掩模、有機el元件的制造方法及有機el打印機的制作方法

專利名稱：掩模、有機el元件的制造方法及有機el打印機的制作方法
技術領域：
本發明涉及掩模、有機EL元件的制造方法及有機EL打印機。特別涉及用于形成高分子有機EL元件的干法蝕刻中使用的掩模。
背景技術：
由于有機EL面板是具有層疊了薄膜的構造的自發光型且制造方法簡單，因此作為光源非常引人關注。
尤其，高分子有機EL元件，可將高分子有機EL材料溶解于溶劑中，通過旋涂法或噴墨法在大氣中形成，因此容易對應于大型基板。其中，從制造方法的容易度出發，旋涂法作為形成單色光源或照明的方法而被最廣泛利用。
但是，由于旋涂法在整個基板涂敷面涂敷有機材料，因此在密封部分或電路等的電連接部分開孔時，必須由溶劑等選擇性地除去有機材料。以往，向基板外周部噴射大量的溶劑來溶解除去，但會大量消耗溶劑，而且，伴隨于此還會產生大量的廢液，因此擔心對地球環境的影響。
作為解決該問題的方法之一，提出了以下所示的方法。
具體為，首先，通過旋涂法在基板上成膜有機材料，使對應于圖案的區域開口的掩模密接到基板上進行安裝。然后，通過使用氧等離子體的干法蝕刻，選擇性地除去未由掩模被覆的不要部分，從而在基板上形成規定圖案(參照專利文獻1)。
該方法中，無需大量的溶劑，而且由于可根據掩模進行準確的圖案形成，因此可削減為了溶劑的侵入所需要的多余的面積，從而可實現制品芯片的小型化和伴隨于此的由一塊基板獲得的個數的增加所帶來的低成本化。
但是，上述專利文獻1所公開的方法中，將成膜于基板上的有機材料圖案形成為規定圖案時，通過使掩模的與基板的對置面(安裝面)與基板上的有機材料接觸，從而選擇性地蝕刻未由上述掩模被覆的有機材料。因此，由于產生圖案的發光層的表面與掩模的對置面接觸，因此存在受到由與掩模的接觸引起的劃痕等損傷的問題。
專利文獻1特開2005-166476號公報發明內容本發明鑒于上述課題而實現，目的在于高精度且容易地提供一種在進行掩模蝕刻來形成規定形狀的圖案時，可不會造成由劃痕等引起的損傷而形成圖案的掩模，以及使用該掩模的高分子有機EL發光元件。
為了解決上述課題，本發明是用于將成膜于被成膜基板的膜形成為規定圖案的蝕刻用掩模，包括保護部，其至少覆蓋成為所述圖案的圖案區域的所述膜；和突起部，其在與所述圖案區域的外周部對應的位置的所述保護部的與所述被成膜基板對置的對置面，從所述對置面突出設置。
根據該構成，在進行膜的圖案形成時，從掩模的保護部的對置面突出的突起部與成膜于被成膜基板的膜接觸。這里，由于突起部設置在與圖案區域的外周對應的位置，因此突起部所接觸的膜是非圖案區域的膜。另一方面，由于保護部被從對置面突出的突起部支撐，因此保護部的對置面與成膜于被成膜基板的膜不接觸。換而言之，對應于圖案區域的膜與保護部不接觸。因此，由于圖案區域的膜與掩模不接觸，可防止由掩模的接觸引起的膜的破損等。
而且，例如通過等離子體蝕刻等進行膜的圖案形成時，設置于掩模的保護部的對置面側的突起部成為隔斷，可防止來自掩模的側方的等離子體氣體的侵入。由此，可形成正確的圖案。
并且，本發明的掩模，優選所述突起部形成為劃分所述保護部的所述對置面的周邊部。
根據該構成，由于突起部形成為劃分保護部的對置面的周邊部，因此，例如進行蝕刻(例如等離子體蝕刻)時，突起部成為隔斷，可防止來自掩模的側方的等離子體氣體的侵入。由此，可抑制蝕刻的蔓延，能夠形成精度高的圖案。另外，與掩模的突起部接觸的正下區域的膜是非圖案區域的膜，但可通過調制蝕刻等的時間而控制等離子體的蔓延，從而容易地除去突起部的正下區域的膜。由此，可避免圖案區域的損傷，并且形成規定形狀的圖案。而且，由于突起部形成在對應于非圖案區域的位置，因此即使讓掩模接觸到膜上，也不會對圖案造成損傷。
進而，本發明的掩模，優選設置多個所述保護部，所述保護部彼此通過橫梁架設。
根據該構成，通過多個保護部彼此由橫梁架設，構成了多個保護部被一體化的掩模。由此，可同時圖案形成多個圖案，從而可實現縮短圖案的形成時間及低成本化。
而且，本發明的掩模，優選設置沿多個所述保護部的外周支撐所述保護部的框部，所述保護部與所述框部通過橫梁架設，所述框部的厚度形成得比所述保護部與所述突起部加在一起的厚度薄，并且所述框部架設于所述保護部的與所述被成膜基板對置的對置面的相反一側方向的分離的位置。
根據該構成，由于掩模的外側比內側形成得更薄、框部架設于與保護部的對置面的分離的位置，因此若使掩模的保護部接觸到被成膜基板，則框部成為浮置的狀態。該狀態下，若按壓框部，則由橫梁的彈性使得整個掩模變形。由此，通過位于掩模的中央部的保護部作用更強的應力，從而可實現掩模與被成膜基板的密接性的提高。另外，通過對橫梁添加刻紋，可進一步提高橫梁的彈性力，從而可實現掩模與被成膜基板的密接性的提高。
并且，本發明的掩模，優選所述橫梁設置于所述保護部及所述框部的各自的側面，所述橫梁設置于從所述保護部及所述框部的各自的所述對置面分離的位置。
根據該構成，由于架設在保護部及框部側面的橫梁設置于從各自的對置面(被成膜基板)分離的位置，因此使掩模接觸到被成膜基板上時，橫梁不會接觸到被成膜基板。換而言之，在橫梁與被成膜基板的面之間形成了間隙部。由此，蝕刻時，等離子體也會蔓延到橫梁的下方側，可圖案形成非圖案區域的膜。
進而，本發明的掩模，優選所述橫梁形成為圓柱狀。
根據該構成，與使橫梁例如形成為四棱柱狀的情況不同，等離子體不會被橫梁的邊緣截斷。因此，促進等離子體蝕刻時的等離子體的蔓延，從而也可有效地圖案形成橫梁的正下區域的膜。
而且，本發明的掩模，優選所述保護部、所述橫梁及所述框部，由玻璃、硅或鋁的非磁性不透明材料構成。
根據這些非磁性不透明材料，在進行等離子體蝕刻時，不會對等離子體的軌道產生影響。因此，可按照設計值形成圖案。
本發明的有機EL元件的制造方法，一種有機EL元件的制造方法，通過旋涂法在被成膜基板上涂敷高分子有機EL材料并對膜進行成膜，使用所述技術方案1～7的任一項所述的掩模，通過包含氧的干法蝕刻將所述膜圖案形成為規定圖案來制造有機EL元件。
根據該構成，即使不使用高價的印刷裝置或噴墨裝置，也可容易地制造高分子有機EL元件。另外，由于在掩模的保護部的對置面設置突起部，因此可使發光層不與掩模接觸而將發光層圖案形成為規定形狀。因此，通過防止發光層由劃痕引起的破損，從而可確立成品率高的掩模干法蝕刻工藝。
有機EL打印機包括排列有通過權利要求8所述的有機EL元件的制造方法制造的有機EL元件的基板；對置于所述基板的所述有機EL元件而配置，使從所述有機EL元件射出的發光光以規定的成像倍率通過的微透鏡；和將通過了所述微透鏡的發光光成像、曝光的感光體圓筒。
根據本發明的有機EL打印機，由于使用上述掩模進行圖案形成，因此可形成無損傷的有機EL元件。從而可提供無發光不均勻的高精度的有機EL打印機。


圖1是表示掩模的上面側的概略構成的立體圖；圖2是表示圖1所示的掩模的下面側的概略構成的立體圖；圖3是沿圖1所示的掩模的A-A’線的剖面圖；圖4是表示將圖1所示的掩模密接于被成膜基板上時的狀態的剖面圖；
圖5是表示有機EL裝置的制造工序的剖面圖；圖6是示意性地表示等離子體裝置的剖面圖；圖7是表示有機EL打印機的概略構成的立體圖。
圖中10-掩模，12-島部(保護部)，12a-對置面，14-橫梁，16-外周框架，18-突起部，40-腔室，52-有機EL元件，54-發光體基板，60-自聚焦透鏡陣列(微透鏡)(selfoc lens array)，62-感光體圓筒，100-有機EL裝置。
具體實施例方式
以下，參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。另外，在以下的說明中使用的各附圖中，為了將各構件設為可辨識的大小，適當變更了各構件的比例尺。
(掩模的構造)首先，對本實施方式的掩模的構造進行說明。
圖1是表示本實施方式的掩模10的概略構成的立體圖。圖2是表示圖1所示的掩模10的背面側的概略構成的剖面圖。圖3是沿圖1所示的掩模的A-A’線的剖面圖。另外，圖1中，坐標系使用X-Y-Z右手系直角坐標系，設X-Y平面平行于紙面，設Z平面垂直于X-Y平面。而且，剖面線部分切斷·除去，使得基板的密接面側的一部分的構造可見。并且，圖1、2中，掩模10的下方側的面(箭頭所示的面)對置于其它基板而配置，因此稱作對置面。
如圖1所示，本實施方式的掩模10包括多個島部12(保護部)，其用于在蝕刻等時被覆作為圖案而剩余的部分(圖案區域)的膜；外周框架16(框部)，其構成掩模10的外形；和橫梁14，其用于互相固定島部12彼此、島部12與外周框架16。
如圖1所示，多個島部12形成為細長的長方體狀，以多個島部12的較長方向成為互相平行的方式在Y軸方向空出規定間隔而配置。而且，在多個島部12的外周，外周框架16以包圍多個島部12整體的方式設置成矩形環狀。
在相鄰的島部12、12的互相對置的側面12b、12b之間，架設有沿Y軸方向延伸的橫梁14。由此，島部12、12彼此被互相固定，構成由多個島部構成的一體化的島部。該橫梁14例如形成為圓柱狀，多個橫梁14沿相互的島部12的側面12b的較長方向等間隔地安裝。同樣，在外周框架16的側面16b與對置于外周框架16的多個島部12的外側的側面12b間架設有橫梁，從而外周框架16與島部12互相固定。
此處，架設于島部12的側面12b及外周框架16的側面16b的橫梁14，如后面所述，為了使等離子體蔓延到橫梁14的圖中下方側(接觸面側)，因此架設于不與密接的基板(詳細為，形成于基板上的膜)接觸的位置。換而言之，如圖3所示，橫梁14安裝于島部12的側面12b及外周框架16的側面16b的上方的位置。另外，作為橫梁14的形狀，除圓柱狀以外還可采用其它的四棱柱狀等各種形狀。
如圖3所示，在島部12的對置面12a上，以劃分對置面12a的周邊部的方式形成有突起部18。該突起部18是通過使除去島部12的對置面12a的周邊部的區域，比對置面12a的周邊部更凹下而突出的，從而島部12的對置面12a側形成為上面開放的箱狀。而且，島部12與突起部18成為連接的構成。
進而，結合圖3所示的剖面圖，對掩模10(突起部18)進行詳細的說明。
如圖3所示，在島部12的對置面12a的兩端部(圖2中，對應于對置面12a的周邊部)，形成有比對置面12a僅突出高度h1的突起部18。該突起部18的接觸面18a形成為與島部12的對置面12a近似平行。換而言之，在后述的蒸鍍階段，突起部18的接觸面18a成為與密接掩模的基板的面方向近似平行。由此，能夠使突起部18可靠地密接于基板上的膜，從而可避免等離子體的侵入。另外，若與被成膜基板接觸，則突起部18的接觸面18a的形狀可相對于島部12的對置面12a以規定角度傾斜，還可彎曲。
而且，在本實施方式中，島部12的厚度h2與外周框架16的厚度h3近似相等。因此，突起部18的高度h1與島部12的厚度h2加在一起的長度h4比外周框架16的厚度h3長。
并且，島部12的對置面12a的寬度w1形成為與如后述的構成有機EL元件的一部分的發光層(圖案)的短邊的長度相等。換而言之，島部12的寬度w1的對置面12a，對應于成為圖案的部分的圖案區域，突起部18的接觸面18a對應于未成為圖案的非圖案區域。
本實施方式的掩模10通過加工同一構件(材料)，由島部12、外周框架16、與架設這些的橫梁14構成，形成如圖1～圖3所示的形狀。作為掩模10的材料，優選使用鋁、硅、氧化鋁等陶瓷等對干法蝕刻具有耐性的、且非磁性的材料。選擇非磁性的材料的理由在于，架設若為強磁性材料，由于會打亂在干法蝕刻時產生的等離子體的密度分布，因此不能進行均勻的等離子體干法蝕刻。另外，由鋁形成掩模10時，適合形成對應于大型基板的大型的掩模。
進而，作為上述的掩模10的制造方法，由鋁形成掩模10時，通過機械加工中心進行切削而形成為上述掩模形狀。而且，由硅形成掩模10時，通過使用MEMS技術的蝕刻加工形成為上述掩模形狀。進一步，由陶瓷形成掩模10時，通過等離子體加工形成為上述掩模形狀。
下面，對將本實施方式的掩模實際地安裝到玻璃基板(被成膜基板)時的掩模及玻璃基板的剖面構造進行說明。
圖4是表示將本實施方式的掩模10安裝到后述的蒸鍍圖案的玻璃基板20的狀態的剖面圖。
如圖4所示，使外周框架16的接觸面16a及突起部18的接觸面18a接觸于玻璃基板20。于是，如上所述，由于突起部18比外周框架16的接觸面16a及島部12的對置面12a突出，因此架設外周框架16與排列于外側的島部12的橫梁14a撓曲。通過該橫梁14的撓曲，施加到外周框架16的推力傳到橫梁14a，并從排列于外側的島部12傳到排列于中央部的島部12，從而對位于掩模10的中央部的島部12作用更強的推力。由此，可實現掩模10與玻璃基板20的密接性的提高。因此，例如，如后面所述，對掩模10照射氧等離子體時，可防止氧原子團(radical)等從掩模10與玻璃基板20的間隙侵入到內部。另外，通過對橫梁14進行劃刻，可進一步提高橫梁14的彈性力。
根據本實施方式，進行膜的圖案形成時，由于突起部18成為支撐構件，圖案區域的膜不會接觸到掩模10，因此可防止掩模10接觸而引起的膜的破損等。
而且，根據本實施方式，由于突起部18以劃分島部12的對置面12a的周邊部的方式形成，因此例如進行蝕刻(例如等離子體蝕刻)時，突起部成為隔斷，防止等離子體從掩模10的側方侵入。因此，可抑制蝕刻的蔓延，從而可形成精度高的圖案。另外，與掩模10的突起部18接觸的正下區域的膜是非圖案區域的膜，但通過調整蝕刻等的時間可控制等離子體的蔓延，從而可容易地除去突起部18的正下區域的膜。由此，可避免圖案區域的損傷，并可形成規定形狀的圖案。
并且，根據本實施方式，通過多個島部12、12彼此由橫梁14架設，而構成多個島部12被一體化的掩模10。由此，可同時圖案形成多個圖案，從而可實現縮短圖案的形成時間及低成本化。
另外，根據本實施方式，由于掩模10由上述的非磁性不透明材料構成，因此在進行等離子體蝕刻時，不會對等離子體的軌道產生影響。因此，可按照設計值形成圖案。
(有機EL裝置的制造方法)下面，對使用上述的掩模制造有機EL裝置的工序進行說明。
圖5(a)～(f)是表示本實施方式的有機EL裝置的制造工序的剖面圖。
如圖5(a)所示，首先，準備由透明材料構成的玻璃基板20，在玻璃基板20上形成陽極22。陽極22通過使用ITO(銦錫氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)進行掩模蒸鍍而形成。在玻璃基板20上形成陽極22之后，對包含陽極22的玻璃基板20表面通過氧等離子體實施除塵(ashing)進行基板表面的清洗。
然后，如圖5(b)所示，成膜陽極22之后，在玻璃基板20上的整個面成膜空穴輸送層24。具體為，例如在純水中以1.0重量％溶解注入了高分子材料即苯乙烯-磺酸的聚3、4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)[商品名；Bytron-p(バイトロン-p)Bayer(バイアル)公司制]，并通過旋涂法在玻璃基板20上成膜空穴輸送層24。然后，將成膜于玻璃基板20上的空穴輸送層24在由氮凈化的爐(oven)中以120℃干燥10分鐘。另外作為空穴輸送層24的材料，除上述材料以外，還可使用例如聚亞乙二氧基噻吩等聚噻吩衍生物與聚苯乙烯磺酸等的混合物。接著，如圖5(c)所示，在空穴輸送層24上的整個面形成發光層26。具體為，通過旋涂法，將PR212(Covion(コビオン)公司制)以1重量％溶解于甲苯后的液狀體涂敷到玻璃基板20上成膜發光層26。然后，將成膜于玻璃基板20上的發光層26，在由氮凈化的爐中以120℃干燥10分鐘。另外，作為發光層26的材料，除上述材料以外，適宜使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)對亞苯基亞乙烯基衍生物(PPV)、(聚)亞苯基衍生物(PP)、聚對亞苯基衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。
繼而，如圖5(d)所示，將上述的掩模10安裝到等離子體處理裝置中，通過使用O2等離子體的干法蝕刻，將空穴輸送層24及發光層26圖案形成為規定形狀。
此處，簡單地對上述等離子體處理裝置(Samco Inc(サムコインタ一ナシヨナル)公司制；RIE-10NR)進行說明。
圖6是示意性地表示等離子體處理裝置70的剖面圖。
如圖6所示，在腔室40的容器64的上部設置有用于向腔室40內部供給氣體的氣體導入口44，在容器64下部設置有用于從腔室40向外部排出氣體的氣體排氣口48。在腔室40內部的上方，安裝形成有與氣體導入口44連接的多個開口部的噴淋頭46，從氣體導入口44供給的氧氣照射到腔室40內部。而且，在腔室40內部的下方設置兼備電極的試料臺42，在試料臺42上裝載上述玻璃基板20，在玻璃基板20上安裝掩模10。而且，試料臺42與設置于腔室40外部的施加偏壓用RF電源連接。這樣，供給到腔室40內部的氧氣被等離子化，從而進行掩模蝕刻。
在本實施方式中，作為具體的等離子體處理裝置的設定條件，在輸出功率為200W、壓力為0.2Torr、氣體流量為30sccm的條件下，蝕刻速度為0.4μm/min。
返回圖5(d)，在設定為上述條件的等離子體處理裝置70中安裝本實施方式的掩模10，對形成于玻璃基板20上的空穴輸送層24及發光層26進行干法蝕刻并圖案形成為規定形狀。另外，本實施方式中，同時蝕刻空穴輸送層24及發光層26，但也可分別蝕刻空穴輸送層24及發光層26。具體為，成膜空穴輸送層24之后，對其進行蝕刻，然后，在成膜發光層26之后蝕刻該發光層26。
接著，掩模蝕刻之后，如圖5(e)所示，使用掩模10在發光層26上形成陰極28。具體為，將成為陰極28的金屬鈣(calcium metal)蒸鍍1nm之后，蒸鍍150nm左右的鋁。另外，圖5(e)中，成為陰極28與陽極22被連接的構成，但實際上是在平面性地不重疊的位置形成引線并與規定的端子連接。
繼而，如圖5(f)所示，為了保護發光層26不受濕氣、氧的侵害，由密封玻璃30(密封基板)密封發光層26等。該密封工序中，在密封玻璃30的內側插入干燥劑，并且通過粘接材密封該密封玻璃30與玻璃基板20。另外，該密封工序優選在氮、氬、氦等惰性氣體氣氛中進行。這是由于若在空氣中進行，則水或氧等侵入到陰極28，存在陰極28被氧化的危險。
在粘接材的涂敷工序中，在前一階段除去了空穴輸送層24及發光層26后的區域，以平面性地包圍發光層26的方式形成為矩形框狀。作為粘接材可使用光固性或熱固性的樹脂材料，例如可使用印刷法等形成。
經過如以上的各工序，可獲得單色發光型的有機EL裝置100。
根據本實施方式，通過旋涂法可容易地形成背景色(area color)(單色發光型)的高分子有機EL元件，并且由于不必使用高價的噴墨裝置，因此可實現低成本化。而且，與通過噴墨裝置成膜發光層等的情況相比，成膜的膜厚的平坦性優異。而且，由于在掩模10的島部12的對置面12a設置突起部18，因此可不使發光層與掩模接觸而將發光層圖案形成為規定形狀。因此，通過防止發光層由劃痕引起的破損，從而可確立成品率高的掩模干法蝕刻工藝。
(有機EL打印機)下面，對包括使用上述的掩模制造的有機EL元件的有機EL打印機進行說明。
圖7是示意性地表示有機EL打印機的概略構成的圖。
如圖7所示，在發光體基板54上，有機EL元件52排列成線狀。如上所述，有機EL元件52具有陽極、空穴輸送層、發光層及陰極，成為單色發光光源。在發光體基板54的兩長邊的下方側，以不與有機EL元件52重疊的方式配置IC安裝基板50。在IC安裝基板50上，與形成在發光體基板54上的有機EL元件52的像素數相對應，安裝有多個驅動器IC56。而且，有機EL元件52與驅動器IC56通過引線接合法，經由布線58而電連接。并且，若對驅動器IC56供給規定的數據，則將經由布線58向陽極供給電流。由此，將有機EL元件52的發光光照射到發光體基板54的背面側(下方)。在發光體基板54的背面側(下方)，配置有Selfoc(セルフオツク)(注冊商標)透鏡陣列60(微透鏡)及感光體圓筒(drum)62。來自有機EL元件52的發光光，通過由自聚焦透鏡陣列60等等倍成像透鏡陣列構成的光學成像系統，在感光體圓筒62上成像、曝光。
根據本實施方式，與LED打印機相比，由于不必按每個像素進行光源的安裝，因此光源的不均勻較少。進而，由于可將像素密度提高到1200dpi，從而可容易地制造非常高速·高精細的打印機。
本愿發明并非限定于上述的例子，在不脫離本愿發明的宗旨的范圍內當然可施加各種變更。而且，也可在不脫離本愿發明的宗旨的范圍內將上述的各例進行組合。
例如，在上述實施方式中，使島部12與突起部18加在一起的厚度h4和外周框架的厚度h3不同，但也可使島部12與突起部18加在一起的厚度h4和外周框架的厚度h3近似相等。
而且，在上述實施方式中，通過加工島部12的對置面12a的一部分，作為島部12的一部分形成了突起部18，但并非限定于此。換而言之，可在島部12的對置面12a的周邊部，將另外由與島部12相同材料或不同材料構成的突起部，例如通過粘接材貼附到島部12的對置面12a上，由此形成突起部18。
權利要求
1.一種掩模，是用于將成膜于被成膜基板的膜形成為規定圖案的蝕刻用掩模，包括保護部，其至少覆蓋成為所述圖案的圖案區域的所述膜；和突起部，其在與所述圖案區域的外周部對應的位置的所述保護部的與所述被成膜基板對置的對置面，從所述對置面突出設置。
2.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，所述突起部，形成為劃分所述保護部的所述對置面的周邊部。
3.根據權利要求1或2所述的掩模，其特征在于，設置多個所述保護部，所述保護部彼此通過橫梁架設。
4.根據權利要求1～3的任一項所述的掩模，其特征在于，設置沿多個所述保護部的外周支撐所述保護部的框部，所述保護部與所述框部通過橫梁架設，所述框部的厚度形成得比所述保護部與所述突起部加在一起的厚度薄，并且所述框部架設于所述保護部的與所述被成膜基板對置的對置面的相反一側方向的分離的位置。
5.根據權利要求3或4所述的掩模，其特征在于，所述橫梁設置于所述保護部及所述框部的各自的側面，所述橫梁設置于從所述保護部及所述框部的各自的所述對置面分離的位置。
6.根據權利要求3～5的任一項所述的掩模，其特征在于，所述橫梁形成為圓柱狀。
7.根據權利要求1～6的任一項所述的掩模，其特征在于，所述保護部、所述橫梁及所述框部，由玻璃、硅或鋁的非磁性不透明材料構成。
8.一種有機EL元件的制造方法，通過旋涂法在被成膜基板上涂敷高分子有機EL材料并對膜進行成膜，使用所述權利要求1～7的任一項所述的掩模，通過包含氧的干法蝕刻將所述膜圖案形成為規定圖案來制造有機EL元件。
9.一種有機EL打印機，包括排列有通過權利要求8所述的有機EL元件的制造方法制造的有機EL元件的基板；對置于所述基板的所述有機EL元件而配置，使從所述有機EL元件射出的發光光以規定的成像倍率通過的微透鏡；和將通過了所述微透鏡的發光光成像、曝光的感光體圓筒。
全文摘要
本發明提供一種掩模，是用于將成膜于被成膜基板的膜形成為規定圖案的蝕刻用掩模(10)，包括保護部(12)，其至少覆蓋成為圖案的圖案區域的膜；和突起部(18)，其在與圖案區域的外周部對應的位置的保護部(12)的與被成膜基板對置的對置面，從對置面突出而設置。由此，本發明高精度且容易地提供一種在進行掩模蝕刻形成規定形狀的圖案時，可不會造成由劃痕等引起的損傷而形成圖案的掩模，以及使用該掩模的高分子有機EL發光元件。
文檔編號H05B33/10GK1905243SQ20061010860
公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月25日 優先權日2005年7月27日
發明者四谷真一 申請人:精工愛普生株式會社