便將可聚合層形成為膜形式。優選采用加熱和/或光照射用于硬化該層。尤其，優選通過加熱和隨后通過光照射預硬化該層來干燥該層，這允許硬化可聚合化合物至一定程度，用于有效防止如完成親水性化合物接枝之后整個可聚合層剝離的問題。使用光照射用于硬化的原因與光聚合引發劑部分中描述的相似。溫度條件和加熱周期適當地選擇以使其足以去除涂敷的溶劑，和溫度優選為IOO'C或更低，和干燥時間優選為30分鐘或更少。更優選地，根據產量的觀點，選擇加熱條件以使其干燥溫度在40至80'C的范圍內，其干燥時間在IO分鐘或更短的范圍內。以下描述的用在圖形形成中的光源也可用于在加熱如所需地升高之后進行的光照射。考慮到防止對隨后形成接枝圖形和通過施加能量在可聚合層上活性位置和接枝鏈之間形成鍵合的抑制，優選進行光照射至能進行可聚合層中存在的可聚合化合物的原子團聚合的程度，這不是完全聚合而是部分聚合。光照射的時間長度可根據所使用的光源強度而變化，并且通常優選為30分鐘或更少。用于預硬化的大致標準是其中在用溶劑沖洗之后剩余層的量為10%或更少和在預硬化之后剩余引發劑量為1%或更少的條件。原材料，本發明中使用的"基板"意味著聚合物能夠直接鍵合到其表面上的材料。當中間層如聚合初始層被形成于材料如樹脂膜的表面上且聚合物被以圖形形式提供時，在此將材料如樹脂膜稱作"原材料"。用在本發明金屬圖形中并且構成提供有具有上述特性表面的基板的原材料優選為板狀材料，其具有表面不均勻度為500nm或更少的光滑表面和高的空間穩定性。其實施例包括紙、疊層有塑料如聚乙烯、聚丙稀、聚苯乙烯等的紙、金屬板(如鋁、鋅、銅等)；塑料膜(如纖維素雙醋酸鹽、纖維素三醋酸酯、纖維素丙酸鹽、纖維素丁酸鹽、纖維素醋酸鹽、纖維素硝酸鹽、聚乙烯對鈦酸鹽、聚乙烯、聚苯乙烯、均丙烯、聚碳酸、聚乙烯基乙縮醛、聚酰亞胺、環氧樹脂等)；疊層或氣相沉積其上是上述金屬的塑料膜的紙；等等。聚酯或聚酰亞胺膜優選作為基板，用在本發明的該實施例中。而且，當印刷引線板通過使用本發明的金屬圖形作為導電層形成時，優選使用絕緣樹脂作為基板。絕緣樹脂的實施例包括由化合物如聚苯醚、非飽和聚苯醚、氰酸鹽酯化合物或環氧樹脂化合物形成的樹脂。優選使用由含有這些樹脂中至少一種的熱固性樹脂組合物形成的基板。當這些樹脂中的至少兩種組合用于形成樹脂組合物時，樹脂組合的優選實施例包括氰酸鹽酯化和物和聚苯醚和非飽和聚苯醚中的一種的組合物；環氧樹脂化合物和聚苯醚與非飽和聚苯醚中的一種的組合物；和氰酸鹽酯化合物、環氧樹脂化合物和聚苯醚與非飽和聚苯醚中的一種的組合物。當多層印刷引線板通過使用熱固性樹脂化合物形成時，優選使用不含有無機填料的熱固性樹脂化合物，該無機填料選自由硅石、云母、氫氧化鋁和氫氧化鎂構成的組。此外，優選使用進一步含有溴化合物或磷化合物的熱固性樹脂化合物。用于形成印刷引線板的基板的絕緣樹脂的優選實施例包括1，2-2(烯基苯撐)乙垸樹脂和由聚苯醚樹脂與1，2-2(烯基苯撐)乙垸樹脂形成的非飽和樹脂。該樹脂的進一步細節將在由SatoruAmaba等人編輯的《JournalofAppliedPolymerScience》、第92巻第1252至1258(2004)頁中進行了描述。其它絕緣層的優選實施例包括液晶聚合物，其在市場上可獲得為"VECSTER"(商標名，由Kuraray有限責任公司制造)和氟樹脂如聚三氟氯乙烯。在這些樹脂(聚合物材料)當中，聚三氟氯乙烯(PTFE)是在高頻特性方面非常卓越的材料。然而，PTFE是一種具有低應力(Tg)的熱塑性樹脂，并且對于熱具有差的空間穩定性。PTFE在機械強度上比熱固性樹脂材料差。而且，PTFE具有可形成性可可操作性差的問題。熱塑性樹脂如聚苯撐醚(PPE)能通過與熱固性樹脂等熔合起來使用,。熔合物的實施例包括PPE和環氧樹脂的熔合樹脂；PPE和triallylisocyanate的熔合樹脂；和具有引入到其中的可聚合官能團的PPE樹脂和其他熱固性樹脂的熔合樹脂。未改進的環氧樹脂顯示出不足的介電特性。然而，通過引入大的構架等預期環氧樹脂特性的改進。以這種方式，其中很大程度上使用其各自特性的樹脂、和結構引入、不飽和等用于補償其缺陷的樹脂是優選的。例如，盡管在熱固性樹脂當中，氰酸鹽酯是具有最卓越介電特性的材料，但是其幾乎不單獨使用，而是用作環氧樹脂、順丁烯二酰亞胺或熱塑性樹脂的非飽和樹脂。對于進一步的細節，見《Electronictechnology》No.9第35頁(2002)，能參考其公開以如上所述地選擇絕緣樹脂。如上所述，當金屬圖形用作印刷引線板的布線(導電層)時，根據告訴處理批量存儲數據的觀點，為了降低延遲并抑制信號，降低介電常數和介電損耗正切中每一個是有效的。使用低介電損耗正切材料就如《ElectronicsPackagingInstitutionalJournal》第7巻No.5第397頁(2004)中描述那樣。根據告訴的數據處理觀點，使用具有低介電損耗正切特性的絕緣材料特別優選。更加具體地，優選基板由介電常數、即相對介電常數在1GHz下為3.0或更小的絕緣樹脂形成，更優選基板由介電常數在1GHz下為0.01或更小的絕緣樹脂形成。絕緣樹脂的介電常數和節點損耗正切通過常規方法確定，該方法例如是在2004年第18屆JIEPAnnual會議摘要第189頁中描述的方法，其中使用了利用測量裝置和系統er和tanS用于由Keycon有線公司制造的超薄片的空腔振蕩器擾動方法。由此，這對于在介電常數和介電損耗正切的光中選擇絕緣樹脂是有用的。具有3.5或更少介電常數和0.01或更少介電損耗正切的絕緣樹脂的實施例包括液晶樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚異密數值和氰酸鹽酯樹脂、二(二苯撐)乙烷樹脂等，并且進一步包括其改良樹脂。形成圖形(圖像)在實施例(1)中，通過照射輻射線如光來形成圖形。當在存在光熱轉換材料的情況下進行光照射時，圖形可通過經由具有紅外射線區域等的波長的激光束的掃描曝光進行加熱來形成。用于形成圖形的方法實施例包括這樣的方法，其包括通過加熱或輻射線照射的寫入包括對光的曝光。其具體實施例包括使用紅外激光、紫外燈、可見光等的光照射，電子束照射如y射線照射、通過熱頭的熱寫入等。用于其的光源實施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。輻射的實施例包括電子束、X-射線、離子束、遠紅外線等。此外，可使用g-射線、i-射線、深UV射線和高密度能量束(激光束)。通常使用的實施例的具體實施例包括通過熱記錄頭等直接寫入；通過紅外激光的掃描曝光；通過氤放電燈等的高亮度快閃曝光；紅外線燈曝光等等。可替換地，在聚合物層通過使用對波長700nm或更小的波長下的光敏干的極性轉換基團獲得的情況下，任一種光照射方法都能使用，只要其在圖形形成層中引起極性轉換即可，即，其可以通過分解、打開或取代極性轉換基團來改變極性轉換基團的親水性/疏水性。例如，可通過紫外燈或可見光等獲得光照射。這些光源的實施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。優選使用引入極性轉換的方法，用于通過激光曝光基于計算機數字數據直接圖形化。激光的實施例包括氣體激光如碳酸氣體激光、Ar激光、He/Cd激光或Kr激光；固體狀態激光如液體(染料)激光、紅寶石激光或者Nd/YAG激光；半導體激光如GaAs/GaAlAs或InGaAs激光；準分子激光如KrF激光、XeCl激光、XeF激光或者Ar2激光；等等。實施例(2)在實施例(2)中，接枝圖形通過使得具有可聚合基團和與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團的化合物與基板接觸并之后以圖形方式照射輻射射線來形成。在以下的描述中，"與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團"可稱作"相互反應的基團"，和具有可聚合基團和相互反應基團的化合物被稱作"含有可聚合組合物的相互反應基團"。通過表面接枝形成接枝圖形在實施例(2)中，通過使得含有相互反應基團的可聚合化合物與基板接觸并以圖形形式施加能量，可以在含有相互反應基團的可聚合化合物的可聚合物基團和基板之間形成化學鍵，和形成與無電鍍催化劑或其前體反應的在耐久性方面優良的堅硬區(以下，需要的話可簡單地將其稱作"相互反應區")。這種類型鍵合的形成稱作"表面接枝"。根據實施例(2)的表面接枝幾乎與上面實施例(1)中描述的表面接枝聚合相似。雖然將被接枝的聚合物化合物具有實施例(1)中的極性轉換基團，但是該實施例中含有具有相互反應基團的可聚合化合物的合成物直接欸與基板表面接觸，以使該合成物鍵合到在基板表面上產生的活性種類。合成物與活性種類的接觸可通過將基板浸入到含有具有相互反應基團的可聚合化合物的液體合成物中來實施。可替換地，考慮到便于處理和制造的有效性，優選通過如下所述的涂敷方法提供含有合成物的層至基板表面，該合成物含有具有相互反應基團的可聚合化合物作為主要成分。與實施例(2)相關的表面接枝能以與在實施例(1)中說明的表面接枝相同的方式形成。含有相互反應基團的可聚合化合物在該實施例中使用的含有相互反應基團的可聚合化合物是這樣一種聚合物，其中可加聚烯未飽和基團(可聚合基團)如乙烯基基團、烯丙基基團或(甲基)丙烯基團作為可聚合基團被引入到具有以下描述的相互反應基團的單體或者通過使用選自這種單體的至少一個基團的均聚物或共聚物。聚合物在終端或其側鏈的至少一個上具有可聚化基團，和更優選聚合物在終端和其側鏈上具有可聚合基團。含有相互反應基團的可聚化合物能如下合成。合成含有相互反應基團的可聚合化合物的實施例包括合成方法的實施例包括i)其中具有相互反應基團的單體和具有可聚合基團的單體被共聚的方法，ii)其中具有相互反應基團的單體和具有雙鍵前體的單體共聚并之后用原材料等處理以引入雙鍵的方法，和iii)其中具有相互反應基團的單體和具有可聚合基團的單體相互反應以由此引入雙鍵(可聚合基團)的方法。在這些方法當中，在合成能力方面優選使用其中具有相互反應基團的單體和具有雙鍵前體的單體共聚并之后用云材料處理以引入雙鍵的方法ii)和其中具有相互反應基團的單體和具有可聚合基團的單體相互反應以由此引入可聚合基團的方法iii)。用于合成包括相互反應基團的可聚合化合物的單體的具體實施例包括(間)丙烯酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、甲叉丁二酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、2-羥乙基(間)丙烯酸酯、(間)丙烯酰胺、N-單羥甲基(間)丙烯酰胺、N-二羥甲基(間)丙烯酰胺、芳基胺或其鹵化氫酸鹽、3-乙烯基丙酸、堿性金屬鹽和其銨鹽、乙烯基硫酸、堿性金屬鹽及其銨鹽、2-硫乙基(間)丙烯酸酯、polyoxyethyleneglycolmono(meta)acrylate、2-丙烯酰胺-2-甲基丙烷硫酸、acidphosphooxypolyoxyethyleneglycolmono(meta)acrylate、和N-乙烯基吡咯垸酮(具有以下結構)。總之，具有如羧基基團、硫酸基團、磷酸基團、銨基團、氫氧基團、酰胺集團、磷化氫基團、吡啶基團或醚基團的官能團的單體(或者當由此形成鹽結構時為其鹽)被稱作實施例含有能夠與相互反應基團共聚的烯丙基基團的單體實施例包括烯丙基(間)丙烯酸酯、2-烯丙基乙氧基甲基丙烯酸酯等。具有雙鍵前體的單體實施例包括2-(3-chloro-1-oxopropoxy)ethylmethacrylate和2-(3-bromo-1-oxopropoxy)ethylmethacrylate。具有可聚合基團的單體實施例，其用于利用與具有相互反應基團的聚合物中的官能團如.羧基或氨基或其鹽、羥基基團、環氧樹脂基團等的反應引入非飽和基團，其包括(間)丙烯酸、縮水甘油基(間)丙烯酸酯、烯丙基縮水甘油酯、2-isocyanatether(meta)acrylate等。含有相互反應基團的可聚合化合物的實施例進一步包括微單體。產生用在該實施例中的微單體的方法例如包括由IndustrialPublishing&Consulting，Inc1989年9月20日公開的在《ChemistryandIndustryofMacromonomers》(Ed.YuyaYamashita)第二部分的"SynthesisiofMacromonomers，，中描述的從含有羧基團如丙烯酸或甲基丙烯酸派生出的微單體；從單體如2-丙烯酰胺-2-methylpropanesulfonicacid、磺化乙烯基苯乙烯酸或其鹽派生出的硫酸基微單體；從氮體如(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯乙酰胺、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯羧酸酰胺派生出的酰胺基大單體、從含有羥基的單體如羥乙基甲基丙烯酸酯、羥乙基丙烯酸酯或者丙三醇單甲基丙烯酸酯派生出的大單體；從含有烷氧基或乙撐氧基的單體如甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基聚乙烯乙二醇丙烯酸酯或聚乙烯乙二醇丙烯酸酯派生出的大單體；等等。此外，具有聚乙烯乙二醇鏈或聚丙烯乙二醇鏈的大單體也可有效地用作在該實施例中使用的大單體。這些微單體的分子量優選在250至100000的范圍內且特別優選在400至ij30000的范圍內。用于含有具有相互反應基團的可聚合化合物的合成物的溶劑不特別限制，只要其能溶解其主要成分即可，即，微單體、單體等。該溶劑的優選實施例包括水基溶劑如水、水溶性溶劑、其混合物或者進一步含有表面活性劑的那些。"水溶性溶劑"是能夠與水以任意比率混合的溶劑，和其實施例包括酒精性溶劑如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、丙三醇等；酸如醋酸；酮溶劑如丙酮；銨溶劑如甲酰胺；等等。可根據需要被添加到溶劑中的表面活性劑不特別限制，只要其可溶于溶劑即可，其實施例包括陰離子表面活性劑如鈉n-十二烷基苯磺酸鈉鹽；陽離子表面活性劑如n-dodecyltrimethylammoniumchloride;非離子式的表面活性劑如聚氧化乙烯壬基酚酯(市場上的產品實施例包括EMYLGEN910(商品名，由花王公司制造))、聚氧化乙烯山梨聚糖單月桂酸(其市場上的產品實施例包括"TWEEN20");和聚氧化乙烯月桂酰；等等。當合成物是液態時，合成物以任意方式直接與基板接觸。基于層的固體含量，通過涂敷含有相互反應基團的合成物形成的層的涂敷量優選在0.1至10g/m2的范圍內，更優選在0.5至5g/m2的范圍內，以獲得均勻涂敷膜，并足以與電鍍催化劑或其前體進行相互反應。基板用在實施例(2)中的基板是具有含有相互反應基團的上述可聚合化合物的終端或側鏈直接或通過主鏈聚合化合物化學鍵合至其的表面的基板。原材料可具有其原有特性，可替換地，具有該特性的中間層可形成于源材料上以形成基板。而且，具有初始聚合特性的另外層可以以與實施例(1)相似的方式形成。在實施例(2)中，使用具有不均勻度為500nm或更少的基板也是優選的。形成圖形(圖像)在實施例(2)的圖形形成中使用的賦予能量的方法不特別限制，和可使用任一種方法，只要其能夠在基板表面上產生活性位置，并將足以將含有相互反應基團的可聚合化合物的聚合基團結合到基板表面上即可。優先根據成本和簡化器件的觀點選擇照射活性光的方法。如果采取活性光照射，則可使用基于數字數據的掃描曝光或者通過使用光刻膜的圖形曝光。在上面實施例1中描述的各種寫入方法中的任一種也可優選用作該實施例中圖形寫入的方法。通過如上所述的能量施加，具有遷移率較高的接枝鏈的接枝圖形可通過具有相互反應基團的可聚合化合物和在基板表面上產生的活性位置的聚合來形成。在優選實施例中，使用在終端或側鏈上具有可聚合基團的含有相互反應基團的可聚合化合物能附加地將接枝鏈結合到在鍵合到基板上的接枝鏈側鏈上的可聚合基團，提供分枝接枝鏈結構，并因此導致所形成接枝的密度和遷移率的急劇改善，并導致與無電鍍催化劑或其前體更高的相互反應。(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到接枝圖形無電鍍催化劑在本工藝中使用的無電鍍催化劑主要是零價金屬，其實施例包括Pb、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Co等。本發明中，在便于管理和催化能力優良，優選Pb和Ag。用于固定零價金屬至接枝圖形(相互反應區域)上的方法通常使用其中調整電荷的金屬膠體。金屬膠體能通過降低溶液中的金屬離子來制造，該溶液中存在帶電荷的表面活性劑或帶電荷的保護劑。金屬膠體的電荷能通過所使用的表面活性及或保護劑來調整。當使得其中電荷由此被調整的金屬膠體與接枝圖形上的相互反應基團相反應，金屬膠體能被選擇性地吸收到接枝圖形上。無電鍍催化劑的前體作為在該工藝中使用的無電鍍催化劑的前體，可不限制地使用任何物質，只要通過化學反應該物質能用作無電鍍催化劑即可，主要使用在無電鍍催化劑中使用的零價金屬離子。為無電鍍催化劑前體的金屬離子通過還原反應導致用作無電鍍催化劑的零價金屬。該金屬離子能通過另一種還原反應被改變為零價金屬，或者由于無電鍍催化劑前體由此通過在無電鍍槽中的還原劑改變為金屬，其被蘸到無電鍍槽中。為無電鍍催化劑前體的金屬離子事實上被施加到金屬鹽狀態的接枝圖形。作為所使用的金屬鹽，可采用任何物質而不作限制，只要該物質能被溶解到適當的溶劑中，或者被分解到金屬離子和原材料(陰離子)中。金屬鹽具體實施例包括M(N03)n、MCln、Mn/2(S04)、M3/n(P04)(其中M表示n價金屬原子)等。適當使用的金屬離子的實施例包括通過分解金屬鹽形成的金屬離子。金屬離子的具體實施例包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鈷離子、鐵離子、鈀離子等。在催化能力方面優先使用銀離子和鈀離子。用于施加金屬膠體作為無電鍍催化劑或者施加金屬鹽作為無電鍍前體到接枝圖形上的方法實施例包括這樣一種方法，其包括將金屬膠體分散到適當分散介質中，或金屬鹽被溶解到適當溶劑中，以制備包括分解金屬離子的溶液，和在其上存在接枝圖形的原材料表面上擴散該溶液，也是這樣一種方法，其包括蘸取在溶液中具有接枝圖形的原材料。當使得包括金屬離子的溶液與原材料接觸時，金屬離子能通過利用內部離子相互反應或偶極離子相互反應在圖形區域上被吸收到相互反應基團。為了足以進行吸收和浸漬，金屬離子的濃度或使其接觸的溶液中的金屬鹽濃度優選在1至50質量％的范圍內，更優選在1至30質量％的范圍內。接觸所需的時間長度優選接近一分鐘至24小時，和更優選地接近五分鐘至一小時。(c)通過無電鍍形成金屬膜在本發明所提供的方法中，通過在由工藝(c)獲得的基板上的無電鍍形成圖形化金屬膜。該工藝中，在存在表面電荷改進劑(第一方面)的情況下進行或者在含有指定量電鍍催化抑制劑無電鍍槽中(第二方面)進行無電鍍，以形成具有足夠厚度的高精細圖形金屬膜。關于無電鍍處理，例如，J.W.M.Jacobs和J.M.G.Rikken,《J.Electrochem.Soc.》，135,2822(1988)和A.M.T.vanderPutten，G.de.Bakker等人的《J.Electrochem.Soc.》，140，2229(1993)公開了用于形成薄各向異性電鍍膜的技術，其包括僅在所需方向上電鍍膜。這些文獻建議可以在無電鍍中控制金屬膜形狀。然而，與本發明相比，這些文獻沒有公開也沒有建議其可應用性，以形成精細圖形或引線等，或者公開或建議其使用性。包括JP-ANo.2003-49280的大量公開文獻公開了具有類比于本發明中使用的表面電荷改進劑的結構的表面活性劑被添加到無電鍍溶液中，以便穩定電鍍槽。然而，本發明人首先發現各向異性生長能用于形成圖形化金屬膜，與本發明中相同，和僅當各向異性生長技術用在與以下技術組合時能實現本發明的有利效果，該技術包括以圖形化形式提供具有能夠與無電鍍催化劑或其前體相互反應并且直接或化學地鍵合到基板的官能團的聚合物。還公知的是，電鍍槽能通過將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液來穩定，與本發明相似，例如在JP-ANo.09-287078中描述的那樣。然而，本發明人首先發現電鍍催化抑制劑能用于形成圖形化金屬膜，如在此所公開的，和僅當電鍍催化抑制劑用在與以下技術的組合中時能實現本發明的有利效果，該技術以圖形化形式提供了具有能夠與無電鍍催化劑或其前體反應并且直接和化學地鍵合到基板的官能團的聚合物。允許表面電荷改進劑在無電鍍工藝中的任意步驟中起作用。表面電荷改進劑可被添加到無電鍍槽的溶液中，用于無電鍍處理，或者基板表面在無電鍍工藝之前通過表面電荷改進劑來制備。具體地，前一種方式對應于使用無電鍍溶液以圖形方式通過對具有聚合物層的基板進行無電鍍形成金屬膜的工藝(c-i),后一方式對應于用含有表面電荷改進劑的草處理具有聚合物層的基板的工藝(c-2)和對具有聚合物層的基板進行無電鍍以便以圖形方式形成金屬膜的工藝(c-3)。表面電荷改進劑優選在其分子中具有以下基團的有機化合物(i)對基板具有親合力的基團，和(ii)離子離去基團。如果在存在該表面改進劑的情況下進行無電鍍，則具有高密度和足夠厚度并且與通過上述工藝獲得的接枝圖形相符和的金屬膜被形成于圖形上。結果，所形成的金屬圖形具有高導電性和高粘附性。在無電鍍工藝中，任一種方法都可用于將電鍍催化抑制劑添加到電鍍槽中。在開始電鍍之前或者在開始電鍍之后，可將具體量催化抑制劑添加到無電鍍溶液。可替換地，電鍍催化抑制劑可以以一定時間間隔添加，以使無電鍍槽的溶液中電鍍催化抑制劑濃度保持在具體范圍內，或者如所需地添加以使其濃度保持在具體范圍內，同時測量該濃度。通常，工藝(c-r)可包括使用含有1x10"g至lxi(T4nmol/l電鍍催化抑制劑的無電鍍溶液對聚合層承載基板進行無電鍍，以形成圖形化金屬膜，且工藝(c-2')包括對聚合物層承載基板進行無電鍍以形成圖形化金屬膜，同時將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液，以使電鍍催化抑制劑的濃度保持在lxl(T1Q至lxl(T4nmol/l的范圍內。以下，將詳細描述每個工藝。使用含有(c-l)表面電荷改進劑或(c-2)lxl(T"至"l(T4nmol/l電鍍催化抑制劑的無電鍍溶液以圖形形式通過對具有聚合物層的基板進行無電鍍形成金屬膜無電鍍無電鍍是在化學反應中通過使用將被沉積的含有金屬離子的溶液來沉積金屬的工藝，和金屬沉積導致導電性的增加。例如通過去除在具有圖形形式無電鍍催化劑的經由用水沖洗和將其浸入到含有表面電荷改進劑或電鍍催化抑制劑的無電鍍槽中在工藝(b)中獲得的基板上的多余金屬和金屬鹽來進行該工藝中的無電鍍。本領域中一般公知的任一種無電鍍槽可用作除了表面改進劑和電鍍催化抑制劑之外的無電鍍槽部件。用于通過使用位于被吸收或被浸入的接枝圖形上的無電鍍催化劑前體形成金屬膜的無電鍍溶液(槽)也能采用任一種本領域中通常公知的無電鍍槽。一般，無電鍍槽具有含有(1)電鍍金屬離子、(2)還原劑和(3)用于穩定作為主要成分的金屬離子的添加劑(穩定劑)的合成物。該實施例中，無電鍍槽進一步含有(4)上述的表面電荷改進劑或電鍍催化抑制劑。除了這些之外，電鍍槽可進一步含有任一常規公知的添加劑如電鍍溶液等的穩定劑。用在無電鍍槽中的金屬包括銅、錫、鉛、鎳、金、鈀和銠，且這些當中，根據導電性的觀點特別優選銅和金。用于無電鍍槽的可用在無電鍍溶液中的金屬化合物的實施例包括硫酸鹽、鈉鹽、碳酸鹽、氧化物、氫氧化物等。在無電鍍溶液中含有的金屬化合物量在0.1至5g/L的范圍內，考慮到金屬量，其優選在接近0.8至1.2g/L的范圍內。當金屬化合物的量低于0.1g/L，由于形成金屬膜變得不足且由此在以下的工藝中沉積電鍍變得不足，因此對于本發明這并不優選。另一方面，當金屬化合物的量超出5g/L時，由于不存在通過升高濃度獲得的附加效果，因此對于本發明這并不優選。根據經濟觀點，增加與濃度成比例的所需量復合劑是不利的，除了這些之外，對于溶液廢水處理的可應用性差。最佳還原劑和添加劑可根據金屬選擇。例如，銅無電鍍槽含有Cu(S04)2作為銅鹽、HCOH作為還原劑和添加劑如EDTA(對于銅離子為穩定劑)、Rochelle鹽(螯合劑)等。用于無電鍍CoNiP的電鍍溶液含有硫酸鈷和硫酸鎳作為金屬鹽、次磷酸鈉作為還原劑、和丙二酸鈉、蘋果酸鈉、琥珀酸鈉作為復合劑。而且，鈀無電鍍槽含有(Pd(NH3)4)Cl2作為金屬離子、NH3和H2NNH2作為還原劑和EDTA作為穩定劑。這些電鍍溶液還含有除了上述成分之外的成分。具有還原特性并被添加到無電鍍溶液中的糖的具體實施例包括葡萄糖、右旋糖、山梨糖醇、纖維素、蔗糖、甘露醇和葡糖內酯。糖含量可從約3到約50g/L，優選從約10到約20g/L。小于約3g/L的糖含量不優選，這是由于通過這種含量，形成無電鍍膜是不足的，從而使得下一工藝中電鍍的沉積性能差。多于50g/L的糖含量不優選，這是由于通過這種含量，無電鍍溶液的穩定性能降低，且能容易形成具有差外形的無電鍍膜。將添加到無電鍍溶液中的復合劑的實施例包括乙內酰脲類、有機羧酸類、和有機氨基羧酸類。乙內酰脲類的具體實施例包括乙內酰脲、1甲基乙內酰脲、1，3二甲基乙內酰脲、5,5二甲基乙內酰脲和尿囊素。有機羧酸類的具體實施例包括檸檬酸、酒石酸、琥珀酸和丙二酸、有機氨基羧酸類的具體實施例包括乙烯二氨基四醋酸、1，3-丙烷二氨基四醋酸、NTA、乙烯二氨基二琥珀酸、亞氨基二醋酸及其任一種鹽。單獨或者其兩種或多種組合使用絡合劑。混合到無電鍍溶液中的復合劑量在約2至約50g/L的范圍內，優選在約10至約40g/L的范圍內。少于2g/L的所混合復合劑的量不是優選的，由于這種量能提供不足的負荷能量以及由此不足的銅溶度。多于50g/L的所混合復合劑的量不是優選的，這是由于這種量盡管能提高銅溶度，但是在經濟上是不利的，且會使廢水處理復雜化。還原劑實施例包括有機乙醛如福爾馬林或者乙醛酸、糖、還原酚如對苯二酚、次磷酸、氫硼化物和二胺硼烷。考慮到電鍍速度，福爾馬林和氫硼化物是優選的，這是由于其高還原能力。當具有相對低還原能力的糖用作還原劑時，具有相對低復合能力的乙內酰脲可用作復合劑。對于無電鍍溶液必須進一步含有堿性金屬氫氧化物。考慮到容易獲得和成本，堿性金屬氫氧化物優選是氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鋰。堿性金屬氫氧化物可單獨使用或者可根據需要多種組合使用。將混合到溶液中的堿性金屬氨氧化物的量在約10至約80g/L的范圍內，優選在約30至約50g/L的范圍內。低于10g/L的堿性金屬氫氧化物量不是優選的，這是由于具有這種量，電鍍金屬膜的形成是不足的，從而使得在低電流密度范圍內下一步驟中的電鍍沉積性能差。高于802g/L的堿性金屬氫氧化物量不是優選的，這是由于具有這種量，銅溶度會隨著濃度增加而降低，這會導致電鍍溶液穩定性差。當制備無電鍍溶液時，上述各成分的組合和混合比率優選在上述范圍內適當調整，以使電鍍槽的pH在10.0至14.0的范圍內，優選在11.5至13.5的范圍內。如果必要的話，無電鍍溶液可進一步含有穩定劑如亞鐵氰化鉀、氰鹽、吡啶化合物、單寧酸或若丹寧。僅添加少量(幾ml/1)的這些化合物中的任一種能保持良好穩定性。在具有無電鍍溶液的處理工藝中，溶液溫度處于約20至約7(TC的范圍內，優選在約35至約50'C的范圍內，和該材料可被進入到電鍍溶液中達約30秒至約120分鐘，優選達約10至約60分鐘。低于20'C的電鍍溶液溫度不是優選的，這是由于在這種溫度下，無電鍍膜形成是不足的。高于70'C的電鍍溶液溫度不是優選的，這是由于電鍍溶液的穩定性在這種溫度下會降低。電鍍溶液中小于30秒的浸入時間不是優選的，這是由于在這種時間下，形成無電鍍膜是不足的。多于120分鐘的浸入時間不是優選的，這是由于在這種時間下，不能發現超出最佳范圍的效果且會降低產量。表面電荷改進劑在本發明中使用的表面電荷改進劑可以是任一種化合物，只要其能夠被吸收到源材料表面并能夠抑制金屬離子至原材料中的吸收即可。優選使用具有(i)對基板有親和力的基團和其分子中具有離子離去基團(分解基團)的有機化合物。在此，(i)與基板具有親合力的基團包括疏水性或親水性官能團。其優選實施例包括具有四個或更多碳原子的垸基、具有6個或更多碳原子的芳基和具有3個或更多個碳原子的氟化垸基。(ii)離子離去基團的優選實施例包括羥基、氨基、胺基和增效劑基團。在其分子中具有這些官能團的有機化合物優選是作為表面電荷改進劑的化合物。例如，當使用具有胺基的有機化合物時，選擇性地將其吸收到基板表面上，以使該表面帶正電荷。這種情況下，基板的表面電勢優選在+0.1111￥至+500mV的范圍內，更優選在一l.OmV至十100mV的范圍內。具有這種帶正電荷表面的區域能防止電鍍槽中金屬離子(如Cu2+)的沉積，并由此金屬離子僅選擇性地沉積在具有貼附到圖形化接枝聚合物的電鍍催化劑(或者前體)的區域上。考慮到能形成精細圖形，該工藝優選在薄金屬膜無需無電鍍槽通過使用表面電荷改進形成于接枝圖形上之后進行，用于防止不希望的表面電荷改進劑吸收到一部分親水性基團如羥基中，其不反應且留在接枝鏈中。用在本發明中的表面電荷改進劑優選是低分子或高分子的有機胺化合物。低分子有機胺化合物的優選實施例包括由以下分子式(C-1)表示的化合物。分子式(C-l)一在分子式(C-1)中，1^至114每一個都單獨表示單價有機基團，并優選表示垸基，其可具有取代基或具有取代基的芳基。其實施例包括具有1至20碳原子的烷基如甲基、乙烷基或丁基，和芳基如烷基如苯基、萘基或具有苯基作為取代基的苯甲基。X-表示計數陰離子，和其具體實施例包括CH3S04'、C2H5S04、Cl、Br、H2P04、CH3COO、CH3S03，N03。微分子有機胺化合物的優選實施例包括通過共聚具有四個銨鹽基團的單體、具有乙二醇鏈的單體和具有包括四個或更多個碳原子的碳氫化合物的單體而制造的共聚物；和通過共聚具有氨基的單體、具有乙二醇鏈的單體和具有含有四個或更多碳原子的碳氫化合物并占據獲得共聚物四分之一的單體制造的共聚物。具有四中銨基團的任何可聚化單體根據本發明都可用作具有四個銨鹽基團的單體，用于形成共聚物(為分子有機胺化合物)。其實施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與以下分子式(C-2)中R4的那些相似)。尤其，優選(甲基)丙烯酸酯或具有四個銨鹽基團的丙烯酰胺，具有四個銨鹽基團的(甲基)丙烯酸酯的實施例包括由以下的分子式(C-2)表示的化合物。單體的實施例還包括甜菜堿型化合物如使用溴乙烯或氯代醋酸鈉通過占據二甲基胺乙酸乙烯酸酯四分之一來制造的單體。分子式(C-2)在分子式(C-2)中，R1表示氫原子或-CH3;112和W中的每一個都單獨表示氫原子、具有l至4個碳原子的垸基或者具有l至4個碳原子的羥垸基；W表示l至20個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的羥烷基或者具有1至10個碳原子的芳烷基；A表示具有l至IO個碳原子的烷撐或氧烷撐基團或者具有l至IO個碳原子的聚氧烷撐基團；和X'表示計數陰離子。在此，由X'表示的技術陰離子具有與分子式(C-l)中相同的含義，且其優選實施例也是相同的。在其分子中具有乙二醇鏈的任何可共聚化合物都可用作具有具有乙二醇鏈的單體，用于根據本發明形成有機胺化合物。其實施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個在其分子中都具有乙二醇鏈。尤其，優選實施例包括(甲基)丙烯酸酯，其具有乙二醇鏈。具有乙二醇鏈的(甲基)丙烯酸酯的實施例包括由分子式(C-3)表示的(聚)乙二醇單(甲基)丙烯酸酯。分子式(C-3)CH2=C(R5)COO(C2H40)nR6在分子式(C-3)中，n表示從l至50的整數，優選為4至20;RS表示氫原子或-CH3:和R6表示氫原子、-0113或-€:2115。含有二乙醇單鏈的單體的實施例包括市場上可獲得的產品如通過NipponOil&Fats有限公司制造的AE-350(商標名n:6至8)。具有在其分子中含有四個或更多碳原子的烴結構的任一種可共聚單體都可用于具有含有四個或更多個碳原子的烴的單體，用于形成有機胺化合物。其實施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個都具有烴。尤其，優選的實施例包括具有烴的(甲基)丙烯酸酯。烴可具有任一種結構，如飽和的、不飽和的線性的、分枝的或者環形的結構。烴優選是具有4個或更多個碳原子、優選具有4至30個碳原子、更優選具有6至22個碳原子的線性烴。本發明中，具有含有4或更多個碳原子的烴的單體的優選實施例包括由(甲基)丙烯酸和具有4個或更多個碳原子、有具有4至30個碳原子和更優選具有6至22個碳原子的線性脂肪醇形成的烷基醚。可使用具有氨基的任何可共聚單體，只要其具有氨基并且能被共聚即可。其實施例包括(甲基)丙烯酸酯、丙烯酰胺、烯丙醚、乙烯醚、乙烯酯和苯乙烯和被替代的苯乙烯(其取代基與分子式(C-2)中W的那些相似)，其每一個都具有氨基。其特別優選的實施例包括(甲基)丙烯酸酯和丙烯酰胺，其每一個都具有氨基。其實施例進一步包括具有環形結構的化合物，其具體實施例包括丙烯嗎啉。具有氨基的單體的具體實施例包括二甲基胺乙酸(甲基)丙烯酸酯、二甲基胺丙基丙烯酸酯、二甲基丙烯酰胺、丙烯嗎啉、異丙基丙烯酰胺和二乙基丙烯酰胺。根據本發明，在制備有機胺化合物中使用的單體、即具有四個銨鹽基團的單體、具有乙二醇鏈的單體、具有含有四個或更多個碳原子的烴的單體和具有氨基的單體可單獨使用或者可兩個或多個組合使用，用于形成共聚物。用在本發明中的被添加到無電鍍溶液中的表面電荷改進劑量優選被調整，以使無電鍍槽中的表面電荷改進劑的濃度被設置在lxl0"至lxl0"mo1/1的范圍內，更優選地設置在5x10"至2xl(T2mol/l的范圍內。在溶液中表面電荷改進劑的濃度應被以如下方式調整，這是由于如果該濃度過低，則將不能足以獲得控制電鍍膜生長的功能，從而使得厚度方向上金屬膜生長抑制效果傾向于被降低，并且由于如果該濃度過高的話，則會發生改進劑向電鍍催化劑中的吸收，以使電鍍速度或者電鍍金屬的沉積傾向于降低，并由此兩種情況都是不優選的。本發明中，可進行通常公知的無電鍍工藝同時其進一步包括將表面電荷改進劑添加到電鍍槽中。雖然獲得的金屬膜的厚度能通過電鍍槽中金屬鹽或金屬離子的濃度、進入到電鍍槽中的時間長度、電鍍槽的溫度等來控制，但是，考慮到導電性，其優選為0.5pm或更多，更優選是3nm或更多。進入到電鍍槽中的浸入時間長度優選在約1分鐘至約3小時的范圍內，更優選在約l分鐘至約l小時的范圍內。在常規方法中，在電鍍槽中超出的浸入時間或者電鍍槽金屬離子濃度的增加附加地促進了在圖形寬度的所需方向上金屬膜的生長，以使其難以形成所需的非常精細的金屬圖形。相比較，根據本發明的方法，金屬膜在厚度方向上選擇性地生長，以獲得具有足夠厚度的金屬膜，而不限制相關的工藝，并且能非常容易地形成具有足夠厚度的非常精細的金屬圖形。電鍍催化抑制劑在根據本發明的無電鍍中使用的電鍍催化抑制劑的實施例包括金屬離子、無機陰離子、在其分子中具有與電鍍金屬#親和力的基團的有機化合物和在其分子中具有對于電鍍金屬有親合力的基團和離子離去基團的有機化合物。在本發明中使用的用作電鍍催化抑制劑的金屬離子的實施例包括從Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti中任一種離子中選擇的金屬離子。優選金屬離子根據在無電鍍中使用的金屬種類適當選擇。當將銅、銀或金用作電鍍金屬時，優選使用Pb、Sn、Sb或Bi的金屬離子。用作電鍍催化抑制劑的無機陰離子的實施例包括碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子，和特別優選碘陰離子。在其分子中具有與電鍍金屬具有親和力的基團的有機化合物的實施例包括具有與電鍍金屬有親和力的官能團和選自烷基、芳基和環基的取代物的有機化合物，如以下所列出的。與電鍍金屬具有親合力的基團的實施例包括羧基、羰基、氨基、硫基和三羰基。官能團的優選實施例取決于電鍍金屬的種類。當電鍍金屬是良好導體如銅、銀或金時，優選硫基或三羰基。具有硫基或三羰基、用作電鍍催化抑制劑的含有硫的有機化合物實施例包括硫醇化合物、由于互變現象可轉換成硫醇化合物的化合物、二硫化物、硫代酰胺和硫脲類。硫醇化合物的實施例包括硫氰尿酸、2-巰基噻唑啉、2-巰基吡啶、2-巰基苯并噻唑和2-巰基四唑。可通過互變現象轉換成硫醇化合物的哈包括2-硫代巴比妥酸、2-咪唑烯硫酮、1-苯基-2-四下咔唑-5-硫酮和2-硫脲嘧啶。二硫化物的實施例包括二苯并噻唑基二硫化物和四甲基二烴氨基硫羰二硫化物。硫代酰胺的實施例包括N-三元醇-丁基-2-苯并噻唑基亞磺酰胺。硫脲類的實施例包括硫脲、甲基硫脲和辛基硫脲。在其分子中具有與電鍍金屬有親和力的用作電鍍催化抑制劑的有機化合物在其分子中進一步具有原子取代物。在此，原子取代物包括羧基、氨基、胺基、增效劑基團等。具有與電鍍金屬有親合力的基團和在其分子中具有離子離去基團的有機化合物的實施例包括2-(3-羧基-苯基)-5-巰基四唑、2-(3-增效劑-苯基)-5-巰基四唑、thiosalycilicacid、2-(3-(2-氨乙酸)-苯基)-5-巰基四唑、鈉-2-巰基苯并噻唑-5-磺酸鹽和鈉2-(2-巰基苯并噻唑基)乙垸磺酸鹽。調整添加到無電鍍溶液中用于本發明中的電鍍催化抑制劑的量，以使無電鍍溶液中電鍍催化抑制劑的濃度被設置在lxl(T10至lxl(T5mol/l的范圍內，更優選在lxlO-7至5xl(T6mol/l的范圍內。在溶液中電鍍催化抑制劑的濃度應當如上所述地調整，這是由于如果該濃度過低的話，控制電鍍膜生長的功能就不足，從而在寬度方向上金屬膜生長的抑制效果傾向于降低，并且由于如果該濃度過高的話，則無電鍍本身將被限制，以使電鍍速度或電鍍金屬的沉積速度將傾向于降低，并由此，不優選這兩種情況。以其溶液的形式將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液中。電鍍催化抑制劑可被初步地添加到無電鍍溶液中，以提供具體濃度，或者當在開始無電鍍之后經過一定周期時一次性添加。作為公知的是，當不添加電鍍催化抑制劑時，在電鍍初始階段電鍍速度(或者電鍍金屬的沉積速度)通常都低，和之后隨著電鍍進行而增加。由此，包括以不添加有效濃度催化抑制劑的電鍍開始并之后當開始無電錯之后過去一定周期時添加用作催化抑制劑的化合物以提供在上述范圍中的濃度的后一工藝優選是包括將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍槽中以形成具有上述范圍內的濃度的無電鍍溶液的工藝模式。本發明中，除了其進一步包括添加電鍍催化抑制劑至電鍍槽之外，進行通常公知的無電鍍。雖然獲得金屬膜的厚度能通過電鍍槽中金屬鹽或金屬離子的濃度、在電鍍槽中的浸入時間或者電鍍槽的溫度來控制，但是，考慮到導電性，優選0.5pm或更多，優選3nm或更多。在含有電鍍催化抑制劑的電鍍槽中浸入的時間長度優選在約1分鐘至約3小時的范圍內，更加優選在約1分鐘至約1小時的范圍內。在常規方法中，電鍍槽中延長的浸入時間長度或者電鍍槽金屬離子濃度的增加會進一步促進圖形寬度不希望方向上金屬膜的生長，以使其難以形成所需的非常精細的金屬圖形。然而，根據本發明的方法，金屬膜在厚度方向上選擇性地生長，以獲得具有足夠厚度的金屬膜，而不限制相關工藝，并且能容易地形成具有足夠厚度的非常精細的金屬圖形。在這種金屬膜的優選模式中，滿足關系(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形層線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度。由尤其在厚度方向上的金屬膜生長和在寬度方向上受抑制的金屬膜生長導致的這種圖形化金屬膜能優選用于引線電路等，如下所述。以下給出詳細描述，用于說明包括通過使用表面電荷改進劑處理基板隨后無電鍍本發明第一方面中使用的基板的工藝。工藝(C-2):用含有表面電荷改進劑的槽處理聚合物層承載基板在該實施例中，在含有表面電荷改進劑的溶液中，在沉積無電鍍催化劑或其前體于聚合物層(b)之上后浸入具有沉積在圖形化接枝聚合物層上的無電鍍催化劑(或前體)的材料，其形成于獲得的基板表面上，以使表面電荷改進劑選擇性地吸收到不具有聚合物層的基板的一部分表面上。用于該實施例中的表面電荷改進劑與工藝(C-l)中使用的相似。具體地，表面改進劑溶解在蒸鎦過的水溶性有機溶劑如乙醇中，以便形成表面電荷改進溶液。這種情況下，優選調整添加到槽中的表面電荷改進劑溶液的量，以使槽中表面電荷改進劑濃度被設置在lxl(T6至lxlO"mo1/1，更優選為5xl(T4至2xl(T2mol/l。該處理中，槽溶液的溫度優選在約5至約60'C的范圍內，和浸入時間優選在20秒至IO分鐘的范圍內。在浸入之后，進行用水沖洗或者任意其他工藝以去除多余量的表面電荷改進溶液。處理(c-3):對表面電荷改進處理基板進行無電鍍用具有表面電荷改進劑的槽處理聚合物層承載基板的工藝(c-2)之后是無電鍍。該工藝與工藝(c-l)相似，并使用相似的處理條件如浸入時間的時間長度，除了在此使用的電鍍槽不含有表面電荷改進劑。而且，以下給出詳細描述，用于說明包括進行無電鍍同時將電鍍催化抑制劑添加到能用在本發明第二方面中的無電鍍溶液中的工藝。工藝(c-3'):對聚合物層承載基板進行含有1"0'1()至lxl0"mo1/1電鍍催化抑制劑的無電鍍該實施例中，沉積無電鍍催化劑或其前體于聚合物層(b)上之后是這樣一個工藝，其不將電鍍催化抑制劑添加到電鍍溶液中，同時對具有無電鍍催化劑(或前體)沉積在形成于獲得的基板表面上的圖形化接枝聚合物層上的材料進行無電鍍；和進行無電鍍，同時保持在電鍍槽中的電鍍催化抑制劑的濃度在lxl(T1()至Ixl0'4mol/1的范圍內。該工藝與工藝(c-l)相似，并使用相似的處理條件如浸入時間的時間長度，除了要控制電鍍槽中電鍍催化抑制劑的濃度。與工藝(c-l)相似的是，無電鍍溶液中電鍍催化抑制劑的濃度應當在lxl(T1Q至lxl(T5mol/l的范圍內，和更加優選在lxl(T7至5xl(T6mol/l。添加電鍍催化抑制劑能通過將催化抑制劑溶液添加到無電鍍溶液中來進行。催化抑制劑溶液可在無電鍍開始之后過去一定周期時一次添加，或者以預定量的矩形時間間隔添加，或者使用泵等持續和逐漸添加。考慮到增加濃度控制的精確性，無電鍍工藝優選包括設置能夠實時地監控電鍍溶液中電鍍催化抑制劑濃度的檢測器、并將來自檢測器的信號發送到催化抑制劑供給泵、以控制電鍍溶液中催化抑制劑濃度至所需等級、同時進行無電鍍。該實施例中，該方法優選包括在開始無電鍍時保持電鍍催化抑制劑濃度低于預定范圍，或者在無電鍍開始時不添加電鍍催化抑制劑并之后在開始電鍍之后添加電鍍催化抑制劑以將濃度控制在上述范圍內。在通過工藝(c-l)形成金屬圖形之后，工藝(c-2)和(c-3)的組合、工藝(c-r)或工藝(c-2')形成金屬圖形之后，根據增加粘附性的觀點，優選對所獲得的金屬圖形進行干燥工藝。干燥工藝使用任一種手段如自然干燥、熱干燥、降壓干燥和空氣干燥。這些當中，考慮到防止由于干燥工藝導致的聚合物層變劣，干燥工藝優選在常溫下或附近進行。更具體地，優選使用具有聚合物層的材料和保存在常溫氣氛下的金屬膜的自然干燥、在常溫降壓下的干燥和常溫下的空氣干燥。為了在不加熱的情況下盡可能地去除包含在聚合物層中的水，進行這些工藝達一個或更多個小時，優選24小時或更多。干燥條件能考慮所需的粘附性適當地選擇。具體地，例如，干燥方法包括這樣以下方法，用于在約25'C的溫度下保存具有聚合物層和金屬膜的材料達約l至3天、約l至3個星期或者約l至3個月的方法，和用于將其保存在降壓下達約l至3天或約l至3個星期的方法。盡管其中干燥處理能改善粘附性的動作不足夠清楚，但是，假設充分的干燥能防止會使粘附性變差的水聚集到導電圖形材料中，并且能減少由于水導致的粘附性隨著時間的變劣。由此獲得的金屬圖形的金屬膜部分截面的SEM觀測顯示出存在輕擴散于表面接枝層中的無電鍍催化劑和電鍍金屬的大量精細顆粒和沉積于其上的相對較大顆粒的附加層。由于界面是接枝聚合物和精細顆粒的混合狀態，因此即使當優選實施例的基板(有機成分)和無機物質(無電鍍催化劑和電鍍金屬)之間的界面表面處的不均勻度為500nm或更少，粘附性也較好。以下將詳細描述精細顆粒如無電鍍催化劑和通過無電鍍沉積在表面接枝聚合物層中沉積的金屬的狀態。構成無電鍍催化劑和/或通過無電鍍沉積的金屬的顆粒以高密度從聚合物層和金屬膜之間的界面向著基板被分散在聚合物層中(接枝聚合物層)。根據金屬膜施加粘附效果的觀點，優選25體積％或更多、更優選為30體積％、再優選為40體積％或更多、優選為50體積％或更多精細顆粒存在與界面附近。精細顆粒以高密度存在于聚合物層中的區域在優選0.05pm或更多、更優選0.1nm或更多、再優選0.2pm或更多、最優選0.3nm或更多的范圍內從聚合物層和金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸。電鍍根據本發明的金屬圖形形成方法可具有用于在上述工藝之后通過使用金屬膜作為電極的電鍍的附加工藝。其可以基于在與基板的粘附性優良的金屬圖形容易地制備具有所需厚度的新的附加金屬膜。增加該工藝擴展了圖形化金屬膜的厚度至所需值，由此其利于將根據本發明的金屬圖形施加到包括引線圖形化的各種應用。常規的公知方法可用作本發明中的電鍍工藝。用在該工藝中電鍍中的金屬包括銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，且優選銅、金和銀，且根據導電性的觀點更優選銅。在電鍍之后獲得的金屬膜厚度根據應用而變化，并且能夠通過調整電鍍溶液中含有的金屬濃度、浸入時間長度、電流密度等來控制。根據導電性的觀點，用于電引線等的一般金屬膜的厚度優選為0.5jim或更多，且更優選為3pm或更多。金屬圖形根據本發明的金屬圖形特征在于具有局部形成于基板上的金屬膜，其中基板具有500nm或更少、優選為100nm或更少的表面不均勻度，和在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多。即，該金屬圖形特征在于具有光滑基板表面和在基板和金屬膜之間具有優良粘附性。更具體地，根據本發明的金屬圖形是局部提供有金屬膜的金屬圖形，該金屬膜通過在具有表面的基板上提供圖形形式的具有與能化學鍵合到基板的無電鍍催化劑或其前體反應的官能團的聚合物、將無電鍍催化劑或其前體施加到圖形上和之后無電鍍獲得的圖形而形成，其中基板具有500nm或各個內銷的不均勻度，優選為100nm或更小，和在基板和金屬之間的粘附性為0.2kN/m或更多。這種金屬圖形可與金屬圖形形成工藝相似地制備，除了其還包括從對于金屬圖形形成方法所描述的基板當中選擇具有表面不均勻度為500nm或更少的基板作為基板。表面不均勻度是通過在垂直于基板表面的方向上切割基板或由此形成的金屬圖形并通過SEM觀測其截面確定的值。更具體地，關于如根據常規公知方法確定的表面不均勻度(Rz)，在最高峰值的Z數據的平均值和特定表面上最深至第五深底部的平均值之間的差值應當為500nm或更小。在基板和金屬膜之間的粘附值通過手段來確定，使用環氧樹脂基粘附劑(商標名ARALDITE,由Ciba-GeigyCorp.制造)將銅板(厚度O.lmm)粘附到金屬圖形表面(寬度5mm),在140'C下測試樣品達4小時，且之后根據用于引線圖形板銅疊層板的常規公知的測試方法(IEC60429-1(1982))進行90度剝離測試，或者直接去除金屬圖形的外圍部分并之后進行根據用于銅疊層板的常規公知測試方法進行90度剝離測試。通過普通的金屬圖形，可以通過使得基板和金屬之間的界面不均勻度為500nm或更少來獲得在高頻特性方面優良的金屬圖形。然而，常規金屬圖形的基板表面不均勻度的降低通常伴隨著基板和金屬膜之間粘附性的降低。因此，常規金屬圖形的界面不均勻度通常為1000nm或更多。相反，由于基板界面處于通過組合金屬膜的金屬成分和直接鍵合到基板的接枝聚合物的.組合形成的混合狀態，因此根據本發明的金屬圖形在電鍍金屬層和聚合物層(有機層)的電鍍催化劑(無機成分)之間的界面中具有小的不均勻度，并且通常具有卓越的粘附性。根據本發明的金屬圖形特征在于選擇具有500nm或更小表面不均勻度的基板。表面不均勻度優選為300nm或更小，再優選為100nm或更小，且尤其優選為50nm或更小。表面不均勻度的下限不特別限制；然而，根據便于制造和其他方面的實際問題，認為其為約5nm。如果根據本發明的金屬圖形用于金屬引線，則較小表面不均勻度優選引起用于引線的金屬和有機材料之間的界面不均勻度的降低，且由此導致在高頻電傳輸期間較小的電功耗。如果表示為通過上述常規公知方法之后的方法測量的10個點平均的不均勻度(Rz)，則優選在500nm或更少、優選為300nm或更少、再優選在100nm或更少、和特別優選在50nm或更少的范圍內選擇基板表面不均勻度。固有地具有平滑表面的基板如樹脂基板可用作基板，和即使使用了表面不均勻度較高的基板，也可以通過提供中間層控制表面不均勻度在優選范圍內。而且，根據本發明的金屬圖形特征在于具在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多、優選為0.3kN/m或更多。對于粘附性的值沒有特別的最大限制；然而，其一般同意的范圍為約0.2至2.0kN/m。在常規金屬圖形中，在基板和金屬膜之間的粘附性通常在約0.2至3.0kN/m的范圍內。考慮到上述事實，可以理解，根據本發明的金屬圖形具有實際上足夠的粘附性。如上所述，根據本發明的金屬圖形將界面中基板表面的不均勻度降低到最大程度，同時保持了基板和金屬膜之間的粘附性。獲得的非常精細的具有足夠厚度的金屬圖形是通過簡化成本工藝制造的產品，且其提供了其上形成有金屬和基板之間改善了的粘附性的金屬電路的基板。由此，該基板提供了有效導電的引線基板，其可用于各種類型的印刷引線板、TFT引線電路、撓性開關、電池電極、太陽能電池、傳感器、集成電路和電動機外外殼。印刷引線板本發明的印刷引線板能通過根據本發明在基板上形成金屬圖形的導電層(引線)來制造。關于基板不特別限制，且其實施例包括公知的疊層如玻璃布和環氧樹脂的疊層、紙和苯酚樹脂的疊層、紙和環氧樹脂的疊層、玻璃布、玻璃紙和環氧樹脂的疊層。其實施例進一步包括雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂浸漬基板(BT基板)和使用聚酰亞胺膜作為原材料的聚酰亞胺膜基板。為了形成電路層，根據本發明在基板上形成有接枝聚合物的導電層(金屬圖形)可用在與所需的任何公知方法的組合中。制造引線板的公知方法的實施例包括相減法和相加法，相減法包括使用銅-覆層疊層(銅箔和絕緣基板的疊層)和通過蝕刻去除銅箔的不必要部分，相加法包括在絕緣基板的必要部分上通過無電鍍形成電路。在其兩個表面上都具有銅箔的銅覆層疊層的兩側也可用于在絕緣基板的兩側上形成電路層。當引線板(多層印刷引線板)通過建造形成于絕緣材料層上的電路基板時，絕緣材料層被疊置于電路基板上。如果需要的話，則用在接枝聚合物層的形成中的底層可形成于絕緣材料層上。如果必要的話，則電路層的表面可以被表面處理，以便具有適合于粘附的狀態。用于表面處理的技術的實施例包括、但不限于公知的方法如包括在電路層表面上通過次氯酸鈉的水性堿溶液形成氧化銅的針狀晶體和通過將針狀晶體浸入到二甲基胺硼垸的水溶液中來減少所形成的氧化銅針狀晶體。電路基板和絕緣材料層的疊層可通過包括設置與絕緣材料層或在絕緣材料層上形成的另一電路基板相對的電路基板和進行加熱和/或加壓以將其疊層的方法形成。該疊層工藝可使用液壓加壓或任何其他技術如真空加壓或真空疊置。尤其，真空加壓和真空疊層優選使用，這是由于在疊層期間其能防止在疊層中混入空氣并且能提供將內部電路嵌入到所疊置的層中的高性能。絕緣材料層可通過以下任一種方法形成，其實施例包括這樣的方法，該方法包括將絕緣樹脂組合物的清漆涂敷到支撐體上，干燥清漆以形成被支撐的絕緣膜，和將其疊置到電路板上以形成絕緣材料層。當將清漆涂敷到電路板上時，可使用任一種一般涂敷方法，如橫桿涂敷、旋涂和絲網印刷。當將清漆涂敷到支撐體上時，可根據絕緣材料層的厚度適當地使用逗號涂料器、橫桿涂料器、接觸涂料器、圓輥涂料器等。在所有情況下，可使用涂敷等之后的任何涂敷厚度、任何干燥條件，同時通過干燥優選揮發掉80重量％或更多的清漆溶劑。將清漆涂敷至其的支撐體的實施例包括塑料膜如PET膜和金屬箔。在固化清漆之后可分離并去除支撐體。這種情況下，釋放塑料膜等優選用作支撐體。用作基板的金屬箔如銅箔可連續地用于第二電路層而不需剝離。所支撐絕緣膜的絕緣樹脂組合物層與電路板的電路層相對，并且使用疊置方法或施壓裝置疊置有電路板。如果需要的話，則優選通過熱固化絕緣樹脂組合物層。第二導電圖形(第二電路)形成于絕緣材料層上，以制造多層引線板。該工藝優選使用形成有根據本發明的接枝聚合物的導電層。在這種情況下，用于在絕緣材料層中形成孔的工藝可在形成接枝圖形之前進行。任一種方法如激光方法或噴砂方法都可用于形成通孔。可通過使得導電材料粘附至其或者通過無電鍍同時將導電材料層形成于圖形上并且形成于通孔中，一些情況下，通孔的內表面優選在這種進行電鍍以賦予導電性的工藝之前根據需要被稍微粗化。用于粗化的溶液實施例包括氧化的粗化溶液如鉻/硫酸粗化溶液、堿性高錳酸鹽粗化溶液、鈉的氟/鉻/硫酸粗化溶液或者氟硼酸粗化溶液。例如，表面粗化處理包括將基板浸入二亞乙基乙二醇單丁基酯和NaOH的水性溶液中達1分鐘，將其加熱到70'C并用作膨脹溶液；將基板浸入KMnO和NaOH的水性溶液中達2分鐘，將其加熱到80'C并用作粗化溶液；和隨后在室溫下將基板浸入到中性溶液如二氯亞錫(SnCl2)的水性次氯酸鹽溶液中達5分鐘以中和。粗化工藝之后是沉積電鍍催化劑(鈀)，其能通過將基板浸入到鈀氯基電鍍催化溶液中來進行。之后將基板浸入到無電鍍溶液中，以將厚度為0.3至1.5pm的無電鍍層(導體層)沉積在接枝圖形(和如果在該工藝之前形成通孔的話也在通孔內部表面)上。如果需要的話，進行進一步的電鍍，以獲得所需厚度。任一種常規公知的無電鍍溶液都可用在無電鍍中，而不特別限制。任何一種公知的常規公罪技術也都可用在電鍍中而不特別限制。在這些電鍍工藝中，銅電鍍是優選使用的。制造工藝提供了第二導電圖形，和根據本發明的金屬圖形形成方法，能形成具有足夠厚度的非常精細的金屬電路圖形。由此，可通過本發明形成具有高質量并形狀不會變差的電路。隨后，可制造具有三層或更多層的多層引線板。在這種情況下，另一種第二絕緣材料層可形成于第二導電圖形上，且可重復相同工藝以提供具有三層引線層的多層引線板，且之后如果需要的話，以相同方式形成具有更多引線層的引線板。使用通過本發明的金屬圖形形成方法形成的導電層制造印刷引線板的方法特征在于當形成電路時容易保證絕緣特性。在常規的半加性方法中，對絕緣基板的整個表面進行銅的無電鍍或者銅的無電鍍催化劑的沉積，以使金屬能容易地保持并引起獲得的引線板上引線之間絕緣的降低。相反，根據本發明的形成方法，銅的無電鍍或者銅的無電鍍催化劑的沉積不施加(粘附)到絕緣基板的整個表面上，而僅施加(粘附)到引線所必需的圖形上，以使其中銅的無電鍍或催化劑保留在除了圖形之外的部分上且將成為絕緣部分的上述問題不會發生。由此，制造根據本發明的引線板的方法能形成與基板具有良好粘著、足夠導電性和良好絕緣特性的高密度電路(引線)。薄膜晶體管本發明中的薄膜晶體管(TFT)通過以下工藝形成，該工藝包括通過本發明的圖形形成方法形成導電層(用作柵極)和之后在柵極上形成柵絕緣膜、半導體膜和源漏極。TFT中金屬層(導電層)的柵電極由金屬膜構成，其通過電鍍方法在形成于玻璃基板上的圖形化的接枝聚合物上形成。導電層優選由銅金屬形成，且其片電阻優選為約O.lD/平方。柵絕緣SiNx膜通過CVD形成于柵電極上。用作溝道層的a-Si膜、用作接觸層的n+型a-Si膜、Al源極、漏極、像素ITO電極和絕緣保護SiNx膜進一步形成于其上。具有通過本發明的方法形成的柵極的TFT器件可具有反向的交錯結構(底部柵極結構)，或者根據本發明的柵極可用于形成具有交錯結構(頂部柵極結構)的TFT。根據本發明以所需圖形形成的該導電層不僅可用于形成TFT，而且可用于形成任何其他非線性器件如雙端二極管。通過如上所述的本發明的金屬圖形形成方法獲得的柵極或金屬引線可被用于平板顯示器如液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)、等離子體顯示器(PDP)、電鉻顯示器(ECD)或者電致發光顯示器(ELD)，以便于容易地形成與基板具有良好粘附性和所需精確度的電極或引線，和對于所有情況，本發明都使用導電層有效地工作，以實現降低TFT尺寸或者提高TFT性能或者降低液晶顯示器引線電阻的目的。在需要形成用于形成電極或引線的濕膜處理代替干膜處理時、和需要放大顯示面積時，本發明所述的TFT引線電路是非常有用的。結合了本發明所述的TFT引線電路的有源矩陣型顯示器不只可用于平板顯示器，還能用于平板型圖像傳感器，并優選用于各種類型的液晶顯示器。實施例以下，將參考實施例詳細描述本發明，但是應當理解，本發明不限于這些實施例。與利用表面電荷改進劑相關的實施例和比較例為為基板作準備的實施例1-1至1-4。具有以下通式的下述合成物通過使用桿No.18的涂敷橫桿被涂敷到用作原材料的聚亞酰胺膜的表面上(KAPTON,由DuPont-Toray制造)，并且在80'C下干燥2分鐘以便提供具有6nm厚度的中間層。由此獲得具有中間層的原材料之后，通過使用400W的高壓水銀燈(商標名UVL-400P，由RikoKagakuSangyo制造)光照射達10分鐘預固化，以便制備在實施例1-1中使用的基板A。如通過根據上述常規公知方法在40nmx40nm范圍內測量表面和通過使用NANOPICS1000(商標名，通過SeikoInstrumentsInc.制造)所確定的原材料、聚酰亞胺膜的Rz為15nm。當具有中間層形成于聚酰亞胺膜上的基板A的表面也以相同方式被測量時，Rz為10nm，表示在實施例中使用的基板A的表面不均勻度在本發明的優選范圍內。中間層涂敷溶液烯丙基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯的共聚物(共聚體積摩爾比率80/20，分均分子重量s100000)2g乙烯基氧化物改進的雙酚A二丙烯酸酯4g1-羥基環已基苯基酮1.6gl-甲氧基-2-丙醇16g制備圖形形成材料預固化基板A被浸入到含有丙烯酸(IO質量)和高碘酸鈉(NaI04，0.01質量)的水溶液中，并通過使用上述的400W的高壓水銀燈將其暴露到氬氣氛下的光達30分鐘。在光照射之后，用離子交換水完全沖洗所獲得的膜，以提供具有包含可光學變劣官能團的聚合物的圖形形成層的圖形形成材料A。接枝圖形的形成所獲得的圖形形成材料是通過以20mJ/cm2的能量發射具有400nm波長的藍束激光(束直徑lpm)成影像曝光，以便提供接枝圖形材料l-A。如以與聚酰亞胺膜原材料相似的方式在基板A上具有接枝層的接枝圖形材料l-A的圖形化區域的Rz是15nm，表示實施例1-1的接枝圖形材料卜A的表面不均勻度在本發明的優選范圍內。金屬圖形的形成將接枝圖形材料l-A被浸入到1質量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)7K溶液中達1小時，和之后用蒸餾水清洗。隨后，對接枝圖像材料l-A進行具有以下通式的無電鍍達20分鐘，以便提供金屬圖形Al-l至Al-4。無電鍍槽的成分OPC銅HTl(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)6mLOPC銅HT2(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)1.2mLOPC銅HT3(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)10mL表面電荷改變劑(表l中示出的化合物)量表l中描述<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>表1比較例1-1金屬圖形Al-5以與實施例1-1相同的方式制備，除了表面電荷改進劑不被添加到在實施例1-1至1-4中使用的無電鍍槽中。實施例1-5至1-8用#6的橫桿將丙烯酸施加到以與實施例1-1相似的方式制備的基板A的表面上，和被涂表面疊層有具有25pm厚度的PET膜。而且，在具有5nm線長和25jim間隙寬度的圖形和lOnm線長和20pm間隙寬度的圖形的絡沉積掩模圖形被設置于其上之后，基板A根據上述情況暴露于UV光(400W高壓水銀燈UVL-400P，由PikoKagakuSangyoCo.,制造，照射周期30秒)。在光照射之后，去除掩模和疊置膜，和用水沖洗基板以便提供具有以圖形形式接枝的聚丙烯酸的接枝圖形材料l-B。如與聚酰亞胺膜原材料相似的方式確定的接枝圖形材料1-B的圖形化區域的Rz是14nm。形成金屬圖形接枝圖形材料l-B被浸入到0.1質量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達1小時，和之后用蒸餾水清洗。隨后，進一步將接枝圖像材料l-B浸入到0.2MNaBH4的水溶液中達20分鐘，以使施加至其的鈀被浸入到具有實施例1-1至1-4中使用的相同合成物的無電鍍槽中，以便提供金屬圖形Bl-l至Bl-4。比較例2金屬圖形Bl-5以實施例1-5相同的方式制備，除了表面電荷改進劑被添加到用于實施例l-5至l-8的無電鍍槽中。實施例1-9至1-12制備接枝圖形用#18的橫桿將具有以下合成物的涂敷溶液施加到以與實施例l-l相似的方式制備的基板A的表面上。由此獲得的膜的厚度是0.8jim。涂敷溶液的合成物親水性聚合物(以下示出其制備方法)0.25g水5g乙腈3g用于親水性聚合物的制備方法18g聚丙烯酸(平均分子量25000)溶解于300GDMAc中；0.41g對苯二酚、19.4g2-異丁烯酰基乙氧基異氰酸鹽和0.25g二丁精二月桂酸被添加至其；和使得該混合物在65'C下反應達4小時。由此獲得的聚合物具有7.02meq/g的酸性值。之后，羧基與1N氫氧化鈉的水溶液中和。這被添加到乙烯基醋酸纖維，和聚合物在完全沖洗之后沉淀，且獲得了親水性聚合物。而且，在具有5pm線長和25nm間隙寬度的圖形和lOjim線長和20nm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對由此獲得的膜進行圖形曝光達l分鐘。之后用水沖洗所獲得的膜以便提供接枝圖形材料l-C,其中曝光的部分變成親水性的。如與聚酰亞胺基膜原材料相似的方式確定的接枝圖形材料l-C的圖形化區域的Rz是15nm。形成金屬圖形被浸入在將所獲得的接枝圖形材料1-C被浸入到0.1質量X硝酸銀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達1小時，和之后用蒸餾水清洗。隨后，在與實施例1-1至1-4中相同的無電鍍槽中對其進行無電鍍達20分鐘，以便提供金屬圖形Cl-l至Cl-4。比較例1-3以與實施例1-9相同的方式制備金屬圖形Cl-5,除了表面電荷改進劑不被添加到在實施例1-9至1-12中使用的無電鍍槽中。實施例1-13至1-16在具有以下合成物的電鍍槽中進一步對在實施例l-9至1-12中制備的金屬圖形進行電鍍達15分鐘，以便提供金屬圖形D1-1至Dl-4。電鍍槽的成分硫酸銅38g硫酸95g鹽酸lmL光亮劑(商標名COPPERGLEAMPCM，由MeltexInc.制造)3mL水500g實施例1-17至1-20制備圖形形成材料以與實施例1-1中相似的方式制備的基板A被浸入到t-丁基丙烯酸鹽溶液(30質量％,溶劑，丙烯乙二醇單甲基酯(MFG))中，并且在氬氣氛下通過使用400W高壓水銀燈將其暴露到光達30分鐘。在光照射之后，所獲得的膜被用丙烯乙二醇單甲基酯(MFG)完全沖洗，以便提供聚-t-丁基丙烯酸鹽-接枝圖形-形成材料l-E。接枝圖形材料的制備具有以下合成物的溶液被涂敷到金屬(精細顆粒)膜圖形形成材料1-E上。所獲得的聚-t-丁基丙烯酸鹽膜是0.5pm。triphenylsulfoniumtriflate0.05g甲基乙基酮(MEK)lg而且，具有5pm線長和25nm間隙寬度的圖形和10nm線長和20nm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對由此獲得的膜進行圖形曝光達1分鐘，并之后在90'C下對其加熱達2分鐘。之后通過甲基乙基酮(MEK)沖洗所獲得的膜，以便提供接枝圖形材料l-E，其中在曝光區域中功能團被轉換成吸收性基團。如以與聚酰亞胺膜原材料相同的方式確定的接枝圖形材料1E的圖形化區域的Rz是15nm。金屬圖形的制備由此獲得的接枝圖形材料l-E被浸入到通過以下方法制備的含有承載正電荷Ag精細顆粒的分散液中達l小時且之后用蒸餾水沖洗。隨后，在與實施例l-l或l-4相同的無電鍍槽中對其制備方法3g的2(1，l-三甲基銨癸酰基銨乙酸)二硫化物被添加到50ml含有高氯酸銀(5ml)的乙醇溶液中，和30ml的氫硼化鈉溶液(0.4M)被進一步逐滴地添加至其，同時有力地攪拌該溶液以便使得離子被降低，從而提供涂敷有四元氨基的銀精細顆粒的分散液。比較例1-4以與實施例1-17相同的方式制備金屬圖形E1-5,除了表面電荷改進劑不被添加到在實施例l-U7至1-20中使用的無電鍍槽中。實施例1-21至1-24對與在實施例l-17至1-20中形成的相似的金屬圖形的每一個都進行無電鍍Ni，并之后對其進行薄的浸入鍍金，以便提供金屬圖形Fl-l至Fl-4。無電鍍鎳在85'C下在機械攪動的情況下將金屬圖形浸入到無電鍍Ni-P電鍍溶液中(商標名ICPNICORONUSD,通過OKUNOCHEMICALINDUSTRIESCO.，LTD.制造)達10分鐘，以通過電鍍沉積0.4nm的Ni-P膜(P含量6.8X)。薄浸入金電鍍還使用浸入金電鍍溶液(商標名OKUNOCHEMICALINDUSTRIESCO.,LTD.制造)，其中，在90'C下浸入金屬圖形達IO分鐘而不攪動，以沉積約0.05pm的金。可進一步使用無氰基的自動催化型無電鍍金溶液(商標名509RS，通過KANTOCHEMICALCO.，INC制造)，其中在60°C和7.2pH下在平緩攪動情況下進行浸入以沉積0.5pm金并且獲得金屬圖形。評估金屬圖形的薄線寬的測量在實施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每個金屬圖形的薄線寬度通過使用光學顯微鏡測量(商標名OPTIPHOTO-2,通過NikonCorp.制造)。測量的結果總結在以下表2中。確定金屬膜的厚度在實施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每一個金屬圖形都在垂直于基板表面的方向上通過使用切片機切割，所形成金屬膜的厚度通過觀測由SEM獲得的截面確定。測量結果是每個樣品三個點處厚度的平均值。測量結果被總結在以下表2中。評估電鍍層/電鍍催化劑層和接枝聚合物層之間的界面不均勻度在實施例1-1至1-24和比較例1-1至1-4中獲得的每個金屬圖形都在與基板垂直的方向上通過使用切片機切割，在電鍍層和電鍍催化劑層(無機成分)與接枝聚合物層(有機成分)之間的表面不均勻度通過觀測通過SEM獲得的截面確定。根據從最峰值到第五峰值的峰值平均值和從最小值至第五小值的小值平均值之間的每個樣品lpm的差值獲得表面不均勻度。測量結果總結在以下的表2中。評估粘著性銅板(厚度O.lmm)通過環氧樹脂基粘附劑(商標名ARALDITE，通過Ciba-GeigyCorp.制造)被粘附到通過實施例1_1至1-24和比較例1-1至l-4中獲得的每個金屬圖形表面上。并在140'C下被干燥達4小時。之后，根據90度下用于印刷引線板的銅覆疊層的常規公知的測試方法進行90度粘附測試。測量結果總結在以下的表2中。金暴露部分具有5nm具有基板界粘附性屬厚度10fim厚面的不(kN/<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>表2實施例1-25接枝圖形的制備用#6的橫桿丙烯酸被涂敷到以與實施例l-l相似的方式制備的基板A的表面上，和涂覆表面疊置有具有25pm后的PET膜。而且，在具有5jim線長和25nm間隙寬度的圖形和lOjim線長和20pm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設置于其上之后，基板A根據上述情況暴露于UV光(400W高壓水銀燈，商標名UVL-400P，由PikoKagakuSangyoCo.，制造，照射周期30秒)。在光照射之后，去除掩模和疊置膜，和用水沖洗基板以便提供具有以圖形形式接枝的聚丙烯酸的接枝圖形材料l-G。由此獲得的接枝圖形被浸入到含有1%染料的水溶液中，并通過光學顯微鏡觀測(測量)。發現了通過具有10pm線寬和10nm間隔的圖形再制造的接枝圖形。金屬圖形的形成薄銅電鍍作為主要電鍍接枝圖形材料l-G被浸入到含有0.1質量％的硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達l小時，和之后用蒸餾水清洗。進一步將接枝圖像材料1-G浸入到0.2MNaBH4的水溶液中達20分鐘，以使施加至其的鈀被降低到零價。因此，將圖形材料浸入到具有與實施例1-1至1-4中使用的相同的合成物的無電鍍槽中達20分鐘，以便提供金屬圖形Gl-l。通過SEM觀測(測量)到接枝圖形具有llfim線長lOnm間隔和lnm厚度。將表面電勢施加到除了銅圖形之外的部分具有四元胺基的聚合物P1的合成10份重量的月桂酰丙烯酸酯、10份重量的聚乙烯乙二醇丙烯酸酯(商標名AE-350，由NipponOil&FatsCo.，Ltd.制造，乙烯乙二醇鏈長6至8)，40份重量的二甲基氨絡乙基丙烯酸酯和150份重量的四氫呋喃被添加到裝配有回流冷凝器、溫度計和攪拌器的容器中。原子團聚合引發劑(商標名V-65,由WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)被添加至其，和在四氧呋喃的回流下進行聚合反應達10小時。因此，量與二甲基氨絡乙基丙烯酸酯相同的二甲基硫酸鹽添加到反應系統中，并進一步回流達1小時，用于進行季銨化反應。在完成該反應之后，用己烷沖洗反應溶液，并對其進行再沉淀以提供化合物Pl。注意，也可通過用二甲基硫酸鹽作為開始材料使用由季胺化二甲基氨絡乙基丙烯酸酯制造的單體來提供相同的化合物Pl。獲得的化合物Pl溶解在乙醇和水的混合溶劑中(重量比為20:100),以通過5質量％的化合物Pl的溶液，將其指定為溶液A2。如上所述的薄銅圖形被浸入到該溶液中達5分鐘，并之后干燥。作為使用zeta電壓計(通過OtsukaElectronicsCo.,Ltd制造)的測量結果，銅圖形部分的表面電勢是+0.0mV,而除了銅圖形之外的部分的表面電勢是十3OmV。形成厚的銅圖形作為第二次電鍍基板通過與薄電鍍相同的方法被無電鍍達30分鐘，以獲得10fim厚的圖形，其具有13的線寬和7pm的間隔，并由此發現，電鍍在厚度方向上選擇性進行。比較例1-5除了不進行銨處理之外以與實施例1-25中相同的方式進行無電鍍達35分鐘。形成lOnm厚的圖形；然而，電鍍也繼續進展到間隔部分以完全退化圖形。觀測具有金屬圖形的聚合物中分散的精細顆粒的狀態具有自在實施例1-3中獲得的金屬圖形C的金屬膜的區域通過裝配有切片機(由Leica制造)的金剛石切割器(商標名SUMIKNIFE,由SumitonoElectricHardmetalCorp.制造)來切害ij,以制備電鍍的清潔截面。用SEM觀測由此獲得的樣品的結果是，精細顆粒的分散狀態能夠在與金屬膜相鄰的聚合物中發現。圖1是在實施例3中獲得的金屬圖形C的截面的SEM照片。圖1中，10表示電鍍層(催化劑)和接枝聚合物層界面的不均勻部分，n表示電鍍層，12表示無電鍍層，和13表示有機/無機混合層。根據圖l的照片可確定，看起來由借助于無電鍍沉積的至少一種類型的金屬構成的無電鍍催化劑和精細顆粒高密度地存在于與金屬膜界面附近處的聚合物層中。在聚合物層的較深底部部分(基板附近)處觀測非常少量的精細顆粒。之后用軟件PHOTOSHOP(通過AdobeSystemsIncorporated制造)對SEM照片進行圖像處理。在圖像處理中，顯示出自在6nm寬范圍內的聚合物層(圖1中的有機/無機混合層)和金屬膜(無電鍍層)之間的界面深度為O.lnm、0.2nm或0.3pm的區域的一部分圖像被切割，并將其轉換成黑和白(圖像處理)，其中精細顆粒部分的圖像被轉換成白，而聚合物部分被轉換成黑(黑和白轉換條件邊界閾值為100)。獲得的圖像在圖2中示出。在圖像直方圖中，可計算在圖2中每一深度處的白部分比例，并將其限定為在存在于電鍍層下部下方的接枝聚合物層中的精細顆粒的含量。結果，在深度為0.3nm、0.2nm和O.lnm的區域中精細顆粒的含量分別被計算為53體積％,60體積％和60體積％，且可以確定，精細顆粒以高密度存在于與金屬膜界面的附近。實施例和比較例的電鍍催化抑制劑的相關利用比較例2-1金屬圖形的形成將將誒至圖形材料l-A浸入到0.1質量％硝酸鈀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達l小時，和之后用蒸餾水清洗。隨后，對接枝圖形材料l-A具有以下通式的無電鍍達20分鐘，以便提供金屬圖形A2-l。無電鍍槽的成分OPC銅HTl(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)6mLOPC銅HT2(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)1.2mLOPC銅HT3(由OkunoChemicalIndustriesCO.，Ltd.制造)10mL水83mL實施例2-1至2-4在與比較例2-1中相同的方式制備金屬圖形A2-2至A2-4,除了如以下表3中列出的電鍍催化抑制劑被進一步添加以便成為如表3中示出的各自濃度。<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>0.01或更小的絕緣樹脂形成。絕緣樹脂的介電常數和節點損耗正切通過常規方法確定，該方法例如是在2004年第18屆JIEPAnnual會議摘要第189頁中描述的方法，其中使用了利用測量裝置和系統er和tanS用于由Keycon有線公司制造的超薄片的空腔振蕩器擾動方法。由此，這對于在介電常數和介電損耗正切的光中選擇絕緣樹脂是有用的。具有3.5或更少介電常數和0.01或更少介電損耗正切的絕緣樹脂的實施例包括液晶樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚異密數值和氰酸鹽酯樹脂、二(二苯撐)乙烷樹脂等，并且進一步包括其改良樹脂。形成圖形(圖像)在實施例(1)中，通過照射輻射線如光來形成圖形。當在存在光熱轉換材料的情況下進行光照射時，圖形可通過經由具有紅外射線區域等的波長的激光束的掃描曝光進行加熱來形成。用于形成圖形的方法實施例包括這樣的方法，其包括通過加熱或輻射線照射的寫入包括對光的曝光。其具體實施例包括使用紅外激光、紫外燈、可見光等的光照射，電子束照射如y射線照射、通過熱頭的熱寫入等。用于其的光源實施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。輻射的實施例包括電子束、X-射線、離子束、遠紅外線等。此外，可使用g-射線、i-射線、深UV射線和高密度能量束(激光束)。通常使用的實施例的具體實施例包括通過熱記錄頭等直接寫入；通過紅外激光的掃描曝光；通過氤放電燈等的高亮度快閃曝光；紅外線燈曝光等等。可替換地，在聚合物層通過使用對波長700nm或更小的波長下的光敏干的極性轉換基團獲得的情況下，任一種光照射方法都能使用，只要其在圖形形成層中引起極性轉換即可，即，其可以通過分解、打開或取代極性轉換基團來改變極性轉換基團的親水性/疏水性。例如，可通過紫外燈或可見光等獲得光照射。這些光源的實施例包括水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。優選使用引入極性轉換的方法，用于通過激光曝光基于計算將圖形材料浸入到具有與比較例2-l中使用的相同的合成物的無電鍍槽中達20分鐘，以便提供金屬圖形B2-l。實施例2-5至2-8金屬圖形B2-2至B2-5以與比較例2-6中相同的方式制備，除了，除了在實施例2-1至2-4中使用的且在表3中列出的被進一步添加至其以便分別具有與表3中示出的相同的濃度。比較例2-7將與實施例1_9至1-12中使用的含有親水性聚合物的涂覆溶液相似的涂覆溶液涂覆到基板A上，該基板A以與實施例2-1中相似的方式制備。之后對基板進行圖形曝光，并以與實施例1-9至1-12中相同的方式沖洗，以便提供接枝圖形材料2-C，其中暴露部分成為親水性的。如以與聚酰亞胺膜相似的方式確定的接枝圖形材料2-C的圖形化區域的Rz為15nm。形成金屬圖形所獲得的接枝圖形材料2-C被浸入到0.1質量％硝酸銀(由WakoPureChemicalIndustries制造)水溶液中達l小時，和之后用蒸餾水清洗。隨后，在與比較例2-l中使用的無電鍍槽相同的無電鍍槽中對其進行無電鍍達20分鐘，以便提供金屬圖形C2-2至C2-5。比較例2-8進一步對以與比較例2-7中相同的方式形成的金屬圖形進行電鍍達15分鐘，以便提供金屬圖形D2-l。其中使用的電鍍槽具有與實施例1-13至1-16中使用的相同的合成物。實施例2-13至2-16進一步對與實施例2-9至2-12中相同方式形成的金屬圖形進行電鍍達15分鐘，以便提供金屬圖形D2-2至D2-5。比較例2-9制備圖形形成材料以與實施例2-1中相似的方式制備的基板A被浸入到t-丁基丙烯酸鹽溶液(30質量％，溶劑，丙烯乙二醇單甲基酯(MFG))中，并且在氬氣氛下通過使用400W高壓水銀燈將其暴露到光達30分鐘。在光照射之后，所獲得的膜被用丙烯乙二醇單甲基酯(MFG)完全沖洗，以便提供聚-t-丁基丙烯酸鹽-接枝圖形-形成材料2-E。接枝圖形材料的制備具有以下合成物的溶液被涂覆到金屬(精細顆粒)膜圖形形成材料1-E上。所獲得的聚-t-丁基丙烯酸鹽膜是0.5pm。triphenylsulfoniumtriflate0.05g甲基乙基酮(MEK)lg而且，具有5jim線長和25jim間隙寬度的圖形和10jim線長和20pm間隙寬度的圖形的鉻沉積掩模圖形被設置于其上之后，通過使用400W高壓水銀燈對由此獲得的膜進行圖形曝光達l分鐘，并之后在90'C下對其加熱達2分鐘。之后通過甲基乙基酮(MEK)沖洗所獲得的膜，以便提供接枝圖形材料2-E,其中在曝光區域中功能團被轉換成吸收性基團。如以與聚酰亞胺膜原材料相同的方式確定的接枝圖形材料2E的圖形化區域的Rz是15nm。金屬圖形的制備由此獲得的接枝圖形材料2-E被浸入到通過以下方法制備的含有承載正電荷Ag精細顆粒的分散液中達l小時且之后用蒸餾水沖洗。隨后，在與比較例2-l相同的無電鍍槽中進行無電鍍達20分鐘，以便提供金屬圖形E2-l。承載正電荷Ag精細顆粒的制備方法3g的2(1，l-三甲基銨癸酰基銨乙酸)二硫化物被添加到50ml含有高氯酸銀(5ml)的乙醇溶液中，和30ml的氫硼化鈉溶液(0.4M)被進一步逐滴地添加至其，同時有力地攪拌該溶液以便使得離子被降低，從而提供涂覆有四元氨基的銀精細顆粒的分散液。比較例2-17至2-20以與比較例2-9相同的方式制備金屬圖形E2-2至E2-5,除了在實施例2-1至2-4中使用的并在表3中列出的電鍍催化抑制劑被進一步添加至其以便分別具有圖表3中所示的相似的濃度。比較例2-10對與在常規實施例2-9中形成的相似的金屬圖形進一步進行無電鍍Ni，并之后對其進行薄浸入金電鍍，以便提供金屬圖形F2-l。無電鍍Ni和薄浸入金電鍍在與實施例1-21至1-24中使用的相同條件下進行。實施例2-21至2-24對與在實施例2-10中形成的相似的金屬圖形的每一個進行無電鍍Ni,并之后以與比較例2-10中相同的方式對其進行薄浸入金電鍍，以便提供金屬圖形F2-2至F2-5。評估在實施例2-1至2-24和比較例2-1至2-10中獲得的金屬圖形中的每一個的薄線寬以與對于實施例1-1至l-24相同的方式測量。測量結果總結在以下的表5和6中。<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage71</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>例2<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>表6表3、5的結果顯示了在根據本發明的實施例中獲得的所有金屬圖形分別具有寬度至多為10fim的精細線，這難以通過常規技術獲得。該結果還證實能通過接枝圖形形成方法和曝光條件控制該精細線寬。還發現，在根據本發明的實施例中獲得的所有金屬圖形都分別具有足以提供導電性的銅厚度。關于暴露圖形的線寬可觀測到不怎么增加的精細線線寬，和獲得了具有容易再造的暴露圖形精細線寬的金屬圖形。還發現，能獲得具有其金屬膜厚度與其金屬膜線寬的比率為l或更多的金屬圖形，而這種金屬圖形可通過常規方法容易地獲得。還已經發現，如果添加了電鍍催化抑制劑，則在電鍍溶液中非常高的催化抑制劑濃度(與比較例2-2至2-5中相同)導致了對電鍍的足夠抑制和電鍍速度的明顯降低，由此不能實現本發明有利效果。在實施例1-9至l-12和2-13至2-16中已經證實，具有所需厚度的圖形化金屬膜可通過進一步進行電鍍來獲得。還發現，在根據本發明實施例中獲得的所有金屬圖形每一個都具有不規則度為100pm或更少的膜界面和此的好表面光滑度，并且在基板和金屬膜之間還具有良好粘附性。而且，在根據本發明實施例中獲得的所有金屬膜和導電膜都形成于具有不均勻度(Rz)為500nm或更少的基板表面，且接枝層或接枝圖形被形成于基板上。結果，接枝層或接枝圖形表面的不均勻度Rz為500nm或更少；通過電鍍形成為圖形的所有金屬膜或金屬圖形在電鍍層(金屬膜)和電鍍催化劑層與接枝聚合物層(有機材料成分)之間.的界面具有優選在500nm或更少范圍內的不均勻度。這一點上，電鍍金屬或電鍍催化劑可通過不只進入到接枝聚合物層的表面中、還進入到接枝聚合物層的內部來混合。由于該混合，在電鍍層(金屬膜)和電鍍催化層(無機材料成分)與接枝聚合物層(有機材料成分)之間的界面具有優良的表面光滑度，并且還在基板和金屬膜之間還具有優良的粘附性。通過參考其整體內容，日本專利申請No.2005-323221和2005-40610的公開內容并入本文。在此，本說明書中提到的所有的文獻、專利申請和技術標準都不同程度地并入本文，就象每一個單獨文獻、專利申請或技術標準具體地并單獨地被指定為通過參考而并入一樣。權利要求1.一種金屬圖形形成方法，其特征在于包括(a)以圖形形式在基板上形成含有聚合物的聚合物層，該聚合物具有與無電鍍催化劑或其前體反應并能夠直接化學鍵合到基板上的官能團；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍溶液對具有聚合物層的基板進行無電鍍形成圖形形式的金屬膜，其中，在(c)形成金屬膜之前或期間，使用包括表面電荷改進劑或者1×10-10至1×10-4mmol/l的電鍍催化抑制劑的溶液處理具有聚合物層被施加有無電鍍催化劑或其前體的基板。2.如權利要求1所述的金屬圖形形成方法，其特征在于無電鍍溶液包括表面電荷改進劑。3.如權利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于(c)形成金屬膜的步驟包括(c-2)用含有表面電荷改進劑的槽處理具有聚合物層的基板；和(c-3)對具有聚合物層的基板進行無電鍍，以便形成圖形形式的金屬膜。4.如權利要求2或3所述的金屬圖形形成方法，其特征在于表面電荷改進劑是有機化合物，在其分子中具有(i)與基板具有親合力的基團和(ii)離子離去基團。5.如權利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于無電鍍溶液包括"10—1()至lxl0"mmo1/1的電鍍催化抑制劑。6.如權利要求l所述的金屬圖形形成方法，其特征在于(c)形成金屬膜包括(c-2')對具有聚合物層的基板進行無電鍍，同時將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液中，使無電鍍溶液中電鍍催化抑制劑的濃度保持在1"0—1()至1x10—4mm0l/1的范圍內，以便形成圖形形式的金屬膜。7.如權利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是一種金屬離子，該金屬選自由Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti構成的組。8.如權利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是無機陰離子，其選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構成的組。9.如權利要求5或6所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑是有機化合物，在其分子中具有和電鍍金屬有親和力的基團。10.如權利要求9所述的金屬圖形形成方法，其特征在于電鍍催化抑制劑進一步在其分子中具有離子離去基團。11.如權利要求l至IO中任意一項所述的金屬圖形形成方法，其特征在于在無電鍍中的無電鍍溶液選自由無電鍍銅溶液、無電鍍銀溶液和無電鍍金溶液構成的組。12.如權利要求1至11中任意一項所述的金屬圖形形成方法，其特征在于進一步包括在無電鍍之后進行電鍍的步驟。13.如權利要求l至12中任意一項所述的金屬圖形形成方法，其特征在于基板具有表面不均勻度為500nm或更少的基板；在基板和金屬膜之間的粘附性為0.2kN/m或更多；和至少滿足以下條件(1)至(3)中的一個(1)金屬膜的厚度為3jim或更多；(q-p)<r,其中p表示圖形形式的圖形線寬，q表示通過無電鍍形成的金屬膜的線寬，和r表示通過無電鍍形成的金屬膜的厚度；(2)聚合物層具有其中散布精細顆粒的區域，該精細顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量是25%或更多，該區域自聚合物層和金屬膜界面在向著基板的方向上延伸0.05jim或更多；和金屬膜與金屬膜線寬的比率為l或更多；(3)金屬膜厚度是4nm或更多；聚合物層具有其中散布精細顆粒的區域，該精細顆粒包括無電鍍催化劑顆粒和通過無電鍍沉積的金屬顆粒中的至少一種，體積含量為25%或更多，該區域從聚合物層與金屬膜的界面在向著基板的方向上延伸0.05jim或更多；和金屬膜厚度與金屬膜線寬的比率是l或更大。14.如權利要求13所述的金屬圖形形成方法，其特征在于基板具有10nm或更少的表面不均勻度。全文摘要本發明提供了一種金屬圖形形成方法，包括(a)以圖形形式在基板上形成含有聚合物的聚合物層，該聚合物具有與無電鍍催化劑或其前體反應的官能團；(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上；和(c)通過使用無電鍍溶液對具有聚合物層的基板進行無電鍍形成圖形形式的金屬膜，其中，在(c)形成金屬膜之前或期間，使用包括表面電荷改進劑或者1×10<sup>-10</sup>至1×10<sup>-4</sup>mmol/l的電鍍催化抑制劑的溶液處理基板。本發明還提供了一種由此獲得的金屬圖形。而且，本發明提供了一種印刷引線板和TFT引線板，其每一個都使用金屬圖形作為導電層。文檔編號H05K3/18GK101120621SQ200680004329公開日2008年2月6日申請日期2006年2月8日優先權日2005年2月8日發明者加納丈嘉,川村浩一,松本和彥申請人:富士膠片株式會社