專利名稱：有機電致發光顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示器件，更具體地涉及一種具有改善亮度的有機電致發光顯示器件及其制造方法。
現有技術有機電致發光顯示器件為一種自發光顯示器件，并且與液晶顯示(LCD)器件不同，其不需要從外部發出光的背光。因此，有機電致發光顯示器件具有重量輕、外形薄、電壓驅動低、發光效率高、視角寬和反應時間快等優點，并因此在實現高質量動態圖形中具有優勢。
具體地，有機電致發光顯示器件通常利用沉積和封裝工藝制造，因此與LCD或等離子體平板顯示器(PDP)不同，其制造工藝非常簡單。
另外，當有機電致發光顯示器件利用具有在各像素中的薄膜晶體管(TFT)作為開關元件的有源矩陣驅動時，用低電流可獲得高亮度，因此用低功率損耗可實現高分辨率和大尺寸的有機電致發光顯示器件。
有機電致發光顯示器件通常通過將具有陣列器件和有機發光二極管(OLED)的基板粘接到封裝基板而形成。由于陣列器件的良品率和OLED的良品率的乘積值決定有機電致發光顯示器件的良品率，因此，總工藝良品率主要由相應于后續工藝的OLED制造工藝限制。
在這方面，已提出一種雙面板型有機電致發光顯示器件，其通過分別在不同的基板上形成陣列器件和OLED并實施粘接工藝制造。
圖1A和圖1B示出了現有技術的一種雙面板型有機電致發光顯示器件的示意圖。圖1A示出了有機電致發光顯示器件的電路圖以及圖1B示出了有機電致發光顯示器件的截面圖。
參照圖1A和圖1B，多條柵線11和數據線21設置為在基板10上彼此交叉。柵線11和數據線21限定像素區域P。功率線31平行于柵線11形成并與柵線11間隔預定距離。
各像素區域P包括連接到柵線11和數據線21的開關TFT S-Tr，連接到開關TFT S-Tr的漏極的驅動器TFT D-Tr，與驅動器TFT D-Tr的漏極連接的電容器，以及與驅動器TFT D-Tr的漏極50b電連接的OLED E。該驅動TFT D-Tr還包括柵極20和有源層40。該OLED E設置在以預定距離與基板10隔開的上基板(未示出)上。
功率線31將驅動器TFT D-Tr的源極50a與地焊盤電連接以保持OLED E的電勢恒定。由于柵絕緣層30插入在功率線31和驅動器D-Tr之間，實施用于刻蝕柵絕緣層30的刻蝕工藝以使功率線31電連接到驅動器TFT D-Tr。
然而，由于刻蝕工藝，功率線31的一部分被刻蝕，從而包含在各像素區域中的驅動器TFT D-Tr與功率線31之間的接觸區發生了改變。因此，各像素的接觸電阻改變，從而會引起電壓下降。最后，顯示器件的亮度可能變得不均勻并且所得的顯示器件的壽命可能降低。
由于形成功率線31，像素區域的有效面積和TFT的設計余量減小。
發明內容
因此，本發明涉及一種顯示器件，其基本上消除了由于現有技術的局限和不足導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的在于提供一種能提供像素區域有效面積的有機電致發光顯示器件及其制造方法。
本發明的另一目的在于提供一種能改善亮度和壽命的有機電致發光顯示器件。
在以下的說明中將部分地述及本發明的其它優點和特征，而這些特征和優點中的另一部分對于本領域普通的技術人員來說將能夠從這些說明中明顯得到，或是通過本發明的實踐而獲得。通過文字說明和權利要求以及附圖中特別指出的結構可以實現和獲得本發明的這些和其他優點。
為了實現這些和其它優點并根據如本文具體地和概括地描述的本發明的目的，本發明提供一種電致發光顯示器件，包括第一基板；在第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由柵線和數據線限定的多個像素區域以具有多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；分別包括在像素區域中的薄膜晶體管；多條第一連接線使第一像素線的薄膜晶體管彼此電連接；并且第二連接線電連接第二像素線至少其中之一的薄膜晶體管。
按照本發明的另一方面，提供一種有機電致發光顯示器件，包括第一基板；在第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由柵線和數據線限定的多個像素區域以具有多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；分別包括在像素區域中的薄膜晶體管；第一連接線使第一像素線至少其中之一的薄膜晶體管彼此電連接；并且多條第二連接線電連接第二像素線的薄膜晶體管。
按照本發明的再一方面，提供一種有機電致發光顯示器件，包括第一基板；在第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由柵線和數據線限定的多個像素區域以具有多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；分別包括在像素區域中的薄膜晶體管；多條第一連接線使第一像素線的薄膜晶體管彼此電連接；并且多條第二連接線電連接第二像素線的薄膜晶體管。
按照在本發明的另一方面，提供一種制造有機電致發光顯示器件的方法，該方法包括制備第一基板；在第一基板上以第二方向形成多條柵線和柵極；在包括柵極的第一基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成有源層以對應于柵極；在有源層上形成多條數據線、源極/漏極和在第二方向的多條第一連接線，并且該柵極、該有源層和該源極/漏極組成薄膜晶體管，該柵線和數據線限定多個像素區域，以及該像素區域包括多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；在薄膜晶體管上形成保護層；以及在保護層上形成第二連接線，其中第一連接線使第一像素線的薄膜晶體管彼此電連接，并且第二連接線使第二像素線至少其中之一的薄膜晶體管彼此電連接。
按照本發明的另一方面，提供一種制造有機電致發光顯示器件的方法，該方法包括制備第一基板；在第一基板上形成具有第二方向的多條柵線和柵極；在包括柵極的第一基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成有源層以對應于柵極；在有源層上形成多條數據線、源極/漏極和具有第一方向的多條第一連接線，并且該柵極、該有源層和該源極/漏極組成薄膜晶體管，該柵線和數據線限定多個像素區域，該像素區域包括多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；在薄膜晶體管上形成保護層；以及在保護層上形成第二連接線，其中第一連接線使第一像素線至少其中之一的薄膜晶體管彼此電連接，并且第二連接線使第二像素線的薄膜晶體管彼此電連接。
按照本發明的另一方面，提供一種制造有機電致發光顯示器件的方法，該方法包括制備第一基板；在第一基板上形成具有第二方向的多條柵線和柵極；在包括柵極的第一基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成有源層以對應于柵極；形成多條數據線、源極/漏極和在有源層上具有第一方向的多條第一連接線，并且該柵極、該有源層和該源極/漏極組成薄膜晶體管，該柵線和數據線限定多個像素區域，該像素區域包括多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；在薄膜晶體管上形成保護層；以及在保護層上形成第二連接線，其中第一連接線使第一像素線的薄膜晶體管彼此電連接，并且第二連接線使第二像素線的薄膜晶體管彼此電連接。
應當理解，以上一般的描述和以下詳細的描述都是示例性和解釋性的，并意在提供對要求保護的本發明的進一步解釋。
附圖簡要說明附圖提供對本發明的進一步理解，其包含在說明書中并構成說明書的一部分，說明本發明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中圖1A和圖1B示出了根據現有技術的雙面板型有機電致發光顯示器件的示意圖；圖2A和圖2B示出了根據本發明第一實施方式的有機電致發光顯示器件的示意圖；圖3A到圖3D示出了一種制造根據本發明第一實施方式的有機電致發光顯示器件的方法示意圖；圖4A和圖4B示出了根據本發明第二實施方式的有機電致發光顯示器件的示意圖；圖5A到5D示出了一種制造根據本發明第二實施方式的有機電致發光顯示器件的方法示意圖；圖6A和圖6B示出了根據本發明第三實施方式的有機電致發光顯示器件的示意圖；以及圖7A到圖7D示出了一種制造根據本發明第三實施方式的有機電致發光顯示器件的方法示意圖。
具體實施例方式
將參照附圖中描述的實例對優選的實施方式進行詳細描述。盡可能在附圖中用相同的附圖標記表示相同或類似的部分。
圖2A和圖2B示出了根據本發明第一實施方式的有機電致發光顯示器件的示意圖。
圖2A示出了該有機電致發光顯示器件的電路圖。
參照圖2A，該有機電致發光顯示器件包括彼此交叉的第一方向的數據線111和第二方向的柵線112。數據線111和柵線112限定像素區域P。因此，該有機電致發光顯示器件可包括第一方向設置的形成像素區域的多條第一像素線和第二方向設置的形成像素區域的第二像素線。
各像素區域P包括連接到數據線111和柵線112的開關TFT S-Tr。即，該開關TFT S-Tr包括連接到數據線111的源極和連接到柵線112的柵極。
該開關TFT S-Tr還包括與驅動器TFT D-Tr和電容器Cp相連接的漏極。即，驅動器TFT D-Tr包括與開關TFT S-Tr連接的漏極和與電容器Cp連接的源極。驅動器TFT D-Tr還包括電連接到有機發光二極管(OLED)E的漏極。
包括在各多條第一像素線中的驅動器TFT D-Tr的源極通過多條第一連接線113彼此電連接。另外，包括在多條第二像素線至少其中之一中的驅動器TFT D-Tr的源極通過第二連接線114彼此電連接。第二連接線114接地以保持OLED E的電勢。另外，第二連接線114電連接多條第一連接線113。因此，第二連接線114只連接多條第二像素線的至少其中之一，這增加了包括在各像素線中的像素區域的有效面積。
圖2B示出了該有機電致發光顯示器件的截面圖，并描述了圖2A的第一像素線的兩個相鄰像素區域的一部分。為便于描述，圖2B明確地描述了驅動器TFT D-Tr。
參照圖2B，該有機電致發光顯示器件包括以預定距離彼此間隔的第一基板100和第二基板200。具有TFT的陣列器件形成在第一基板100上并且OLEDE形成在第二基板200上。
具體地，柵極105和柵線112形成在第一基板100上。柵線112限定第一像素區域P1和第二像素區域P2。
柵絕緣層100形成在包括柵極105的第一基板100上。柵絕緣層110可為氧化硅層、氮化硅層或上述層的層疊層。
有源層115形成在柵絕緣層110上以對應柵極105。有源層115可包括由非晶硅層組成的溝道層和由摻雜有雜質的非晶硅層組成的歐姆接觸層。
源極125a和漏極125b形成在各有源層115上并以預定距離彼此間隔。包括在第一和第二像素電極P1、P2中的驅動器TFT D-Tr的源極通過第一連接線113彼此電連接。第一連接線113可平行于與柵線112相交叉的數據線(未示出)形成。第一連接線113從源極125a伸出。雖未示出，第二連接線114接地。
因此，由于不需要采用使第一連接線113連接源極125a的刻蝕工藝，可以避免由功率線的部分刻蝕引起的電壓降。相應地，可避免亮度不均勻。
另外，由于不使用功率線，可增加像素區域的有效面積。因此，用于在像素區域中形成至少一個TFT的設計區域可增大。即，由于各TFT的源極和漏極125a、125b的設計區域增大，可增加提供給OLED的電流量。這是因為提供給OLED的電流量與源極和漏極125a、125b之間的長度L以及對應于源極和漏極125a、125b之間一部分的寬度W成比例。
因此，該有機電致發光顯示器件的總亮度可得到改善。
另外，由于去除了功率線，由功率線和源極形成的電容器通過增加柵極105和源極125a的區域來補償。另外，本發明可形成比現有技術大的電容器。
最后，通過第一連接線113彼此電連接的驅動器TFT D-Tr形成在第一基板100的像素區域中。
保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。保護層120可由有機層、無機層或上述層的疊層組成。該有機層可包括一種材料，其選自由聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂和硅基樹脂組成的組。無機層可為氧化硅層、氮化硅層或上述層的層疊層。
保護層120包括暴露漏極125b的接觸孔。驅動器TFT D-Tr的漏極125b通過該接觸孔電連接到OLED E。
接觸電極135還可形成在該暴露的漏極125b上。
還可形成第二連接線(未示出)以使包括在像素區域中在第二方向的像素線至少之一上設置的驅動器TFT D-Tr彼此電連接。第二連接線還可平行于柵線112形成。第二連接線使包括在相鄰像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極彼此連接。第二連接線位于保護層120上，并且為了簡化工藝可由與接觸電極135相同的材料形成。
第二連接線形成在保護層120上，因此不會影響用于形成TFT的區域。
同時，包括第一電極210、包括至少有機發光層的有機層220和第二電極230的OLED E形成在第二基板200上。
第一電極210可為包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明電極。另一方面，第二電極230為反射電極，其包含選自由Mg、Ca、Al、Ag、Ba及其合金組成的組中的一種元素。
有機層220還可包括至少一種有機層，其選自由空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組。因此，電子和空穴能有效地注入到有機發光層并且可改善整個有機發光顯示器件的發光效率。
與第一電極210電連接的輔助電極(未示出)還可形成在第二基板200上。由于第一電極210由具有高電阻的導電材料形成，該輔助電極減低了電阻差異，因此可避免亮度不均勻。
插入在第一基板和第二基板100、200之間的襯墊料240使驅動器TFT D-Tr與OLED電連接以形成該有機電致發光顯示器件。
圖3A到圖3D示出了制造根據本發明第一實施方式的有機電致發光顯示器件的方法。
參照圖3A，制備基板100。導電材料沉積在第一基板100上并對其構圖以在第二方向形成柵線112和柵極105。柵線112可限定第一和第二像素區域P1、P2。
參照圖3B，柵絕緣層110形成在包括柵極105的第一基板100上。
非晶硅層和摻雜有雜質的非晶硅層依次層疊在柵絕緣層110上并對其構圖以形成有源層115。
參照圖3C，導電材料沉積在包括有源層115的柵絕緣層110上并對其構圖以形成源極125a和在有源層115上以預定距離彼此間隔的漏極125b。數據線(未示出)形成在第一方向。
另外，可形成第一連接線113，其從包括在以第一方向設置的像素區域中的源極125a延伸出。
結果，通過第一連接線113彼此連接的驅動器TFT D-Tr可形成在第一基板100上。驅動器TFT D-Tr形成在分別以第一方向設置的像素區域中。
參照圖3D，保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。對保護層120構圖以形成暴露漏極125b一部分的接觸孔。該接觸孔可使漏極125b電連接到OLED E。
導電材料可沉積在包括接觸孔的保護層120上并對其構圖以形成與漏極125b電連接的接觸電極135。
第二連接線(未示出)還可同時形成以形成接觸電極135。第二連接線連接包括在像素區域中設置在至少第二方向的像素線中的源極。
接著，包括OLED E的第二基板200可與第一基板100粘接以制造有機電致發光顯示器件。
圖4A和圖4B示出了根據本發明第二實施方式的有機電致發光顯示器件。除了用于第一和第二連接線彼此連接的方法外，本發明第二實施方式與第一實施方式相同，因此將主要描述該方法。相應地，相同的附圖標記表示相同的元件并將略去重復描述。
參照圖4A，有機電致發光顯示器件包括第一方向的數據線111和彼此交叉的第二方向的柵線112。數據線111和柵線112限定像素區域P。因此，有機電致發光顯示器件可包括以第一方向設置的組成像素區域的多條第一像素線和以第二方向設置的組成像素區域的多條第二像素線。
各像素區域P包括開關TFT S-Tr、驅動器TFT D-Tr、電容器和OLED E。
包括在多條第二像素線中的驅動器TFT D-Tr的源極通過多條第二連接線214彼此電連接。包括在多條第一像素線至少其中之一中的驅動器TFT D-Tr的源極通過第一連接線213彼此電連接。第一連接線213接地以保持OLED E的電勢。另外，第一連接線213電連接多條第二連接線214。因此，多條第一像素線的至少其中之一連接第一連接線213，可增加包括在像素區域中的像素區域的有效面積。
圖4B示出了有機電致發光顯示器件的截面圖并描述了以圖4A的第二方向設置的兩相鄰像素區域的部分示意圖。為了便于描述，圖4B明確描述了驅動器TFT D-Tr。
參照圖4B，有機電致發光顯示器件包括第一基板100和以預定距離彼此間隔的第二基板200。第一基板100包括具有驅動器TFT D-Tr的陣列器件并且第二基板200包括OLED E。驅動器TFT D-Tr通過襯墊料240電連接OLEDE。
具體地，柵極105形成在第一基板100上并且柵絕緣層110形成在柵極105上。
柵線111形成在柵絕緣層110上以限定第一和第二像素區域P3、P4。
有源層115形成在柵絕緣層110上以對應柵極105。源極和漏極125a、125b在各有源層115上以預定距離彼此間隔。
結果，驅動器TFT D-Tr包括在第一和第二像素區域P3、P4中。
另外，保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。保護層120包括暴露源極125a的第一接觸孔120a。
第二連接線214形成在保護層120上以使通過第一接觸孔120a暴露的源極125a彼此連接。第二連接線214使包括在多條第二方向的第二像素線上的像素區域P中的驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此連接。
結果，由于相鄰的驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此電連接而沒有在第一基板100上形成現有技術的功率線，可增加像素區域P的有效面積。另外，由于功率線形成在第一基板上，因此在設計TFT上存在限制。但是作為功率線的第二連接線214形成在保護層120上，因此增加了用于在保護層中形成至少一個TFT的區域。
即，增加了用于形成TFT的區域，各TFT的設計區域可大于現有技術的TFT，因此可改善形成的有機電致發光顯示器件的總亮度。
另外，由于去除了功率線，由功率線和源極形成的電容器通過增加柵極105和源極125a的區域而得到補償。而且，本發明形成的電容器可大于現有技術的電容器。
保護層120還可包括暴露一部分漏極125b的第二接觸孔120b從而使漏極125b電連接OLED E。
另外，接觸電極135可形成在通過第二接觸孔120b暴露的漏極125b上。
為了簡化工藝，第二連接線214和接觸電極135可由相同材料形成。
還可包括第一連接線(未示出)以電連接包含在多條第一像素線的至少其中之一的像素區域P中的驅動器TFT D-Tr的源極。
同時，OLED E形成在第二基板200上，并且插入在第一和第二基板100、200之間的襯墊料240使OLED E電連接到驅動器TFT D-Tr。
圖5A到5D示出了制造根據本發明第二實施方式的有機電致發光顯示器件的方法。
參照圖5A，制備基板100。導電材料沉積在第一基板100上并對其構圖以在第二方向形成柵線(未示出)和柵極105。
參照圖5B，柵絕緣層110形成在包括柵極105的第一基板100上。
非晶硅層和摻雜有雜質的非晶硅層依次層疊在柵絕緣層110上并對其構圖以形成有源層115。
參照圖5C，導電材料沉積在包括有源層115的柵絕緣層110上并對其構圖以同時形成位于有源層115的兩個端部的源極125a和漏極125b以及第一方向的數據線111。數據線111限定第一和第二像素區域P3、P4。
另外，還可形成第一連接線(未示出)以連接包括在多條第一像素線的至少其中之一的像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極125a。
參照圖5D，保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。對保護層120構圖以形成第一和第二接觸孔120a、120b，分別暴露部分源極125a和漏極125b。
導電材料沉積在包括第一和第二接觸孔120a、120b的保護層120上并對其構圖以形成第二連接線214，其通過第一接觸孔120a使包括在相鄰像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此連接。第二連接線214電連接包括在多條第二像素線的像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極125a。
同時，可形成接觸電極135，其電連接到通過第二接觸孔120b暴露的漏極。
接著，包括OLED E的第二基板200可粘接到第一基板100以制造有機電致發光顯示器件。
圖6A和圖6B示出了根據本發明第三實施方式的有機電致發光顯示器件。
在第三實施方式中，多條第一連接線313沿著多條第一像素線設置并且多條第二連接線314沿著多條第二像素線設置。除連接方法外，本發明的第三實施方式與第一實施方式相同。因此，用相同的附圖標記表示相同的元件并省略了重復描述。
參照圖6A，有機電致發光顯示器件包括彼此交叉的第一方向的數據線111和第二方向的柵線112。數據線111和柵線112限定像素區域P。因此，有機電致發光顯示器件可包括在第一方向設置的組成像素區域的多條第一像素線和在第二方向設置的組成像素區域的多條第二像素線。
各像素區域P包括開關TFT S-Tr、驅動器TFT D-Tr、電容器Cp和OLEDE。
包括在多條第一像素線中的驅動器TFT D-Tr的源極通過多條第一連接線313彼此連接。另外，包括在多條第二像素線中的驅動器TFT D-Tr的源極通過多條第二連接線314彼此連接。第一和第二連接線313、314的至少其中之一接地以保持OLED E的電勢。另外，第一連接線313電連接到第二連接線314。
因此，由于沒有使用現有技術的功率線，可以避免亮度的不均勻并且可以提高像素區域的有效面積。
圖6B示出了有機電致發光顯示器件的示意圖并描述圖6A中在第一方向設置的兩個相鄰像素區域和在第二方向設置的兩個相鄰像素區域。為便于描述，圖6B明確描述了驅動器TFT D-Tr。
參照圖6B，該有機電致發光顯示器件包括以預定間距彼此分隔的第一基板100和第二基板200。第一基板100包括具有驅動器TFT D-Tr的陣列器件并且第二基板200包括OLED E。驅動器TFT D-Tr通過襯墊料240電連接OLED E。
具體地，柵極105和第二方向的柵線112形成在第一基板100上。柵線112限定在第一方向設置的第一像素區域P1和第二像素區域P2。
柵絕緣層110形成在包括柵極105的第一基板100上。
數據線111形成在柵絕緣層110上，其限定在第二方向設置的第三像素區域P3和第四像素區域P4。
有源層115形成在柵絕緣層110上以對應柵極105，并且源極125a和漏極125b在各有源層115上彼此間隔。
形成在第一和第二像素區域P1、P2中的源極125a通過彼此延伸的第一連接線313彼此連接。
保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。保護層120包括第一接觸孔120a，其暴露出包含在第三和第四像素區域P3、P4中的驅動器TFT D-Tr的源極125a。
第二連接線314形成在保護層120上，其使通過第一接觸孔120a暴露出的源極125a彼此連接。即第二連接線314使以第二方向設置的包括在像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此連接。
結果，包括在像素區域中在第一方向設置的驅動器TFT D-Tr的源極125a通過從源極125a延伸的第一連接線313彼此連接。另外，包括在像素區域中在第二方向設置的驅動器TFT D-Tr的源極125a通過形成在包括第一接觸孔120a的保護層120上的第二連接線314彼此連接。
即，驅動器TFT D-Tr的源極125a通過第一和第二連接線313、314彼此呈網狀連接。
結果，沒有在第一基板上形成現有技術的功率線，并且驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此連接并接地，從而保持OLED E的電勢。
因此，可增加用于形成各TFT的像素區域的有效面積。另外，由于功率線形成在第一基板上，對設計TFT存在局限。但第二連接線314形成在保護層120上，因此增加了用于TFT的面積。
即，隨著增加了用于形成TFT的面積，與現有技術的TFT相比，用于TFT的設計面積變大，因此形成的有機電致發光顯示器件的總亮度可提高。
另外，由于去除了功率線，由功率線和源極形成的電容器通過增加柵極105和源極125a的面積而得到補償。另外，本發明可形成比現有技術大的電容器。
保護層120還可包括使部分漏極125b暴露的第二接觸孔120b以使漏極125b電連接到OLED E。
另外，接觸電極135還可形成在通過第二接觸孔120b暴露的漏極125b上。
為簡化工藝，第二連接線314和接觸電極135可由相同材料形成。
同時，OLED E形成在第二基板200上并且連接電極240插入在第一基板100和第二基板200之間以使OLED E電連接到驅動器TFT D-Tr。
圖7A到圖7D示出了制造根據本發明第三實施方式的有機電致發光顯示器件的方法。
參照圖7A，制備第一基板100。導電材料沉積在第一基板100上并對其構圖以形成第二方向的柵線112和柵極105。柵線112可限定第一像素區域P1和第二像素區域P2。
參照圖7B，柵絕緣層110形成在包括柵極105的第一基板100上。
非晶硅層和摻雜有雜質的非晶硅層依次層疊在柵絕緣層110上并對其構圖以形成有源層115。
參照圖7C，導電材料沉積在包括有源層115的柵絕緣層110上并對其構圖形成在各有源層115上以預定距離彼此間隔的源極和漏極125a、125b。另外，數據線111形成在第一方向上。
另外還形成從以第一方向設置的像素區域的源極延伸的第一連接線313。
結果，通過第一連接線313彼此連接的驅動器TFT D-Tr可形成在第一基板100上，驅動器TFT D-Tr包括在以第一方向設置的像素區域中。
參照圖7D，保護層120形成在包括驅動器TFT D-Tr的柵絕緣層110上。
對保護層120構圖以形成第一和第二接觸孔120a、120b，分別使部分源極和漏極125a、125b暴露出。
導電材料沉積在包含第一和第二接觸孔120a、120b的保護層120上并對其構圖以形成第二連接線314，該第二連接線314通過第一接觸孔120a使包括在相鄰像素區域中的驅動器TFT D-Tr的源極125a彼此連接。
同時，可形成接觸電極135，其通過第二接觸孔120b電連接暴露的漏極。
接著，具有OLED的第二基板可粘接到第一基板以制造該有機電致發光顯示器件。
如上所述，由于本發明的有機電致發光顯示器件不包含現有技術的功率線，因此可增加像素區域的有效面積。
另外，由于像素區域的有效面積增加，可增加TFT的設計面積，因此可增加形成的有機電致發光顯示器件的亮度和壽命。
對本領域的技術人員來說很明顯可以對本發明進行各種改進和變形。因此，本發明意在覆蓋所有落入所要求保護的權利和等同物范圍內的各種改進和變形。
權利要求
1.一種有機電致發光顯示器件，包括第一基板；在所述第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在所述第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由柵線和數據線限定的多個像素區域，其具有多條具有所述第一方向的多條第一像素線和多條具有所述第二方向的第二像素線；分別包括在所述像素區域中的薄膜晶體管；多條第一連接線，使所述第一像素線的所述薄膜晶體管彼此電連接；以及第二連接線，其電連接所述第二像素線至少其中之一的所述薄膜晶體管。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的電極延伸出。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第二連接線接地。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第二連接線由與所述第一連接線不同的材料形成。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線電連接所述像素線的至少其中之一。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，還包括與所述第一基板相對設置并具有有機發光二極管的第二基板；以及形成在所述第二基板上的襯墊，其使所述薄膜晶體管與所述有機發光二極管電連接。
7.一種有機電致發光顯示器件，包括第一基板；在所述第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在所述第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由所述柵線和所述數據線限定的多個像素區域，其具有所述第一方向的多條第一像素線和所述第二方向的多條第二像素線；分別包括在所述像素區域中的薄膜晶體管；第一連接線，其使所述第一像素線至少其中之一的所述薄膜晶體管彼此電連接；以及多條第二連接線，其電連接所述第二像素線的所述薄膜晶體管。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的電極延伸出。
9.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線接地。
10.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線由與所述第二連接線不同的材料形成。
11.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第二連接線與所述像素線至少其中之一電連接。
12.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，還包括與所述第一基板相對設置并具有有機發光二極管的第二基板；以及形成在所述第二基板上的襯墊料，其使所述薄膜晶體管與所述有機發光二極管電連接。
13.一種有機電致發光顯示器件，其特征在于，包括第一基板；在所述第一基板上以第一方向設置的多條數據線；在所述第一基板上以第二方向設置的多條柵線；由所述柵線和所述數據線限定的多個像素區域，其具有所述第一方向的多條第一像素線和所述第二方向的多根第二像素線；分別包括在所述像素區域中的薄膜晶體管；多條第一連接線，其使所述第一像素線的所述薄膜晶體管彼此電連接；以及多條第二連接線，其電連接所述第二像素線的所述薄膜晶體管。
14.根據權利要求13所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的電極延伸出。
15.根據權利要求13所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線的至少其中之一接地。
16.根據權利要求13所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線由與所述第二連接線不同的材料形成。
17.根據權利要求13所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線以網狀彼此電連接。
18.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器件，其特征在于，還包括與所述第一基板相對設置并具有有機發光二極管的第二基板；以及形成在所述第二基板上的襯墊料，其使所述薄膜晶體管與所述有機發光二極管電連接。
19.一種制造有機電致發光顯示器件的方法，所述方法包括制備第一基板；在所述第一基板上以第二方向形成多條柵線和柵極；在包括所述柵極的所述第一基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層以對應于所述柵極；形成多條數據線、源極/漏極并且在所述有源層上在第二方向的多條第一連接線，并且所述柵極、有源層和源極/漏極組成薄膜晶體管，所述柵線與所述數據線限定多個像素區域，并且所述像素區域包括多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；在所述薄膜晶體管上形成保護層；以及在所述保護層上形成第二連接線，其中所述第一連接線使所述第一像素線的所述薄膜晶體管彼此電連接，并且所述第二連接線使所述第二像素線至少其中之一的所述薄膜晶體管彼此電連接。
20.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的所述源極和漏極的至少其中之一延伸出。
21.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，所述第二連接線接地。
22.根據權利要求19所述的方法，其特征在于，所述第二連接線通過所述保護層的接觸孔連接所述薄膜晶體管。
23.一種制造有機電致發光顯示器件的方法，包括制備第一基板；在所述第一基板上形成第二方向的多條柵線和柵極；在包括所述柵極的所述第一基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層以對應于所述柵極；形成多條數據線、源極/漏極和在所述有源層上第一方向的多條第一連接線，并且所述柵極、有源層和源極/漏極組成薄膜晶體管，所述柵線與所述數據線限定多個像素區域，并且所述像素區域包括多條第一方向的第一像素線和多條第二方向的第二像素線；在所述薄膜晶體管上形成保護層；以及在所述保護層上形成第二連接線，其中所述第一連接線使所述第一像素線至少其中之一的所述薄膜晶體管彼此電連接，并且所述第二連接線使所述第二像素線的所述薄膜晶體管彼此電連接。
24.根據權利要求23所述的方法，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的所述源極和漏極的至少其中之一延伸出。
25.根據權利要求23所述的方法，其特征在于，所述第一連接線接地。
26.根據權利要求23所述的方法，其特征在于，所述第二連接線通過所述保護層的接觸孔連接所述薄膜晶體管。
27.一種制造有機電致發光顯示器件的方法，所述方法包括制備第一基板；在所述第一基板上形成具有第二方向的多條柵線和柵極；在包括所述柵極的所述第一基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層以對應于所述柵極；形成多條數據線、源極/漏極和在所述有源層上第一方向的多條第一連接線，并且所述柵極、有源層和源極/漏極組成薄膜晶體管，所述柵線與所述數據線限定多個像素區域，并且所述像素區域包括多條具有第一方向的第一像素線和多條具有第二方向的第二像素線；在所述薄膜晶體管上形成保護層；以及在所述保護層上形成第二連接線，其中所述第一連接線使所述第一像素線至少其中之一的所述薄膜晶體管彼此電連接，并且所述第二連接線使所述第二像素線的所述薄膜晶體管彼此電連接。
28.根據權利要求27所述的方法，其特征在于，所述第一連接線從所述薄膜晶體管的所述源極和漏極的至少其中之一延伸出。
29.根據權利要求27所述的方法，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線的其中之一接地。
30.根據權利要求27所述的方法，其特征在于，所述連接線通過所述保護層的接觸孔連接所述薄膜晶體管。
全文摘要
本發明公開一種有機電致發光顯示器件及其制造方法。該有機電致發光顯示器件包括多個像素區域，該像素區域包括第一方向的多條第一像素線和第二方向的多條第二像素線。該像素區域分別包括薄膜晶體管。多條第一連接線電連接該第一像素線的該薄膜晶體管，并且第二連接線電連接該第二像素線至少其中之一的該薄膜晶體管。
文檔編號H05B33/10GK1992330SQ20061014521
公開日2007年7月4日 申請日期2006年11月17日 優先權日2005年12月26日
發明者樸宰用, 黃曠兆, 樸鍾佑, 崔熙東, 柳相鎬, 金鎮亨 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社