發光元件和發光設備的制作方法

專利名稱：發光元件和發光設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種在一對電極之間具有發光層的發光元件，更具體而言，本發明涉及該發光元件的層結構。
背景技術：
利用從電致發光元件(一種發光元件)發射的光的發光設備具有廣視角和低功耗。最近幾年，在發光設備的開發領域已經積極進行了對能夠長期提供高質量圖像的發光設備的研究和開發，以便支配應用于各種信息處理設備(諸如電視接收機和汽車導航系統)的顯示設備的市場。
為了獲得能夠長期提供高質量圖像的發光設備，長壽命的發光元件和有效發光的發光元件的開發變得非常重要。
例如，專利文件1公開了一種與具有多個發光單元的發光元件相關的技術，其中各個發光單元被電荷產生層隔離。該專利文件1描述了一種具有高亮度的長壽命發光元件。但是，在專利文件1中使用的五氧化二釩具有高的吸濕特性。因此，發光元件很可能由于五氧化二釩吸收的濕氣而被惡化。發光元件的惡化導致了發光設備中的圖像質量的惡化。
因此，在發光設備的開發中，制造一種具有高抗濕特性以及高亮度的發光元件也是重要的。

發明內容
本發明的目的是提供一種具有卓越抗濕特性的發光元件。更具體而言，本發明的目的是提供一種能夠發射白光的具有卓越抗濕特性的發光元件。
在本發明的一個方面，發光元件包括包含具有受電子特性的物質的層。由于該物質具有受電子特性，因此使用了鉬氧化物。
在本發明的另一個方面，發光元件包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)。該發光元件還包括在第m發光層(m是自然數1≤m≤n)和第m+1發光層之間的第一層和第二層。該第一和第二層互相接觸。該第一層包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質。該第二層包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質。此外，鉬氧化物用作為具有給電子特性的物質。
在本發明的另一個方面，發光元件包括n片層組(n是自然數)，每一層組具有在一對電極之間的第一層、第二層和發光層。該第一層包括容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質。該第二層包括容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質。在該n片層組中，第m層組(m是自然數1≤m≤n)中包括的第一層和第m+1層組中包括的第二層被層壓為互相接觸。
在本發明的另一個方面中，發光元件包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)。第二電極與第一電極相比更容易反射光。該發光元件還包括在第m發光層(m是自然數1＝m＝n)和第m+1發光層之間的第一層和第二層。此外，該第一和第二層互相接觸。該第一層包括容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質。該第二層包括容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質。該第m+1發光層表現出比第m發光層更短的發射光譜的峰值波長。該n片發光層被這樣提供，使第m+1發光層被放置的比第m發光層更靠近第二電極。
在本發明的另一個方面中，發光元件包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)。第二電極與第一電極相比更容易反射光。該發光元件還包括在第m發光層(m是自然數1＝m＝n)和第m+1發光層之間的第一層和第二層。該第一和第二層互相接觸。該第一層包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質。該第二層包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質。該n片發光層被這樣提供，使表現出更短發射光譜的峰值波長的發光層被提供的更靠近第二電極。
根據本發明，可以獲得具有卓越抗濕特性的發光元件，這樣該發光元件很難被侵入發光元件的濕氣惡化。此外，可以提供一種能夠發射白光的發光元件。此外，因為在本發明的發光元件中很難引起從發光元件發射的光和反射的光之間的干涉，因此可以容易控制從發光元件發射的光的色調。


圖1是解釋本發明的發光元件的圖示；圖2是解釋本發明的發光元件的圖示；圖3是顯示根據本發明的發光設備的頂視圖；圖4是解釋在根據本發明的發光設備中包括的電路的圖示；圖5是根據本發明的發光設備的頂視圖；圖6是解釋根據本發明的發光設備的幀操作的圖示；圖7A到7C是根據本發明的發光設備的橫截面圖示；圖8A到8C是顯示根據本發明的電器的圖示；圖9是解釋根據本發明的發光元件的圖示；圖10是顯示根據本發明的發光元件的發射光譜的圖示；和圖11是顯示有關鉬氧化物和α-NPD的混合層的傳輸光譜的圖示。
具體實施例方式以下將參考附圖等等來描述根據本發明的實施方式和實施例。此外，本發明可以以許多不同的方式執行。本領域技術人員很容易理解這里所公開的實施方式和細節可以用各種方法修改，而不背離本發明的目的和范圍。本發明不應該理解為限制為以下給出的實施方式的描述。
實施方式1
在圖1中，包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層103和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層104被提供在第一電極101和第二電極102之間。該第一層103和第二層104被層壓互相接觸。此外，空穴在包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層103中產生，而電子在包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層104中產生。
此外，第一發光層111被提供在第一電極101和第一層103之間。第二發光層121被提供在第二電極102和第二層104之間。
此外，在該實施方式中，第一電極101起到陽極的作用，第二電極102起到陰極的作用。優選地，第一電極101和第二電極102的一個或兩個是由容易透射可見光的物質制造的。
用于第一電極101的物質并不是特別限制的。為了形成起到與本實施方式相同的陽極作用的第一電極101，第一電極優選地是由具有高功函數的物質制造的，諸如銦錫氧化物、包含硅氧化物的銦錫氧化物、其中2到2％的鋅氧化物被混合在銦氧化物中的銦鋅氧化物、以及其中百分之幾的鎵氧化物被混合到鋅氧化物中的鎵鋅氧化物。此外，由上述具有高功函數的物質制造的電極容易地透射可見光。
此外，用于第二電極102的物質并不是特別限制的。為了形成起到與本實施方式相同的陰極作用的第二電極102，第二電極優選地是由具有低功函數的物質制造的，諸如包含堿金屬(例如，鋰(Li)，鎂等等)、堿土等等的鋁。
容易傳輸空穴的物質并不是特別限制的。例如，容易傳輸空穴的物質可以由芳族胺(即，具有苯環氮鍵的一種)化合物制造，諸如4，4’-bis(N-[1-naphthyl]-N-phenyl-amino)-biphenyl(縮寫為α-NPD)；4，4’-bis(N-[3-methylphenyl]-N-phenyl-amino)-biphenyl(縮寫為TPD)；4，4’，4”-tris(N，N-diphenyl-amino)-triphenylamine(縮寫為TDATA)；和4，4’，4”-tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine(縮寫為MTDATA)。
具有受電子特性的物質并不是特別限制的。例如，優選地使用具有低吸濕特性的物質，諸如鉬氧化物。
容易傳輸電子的物質并不是特別限制的。例如，容易傳輸電子的物質可以由具有喹啉基或苯并喹啉基的金屬復合物制造，諸如tris(8-quinolinolate)alumihum(縮寫為Alq3)；tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(縮寫為Almq3)；bis(10-hydroxybenzo[h]-quinolinato)beryllium(縮寫為BeBq2)；和bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-phenylphenolate-aluminum(縮寫為BAlq)。
具有給電子特性的物質并不是特別限制的。例如，可以使用諸如鋰的堿金屬、諸如鎂的堿土金屬等等。此外，可以使用諸如鋰氧化物的堿金屬氧化物、諸如鋰氮化物的堿金屬氮化物、諸如鎂氧化物的堿土金屬氧化物、諸如鎂氮化物的堿土金屬氮化物。
第一發光層111和第二發光層121分別包含發光物質。上述的發光物質指示了具有展現預定波長的發光的有利的發光效率的物質。此外，第一和第二發光層111和121可以包含互相不同的發光物質。第一和第二發光層111和121并不是特別限定的。每個層可以由包含一種物質的層或者其中混合多種物質的層制造。例如，第一和第二發光層111和121的任何一個或兩個都可以由僅僅一種發光物質制造。替換地，第一和第二發光層的任何一個或兩個可以由發光物質和其他物質的混合層形成。由于該物質與發光物質組合使用，優選地使用具有比發光物質更大能隙的物質。在本實施方式中，能隙指示了LUMO級別和HOMO級別之間的能隙。
該發光物質并不是特別限定的。例如，為了獲得紅色光發射，可以使用以下展現了在600nm到680nm具有峰值的發射光譜的物質4-dicyanomethylene-2-isopropyl-6-(2-[1，1，7，7-tetramethyl julolidine-9-yl]ethenyl)-4H-pyran(縮寫為DCJTI)；4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(2-[1，1，7，7-tetramethyl julolidine-9-yl]ethenyl)-4H-pyran(縮寫為DCJT)；4-dicyanomethylene-2-tert-butyl-6-(2-[1，1，7，7-tetramethyl julolidine-9-yl]ethenyl)4H-pyran；periflanthene；2，5-dicyano-1，4-bis(2-[10-methoxy-1，1，7，7-tetramethyl julolidine-9-yl]ethenyl)benzene等等。為了獲得綠色光發射，可以使用展現了在500nm到550nm具有峰值的發射光譜的物質，諸如N，N’-dimethyl-quinacridon(縮寫為DMQd)，coumarin 6，coumarin545T，和tris(8-quinolinolate)aluminum(縮寫為Alq3)。為了獲得藍色光發射，可以使用以下展現了在420nm到480nm具有峰值的發射光譜的物質9，10-bis(2-naphthyl)-tert-butylanthracene(縮寫為t-BuDNA)；9，9’-binathryl；9，10-diphenylanthracene(縮寫為DPA)；9，10-bis(2-naphthyl)anthracene(縮寫為DNA)；bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-phenylphenolate-gallium(縮寫為BGaq)；bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-phenylphenolate-aluminum(縮寫為BAlq)等等。
在上述發光元件中，當電壓施加到第一和第二電極101和102時，空穴被從第一電極101注入到第一發光層111，并且電子被從第一層103注入到第一發光層111。同樣，空穴被從第二電極102注入到第二發光層121。電子被從第二層104注入到第二發光層121。因此，空穴和電子在第一和第二發光層111和112中被重新組合，這樣就激發了發光物質。該發光物質一從激發狀態返回到基態就發光。
此外，當從第一發光層111發射的光的顏色和從第二發光層121發射的光的顏色互補時，人眼就將該從兩個發光元件發射的光檢測為白色。在該情況下，當第一電極101的反射率不同于第二電極102的反射率并且從各自發光層發射的光的發射光譜的峰值波長(即，在檢查發射光譜的情況下最大發射強度的波長)互相不同時，各自的發光層優選地被這樣排列具有更短峰值波長的發光層被放置的更靠近具有高反射率的電極。此外，峰值波長指示在具有多個峰值的發射光譜中展現具有最強發射強度的峰值的波長。例如，在第一電極101是由銦錫氧化物等等制造并且容易發射可見光而第二電極102是由鋁等等制造并且容易反射光的情況下，第一發光層111(被放置的最靠近第一電極101)優選地是發射藍色光的發光層，而第二發光層121(被放置的最靠近第二電極102)優選地是發射黃色光的發光層。因此，可以減小由于反射從在第二電極102的發光層發射的光而引起的光干涉。
此外，只有第一發光層111可以以與本實施方式相同的方法被提供在第一電極101和第一層103之間。可替換地，除了第一發光層111之外，還可以在它們之間提供空穴傳輸層等等。同時，只有第二發光層121可以以本實施方式中所示的那樣被提供在第二電極102和第二層104之間。可替換地，除了第二發光層121，可以在它們之間提供電子傳輸層等等。
因為上述根據本發明的發光元件是通過使用具有低吸水特性(諸如鉬氧化物)的物質形成的，因此發光元件很難被侵入該發光元件的濕氣所惡化。此外，該實施方式的發光元件可以發射白光。此外，在本實施方式的發光元件中很難會引起從發光層發射的光和反射的光之間的干涉，從而可以容易控制從發光層發射的光的色調。
實施方式2
本實施方式將參考圖2描述一種本發明的發光元件，該發光元件具有3個發光層。
在圖2中，第一層203、205和207包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質，而第二層204、206和208包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質，該第一層和第二層被提供在第一電極201和第二電極202之間。在該情況下，第一層203被形成為與第一電極201相接觸。第二層208被形成為與第二電極202相接觸。第一層205和第二層204被層壓以互相接觸。第一層207和第二層206被層壓以互相接觸。空穴是在包括容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層203、205和207中產生，而電子是在包括容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層204、206和208中產生。
在該實施方式中，第一電極201起到陽極的作用，第二電極202起到陰極的作用。第一發光層211被提供在第一層203和第二層204之間。第二發光層221被提供在第一層205和第二層206之間。第三發光層231被提供在第一層207和第二層208之間。空穴傳輸層212被提供在第二層204和第一發光層211之間。空穴傳輸層222被提供在第二層206和第二發光層221之間。空穴傳輸層232被提供在第二層208和第三發光層231之間。在該情況下，空穴傳輸層表示能夠將空穴傳輸到發光層并包含容易傳輸空穴的物質的層。電子傳輸層213被提供在第一層203和第一發光層211之間。電子傳輸層223被提供在第一層205和第二發光層221之間。電子傳輸層233被提供在第一層207和第三發光層231之間。這些電子傳輸層表示能夠將電子傳輸到發光層并且包含容易傳輸電子的物質的層。通過提供這些空穴傳輸層和這些電子傳輸層，發光層就能夠從包含金屬的層中分離出來，從而避免了由金屬引起的光淬滅。
容易傳輸空穴的物質、具有受電子特性的物質、容易傳輸電子的物質、和具有給電子特性的物質與實施方式1中所描述的相同。可以使用在實施方式1中描述的物質。此外，對于具有受電子特性的物質，在本實施方式中優選地使用具有低吸濕特性的物質，諸如鉬氧化物。
第一電極201起到陽極的作用，第二電極202起到陰極的作用。因此，第一電極201優選地是由與實施方式1中的第一電極101相同的具有高功函數的物質制造的。此外，第二電極202優選地是由與實施方式1中的第二電極102相同的具有低功函數的物質制造的。優選地，第一電極201和第二電極202中的一個或兩個是由容易透射可見光的物質制造。
空穴傳輸層212，222和232分別對應于包含容易傳輸空穴的物質的層。空穴傳輸層212，222和232并不是特別限定的。這些空穴傳輸層可以包含各種不同的容易傳輸空穴的物質或者包含相同的容易傳輸空穴的物質。此外，空穴傳輸層212，222和232可以分別包含一種或多種容易傳輸空穴的物質。空穴傳輸層212，222和232可以分別包括僅僅一個層或多個層。此外，容易傳輸空穴的物質與實施方式1中所提到的容易傳輸空穴的物質相同。
電子傳輸層213，223和233分別包含容易傳輸電子的物質。電子傳輸層213，223和233并不是特別限定的。該電子傳輸層可以包含各種不同的容易傳輸電子的物質或者包含相同的容易傳輸電子的物質。電子傳輸層213，223和233可以分別包含一種或多種容易傳輸電子的物質。電子傳輸層213，223和233可以分別包括一個層或多個層。此外，容易傳輸電子的物質與實施方式1中描述的容易傳輸電子的物質相同。
第一發光層211、第二發光層221和第三發光層231分別包含發光物質。該發光物質與實施方式1中所描述的發光物質相同，因此，這里可以利用實施方式1的發光物質。此外，在第一發光層211、第二發光層221和第三發光層231中包括的發光物質可以互相不同。此外，第一發光層211、第二發光層221和第三發光層231并不是特別限定的。每個發光層可以包含一種物質或者包含幾種不同物質的混合物。例如，第一發光層211、第二發光層221和第三發光層231中的一個或多個可以由僅僅一種發光物質制造。可替換地，發光層的一個或多個可以由發光物質和另一種物質的混合物制造。對于與發光物質混合使用的物質，優選地使用具有比發光物質具有更大能隙的物質。在該情況下，能隙指示了LUMO級別和HOMO級別之間的能隙。
當第一發光層211、第二發光層221和第三發光層231的任何一個發射紅色光，另一個發射綠色光，另一個發射藍色光時，人眼將從發光元件發射的光檢測為白光。在第一電極201的光反射率不同于第二電極202的光反射率并且各個發光層的發射光譜的峰值波長互相不同的情況下，各個發光層優選地被這樣排列為具有更短峰值波長的發光層被放置的更靠近具有高反射率的電極。此外，峰值波長指示在具有多個峰值的發射光譜中展現具有最強發射強度的峰值的波長。例如，當第一電極201是由銦錫氧化物等等制造并且容易透射可見光而第二電極202是由鋁等等制造且容易反射光的時候，被放置最靠近第一電極201的第一發光層211優選地對應于發射紅色光的發光層，而被放置最靠近第二電極202的第三發光層231優選地對應于發射藍色光的發光層。因此，可以減小由于在第二電極202反射發光層發射的光帶來的光干涉。
因為上述發光元件是通過使用具有低吸濕特性的物質(諸如鉬氧化物)形成的，因此發光元件很難會被侵入發光元件的濕氣所惡化。此外，本實施方式的發光元件可以發射白光。此外，在本實施方式的發光元件中很難引起從發光層發射的光與被反射的光之間的干涉，因此，可以容易地控制從發光層發射的光的色調。
實施方式3
在實施方式1或2中的所描述的本發明的發光元件可以應用到具有顯示功能的發光設備的象素部件或者應用到具有照明功能的發光設備的照明部件。
本實施方式將參考圖3到圖6描述具有顯示功能的發光設備的電路配置和用于驅動它的方法。
圖3是從根據本發明的發光設備的頂面看過去的示意圖。在圖3中，在基底6500之上提供了象素部件6511、源信號線驅動電路6512、寫柵極信號線驅動電路6513和擦除柵極信號線驅動電路6514。源信號線驅動電路6512、寫柵極信號線驅動電路6513和擦除柵極信號線驅動電路6514通過線路組被分別連接到FPC(軟性印刷電路)6503，該FPC 6503是外部輸入端。源信號線驅動電路6512、寫柵極信號線驅動電路6513和擦除柵極信號線驅動電路6514分別從FPC 6503接收視頻信號、時鐘信號、啟動信號、重置信號等等。該FPC 6503與印刷線路板(PWB)6504連接。此外，驅動電路部件并不需要提供在與上述象素部件6511相同的基底上。例如，驅動電路部件可以通過使用具有在其上安裝了IC芯片(TCP)的布線圖的FPC等等而提供在基底之外。
在象素部件6511中，多條在列上延伸的源信號線以行排列。電流供給線以行排列。此外，多條在行上延伸的柵極信號線在象素部件6511中以列排列。此外，多個包含發光元件的電路在象素部件6511中被排列。
圖4是顯示用于激活一個象素的電路的圖示。如圖4所示的電路包括第一晶體管901，第二晶體管902和發光元件903。
第一和第二晶體管901和902的每一個是一個3端元件，包括柵電極、漏極區和源極區。溝道區被提供在漏極區和源極區之間。起到源極區作用的區和起到漏極區作用的區根據晶體管的配置、操作條件等等而變化，因此很難確定哪個區起到源極區和漏極區的作用。因此，起到源極和漏極作用的區在本實施方式中被分別表示為第一電極和第二電極。
柵極信號線911和寫柵極信號線驅動電路913被提供來通過開關918互相電連接或者斷開連接。柵極信號線911和擦除柵極信號線驅動電路914被提供來通過開關919互相電連接或者斷開連接。源信號線912被提供來通過開關920電連接到源信號線驅動電路915或連接到電源916。第一晶體管901的柵極電連接到柵極信號線911。第一晶體管的第一電極電連接到源信號線912，而其第二電極電連接到第二晶體管902的柵電極。第二晶體管902的第一電極電連接到電流供給線917而其第二電極電連接到發光元件903包括的一個電極。此外，開關918可以被包括在寫柵極信號線驅動電路913中。開關919也可以被包括在擦除柵極信號線驅動電路914中。此外，開關920可以被包括在源信號線驅動電路915中。
在象素部件中晶體管、發光元件等等的排列并不是特別限定的。例如，可以使用如圖5的頂視圖所示的排列。在圖5中，第一晶體管1001的第一電極連接到源信號線1004，而第一晶體管的第二電極連接到第二晶體管1002的柵電極。第二晶體管的第一電極連接到電流供給線1005，而第二晶體管的第二電極連接到發光元件的電極1006。柵極信號線1003的一部分起到第一晶體管1001的柵電極的作用。
接下來，將描述驅動發光設備的方法。圖6就是隨著時間解釋幀的操作的圖示。在圖6中，水平方向表示時間過程，而縱向表示柵極信號線的掃描階段的數量。
當在本發明的發光設備上顯示圖像時，重復地執行重寫操作和顯示操作。重寫操作的數量并不是特別限定的。但是，重寫操作優選地是一秒鐘執行約60次，這樣觀看顯示圖像的人就不會察覺到圖像中的閃動。這里，操作一幅圖像(一幀)的重寫操作和顯示操作的周期被表示為一幀周期。
如圖6所示，一幀被分割為4個子幀501，502，503和504，包括寫周期501a，502a，503a和504a和保持周期501b，502b，503b和504b。向發光元件提供用于發光的信號以便在保持周期中發光。在第一子幀501、第二子幀502，第三子幀503和第四子幀504中的每個中保持周期的長度比滿足23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。這允許發光設備能夠展現4比特灰度定標(scale)。此外，比特數量和灰度定標的數量并不限定于本實施方式中所示的那些。例如，一幀可以被分割為8個子幀以便獲得8比特的灰度定標。
現在將描述在一個幀中的操作。在子幀501中，寫操作首先從第1行到最后一行按順序執行。因此，寫周期的開始時間對于每一行來說是不同的。保持周期501b按順序在其中寫周期501a已經終止的行中開始。在保持周期501b中，被提供了用于發光的信號的發光元件保持發光狀態。一旦終止保持周期501b，行中的子幀501就按順序變化到下一個子幀502。在子幀502中，寫操作以與子幀501一樣的方式按順序從第1行執行到最后一行。上述操作重復執行，一直到保持周期504b，然后終止。在終止子幀504的操作之后，就開始下一幀的操作。因此，在各個子幀中的發光時間的總量對應于一幀中每個發光元件的發光時間。通過為每個發光元件改變發光時間并將在一個象素中不同地組合該發光元件，可以形成具有不同亮度和不同色度的各種顯示色彩。
當在一個行中保持周期預定將被強制終止時，其中在所述行中，在終止寫操作到最后一行之前，寫周期已經被終止并且保持周期已經開始，如子幀504所示，那么在保持周期504b之后就優選地提供擦除周期504c以便強制地停止發光。其中發光被強制停止的行在一段周期內就不再發光(該周期被稱之為非發光周期504d)。一旦在最后一行終止了寫周期，下一個子幀(或下一幀)的寫周期就從第一行按順序開始。這可以防止子幀504中的寫周期與下一子幀的寫周期重疊。
雖然在本實施方式中子幀501和504以增加保持周期的長度的順序排列，但是它們并不必須以這種順序排列。例如，子幀可以以保持周期的長度的上升順序排列。可替換地，子幀可以隨機順序排列。此外，這些子幀可以進一步被分割為多個幀。也就是說，在提供相同的視頻信號的周期中，柵極信號線的掃描可以執行幾次。
現在將描述如圖4所示的電路的寫周期和擦除周期中的操作。
首先描述寫周期中的操作。在寫周期中，在第x行中(x是自然數)柵極信號線911通過開關918被電連接到寫柵極信號線驅動電路913。在第x行中的該柵極信號線911沒有連接到擦除柵極信號線驅動電路914。該源信號線912通過開關920被電連接到源信號線驅動電路915。在該情況下，信號被輸入到連接到第x行(x是自然數)的柵極信號線911的第一晶體管901的柵極，從而開啟第一晶體管901。此時，視頻信號被同時輸入到第一到最后一列的源信號線。此外，來自每一列的源信號線912的視頻信號輸入互相獨立。來自源信號線912的視頻信號輸入經由連接到各自源信號線的第一晶體管901被輸入進第二晶體管902的柵電極。此時，根據輸入進第二晶體管902的信號確定發光元件903發光還是不發光。例如，當第二晶體管902是p溝道類型時，發光元件903通過輸入低電平信號到第二晶體管902的柵電極而發光。另一方面，當第二晶體管902是n溝道類型時，發光元件903通過輸入高電平信號到第二晶體管902的柵電極而發光。
接下來，將描述在擦除周期中的操作。在擦除周期中，在第x行(x是自然數)的柵極信號線911經由開關919被電連接到擦除柵極信號線驅動電路914。在第x行的柵極信號線911并不連接到寫柵極信號線驅動電路913。源信號線912經由開關920被電連接到電源916。在該情況下，一旦將信號輸入到連接到第x行的柵極信號線911的第一晶體管901的柵極時，第一晶體管901就被打開。此時，擦除信號被同時輸入到第一到最后一列的源信號線。來自源信號線912的擦除信號輸入經由連接到各自源信號線的第一晶體管901被輸入到第二晶體管902的柵電極。來自電流供給線917的流過發光元件903的電流的供給被輸入進第二晶體管902的信號強制停止。這使得發光元件903強制地不發光。例如，當第二晶體管902是p溝道類型時，發光元件903通過輸入高電平信號到第二晶體管902的柵電極而不發光。另一方面，當第二晶體管902是n溝道類型時，發光元件903通過輸入低電平信號到第二晶體管902的柵電極而不發光。
此外，在擦除周期中，通過上述操作，用于擦除的信號被輸入到第x行(x是自然數)。但是，如上所述，第x行有時保持在擦除周期，而同時另一行(例如，第y行(y是自然數))保持在寫周期。在該情況下，因為用于擦除的信號需要被輸入到第x行而用于寫的信號需要通過使用相同列的源信號線被輸入到第y行，因此優選地執行以下所述的操作。
在第x行的發光元件903在擦除周期中通過上述操作變成不發光狀態之后，柵極信號線和擦除柵極信號線驅動電路914立即斷開互相連接，并且源信號線通過打開開關902被連接到源信號線驅動電路915。柵極信號線和寫柵極信號線驅動電路913被互相連接，而源信號線和源信號線驅動電路915被互相連接。信號被選擇性地從寫柵極信號線驅動電路913輸入到第y行的信號線，而第一晶體管被打開，而用于寫的信號被從源信號線驅動電路915輸入到從第一到最后一列的源信號線中。通過輸入這些信號，第y行的發光元件發光或不發光。
在如上所述終止第y行的寫周期之后，在第x+1行立即開始擦除周期。因此，柵極信號線和寫柵極信號線驅動電路913被斷開互相連接，而源信號線通過打開/關閉開關918而連接到電源916。此外，柵極信號線和寫柵極信號線驅動電路913斷開互相連接，而柵極信號線連接到擦除柵極信號線驅動電路914。信號被選擇性地從擦除柵極信號線驅動電路914輸入到第x+1行的柵極信號線，以便輸入信號到第一晶體管，而擦除信號從電源916被輸入到那里。一旦以這種方式終止了在第x+1行中的擦除周期，在第y行就立刻開始寫周期。擦除周期和寫周期可以交替重復，直到最后一行的擦除周期。
雖然在本實施方式中，第y行的寫周期被提供在第x行的擦除周期和第x+1行的擦除周期之間，但是本發明并不限定于此。第y行的寫周期可以被提供在第x-1行的擦除周期和第x行的擦除周期之間。
在本實施方式，當像子幀504這樣的不發光周期504d被提供時，就重復執行將擦除柵極信號線驅動電路914從一個柵極信號線斷開并將寫柵極信號線驅動電路913連接到另一個柵極信號線的操作。該操作可以在一個幀中執行，在該幀中，不發光周期并不是特別提供的。
實施方式4
現在將參考圖7A到7C描述包括本發明的發光元件的發光設備的橫截面圖的示例。
在圖7A到7C的每一個中，被虛線包圍的區域表示提供來驅動本發明的發光元件12的晶體管11。本發明的發光元件12包括在第一電極13和第二電極14之間的層15。晶體管11的漏極和第一電極13通過穿過第一夾層絕緣薄膜16(16a，16b和16c)的線路17被電互相連接。發光元件12通過隔斷墻層18與鄰近于該發光元件12提供的另一個發光元件絕緣。在本實施方式中，具有該結構的本發明的發光設備被提供在基底10之上。
在圖7A到7C的每一個中所示的晶體管11是頂部柵極(top-gate)類型的晶體管，在該類型的晶體管中，柵電極被提供在與基底相對的半導體層的一側。此外，晶體管11的結構并不是特別限制的。例如，可以使用底部柵極(bottom-gate)類型的晶體管。在使用底部柵極類型的晶體管的情況中，可以使用其中保護薄膜形成在溝道的半導體層的晶體管(溝道保護類型的晶體管)或使用其中溝道的半導體層的一部分被蝕刻的晶體管(溝道蝕刻型晶體管)。
晶體管11中包括的半導體層可以是晶體半導體、非晶形半導體、半非晶形半導體等等的任何一種。
具體而言，半非晶形半導體具有在非晶體結構和晶體結構(包括單晶結構和多晶結構)之間的中間結構，和在自由能方面穩定的第三條件。該半非晶形半導體還包括具有近程有序(short range order)以及晶格畸變(lattice distortion)的晶體區域。具有0.5到20nm尺寸的晶粒被包括在至少一部分半非晶形半導體薄膜中。拉曼光譜被移向低于520cm-1的波數。(111)和(220)的衍射峰值，被認為是從硅晶格中導出，在半非晶形半導體中由X射線衍射來觀察。該半非晶形半導體包含至少1個原子百分比或更多的氫或鹵素用于終止懸空鍵(danglingbond)。該半非晶形半導體也被稱為微晶體半導體。該半非晶形半導體通過輝光放電分解利用硅化物氣體(等離子CVD)形成。對于硅化物氣體，SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等等都可以使用。該硅化物氣體也可以使用H2稀釋，或者是用H2和一個或多個從He、Ar、Kr和Ne中選出的稀有氣體元素的混合物。該稀釋比例被設置在1∶2到1∶1,000范圍之內。壓力被設置為大約在0.1到133Pa的范圍內。該功率頻率被設置為1到120MHz，優選地是13到60MHz。基底加熱溫度可以被設置為300℃或更少，更優選地是100到250℃。對于薄膜中所包含的雜質元素，構成空氣的每個雜質的濃度，諸如氧、氮和碳優選地被設置為1*1020/cm3或更少。更具體而言，氧濃度被設置為5*1019/cm3或更少，優選地是1*1019/cm3或更少。此外使用非晶形半導體的TFT(薄膜晶體管)的移動性被設置為大約1到10m2/Vsec。
作為晶體半導體層的一個特殊的實例，由單晶硅、多晶硅、硅鍺等等制造的半導體層可以被引用。這些材料可以由鐳射結晶化形成。例如，這些材料可以通過使用鎳等等的固相增長(solid phase growth)方法由結晶化來形成。
當半導體層是由非結晶物質制造的，例如非晶硅，那么優選地就使用具有包括只有n溝道晶體管作為晶體管11和另一個晶體管(包含在用于驅動發光元件的電路中的晶體管)的電路的發光設備。替換地，可以使用具有包括n溝道晶體管或p溝道晶體管的電路的發光設備。此外，可以使用具有包括n溝道晶體管和p溝道晶體管兩者的電路的發光設備。
第一夾層絕緣薄膜16可以包括如圖7A和7C所示多個層(例如，第一夾層絕緣薄膜16a，16b和16c)，或者包括單個層。夾層絕緣薄膜16a是由無機材料制造的，諸如硅氧化物和硅氮化物。夾層絕緣薄膜16b是由丙烯酸、硅氧烷(其是具有由硅(Si)氧(O)鍵形成的基結構并包括至少氫作為它的替代物的物質)，或者是具有可以通過采用諸如硅氧化物的液體形成的自平面化特性的物質制造的。夾層絕緣薄膜16c是由包含氬(Ar)的硅氮化物薄膜制造的。構成各個層的物質并不特定地限制于此。因此，可以使用除上述物質之外的物質。替換地，上述物質可以與除了上述物質之外的物質結合使用。因此，第一夾層絕緣薄膜16可以通過使用無機材料和有機材料二者或者通過使用無機材料和有機材料之一來形成。
隔斷墻層18的邊緣部分優選地具有其曲率半徑不斷變化的形狀。該隔斷墻層18通過使用丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑(resist)、硅氧化物等等形成。此外，隔斷墻層18可以由無機薄膜和有機薄膜中一個或兩個制造。
圖7A和7C顯示了一種結構，其中只有第一夾層絕緣薄膜16被夾在晶體管11和發光元件12之間。替換地，如圖7B所示，第一夾層絕緣薄膜16(16a和16b)和第二夾層絕緣薄膜19(19a和19b)可以被提供在晶體管11和發光元件12之間。在圖7B所示的發光設備中，第一電極13穿過第二夾層絕緣薄膜19電連接到線路17。
第二夾層絕緣薄膜19可以包括多個層或單個層以及第一夾層絕緣薄膜16。夾層絕緣薄膜19a是由丙烯酸、硅氧烷(其是具有由硅(Si)氧(O)鍵形成的基結構并包括至少氫作為它的替代物的物質)，或者是具有可以通過采用諸如硅氧化物的液體形成的自平面化特性的物質制造的。夾層絕緣薄膜19b是由包含氬(Ar)的硅氮化物薄膜制造的。構成各個第二夾層絕緣層的物質并不特定地限制于此。因此，可以使用除上述物質之外的物質。替換地，上述物質可以與除了上述物質之外的物質結合使用。因此，第二夾層絕緣薄膜19可以通過使用無機材料和有機材料二者或者通過使用無機材料和有機材料之一來形成。
當第一電極和第二電極都是通過在發光元件12中使用具有光透射特性的物質形成時，發光元件中產生的光可以如圖7A所示的那樣通過第一電極13和第二電極14來發射。當只有第二電極14是由具有光透射特性的物質制造的時，在發光元件12中產生的光可以如圖7B所示的那樣僅僅通過第二電極14發射。在該情況下，第一電極13優選地是由具有高反射率的物質制造的，或者由具有高反射率的材料制造的薄膜(反射薄膜)優選地被提供在第一電極13之下。當只有第一電極13是由具有光透射特性的物質制造的時，在發光元件12中產生的光可以如圖7C所示的那樣僅僅通過第一電極13發射。在該情況下，第二電極14優選地是由具有高反射率的物質制造，或者反射薄膜優選地提供在第二電極14之上。
此外，發光元件12可以具有一種結構其中第一電極13起到陽極的作用，第二電極14起到陰極的作用。該發光元件12或者還具有這樣的結構，其中第一電極13起到陰極的作用，第二電極14起到陽極的作用。在前一個例子中，晶體管11是p溝道晶體管。在后一個例子中，晶體管11是n溝道晶體管。
實施方式5
因為根據本發明的發光設備具有卓越的防潮特性，因此能夠顯示(優選是長時間顯示)圖像的電器或者能夠照明(優選是長時間照明)的電器可以通過使用本發明的發光設備來獲得。
安裝了本發明的發光設備的電器的實例如圖8A到8C所示。
圖8A是根據本發明制造的的膝上型個人計算機，包括機身5521、外殼5522、顯示部件5523、鍵盤5524等等。該膝上型個人計算機可以通過在里面結合包括本發明的發光元件的發光設備而獲得。
圖8B是根據本發明制造的蜂窩電話，包括機身5552、顯示部件5551、音頻輸出部件5554、音頻輸入部件5555、操作開關5556和5557、天線5553等等。該蜂窩電話可以通過在里面結合包括本發明發光元件的發光設備而獲得。
圖8C是根據本發明制造的電視機，包括顯示部件5531、外殼5532、揚聲器5533等等。該電視機可以通過在里面結合包括本發明發光元件的發光設備而獲得。
如上所述，本發明的發光設備適合于用作各種電器的顯示部件。
此外，具有本發明的發光元件的發光設備被安裝在該膝上型個人計算機、蜂窩電話和電視機上。但是，具有本發明的發光元件的發光設備可以安裝在個人計算機、汽車導航系統、照明電器等等上。
實施例1
現在將參考圖9描述本發明的實施例。
通過噴鍍在玻璃基底上形成具有110nm厚度的銦錫氧化物，以便形成包含銦錫氧化物的層301。
通過α-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍在包含銦錫氧化物的層301上形成具有50nm厚度的包含α-NPD和鉬氧化物的層302，使得α-NPD與鉬氧化物的重量比滿足1∶0.25。此外，共蒸鍍指示了一種蒸鍍方法，其中從多個蒸鍍源同時執行蒸鍍。
接下來，通過蒸鍍在包含α-NPD和鉬氧化物的層302上形成了α-NPD，以便形成具有10nm厚度的包含α-NPD的層303。
通過Alq3、紅熒烯和DCJTI的共蒸鍍在包含α-NPD的層303上形成具有37.5nm厚度的包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層304，使得Alq3、紅熒烯和DCJTI的重量比滿足1∶1∶0.02。
然后，通過蒸鍍在包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層304上形成Alq3，以便形成具有27.5nm厚度的包含Alq3的層305。
通過BCP和鋰(Li)的共蒸鍍在包含Alq3的層305上形成了具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層306，使得BCP和鋰的重量比滿足1∶0.005。
通過α-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍在包含BCP和鋰的層306上形成了具有50nm厚度的包含α-NPD和鉬氧化物的層307，使得α-NPD和鉬氧化物的重量比滿足1∶0.25。
接下來，通過蒸鍍在包含α-NPD和鉬氧化物的層307上形成了α-NPD，以便形成具有10nm厚度的包含α-NPD的層308。
通過Alq3和香豆素6的共蒸鍍在包含α-NPD的層308上形成了具有37.5nm厚度的包含Alq3和香豆素6的層309，使得Alq3和香豆素6的重量比滿足1∶0.005。
接下來，通過蒸鍍在包含Alq3和香豆素6的層309上形成了Alq3，以便形成了具有27.5nm厚度的包含Alq3的層310。
通過BCP和鋰(Li)的共蒸鍍在包含Alq3的層310上形成了具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層311，使得BCP和鋰的重量比滿足1∶0.005。
通過α-NPD和鉬氧化物的共蒸鍍在包含BCP和鋰的層311上形成了具有50nm厚度的包含α-NPD和鉬氧化物的層312，使得α-NPD和鉬氧化物的重量比滿足1∶0.25。
隨后，通過蒸鍍在包含α-NPD和鉬氧化物的層312上形成了α-NPD，以便形成了具有10nm厚度的包含α-NPD的層313。
接下來，通過蒸鍍在包含α-NPD層313上形成了t-BuDNA，以便形成具有37.5nm厚度包含t-BuDNA的層314。
接下來通過蒸鍍在包含t-BuDNA的層314上形成了Alq3以便形成具有27.5nm厚度的包含Alq3的層315。
通過BCP和鋰(Li)的共蒸鍍而在包含Alq3的層315之上形成了具有10nm厚度的包含BCP和鋰的層316，使得BCP和鋰(Li)的重量比滿足1∶0.005。
隨后，通過蒸鍍在包含BCP和鋰的層316之上形成了鋁以便形成厚度為200nm的包含鋁的層317。
在這樣制造的發光元件中，包含銦錫氧化物的層301起到陽極的作用，而包含鋁的層317起到了陰極的作用。
包含α-NPD和鉬氧化物的層302具有注入空穴到包含α-NPD的層303的特性。此外，包含α-NPD和鉬氧化物的層307具有注入空穴到包含α-NPD的層308的特性。包含α-NPD和鉬氧化物的層312具有注入空穴到包含α-NPD的層313的特性。
包含α-NPD的層303具有傳輸被注入的空穴到包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層304的特性。包含α-NPD的層308具有傳輸被注入的空穴到包含Alq3和香豆素6的層309的特性。包含α-NPD的層313起到用于傳輸被注入的空穴到包含t-BuDNA的層314的空穴傳輸層的作用。
包含BCP和鋰的層306具有注入電子到包含Alq3的層305的特性。此外，包含BCP和鋰的層311具有注入電子到包含Alq3的層310的特性。包含BCP和鋰的層316具有注入電子到包含Alq3的層315的特性。
包含Alq3的層305具有傳輸被注入的電子到包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層304的特性。包含Alq3的層310具有傳輸從包含BCP和鋰的層311注入的電子到包含Alq3和香豆素6的層309的特性。包含Alq3的層315起到電子傳輸層的作用，其傳輸從包含BCP和鋰的層316注入的電子到包含t-BuDNA的層314。
在包含α-NPD和鉬氧化物的層302、307和312中，鉬氧化物起到電子受體的作用。此外，在包含BCP和鋰的層306、311和316中，鋰起到電子施主的作用。
在該發光元件中，當向包含銦錫氧化物的層301和包含鋁的層317施加電壓時，電流流過包含銦錫氧化物的層301和包含鋁的層317。因此，包含Alq3、紅熒烯和DCJTI的層304發射在600到680nm的波長范圍內具有峰值的光。包含Alq3和香豆素6的層309發射在500到550nm的波長范圍內具有峰值的光。包含t-BuDNA的層314發射在420到480nm的波長范圍內具有峰值的光。在這些層中產生的光經由包含銦錫氧化物的層301被發射到外面。如上所述，在本實施例的發光元件中，展現具有420到480nm的更短波長的光的層被提供為比展現具有600到680nm的更長波長的光的層更靠近具有高反射率的層(諸如包含鋁的層315)。因此，可以減少這些層產生的光和由包含鋁的層317反射的光之間的干涉。
在本實施例中制造的發光元件發光的情況下，發射光譜如圖10所示。在圖10中，水平軸指示了波長(nm)，垂直軸指示了發射強度(任意單位)。根據圖10，可以知道在本實施例中制造的發光元件發射了在450到620nm的波長的光。在0.979mA的CIE色度坐標是x＝0.33，y＝0.46。因此，就知道在本實施例中制造的發光元件發射白光。
因為本實施例的發光元件是通過使用具有低吸濕特性的物質(諸如鉬氧化物)制造的，因此發光元件很難被侵入到發光元件的濕氣所惡化。此外，本實施例的發光元件可以發射白光。此外，很難在本實施例中的發光元件中引起從發光元件發射的光和反射的光之間的干涉，因此，可以容易地控制從發光元件中發射的光的色調。
實施例2 本實施例將顯示通過檢查相對于α-NPD，鉬氧化物是否起到具有受電子特性的物質的作用而獲得的實驗性結果。
在該試驗中，三種薄膜，即具有與包含α-NPD和鉬氧化物的層302相同結構的薄膜A、包含鉬氧化物的薄膜B和包含α-NPD的薄膜C通過真空蒸鍍分別形成在玻璃基底上。各個薄膜的傳輸光譜被比較。
圖11顯示了試驗的結果。水平軸表示波長，而垂直軸表示透射比。相對于具有與包含α-NPD和鉬氧化物的層302(實施例1中所述)相同結構的薄膜A，在500nm附近(圖中的虛線環繞的區域)可以觀察到寬的峰值，這在包含鉬氧化物的薄膜B和包含α-NPD的薄膜C中觀察不到，如圖11所示。認為這就是由于從α-NPD傳輸電子到鉬氧化物引起的電子傳輸而最近產生的能級。結果，已知的就是相對于α-NPD，鉬氧化物展現了受電子特性。
本申請基于日本特許廳2004年5月21日提交的日本優先權申請NO.2004-152491，其全文這里引為參考。
權利要求
1.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)；和在第m發光層(m是自然數1≤m≤n)和第m+1發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，該第二層與第一層接觸，其中具有受電子特性的物質是鉬氧化物。
2.一種發光元件，包括在一對電極之間的n片層組(n是自然數)，層組中的每一個都包括包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層；包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層；和在第一層和第二層之間提供的發光層，其中在該n片層組中，第m層組(m是自然數1≤m≤n)中包括的第一層和第m+1層組中包括的第二層被層壓為互相接觸。
3.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)，該第二電極具有比第一電極更高的反射率；和在第m發光層(m是自然數1≤m≤n)和第m+1發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，該第二層與第一層接觸，其中第m+1發光層的發射光譜的峰值波長比第m發光層短，和其中該n片發光層被這樣排列，使第m+1發光層被放置的比第m發光層更靠近第二電極。
4.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的n片發光層，該第二電極具有比第一電極更高的反射率；和在第m發光層(m是自然數1≤m≤n)和第m+1發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，第二層與第一層相接觸，其中該n片發光層被這樣排列，使展現更短的發射光譜的峰值波長的發光層被提供為更靠近第二電極。
5.如權利要求3或4的發光元件，其中具有受電子特性的物質是鉬氧化物。
6.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的第一層、被形成為與第一層相接觸的第二層、第三層和被形成為與第三層相接觸的第四層，其中第一層和第三層包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質，第二層和第四層包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質；第一發光層在第一層和第一電極之間發射紅色光；第二發光層在第二層和第三層之間發射綠色光；第三發光層在第四層和第二電極之間發射藍色光。
7.根據權利要求6的發光元件，其中具有受電子特性的物質是鉬氧化物。
8.根據權利要求6或權利要求7的發光元件，其中第二電極與第一電極相比更容易反射光。
9.一種發光設備，包括如權利要求1到8所公開的任何一種發光元件。
10.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的至少兩個發光層；和在第一發光層和第二發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，該第二層與第一層接觸，其中具有受電子特性的物質是鉬氧化物。
11.一種發光元件，包括在一對電極之間的至少兩個層組，該層組中的每一個包括包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層；包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層；和在第一層和第二層之間提供的發光層，其中在該層組中，在第一層組中包括的第一層和在第二層組中包括的第二層被層壓為互相接觸。
12.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的至少兩個發光層，該第二電極具有比第一電極更高的反射率；和在第一發光層和第二發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，該第二層與第一層接觸，其中第二發光層的發射光譜的峰值波長比第一發光層短，和其中該發光層被這樣排列，使第二發光層比第一發光層放置為更靠近第二電極。
13.一種發光元件，包括在第一電極和第二電極之間的至少兩個發光層，該第二電極具有比第一電極更高的反射率；和在第一發光層和第二發光層之間的、包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質的第一層和包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質的第二層，該第二層與第一層接觸，其中該發光層被這樣排列，使展現更短的發射光譜的峰值波長的發光層被提供為更靠近第二電極。
14.如權利要求12或權利要求13的發光元件，其中具有受電子特性的物質是鉬氧化物。
15.一種發光設備，包括如權利要求10到13所公開的任何一種發光元件。
全文摘要
本發明的一種發光元件包括在第一和第二電極之間的n片發光層(n是自然數)。在第m發光層(m是自然數1≤m≤n)和第m+1發光層之間的第一層和第二層被提供。該第一和第二層互相接觸。該第一層包含容易傳輸空穴的物質和具有受電子特性的物質。該第二層包含容易傳輸電子的物質和具有給電子特性的物質。鉬氧化物用作為具有受電子特性的物質。
文檔編號H05B33/22GK101023708SQ20058002462
公開日2007年8月22日 申請日期2005年5月17日 優先權日2004年5月21日
發明者熊木大介, 池田壽雄, 安部寬子, 瀨尾哲史 申請人:株式會社半導體能源研究所