有機el面板及其形成方法

專利名稱：有機el面板及其形成方法
技術領域：
本發明涉及有機EL(Electroluminescence)面板及其形成方法。
背景技術：
有機EL面板在基板上形成由有機EL元件構成的面發光要素，通過排列單個或多個該面發光要素而形成顯示區域。有機EL元件的形成是在基板上形成各種結構的下部電極后，形成包括有機發光功能層的有機層的成膜圖案，在其上形成上部電極。
圖1表示一般的構成以往的有機EL面板的有機EL元件的斷面結構。在基板11上形成的有機EL元件10具有在一對電極之間夾持著包含有機發光功能層的有機層20的層結構，更具體地講，在形成于基板11上的下部電極12的周圍形成絕緣膜13，由該絕緣膜13劃分的下部電極12上的區域成為發光區域S。并且，在該發光區域S中，在下部電極12上層疊有機層20，在其上形成上部電極14。
作為有機層20，此處把下部電極12側作為陽極、把上部電極14側作為陰極，并且示例出了空穴傳輸層21、發光層22和電子傳輸層23的三層結構。除此以外，也可以考慮形成省略空穴傳輸層21和電子傳輸層23中任何一層或兩層均省略的結構，使所述各層中的至少一層形成為多層的結構，或者在空穴傳輸層21的陽極側形成空穴注入層的結構，在電子傳輸層23的陰極側形成電子注入層的結構等。另外，還可以形成使陽極和陰極相對于下部電極12、上部電極14顛倒，從而使前述結構上下反轉的結構。
構成這種有機EL面板的有機EL元件，通過向下部電極12和上部電極14之間施加電壓，從陽極側向有機層20注入并傳輸空穴、從陰極側向有機層20注入并傳輸電子，通過使它們結合而發光。因此，對夾持在下部電極12和上部電極14之間的有機層20的成膜而言，要求膜厚均勻，在發光區域S中的有機層20存在局部薄層部時，在該部位產生泄漏電流，導致發光不良。
為了使有機層20的膜厚均勻，提高成為其基底的下部電極12的平坦度非常重要。一般在采用從基板11側放出光的底部發光(BottomEmission)方式時，作為下部電極12采用ITO(Indium-Tin-Oxide)等透明導電膜，其成膜通常采用濺射蒸鍍或電子束(EB)蒸鍍。但是，由于這樣成膜的表面粗糙度按照JIS B0601定義的表面粗糙度的最大高度(Rmax)達到幾～幾十nm的數量級，考慮到有機層20的疊層厚度約為100～200nm，這將產生非常大的影響。
因此，作為以往技術，提出了下述專利文獻1所記載的方法。根據該方法，研磨通過濺射蒸鍍或電子束蒸鍍而形成的由ITO構成的下部電極的表面，由此使JIS B0601所定義的表面粗糙度的最大高度(Rmax)小于等于5nm。
專利文獻1 特開平9-245965號公報根據該以往示例，由于將下部電極的表面研磨幾十nm，所以能夠削去表面的凸部，但是存在依然殘留有過度凹陷的部分的問題。特別是在形成下部電極時因表面附著有異物等而產生成膜缺陷(氣孔)的情況下，無論如何研磨表面都會殘留成膜缺陷部分的凹部。
并且，在對下部電極進行表面研磨后所殘留的凹凸容易形成具有尖銳形狀的邊緣部，在該邊緣部積蓄電荷，有可能產生泄漏電流容易流到與上部電極之間的問題。
另外，在研磨下部電極的表面之后，有時會在下部電極的表面殘留研磨材料(研磨微粉)，由于該殘留研磨材料，形成不能確保層疊在其上的有機層的膜厚的狀態，成為產生泄漏電流的原因。
并且，考慮到在從基板側放出光的情況下，下部電極的膜厚需要根據發光顏色來控制設定膜厚，以使放出的光的光譜表現出所期望的峰值波長。即，在有機層20內產生的發光中，存在在各層的界面處反復多次反射后透過透明導電膜(下部電極)而射出的光，所以有機EL元件自身表現出光學干擾濾波器的功能，在注重于下部電極的膜厚時，由于在有機層和下部電極的界面處反射后射出的光與在下部電極和基板的界面處反射后射出的光之間的反射干擾現象，輸出光的光譜發生變化。因此，在形成有機EL面板時，下部電極的膜厚控制成為重要的設計要素。
但是，如果像以往技術那樣單純地研磨下部電極的表面，則通過研磨削去的厚度因表面粗糙度而異，所以把下部電極的最終膜厚控制為設定值是很困難的事情。即，首先按照設定厚度ta進行下部電極成膜，將其表面僅研磨已知的設定厚度tb，可以把下部電極的最終膜厚設定為ta-tb，但是在該狀態下未必一定能獲得所需要的表面平坦性。因此，如果追求表面平坦性，則不能把實際研磨的厚度tb設定為已知的值，存在不能形成具有所期望的最終膜厚的下部電極的問題。

發明內容
本發明把解決這種問題作為一個課題。即，本發明的一個目的是，使下部電極的表面變平坦，使在其上成膜的有機層的膜厚均勻，由此，可以防止產生泄漏電流，獲得良好的發光特性，特別能夠有效去除下部電極的表面研磨后的尖銳形狀的邊緣部和殘留研磨材料，排除產生泄漏的原因，另一個目的是可以進行實現下部電極表面的平坦化、并且獲得所期望的厚度的膜厚控制。
為了達到上述目的，本發明的有機EL面板及其形成方法至少具備以下獨立權利要求的結構。
一種在基板上形成有由下部電極、至少具有有機發光功能層的有機層、上部電極構成的有機EL元件的有機EL面板，其特征在于，所述下部電極具有針對在所述基板上成膜的電極材料膜，對表面研磨面進行了化學腐蝕處理的腐蝕處理面，在該腐蝕處理面上形成所述有機層。
一種在基板上形成有由下部電極、至少具有有機發光功能層的有機層、上部電極構成的有機EL元件的有機EL面板的形成方法，其特征在于，在所述基板上形成設定膜厚的電極材料膜，研磨該電極材料膜而形成表面研磨面，通過對該表面研磨面進行化學腐蝕處理，形成所期望膜厚的所述下部電極。


圖1是表示以往技術或本發明的實施方式的有機EL面板的基本結構的說明圖。
圖2是說明本發明的實施方式的有機EL面板及其形成方法的說明圖。
圖3是說明本發明的其它實施方式的有機EL面板及其形成方法的說明圖。
圖4是說明表面研磨處理的說明圖。
圖5是表示通過稀釋腐蝕液實現的ITO腐蝕量的曲線圖。
符號說明10有機EL面板11基板12下部電極12o電極材料膜12A腐蝕處理面13絕緣膜20有機層14上部電極具體實施方式
以下，參照

本發明的實施方式。圖2是說明本發明的一個實施方式的有機EL面板及其形成方法的說明圖。本發明的有機EL面板及其形成方法和圖1所示的以往技術一樣，在基板11上形成由下部電極12、至少具有有機發光功能層的有機層20、上部電極14構成的有機EL元件，并形成以該有機EL元件為顯示單位的顯示區域。因此，在以下的本發明的實施方式的說明中也共用圖1的符號。
并且，實施方式的有機EL面板的特征在于，如圖2所示，下部電極12具有針對由ITO等的電極材料形成的電極材料膜12o對表面研磨面12A1進行了化學腐蝕處理的腐蝕處理面12A，在該腐蝕處理面12A上形成有機層(省略圖示)，該有機層形成有機EL元件。
并且，根據本發明的實施方式的有機EL面板，其特征在于，當把在電極材料膜12o的成膜中設定的膜厚設為t1、把研磨電極材料膜12o的表面的設定厚度設為t2(其中，t2＜t1)、把通過化學腐蝕處理形成的調整膜厚設為t3時，下部電極12具有由ts＝t1-t2-t3求出的設定膜厚ts。
并且，所述腐蝕處理面12A的特征是，例如，以稀釋腐蝕液所實現的低腐蝕率而形成，并且，設定膜厚ts的特征是，根據在其上形成的有機EL元件的色度來設定。為了實現此處所說的低腐蝕率，可以列舉(1)使用稀釋腐蝕液的方法，(2)縮短腐蝕工序的時間的方法，(3)減少進行腐蝕工序的裝置的腐蝕液噴出量的方法，(4)降低腐蝕工序的作業溫度的方法，(5)組合(1)～(4)所述方法而進行的方法等。在本發明的實施方式中，最好根據要形成的有機EL元件選擇合適的方法。
使用圖2說明本發明的實施方式的這種有機EL面板的形成方法，首先，如該圖(a)所示，在基板11上形成設定膜厚t1的電極材料膜12o。此時，如果采用一般使用的濺射蒸鍍或電子束(EB)蒸鍍等的成膜技術，則因各種原因會在電極材料膜12o的表面形成不少圖示那樣的凹凸(包括凹部P1、P2、P3)。
然后，如該圖(b)所示，利用拋光(polishing)、擦光(lapping)、帶式擦光(tape lapping)等方法研磨電極材料膜12o，形成表面研磨面12A1。此時，根據研磨厚度，依然殘留有凹部P20、P30，在其端部形成尖銳形狀的邊緣部e。另外，在表面研磨面12A1上有時也殘留研磨材料r。在這種狀態下，如果在該表面研磨面12A1上層疊有機層而形成有機EL元件，則由于所述邊緣部e和殘留的研磨材料r，有可能導致產生泄漏電流。
因此，如該圖(c)所示，在形成前述表面研磨面12A1后，對該表面研磨面12A1進行化學腐蝕處理而形成腐蝕處理面12A。由此，可以去除所述邊緣部e和殘留的研磨材料r，形成平滑的表面。另外，對下部電極12的設定膜厚ts的調整進行說明，通過研磨電極材料膜12o的表面時的厚度t2、和對表面研磨面12A1進行化學腐蝕處理時的厚度t3，把下部電極12的設定膜厚ts調整為所期望的厚度，例如調整為根據在該下部電極12上形成的有機EL元件的色度而設定的厚度。
圖3是說明本發明的其它實施方式的有機EL面板及其形成方法的說明圖。該實施方式和前述實施方式的不同點是，對形成于基板11上的下部電極12的電極材料膜12o進行多次成膜(第1次的電極材料膜12o1膜厚t11，第2次的電極材料膜12o2膜厚t12)，其它和前述實施方式相同(賦予相同符號并省略重復說明)。
這種實施方式的有機EL面板及其形成方法的特征之一是，一般在通過濺射等進行的成膜中，在成膜較厚的膜厚時，表面的凹凸伴隨厚度而增大，表面粗糙度變差，而在成膜較薄的膜厚時，表面粗糙度的精度比較高，針對這種情況，在成膜下部電極12時，通過分成多次進行成膜，防止表面粗糙度的惡化。
并且，在形成下部電極12的一次成膜中，有時產生如圖3(a)所示的成膜缺陷(由于附著塵埃等使得成膜完全脫落的部位)P4，如果在該狀態下持續成膜，在一個部位形成較深的成膜缺陷，但是如果分成多次成膜，則如圖3(b)所示，可以考慮到假定即使在第2次成膜中產生成膜缺陷P5，在第1次成膜時產生的成膜缺陷P4和在第2次以后的成膜時產生的成膜缺陷P4不會形成(重合)于相同部位，所以通過多次成膜，可以形成至少在小于等于第1次成膜時的膜厚t11的部位沒有因成膜缺陷造成的凹部的狀態。
并且，對這樣形成的電極材料膜12o(12o1、12o2)進行研磨和化學腐蝕處理直到沒有凹部的狀態為止，由此可以獲得具有表面平坦、并且去除了殘留研磨材料r的腐蝕處理面12A的下部電極12。
另外，研磨電極材料膜12o(12o1、12o2)的表面的厚度t2(參照圖3(c))、和對表面研磨面12A1進行化學腐蝕處理的厚度t3(參照圖3(d))，在t12＜(t2+t3)＜(t11+t12)的范圍內，可以形成在整個范圍內沒有凹部的平坦研磨面12A，所以通過在前述范圍內調整t2和t3，可以確保平坦的腐蝕處理面12A，并且把下部電極12的膜厚ts調整為所期望的厚度。
即，作為該實施方式的下部電極12的形成方法，如圖3(a)所示，首先進行第1次成膜，獲得比下部電極12的設定厚度ts更厚的膜厚t11的電極材料膜12o1，然后如圖3(b)所示，以膜厚t12進行第2次以后的成膜，形成電極材料膜12o(12o1、12o2)，其中該膜厚t12比在該第1次成膜中形成的電極材料膜12o1的膜厚t11更厚。并且，如圖3(c)所示，以比電極材料膜12o2的膜厚t12更厚的厚度t3，對電極材料膜12o進行研磨和化學腐蝕處理。此時，如果在前述范圍內對研磨和腐蝕處理的厚度(t2+t3)進行適當調整，則可以形成具有平坦的腐蝕處理面12A、并且具有所期望的膜厚ts的下部電極12。另外，此時的膜厚調整可以通過各次成膜或研磨和腐蝕處理的處理時間來進行。
對前述的表面研磨處理和化學腐蝕處理進行更加具體的說明。在表面研磨處理中，可以采用圖4所示的公知的研磨方法(或研磨裝置)。這樣，利用基板承載器31，從形成有電極材料膜12o的一面的相反面側支撐形成有電極材料膜12o的基板11，在把研磨部件30按壓在所支撐的基板11的電極材料膜12o上的狀態下，使基板承載器31和研磨部件30向彼此相反的方向旋轉，從而研磨電極材料膜12o的表面。通過在被研磨面和研磨部件30之間加入Si等研磨材料，可以實現有效研磨。一般，在形成厚度為100～150nm的下部電極(寬度幾十～幾百μm)時，使用大小為幾十nm的研磨材料。作為研磨方法，不限于該示例，可以采用其他的公知技術。
對化學腐蝕處理進行說明，進行使用腐蝕液(腐蝕劑)的所謂濕式腐蝕處理。對于此時的化學腐蝕處理，為了進行高精度的下部電極的膜厚調整，最好將腐蝕率(nm/min)降低一定程度。為了實現該低腐蝕率，可以使用稀釋腐蝕液。
圖5是表示通過稀釋腐蝕液實現的腐蝕率的試驗結果。此處，示出了把ITO薄膜作為試件，利用純水稀釋氯化鐵FeCl3+鹽酸HCl以2∶1混合而成的腐蝕液時的腐蝕率，用曲線圖表示使用由純水實現的不同稀釋程度的腐蝕液(1、1.5、2、2.5倍)時的腐蝕量(處理時間1min)。如圖所示，如果提高稀釋倍率，則可以將腐蝕率抑制得比較低。在使用該試驗例的稀釋液(氯化鐵FeCl3∶鹽酸HCl＝2∶1的混合液)時，使通過純水實現的稀釋倍率大于等于1.5倍(優選2倍)，以小于等于40nm/min(優選30nm/min)的低腐蝕率進行處理，可以進行合適的膜厚調整。
另外，為了實現低腐蝕率，不限于使用前述的稀釋腐蝕液，例如，可以使用原本具有低腐蝕率特性的腐蝕液來實現，也可以通過降低腐蝕處理溫度等來實現。
以下，對本發明的實施方式的有機EL面板的各構成要素進行更加具體的說明(符號參照圖1)。
a.基板作為有機EL面板的基板11，形狀沒有限定，可以是平板狀或薄片狀、球面狀等。作為材質可以使用玻璃、塑料、石英、金屬等。作為從基板11側放出光的方式(底部發光方式)，優選具有透明性的平板狀、薄片狀基板，作為材質優選使用玻璃或塑料等。
b.電極關于下部電極12和上部電極14，可以把一方設為陰極，把另一方設為陽極。陽極由功函數高于陰極的材料構成，可以使用鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬膜或ITO、IZO等氧化金屬膜等的透明導電膜。與此相反，陰極由功函數低于陽極的材料構成，可以使用鋁(Al)、鎂(Mg)等金屬膜、摻雜的聚苯胺或摻雜的聚對苯乙炔(polyphenylenevinylene)等非晶半導體、Cr2O3、NiO、Mn2O5等氧化物。另外，在下部電極12和上部電極14均由透明材料構成的情況下，也可以采用在與光的放出側相對的電極側設置反射膜的結構。
c.有機層有機層20由至少具有有機發光功能層的單層或多層有機化合物材料層構成，但層結構可以是任何方式。一般如圖1所示，可以使用從陽極側到陰極側層疊空穴傳輸層21、發光層22、電子傳輸層23的結構，但是針對發光層22、空穴傳輸層21、電子傳輸層23，可以設置成不僅僅層疊一層而是層疊多層的結構，還可以省略空穴傳輸層21和電子傳輸層23中任何一層，也可以兩層均省略。另外，可以根據用途插入空穴注入層、電子注入層等的有機材料層。空穴傳輸層21、發光層22、電子傳輸層23可以適當選擇以往使用的材料(可以是高分子材料或低分子材料)。
另外，在形成發光層22的發光材料中，可以采用從單重激發態返回到基態時發光(熒光)的材料，也可以采用從三重激發態返回到基態時發光(磷光)的材料。
d.密封部件、密封膜本發明的實施方式的有機EL面板包括利用金屬制、玻璃制、塑料制等密封部件密封有機EL元件10的結構，或者利用密封膜密封有機EL元件10的面板的結構。
密封部件可以使用通過在玻璃制密封基板上進行沖壓成形、蝕刻、吹制(blast)處理等加工來形成密封凹部(一級凹入或兩級凹入)的部件，或者使用平板狀玻璃并利用玻璃(塑料也可以)制隔離物形成支撐基板和密封空間的部件等。
密封膜可以通過層疊單層膜或多層保護膜而形成。作為使用材料可以是無機物或有機物等任意一種。作為無機物，可以列舉出SiN、AlN、GaN等氮化物；SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等氧化物；SiON等氮氧化物；SiCN等碳氮化物；金屬氟化物；金屬膜等。作為有機物，可以列舉出環氧樹脂；丙烯酸樹脂；聚對二甲苯；全氟烯烴、全氟醚等氟系高分子；CH3OM、C2H5OM等金屬醇鹽，聚酰亞胺前體；二萘嵌苯系化合物等。疊層或材料的選擇可以根據有機EL元件的設計適當選擇。
e.面板的各種方式本發明的實施方式的有機EL面板可以形成無源矩陣型顯示面板，或者可以形成有源矩陣型顯示面板。并且，可以是單色顯示也可以是多色顯示，但為了形成彩色顯示面板，可以利用分涂方式、將濾色器或由熒光材料形成的色變換層組合到白色或藍色等單色有機EL元件上的方式(CF方式、CCM方式)等，形成全色有機EL面板或多色有機EL面板。并且，作為本發明的實施方式的有機EL面板，可以是前面所述那樣的從基板11側放出光的底部發光方式，或者也可以是從與基板11的相對側放出光的頂部發光方式。
以下，對本發明的實施方式的有機EL面板的形成方法的具體示例進行說明(符號參照圖1)。
在采用玻璃基板時，處理根據其種類(藍板或白板)而不同。在使用藍板(鈉鈣玻璃，硼硅玻璃，低堿玻璃等的玻璃基板)時，該基板中包含的鈉、鉀等堿成分析出，給有機EL元件或密封部件的粘接強度帶來不良影響，為了防止這一點，在基板表面形成SiO2等涂覆層。在使用高價的白板(無堿玻璃、石英玻璃等玻璃基板)時，由于沒有不純物析出，所以通常不形成前述涂覆層。并且，基于使基板表面的凹凸變平坦的目的，也可以成膜一次或兩次以上SiO2膜，并對其表面進行研磨處理。
具體來講，把玻璃基板浸入到浸漬槽所儲存的SiO2成分的涂覆液中，然后慢慢從浸漬槽中提起，對玻璃基板表面的涂覆液層進行加水分解，并實施干燥工序、燒成工序，成膜50～200nm(優選80nm)的SiO2膜。然后，使用氧化鋁、金剛石粉末等研磨劑，利用研磨裝置進行研磨，直到厚度為20～100nm為止，在基板11的表面形成研磨面。
然后，利用濺射等方法在基板11的表面上成膜ITO等的下部電極材料，形成電極材料膜12o。按照前面所述，也可以進行多次電極材料的成膜，以填充成膜時所產生的氣孔等凹部。在成膜后，按照前面所述，通過拋光、擦光、帶式擦光等進行表面研磨。研磨方法可以采用前述的公知方法。此時的膜厚調整通過成膜時間和研磨處理時間而得到設定膜厚。
作為腐蝕液，利用純水把氯化鐵水溶液和鹽酸的混合液(FeCl3∶HCl＝2∶1的溶液)稀釋到1.5～3.5倍(優選2.0～2.5倍)，利用該稀釋液對形成有電極材料膜12o的基板11進行濕式腐蝕處理，對電極材料膜12o進行規定時間的腐蝕處理。通過該腐蝕處理時間來進行下部電極12的最終膜厚的調整。ITO膜例如被調整為110nm～170nm的厚度。
然后，根據電極圖案(例如帶狀)在ITO膜上形成光刻膠，通過使用前述腐蝕液(未稀釋的原溶液)的光刻法，使ITO膜形成為所期望的電極圖案。
另外，利用旋涂法等，在形成有已構圖的下部電極12的基板11上，使聚酰亞胺等絕緣物材料構成的絕緣膜形成為規定的膜厚。并且，利用光刻法等圖案形成方法對絕緣膜進行構圖，以在下部電極12上形成絕緣劃分的單位發光區域。以上說明了在化學腐蝕處理之后進行構圖工序的實施例，但是，也可以在構圖工序之后進行化學腐蝕工序，還可以在研磨工序之前進行構圖工序。
利用旋涂法、浸漬法等涂覆方法、絲網印刷法、噴墨法等濕式工藝，或者利用蒸鍍法、激光轉印法等干式工藝，形成前述的有機層20的各層。作為一例，通過真空蒸鍍依次層疊空穴傳輸層21、發光層22、電子傳輸層23的各材料層。
此時，在形成發光層時，使用成膜用掩模，根據多種發光顏色進行發光層的分涂。在分涂時，在對應RGB的單位發光區域中成膜發出RGB三顏色的光的有機材料、或者多種有機材料的組合物。利用相同材料在一處單位發光區域成膜2次以上，可以防止產生單位發光區域的未成膜部位。
更具體地講，從形成陽極的ITO膜(下部電極2)開始，成膜30nm厚的銅酞青作為空穴注入層，成膜60nm厚的α-NPD作為空穴傳輸層，成膜30nm厚的Alq3作為發光層和電子傳輸層，成膜1nm厚的LiF作為電子注入層，成膜100nm厚的Al作為形成陰極的上部電極。
然后，在N2氣氛中，通過沖壓成形、蝕刻、吹制處理等加工，形成密封凹部，利用光固化樹脂等粘接劑，把粘貼了BaO等干燥劑的玻璃制密封基板粘合密封在該密封凹部中，得到有機EL面板。
根據這種實施方式的有機EL面板及其形成方法，使下部電極的表面變平坦，使在其上形成的有機層的膜厚均勻，由此可以防止產生泄漏電流，獲得良好的發光特性。特別是通過化學腐蝕處理，能夠有效去除下部電極的表面研磨后的尖銳形狀邊緣部和殘留研磨材料，排除產生泄漏的原因。并且，可以進行實現下部電極表面的平坦化、并且獲得所期望的厚度的膜厚控制，所以能夠使輸出光光譜的峰值波長與發光顏色相吻合，可以實現輸出光的高效率化。
權利要求
1.一種有機EL面板，在基板上形成有由下部電極、至少具有有機發光功能層的有機層、上部電極構成的有機EL元件，其特征在于，所述下部電極，針對在所述基板上成膜的電極材料膜，具有對表面研磨面進行了化學腐蝕處理的腐蝕處理面，在該腐蝕處理面上形成所述有機層。
2.根據權利要求1所述的有機EL面板，其特征在于，所述腐蝕處理面以低腐蝕率形成。
3.根據權利要求2所述的有機EL面板，其特征在于，所述低腐蝕率是通過稀釋腐蝕液實現的。
4.根據權利要求1所述的有機EL面板，其特征在于，當把在所述電極材料膜的成膜中設定的膜厚設為t1、把研磨所述電極材料膜的表面的設定厚度設為t2(其中，t2＜t1)、把化學腐蝕處理所實現的調整膜厚設為t3時，所述下部電極具有通過ts＝t1-t2-t3求出的設定膜厚ts。
5.根據權利要求4所述的有機EL面板，其特征在于，所述下部電極的設定膜厚根據所述有機EL元件的色度來進行設定。
6.一種有機EL面板的形成方法，該有機EL面板在基板上形成有由下部電極、至少具有有機發光功能層的有機層、上部電極構成的有機EL元件，其特征在于，在所述基板上形成設定膜厚的電極材料膜，研磨該電極材料膜而形成表面研磨面，通過對該表面研磨面進行化學腐蝕處理，形成所期望膜厚的所述下部電極。
7.根據權利要求6所述的有機EL面板的形成方法，其特征在于，所述化學腐蝕處理是以低腐蝕率進行處理的。
8.根據權利要求7所述的有機EL面板的形成方法，其特征在于，所述低腐蝕率是通過稀釋腐蝕液實現的。
9.根據權利要求6～8中任意一項所述的有機EL面板的形成方法，其特征在于，通過研磨所述電極材料膜的表面時的厚度和對所述表面研磨面進行化學腐蝕處理時的厚度，把所述下部電極的膜厚調整為所期望的厚度。
10.根據權利要求9所述的有機EL面板的形成方法，其特征在于，根據所述有機EL元件的色度來調整所述下部電極的膜厚。
11.根據權利要求6～10中任意一項所述的有機EL面板的形成方法，其特征在于，所述電極材料膜的成膜分多次進行。
全文摘要
本發明的課題是使下部電極的表面平坦，使在其上形成的有機層的膜厚均勻，由此防止產生泄漏電流，獲得良好的發光特性。本發明提供了一種有機EL面板(10)，其在基板(11)上形成有由下部電極(12)、至少具有有機發光功能層的有機層(20)、上部電極(14)構成的有機EL元件，下部電極(12)具有針對電極材料膜(12o)對表面研磨面(12A
文檔編號H05B33/10GK1717141SQ200510079909
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月27日 優先權日2004年6月29日
發明者結城敏尚, 白幡邦彥 申請人:日本東北先鋒公司