專利名稱：處理薄膜襯底的方法
技術領域：
本發明主要涉及在多個工藝或處理步驟中處理的薄膜襯底，以便通過這種加工處理允許生產一個或多個印制電路板或卡。
該申請中的薄膜襯底旨在覆蓋厚度小于500μm的襯底。
通過該表達方式印制電路卡主要或首先是指以下面所述方式處理的單個薄膜襯底，但另一方面不排除使多個這樣處理的薄膜襯底彼此合一，以便這樣提供多層印制電路卡，其中根據本發明給出的規定或建議處理的印制電路卡可以有利地最大限度地得到應用或在這樣的層結構中表面相關。
使用薄膜襯底使得能夠生產彈性印制電路卡，其中通過選擇層的數量和選擇各自層的厚度減小彈性。
為了簡化步驟、措施或目的，隨后的說明將僅僅限定在說明形成在薄膜襯底上的單個彈性印制電路卡。
以這種方式制造的每個所述彈性印制電路卡包括多個通過或穿過薄膜襯底的通孔，并經過線路沿著背對(faced-away)的表面形成電連接，以便這樣使得能夠形成一個或多個電路。
本發明基本上建立在或基于在多個處理步驟中對作為體材料的薄膜襯底進行的連續處理，以便通過所述處理能夠提供單層印制電路卡。
根據已知方法和根據以下提出的順序可以有利地影響在多個處理步驟中進行的這樣的連續處理a；允許利用諸如離子形式的加速粒子來處理作為體材料的所述薄膜襯底的整個或至少某選擇的表面部分，
b；當所述粒子轟擊在薄膜襯底表面上選擇的所述表面部分時，允許選擇它們的速度和粒子的相互關聯的質量，從而使選擇的與粒子相關或分配給粒子的動能足夠高，以至于至少一些粒子會完全確定地通過和穿透所述薄膜襯底，以便這樣允許隨后形成所謂的納米線，并形成被認為是潛在的納米路徑的路徑，其穿越所述薄膜襯底，c；允許例如以已知方式處理所述納米線或所選擇的潛在穿越納米路徑，以便這樣形成真正和配位(co-ordinated)的納米路徑，其中許多完全穿越該薄膜襯底，d；允許以本質上已知的方式用材料，例如建議的具有好的或半好的導電特性的材料，填充至少所選擇的真正納米路徑，用于形成穿越或通過(穿過)薄膜襯底的通孔，以及e；允許通過一個或優選兩個具有好或半好的導電特性的材料帶經過表面取向電路使多個所述穿越通孔電互連，將所述材料帶施加到薄膜襯底的背對表面。
定義潛在的納米路徑或納米線旨在表示通過加速粒子，優選離子，穿過用作體材料的薄膜襯底而引起的薄線狀材料改變，并由此產生通常垂直的，例如各向異性的通過或穿過襯底的納米線，該納米線的材料結構改變為比薄膜襯底的剩余材料結構具有更高能量的材料結構，并且該改變材料結構表現出在粒子或離子移動穿過薄膜襯底的方向上更易于蝕刻，例如化學蝕刻。
真正的納米路徑旨在表示經過所述蝕刻除去如上所述的納米路徑或納米線的材料結構，并且以這種方式形成細的穿孔或真正的路徑。
通孔或微通孔旨在表示至少一個真正的納米路徑，優選為許多穿孔或真正的納米路徑的配位，填充有材料且在薄膜襯底的背對的表面部分之間延伸。這里所選擇的材料可以有利地是具有顯著或特別好的導電性的材料和/或具有選定的半好的導電性的材料。
背景技術：
在多個不同的實施例中已經知道上述性質的方法和設置。
通過介紹，可以提到的是在二十世紀六十年代期間對于穿透或穿過電絕緣材料的加速粒子或離子形成納米路徑或納米線的理解就已經清楚了并得到了利用，因為這些在地質學和宇宙學中被認為是重要的，其中穿透地球大氣的宇宙粒子在許多絕緣材料中產生永恒的路徑，在本發明中也將利用該技術。
作為本發明背景和本發明基于的技術條件的更相關例子，提到了在Mikael Lindeberg的題為“High Aspect Ratio MicrosystemFabrication by Ion Track Lithography”的出版物ISSN 1104-232X或ISBN 91-554-5515-8中的內容。
在所述出版物的52頁和圖49中，說明了如何通過許多串聯連接的通孔或微通孔形成螺線管狀的感應線圈，其中所有微通孔由同一種金屬材料形成并平行取向地穿過薄膜襯底，并且所述薄膜襯底的背對的表面設有必要的電路，以便能夠通過相同的金屬材料將形成的微通孔電互連為線圈，并由此利用介紹的上述處理形成彈性電路設置。
以這種方式制造的彈性電路設置應當能夠與印制電路在印制電路卡或印制電路板上的應用相比。
在分配的公開號為WO-A1-99/41592的國際專利公報中示出和公開了本發明的相關技術領域，并且其中可以期望有益的應用。
這里，示出和公開了許多方法和氣體傳感器相關的檢測器。
在其它情況下，提供了方法以便能夠生產氣體傳感器相關的檢測器和旨在能夠檢測穿過氣室(2)的電磁波，例如紅外線，所述氣室形成了腔(21)，適于能包含一定量的氣體(G)，旨在對表面或部分表面進行測量或評估，其在所述氣室(2)或腔(21)內側形成壁部分(21C，21D，21E)，涂敷有一種或多種不同的金屬層(M1，M2)，以便能夠形成針對所述電磁波的高反射率表面。
所述檢測器(3)由一個或多個光接收裝置組成，其以熱元件的形式形成在非導電性襯底上，該襯底具有一個或多個展現出地形結構的表面區域，所述區域涂敷有第一和第二導電金屬層，以彼此分開90℃的入射角對著地形表面結構涂敷所述第一和第二金屬層。
更具體地講，應該通過杯狀的第一部分(2A)、以及對底層(B)的第二部分命名的部分(2B)形成所述與氣室有關的腔(21)。
與檢測器有關的地形結構(3)應該指定用于所述底層(B)的第一部分和/或所述杯狀部分的部分。
所述底層(B)應該同樣地具有適合于形成與檢測器有關的電路裝置(1b)的一個或多個附加部分。
發明內容
技術問題如果注意到相關技術領域的技術人員必須進行技術思考，以便能夠針對產生的一個或多個技術問題提出解決方案這個情況，則首先必須了解應該采取的措施和/或措施的順序以及必要的所需裝置的選擇，鑒于此隨后的技術問題應當與本發明主題的產生和形成有關。
當考慮現有技術時，如上所述，因此應當將以下看成是技術問題當利用作為體材料的薄膜襯底時能夠實現與所采取的步驟有關的優點的重要性，以及對通過介紹而提到的這種薄膜襯底進行的處理，允許創造條件從而-根據已知的基本條件以便使用同一種金屬材料，使得在薄膜襯底上形成螺旋管形電感-形成具有冷和熱結點的熱電偶和/或形成電路裝置，同時利用多種導電或半導電材料。
關于這一點，應當將以下情況看成是技術問題通過至少兩種不同的材料，例如金屬材料，能夠制備形成在薄膜襯底內的光檢測單元，該單元可應用在通過介紹而提到的國際專利公報中所述的技術領域中。
此外，應當將能夠形成熱電偶看成是技術問題，所述熱電偶使用或基于取向穿過薄膜襯底的微通孔，其中薄膜襯底的一個表面應該能夠用作熱結點，并且其背對的第二表面應當能夠作為冷結點。
還應當將能夠實現與以下情況有關的優點和重要性看成是技術問題當利用薄膜襯底時，許多納米路徑和微孔延伸穿過該薄膜襯底，能夠提供許多電路裝置，當利用所述真正的納米路徑時，對其進行處理以便形成微通孔，具有相同或不同的金屬材料或其它適于所選擇的末端區域或結果的材料。
關于這一點，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性對于某些第一選擇微通孔，允許選擇第一金屬材料，對于某些第二選擇微通孔，允許選擇另一種金屬材料，并且對于某些第三選擇微通孔，允許選擇第三材料等。
此外，能夠實現與以下情況有關的優點和重要性被認為是技術問題對于某些選擇的微通孔，允許選擇具有半導電特性的材料。
關于這一點，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許形成包含在熱元件中的不同金屬材料，并且將其提供給相鄰和配位的微通孔，所述微通孔延伸完全穿過薄膜襯底。
技術問題還在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性對于這樣的熱電偶，允許利用這樣形成的第一數量的真正納米路徑填充有具有選擇的電或其它特性的第一材料，用于形成第一數量的在此命名的第一通孔或微通孔，并且允許這樣形成的第二數量的納米路徑填充有第二材料，該材料具有選擇的電或其它特性，用于形成第二數量的在此命名的第二通孔或微通孔，其中應當選擇所述第一和第二通孔的第一材料和第二材料具有相互不同的熱電特性，用于產生依賴于溫度的電機械力(EMF)。
因此，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許導電材料表面施加到薄膜襯底上，作為電路施加到薄膜襯底的兩側，并且進一步分布和/或適應，以便通過選擇和指派的電路允許電互連，例如串聯連接，分配了第一材料的第一通孔和分配了第二材料的第二通孔，和/或提供并聯連接，例如多個這樣的串聯連接。
此外，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許包括在串聯連接中的第一通孔，和包括在所述串聯連接中的最后一個通孔，通過指派的表面相關電路配位，以便形成熱電偶，適應這個目的并具有許多位于薄膜襯底的一側或一個表面上的熱結點以及具有許多位于所述薄膜襯底的背對的第二側或表面上的冷結點。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許以這種方式處理的薄膜襯底適于能夠用作一個或多個光接收器，例如適于光譜分析的檢測器中的適頻光接收器，并且其中薄膜襯底的第一表面部分對于第一選擇頻率可以調整為第一熱電偶，其中同一薄膜襯底的第二表面部分對于第二選擇頻率可以調整為第二熱電偶。
技術問題還在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許利用重加速粒子或離子處理所選擇的表面部分，薄膜襯底的一個較大或較小的部分或者整個外部表面，以便在將納米線處理為真正的納米路徑和微通孔之后，除了為所述熱電偶創造條件，同時還能為適于其它電路和/或電路裝置的電路創造條件，其可以有利地包括半導電組件。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許將分配給粒子或離子的動能選得足夠高以至于至少所選擇的顆粒部分，例如80％，將以令人滿意的確定度穿過所述薄膜襯底，并且由此形成穿越并完全穿透潛在的納米線，對其進行配位或處理能夠形成一個或多個微通孔，具有選定的密度和/或選擇的電阻值。
技術問題還在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許通過類似于掩模處理的方法形成和/或配位所述真正的納米路徑，在下文中命名為“隆起”處理，(其意思是僅僅處理表面的一部分)，首先為了允許第一選擇和配位的、鄰近相關的微通孔形成所述熱電偶，其次，為了允許第二選擇和配位的、鄰近相關的微通孔形成不同于所述熱電偶的另一種類型的電路。
技術問題還在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許第一選擇的真正納米路徑通過選定的工藝和選定的第一掩模或隆起，填充有第一導電材料以便形成所述第一通孔，并且允許第二選擇的真正納米路徑通過選定的工藝和選定的另一掩模或隆起，然而優選同樣的工藝，填充有第二導電材料以便形成所述第二通孔。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許所選擇的多個鄰近相關的第一微通孔和所選擇的多個鄰近相關的第二微通孔經過由導電材料形成的電路而電互連，通過掩模或隆起工藝將所述導電材料施加到薄膜襯底的兩個表面中的一個，并且其中同樣可以經電路利用所述相同材料用于另一電路。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許多個第一微通孔和多個第二微通孔經過通過掩模或隆起施加到薄膜襯底的兩個表面中的第二表面上的材料形成的電路而電互連，并且其中同樣可以經電路利用和形成所述材料用于不同于熱電偶的其他電連接。
因此，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許所述潛在的穿越納米路徑，其最初包括由受影響的體材料的配位納米線，其易受化學蝕刻用于形成納米路徑，隨后對其進行處理用于形成微通孔，并且同時允許選擇微通孔和/或這樣的微通孔的配位以便形成所需的電路，用于電路和熱電偶需要的電路外的組件。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許從塑料材料中選擇所述薄膜襯底并規定總厚度在200與30μm之間，以便以這種方式允許厚度適應于每一個包括在熱電偶中的微通孔的選定長度，所述熱電偶能在使用具有選定頻率的脈沖光波期間起作用，適于在腔內進行氣體檢測和/或評估當前的氣體濃度。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許所述薄膜襯底由芳族聚合物材料構成，其中可以在使用化學劑用于形成開口的真正納米路徑期間在堿性和/或濕氧化環境中進行蝕刻。
因此，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性在這里所講述的應用中，創造條件從而將動能選擇在200至7000MeV每離子之間，然而通常小于2000MeV每離子。
技術問題還在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許通過“Coulomb庫侖”爆炸和/或經過熱瞬變現象在塑料內提供所述納米線。
因此，技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許處理穿越潛在納米線或潛在的納米路徑，以便形成穿越薄膜襯底的真正納米路徑，通過利用包含次氯酸鈉(NaOHCl)-和/或氧化鉀(KOH)的溶劑作用所述真正的納米路徑。
技術問題在于能夠實現與以下情況有關的優點和重要性允許例如通過乙醇對這樣形成的真正穿越開口納米路徑進行預處理，用于內路徑表面的濕潤。
解決方案本發明涉及和包括處理的薄膜襯底和生產這種薄膜襯底的方法，關于這一點，本發明基于通過介紹講述的已知技術，通過介紹和在附加的權利要求1的前序部分中對其進行了舉例說明。
為了能夠解決一個或多個上述技術問題，本發明特別說明應該對以這種方式已知的技術進行補充，以便在其他情況下能夠通過以下事實將一個或多個熱電偶或電路設置形成到薄膜襯底上第一數量的真正納米路徑應該填充有具有選定電特性的第一材料，用于形成第一數量的在此命名的第一通孔或微通孔；第二數量的真正納米路徑應該填充有具有選定電特性的第二材料，用于形成第二數量的在此命名的第二通孔或微通孔；以及選擇所述第一和第二通孔的第一材料和第二材料具有相互不同的電特性。
此外，說明和建議表面施加到薄膜襯底、涂敷到薄膜襯底的兩側上的材料，應該進行分布和/或調整以便經形成的線路允許分配了所述第一材料的第一通孔與分配了所述第二材料的第二通孔和分配了具有導電或半導電特性等的材料的第三通孔的電互連。
另外，說明和建議包括在串聯連接中的第一通孔和包括在串聯連接中的最后一個通孔應該能配位，以便形成熱電偶和/或另一電連接設置。
如所提出的實施例，落在本發明的基本思想范圍內，說明和建議處理過的熱電偶的薄膜襯底應該適合作為一個或多個頻率指示信號接收器包含在適于光譜分析的檢測器中。
此外，說明應該用重加速粒子處理薄膜襯底的大部分或整個外表面，其中應該選擇分配給粒子或離子的動能從而至少80％的粒子會完全確定穿過所述薄膜襯底的厚度。
此外，說明應該能通過掩模或隆起形成真正的納米路徑，并且所選擇的真正納米路徑經過選定的工藝，應該能填充有第一導電材料，以便形成第一通孔，而第二選擇的真正納米路徑經過選定的工藝，應該能填充有第二導電材料以便形成第二通孔。
這樣，根據本發明，說明應該能通過采用線路形式并經過掩模或隆起施加到薄膜襯底的兩個表面中的一個上的材料，來電互連多個第一通孔和多個第二通孔。
此外，說明和建議應該能通過采用線路形式并經過掩模或隆起施加到薄膜襯底的兩個表面中的第二表面上的材料，來電互連多個第一通孔和多個第二通孔。
此外，說明和建議潛在的穿越納米路徑，其包括最初配位的納米線，采用各向異性材料的垂直線的形式，其易受化學蝕刻用于形成亞微米毛細孔，或者為真正納米路徑。
此外，說明和建議所述薄膜襯底應該選自塑料材料(聚合物)并指定200和30μm之間的厚度。
此外，說明和建議所述薄膜襯底應該由芳族聚合物材料組成，其中可以在利用化學劑用于形成開口或真正納米路徑期間在堿性和/或濕氧化環境下進行蝕刻，并且其中根據選定的粒子或離子和薄膜襯底中所選擇的材料以及其指定的厚度，動能應該選擇在200和7000MeV每離子之間。
此外，本發明說明和建議應該處理所選擇的納米線或潛在穿越納米路徑，以便形成聚酰亞胺和/或聚碳酸酯塑料的真正納米路徑，并且通過包含次氯酸鈉和/或包含氧化鉀的溶液穿越薄膜襯底。
此外，說明和建議可以例如用乙醇對所述形成的真正穿越開口納米路徑進行預處理，用于內路徑表面的濕潤。
優點可以首要地被認為是本發明的特點的優點，以及由此提供的特殊的有意義特征在于這樣，創造條件以便通過處理過的薄膜襯底，例如熱電偶和/或一個或多個電路裝置，能夠產生這樣的條件使得這樣的熱電偶能夠包含在一個或多個電路裝置中，例如適于光譜分析的檢測器中的一個或多個信號接收器。
在熱電偶應用中，創造條件以便允許許多熱結點暴露在具有從光譜分析中選擇的頻率的光線或光波下，并且許多冷結點變得位于光線的陰影中，由此提供能夠使包含在熱電偶中的微通孔的長度直接適合薄膜襯底的厚度的簡單可能性，并由此創造條件使得能夠調節在利用脈沖光源期間產生的溫度差。
此外，創造條件以控制到薄膜襯底中的傳熱導，調節各自微通孔的電阻值，并且通過所利用的微通孔結構以及薄膜襯底的材料和厚度調節在熱結點和冷結點之間產生的熱傳導。
可以首要地被認為是本發明的特點的內容限定在隨后的權利要求1的特征部分中。
現在僅僅為了舉例說明本發明的實施例，參考附圖更加詳細地說明以便允許以適于本發明的方式處理薄膜襯底的先前已知方法以及具有與本發明有關的重要特征的當前提出的實施例，其中圖1示出用于以“a”-“f”的順序處理薄膜襯底的已知方法，以便從同一種金屬材料，通過使用取向穿過薄膜材料的微通孔形成螺旋管形感應線圈；圖2以透視圖解示出根據圖1的方法制造的感應線圈；圖3示出感應線圈中的具有相關表面結構化線路的許多通孔，然而顯示體材料已經被除去；圖4以透視圖解示出根據與本發明有關的規定的熱電偶；圖5以曲線示出在根據本發明的應用中，能夠指定給熱電偶的熱結點和熱電偶的冷結點的與時間有關的溫度差的例子；圖6示出溫度差的與時間有關的變化，該變化對應于由熱電偶給出的電壓或電動勢(EMF)；圖7示出表示薄膜襯底的所選厚度與產生最大溫度差的時間點之間的關系的曲線；圖8在多個工藝步驟中示出一個方法的順序，其類似于圖1所示的順序，以便從構造為薄膜的體材料，能夠通過至少兩種不同的金屬材料形成熱電偶或其它電路裝置；圖9在多個工藝步驟中示出一個可選方法的順序，其類似于圖8所示的順序；以及圖10示出用于將圖9中的前兩個工藝步驟結合成單個處理步驟的替代方案。
現有技術的描述參考圖1至3，這里在圖1中，示出先前已知的方法以便在多個工藝步驟中允許根據在通過介紹提到的出版物中所看到的技術前提處理薄膜襯底。
這樣，在圖1中示出所提議的順序以便在用“a”至“f”表示的不同工藝步驟中，允許處理薄膜襯底1，從而以這種方式能夠生產圖2中的印刷電路卡2，其具有通過或設置成完全穿過薄膜襯底1并在背對的表面1a、1b電連接的多個微通孔，以便以這種方式能夠以螺旋管感應線圈2a的形式形成電路裝置。
為了簡化的目的，在圖2中僅示出利用由“V1”、“V2”至“V5”表示的五個微通孔，在實際應用中需要遠遠大于在此示出的數量，以及遠遠密于在此示出的結構。
在圖1a中，關于這一點，示出利用離子“J”的形式的加速粒子處理整個薄膜襯底1，通過這些離子的穿透形成許多納米線1d或潛在的納米路徑1d。
作為離子“J”，可以有利地利用1000MeV129Xe27+，其被證明適于穿過采用薄膜襯底1形式的聚酰亞胺結構的塑料。
在圖1a中，薄膜襯底1由上面的第一薄銅層1’和下面的第二薄銅層1”覆蓋。
圖1b示出薄膜襯底1的頂側1’和底側1”，各自涂敷有一層銅層12和13，并且上銅層12設有開口12a。
更具體地，處理銅層12以便限定鄰近期望微通孔，比如圖2中的通孔”V1”，的開口12a。
在圖1c中處理納米線1d從而形成真正的納米路徑1e。
圖1c也旨在示出所述離子或粒子“J”轟擊表面部分時的速度，并且粒子的質量相互調整到這樣的值以至于可以選擇與粒子“J”有關的動能，從而至少一些粒子完全確定地徹底穿過所述薄膜襯底1，以便這樣允許形成許多納米線1d或完全穿越所述薄膜襯底的潛在納米路徑。
圖1d示出所述真正的納米路徑1e以已知的方式將要填充有具有極好導電特性的金屬材料1f，用于形成與穿孔相關的微通孔，例如通孔“V1”。
此外，圖1d示出用兩個步驟通過通常所說的電淀積將鎳或銅沉積在孔或真正的納米路徑1e內。
由于孔或真正的納米路徑1e向下層1”延伸穿過薄膜襯底1的整個厚度，這可以由支撐部分構成，或者利用膠帶。
在圖1c中，也可以使用乙醇實現穿孔或真正的納米路徑1e的預清洗，以便改善真正的納米路徑的濕潤(wetting)。
在圖1e中，示出在材料經電淀積到達上銅層1’之前，已經將其除去。
第一電淀積適于用來保護銅層或銅膜1”不受蝕刻液的影響。
然后進行電淀積。
當微通孔“V1”朝著薄膜襯底1的上表面1a生長時，形成“杯”并且停止淀積。
圖1f也示出可以通過作為線路施加到薄膜襯底的背對表面上并具有導電特性的一種或兩種材料，使一個所述與穿孔相關的通孔“V1”現在變為電互連。
圖1f在這方面可以示出薄金膜1g沉淀在上表面1a上并且銅膜1h施加到該薄金膜1g上。
現在可以通過同位素濕法蝕刻產生頂側(和底側)上的所需電路。
這里，圖2示出一個感應線圈，僅僅顯示了五個通孔，其具有施加到薄膜襯底的上表面1a上的所需第一導線，這里用“L1”、“L3”和“L5”表示，并且進行連接以便通過這里用“L2”、“L4”和“L6”表示的施加到薄膜襯底的背對表面1b上的第二導線，將通孔“V1”、“V2”到“V5”的串聯連接設置到感應線圈中。
這里，圖3大體上示出所述通孔“V2”、“V3”和“V4”的外觀，并且頂側1a上的線路“L3”、“L5”以圖2顯示的方式示出互連的微通孔，另外線路“L4”位于底側1b上。
在頂側1a上的所有導線、所有穿過薄膜襯底的微通孔和所有在底側上的導線都由同一種金屬材料形成。
現提出的實施例的說明然后以介紹的方式強調在隨后本實施例的說明中，其具有與本發明有關的重要特征并且通過顯示在附圖中的圖4到10對其進行說明，針對本發明選擇詞匯和特殊術語主要是為了使本發明的基本思想更清楚。
然而，關于這一點應該考慮到這里選擇的表達方式不應該看作僅僅局限于這里利用和選擇的術語，而是應該理解應這樣解釋如此選擇的每個術語以至于它另外包括以相同或基本相同方式工作的所有技術等價物，以便這樣能夠實現相同或基本相同的發明和/或技術效果。
這樣，參考圖4，通過現提出的實施例和適當的目前提出的處理示意性地示出本發明的基本條件和要求，使與本發明有關的重要特點或特征更加具體，以下在附圖中通過圖4到10更加詳細地示出所述實施例和處理，并在下面的說明中進行更加詳細的說明。
這樣，本發明原則上基于用于另一技術領域的方法和在圖1至圖3中示出的應用，其中需要多處調整，以便通過該技術能提供一個或多個電路設置，以下以熱電偶為例進行說明，其在用于氣體測量的應用中適于用作檢測器。
關于這一點，本發明講述了第一數量的真正納米路徑1e，這里以三個為例，應該填充有具有好的電特性的第一材料M1，用于根據在圖1e中主要顯示的方式形成第一數量的在此命名的第一微通孔，以“V10”、“V30”和“V50”表示。
然而，本發明講述或建議第二數量的真正納米路徑1e，這里以三個為例，應該填充有具有好的電學特性的第二材料M2，用于形成第二數量的，在此命名的第二微通孔，以“V20”、“V40”和“V50”表示，然后可以根據在圖1e中主要顯示的方式影響它，然而，在對第一通孔“V10”、“V30”和“V50”應該進行覆蓋和掩模的情況下，第二真正納米路徑應該暴露出來以便第二材料M2可以進入。
在圖8、9和10中更加清楚地示出和描述了與此有關的方法和工藝步驟，以下將更加詳細地對其進行說明。
到熱電偶100時為止，對于根據本發明的所示實施例來說重要的是應該選擇具有相互不同的電熱特性的所述第一和第二微通孔的第一材料M1和第二材料M2，用于形成一個或多個配位或分開的熱電偶，其在熱(10a)和冷(10b)結點之間的溫差下給出電動勢。
關于這一點，本發明是基于理解當在溫差下不同金屬端對端地彼此結合時，它們具有不同的電熱特性。
這樣，通過已知實驗，本發明是基于允許確定想要材料之間的想要熱電特性。
對表面施加10a和10b到薄膜襯底10的涂敷在薄膜襯底10兩側的導電材料進行分布和調整，以便通過所形成的電路L10、L30和L50允許分配了第一材料M1的第一微通孔“V10”、“V30”和“V50”與分配了第二材料M2的第二微通孔“V20”、“V40”和“V50”的電互連。
包含在串聯連接中的第一微通孔“V10”和包含在串聯連接中的最后一個微通孔“V50”是配位的以便經連接101和102形成串聯連接的熱電偶100。
不僅圖2，而且圖4也僅僅示出根據本發明的電感的一小部分或者熱電偶100的一小部分，并且應當理解為了形成熱電偶100，可以并且應當彼此串聯連接相當大數量的微通孔。
在相同的薄膜材料1上，不排除形成多個根據圖4串聯連接的獨立熱電偶。
不排除允許并聯連接多個這種獨立的串聯連接的熱電偶100。
熱電偶100的圖4所示的處理過的薄膜襯底10適合包含在適于光譜分析的檢測器中作為信號接收器。
對于本領域的技術人員，顯而易見的是可以在薄膜襯底10上重復熱電偶100的表面部分10a，如參考標號10a’，由此兩個熱電偶100和100’可以位于同一個薄膜襯底10上，其中在光譜分析期間所述熱電偶100和100’可以分別用于不同的光線或波，其中熱電偶100可以用于準確測量，熱電偶100’可以用作參考測量，兩個信號可以經過所述連接線輸送到本質上為已知類型的電子數值計算電路。
根據圖4，落在本發明范圍內的是，作為體材料的薄膜襯底10的選擇部分或整個外表面10a應該用重加速粒子“J”處理，以便這樣不但為使用某些微通孔用于互連為熱電偶的不同金屬創造條件，而且同樣能為以已知形式在薄膜襯底內形成另一電路和電路設置創造條件。
根據在此說明的本發明和其應用，要求應當選擇指定給粒子或離子的動能以便至少80％的粒子將會完全確定地穿過所述薄膜襯底10的所選厚度，以便這樣能夠保證配位的微通孔通過薄襯底完美地連接。
由于本發明是基于具有相互相同或不同材料的多個微通孔的串聯連接的可能性，所以針對微通孔完全向上或向下穿過到達表面并給出電接觸，要求與穿孔相關的微通孔經已形成的表面相關電路肯定會這樣串聯連接。
此外根據本發明，所述真正的納米路徑將能夠通過掩模或隆起工藝形成(這一結果與和所述薄襯底相關的表面區域上的多個裝飾(embroidery)相比)，在那種情況下，第一數量的所選擇的真正納米路徑，經過選擇的工藝和通過掩模，變得填充有第一導電材料以便形成第一微通孔。
然而，第二數量的所選擇的真正納米路徑經過選擇的工藝和通過掩模應該也填充有第二導電材料以便形成第二微通孔，并且使所述第一通孔和所述第二通孔配位，以便當他們互連為熱電偶和/或電路裝置時，表現出所希望的特性。
這樣，本發明也說明了應該通過經掩模或隆起施加到薄膜襯底的兩個表面中的一個上的導電材料，來使多個第一微通孔和多個第二微通孔電互連，用于形成明顯的導線和電路。
此外，說明了應該通過經掩模或隆起施加到薄膜襯底的兩個表面中的第二表面上的導電材料，來使多個第一微通孔和多個第二微通孔電互連，用于形成明顯的導線或電路。
不排除在所述導線和電路形成的同時，也提供經過在薄膜襯底內的其它微通孔的穿越電路，以便允許在其它電路裝置中包含所述通孔作為線路。
所述薄膜襯底10選自塑料材料，并且將厚度指定在200和30μm之間，優選在120μm和50μm之間，以便這樣能提供熱電偶，下面將更詳細地說明其本質。厚度應該能選擇在100和75μm之間。
更具體地，所述薄膜襯底10可以包括芳族聚合物材料，在堿性和/或濕氧化環境下進行蝕刻，同時利用化學劑用于形成開口真正納米路徑。
更具體地，指出動能應該選擇在200和7000MeV每離子之間，其中具有選擇確定性的離子，這里設置為至少80％，應該能夠穿過薄膜襯底10的厚度。
在薄膜襯底10中產生的所述納米線1d可以通過“Coulomb”爆炸和/或隨后的熱瞬變現象形成，其在前面所述的公報中的18頁有更加詳細地顯示和說明。
例如以已知的方式處理所述選擇的潛在穿越納米線或納米路徑1d，以便形成穿越薄膜襯底10的真正納米路徑，其中可以利用含次氯酸鈉或含氧化鉀的溶液，用于該處理。
此外，說明了應該能夠例如利用乙醇對所述真正穿越開口納米路徑1e進行預處理，用于潤濕內路徑表面。
參考圖5，示出針對指定給熱結點的溫度和指定給冷結點的溫度的溫度-時間曲線，所述熱結點和冷結點位于在光譜分析中用作檢測器的熱電偶上，其中指定的溫度差“dT”可以被認為是依賴于至少以下因素a)對著上表面10a入射的光波的光強度，b)在兩個連續脈沖之間的光強度的頻率，c)光強度的上梯度特征，d)穿越薄膜襯底10的微通孔長度“d”，e)穿越薄膜襯底10的微通孔的計算厚度“t”，f)相鄰微通孔之間的距離，距離“a”(圖3)等同于通孔“V2”和“V3”之間的距離，而距離“a1”等同于通孔“V2”和“V4”之間的距離，g)在微通孔和體材料之間發生的熱傳輸，h)在體材料或薄膜襯底10中選擇的材料，
i)所選擇的從下表面10b到底層103的熱傳導，j)在形成各自微通孔時并聯連接的真正納米路徑的數量，k)所述真正納米路徑的計算厚度。
根據圖4的實施例示出和表明利用許多不同的參數，每個參數都適合于熱電偶。
增加微通孔“V10”和其它微通孔的長度“d”是很自然的，不可否認地，這將能夠顯示出大信號“V”，但也可以給出產生溫度差的更大延遲，由于在表面10a上的產生的增加熱量將會經到表面10b的熱傳導通過更長的距離。
較厚的微通孔或包括過多的真正納米路徑的微通孔增加了到表面10b的熱傳導。
許多較薄的微通孔比具有相同截面積的較厚微通孔提供更大的到體材料的熱傳導。單個厚微通孔比大量的薄微通孔提供更低的溫度梯度。
較薄的微通孔比較厚的微通孔提供更高的電阻值。
以所述方式串聯連接的較大數量的微通孔，比較少的微通孔提供更高的輸出信號。
附加參數，可以將熱電偶的條件指定給其，是所使用的光源或燈的與時間有關的特性會影響產生的溫度差。
然而，證明如果通過脈沖控制燈，由此將發射光脈沖的選擇頻率指定給該燈，應該選擇這個頻率使其在0.1秒期間出現在厚度“d”為100μm的薄膜襯底處。
另一條件是微通孔應該具有預定的電阻值，其中同樣的值應當盡可能地低，比如低于100Ω，然而達到或等于30-50kΩ的熱電偶的電阻值也不得不接受。
圖6示出溫度差的時變進展，其中所述曲線也可以被當作表示來自熱電偶100的輸出信號。
在圖7中，曲線示出薄膜襯底的高度尺寸或厚度“d”如何與來自熱電偶的輸出信號相關，如何與所使用的光源或燈的重復頻率有關。
根據本發明，應該有利地構造熱電偶以形成偶數個微通孔或配位微通孔，半數由第一材料形成，例如材料M1，半數由第二材料形成，例如材料M2。
總之，可以提到真正納米路徑和微通孔應該在實踐上盡可能地薄，所使用的金屬材料應該具有盡可能低的導熱率。
材料對M1和M2應該具有盡可能大的Seebeck-效應、熱電效應或電動勢(EMF)。
在本發明的范圍內，當然盡可能地在微通孔中和/或對于表面部分10a和10b分別使用完全導電或半導電的材料，以便這樣當利用至少兩種不同材料時，能夠構造不同的電路設置。
對于分別沿著表面10a和10b的電路，不排除選擇與在微通孔中使用的材料不同的金屬材料。
在圖8中，示出一個分成了許多工藝步驟“A”、“B”至“G”的方法的類似于圖1中所示的順序，以便通過構造為薄膜的體材料，在使用至少兩種，這里是三種不同金屬材料M1、M2和M3期間，能夠形成熱電偶或另一電路裝置。
這樣，圖8A示出當使用粒子或離子80a時，體材料80以薄膜材料的形式暴露在輻射中，由此形成穿越納米線80b或潛在納米路徑80b。
這里，根據在相同工藝步驟中的現有技術，處理材料80的整個頂表面80c并且納米線80b變得適當地分布。
圖8B示出在圖8A中形成的納米線80b在一個工藝步驟中進行蝕刻處理以便提供真正的納米路徑80d。
這里，處理整個頂表面80c從而體材料80展示出真正納米路徑80d的密集穿孔。
在圖8C中，示出根據圖8B處理的材料80在另外的工藝步驟中制備有金屬層80e。
圖8D示出在工藝步驟中，將具有掩模和開口80g的光刻膠，干膜80f，施加到頂表面80c上，以便暴露三個所示真正納米路徑80h。
通過包括電鍍的工藝步驟，施加金屬材料“M1”以便相同的材料填充納米路徑80h并分布在開口80g內。
圖8D還示出將作為掩模或保護膜的抗蝕劑80i施加到金屬層80e。
圖8E示出在隨后的工藝步驟中，除去干膜80f，并且將具有開口80g’的光刻膠，干膜80f’，施加到頂表面80c上，以便暴露三個所示真正納米路徑80h’。
通過重復的包括電鍍的工藝步驟，施加金屬材料“M2”以便相同的材料填充納米路徑80h’并分布在開口80g’內。
圖8F旨在示出在一個工藝步驟中除去了膜80f’，并且在隨后的工藝步驟中將具有帶有開口80k的掩模的新光刻膠80j，干膜，施加到頂表面80c上，以便分別暴露填充的納米路徑80h和80h’作為微通孔，并通過電鍍施加金屬材料M3以形成所需的線路，例如由“L10”表示的線路。
圖8F還旨在示出在一個工藝步驟中除去金屬層80e和保護膜80i’，并且在隨后的步驟中將具有采用開口80k’形式的掩模的新光刻膠80j’，干膜，施加到底表面80c’，以便分別暴露填充的納米路徑80h和80h’作為微通孔，并通過電鍍施加金屬材料M3以形成所需的線路，例如在圖4中由“L30”表示的線路。
圖8G示出在工藝步驟中，除去了光刻膠80j和80j’，由此電路裝置(100)即將完成，該電路裝置使薄膜80的頂側80c和底側80c’上的微通孔和電路彼此電結合和連接。
在其他實施例中，可以從具有導電性的金屬材料選擇材料“M1”、“M2”、“M3”和“M4”并使其相同或從具有不同導電性的材料中和/或從具有半導電性的材料中選擇材料“M1”、“M2”、“M3”和“M4”并使其相互不同。
并且，圖8G示出沒有被金屬材料覆蓋的某些和選擇的真正納米路徑80m、80m’可以用作通風和冷卻管。
在圖9中，示出一個分成許多工藝步驟“A”、“B”至“F”的方法的類似于圖8中所示的順序，以便通過構造成薄膜的體材料，在使用至少兩種，這里是三種不同的金屬材料M1、M2和M3期間，能夠形成熱電偶或其它電路裝置。
這樣，圖9A示出當使用粒子或離子80a時，體材料80以薄膜材料的形式暴露在輻射中，并由此形成穿越納米線80b或潛在納米路徑80b。
這里，根據在相同工藝步驟中的現有技術，處理材料80的整個頂表面80c并且納米線80b變得適當地分布。
圖9B示出由光刻膠80f覆蓋在圖9A中形成的納米線80b，并且經掩模和其開口80g，他們在根據圖9C的工藝步驟中進行蝕刻工藝，以便提供選擇的真正納米路徑80d。
這里，只處理頂表面80c的選擇部分，從而體材料80呈現真正納米路徑80d的選擇穿孔。
在圖9B和9C中，示出在另外的工藝步驟中材料80制備有金屬層80e。
圖9D示出在工藝步驟中，將具有開口80g的光刻膠，干膜80f，施加到頂表面80c，以便暴露三個所示真正納米路徑80h。
通過包括電鍍的工藝步驟，施加金屬材料“M1”以便相同的材料填充納米路徑80h并分布在開口80g內。
圖9E示出在隨后的工藝步驟中，除去干膜80f，將具有開口80g’的光刻膠，干膜80f”，施加到頂表面80c，以便暴露另外三個所示真正納米路徑80h’。
通過包括電鍍的重復工藝步驟，施加金屬材料“M2”以便相同的材料填充納米路徑80h并分布在開口80g’內。
根據圖8F和8G的前面所示的工藝步驟在圖9F的步驟之后繼續進行，因此這里不示出。
圖10旨在示出通過掩模工藝或隆起影響離子80a的輻射，從而僅僅潛在的納米路徑和納米線80b形成在表面部分內，在上述處理步驟之后，其將要形成微通孔。
即使結合熱電偶來闡述了本發明，顯而易見的是所述技術也可以用于其它檢測器，例如IR檢測器、移動檢測器等。
本發明當然并不局限于上述作為例子給出的實施例，而是可以在根據隨后在權利要求中說明的本發明基本思想的范圍內修改。
特別地，應該考慮到在本發明的范圍內所示出的每一個單元可以與示出的每一個其他單元結合以便得到所希望的技術功能。
權利要求
1.一種為了生產印制電路卡或板的處理過的薄膜襯底，具有多個通過或穿過所述薄膜襯底，并且沿著背對表面電連接以形成電路的微通孔，其中；a；利用例如以離子形式的加速粒子處理薄膜襯底的至少某些選擇的表面部分；b；當所述粒子轟擊所述選擇的表面部分時，所述粒子的速度和質量應該相互調整到這樣的值以至于選擇與粒子相關的動能，從而使至少一些所述粒子會完全確定地穿過所述薄膜襯底，以便這樣允許形成穿越所述薄膜襯底的納米線或潛在納米路徑；c；例如以已知方式處理所選擇的潛在穿越納米路徑，以便形成穿越該薄膜襯底的真正納米路徑；d；以本身是已知的方法使所述真正納米路徑填充有具有選定的導電特性的材料，用于形成所述穿孔微通孔；e；多個穿孔微通孔或通孔通過一種或者兩種施加到該薄膜襯底的背對表面上并且具有選定的導電特性的材料進行電互連，第一數量的所述真正納米路徑填充有具有選定電特性的第一材料(M1)，用于形成第一數量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50)，而第二數量的所述真正納米路徑填充有具有選定電特性的第二材料(M2)，用于形成第二數量的在此命名的第二通孔(V20、V40、V60)，特征在于選擇所選擇的第一和第二通孔(V10-V60)的所述第一材料(M1)和所述第二材料(M2)具有相互不同的電特性，分布和/或調整表面施加到該薄膜襯底和涂敷在該薄膜襯底兩側上的材料以便允許分配了所述第一材料的第一通孔與分配了所述第二材料的第二通孔電互連，并且使包含在串聯連接中的第一通孔(V10)和包含在所述串聯連接中的最后一個通孔(V60)配位以提供熱電偶和/或電路裝置。
2.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于處理過的薄膜襯底，適合包含在適于光譜分析的檢測器中作為信號接收器，所述處理過的薄膜襯底具有與熱電偶有關的特性。
3.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于，在“a”期間，利用重加速離子處理所述整個薄膜襯底的外表面。
4.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“b”期間，選擇分配給粒子或離子的動能以至于至少80％的所述粒子確定會穿過所述薄膜襯底。
5.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“c”期間，通過掩模工藝形成所述真正納米路徑。
6.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“d”期間，所選擇的真正納米路徑通過選定的工藝填充有第一材料以便形成第一通孔。
7.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“d”期間，第二選擇的真正納米路徑通過選定的工藝填充有第二材料以便形成第二通孔。
8.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“e”期間，多個第一通孔和多個第二通孔通過經過掩模工藝施加到該薄膜襯底兩個表面中的一個上的材料電互連。
9.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“e”期間，多個第一通孔和多個第二通孔通過經過掩模工藝施加到該薄膜襯底的兩個表面中的第二個表面上的材料電互連。
10.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“b”期間，限定的潛在穿越納米路徑最初包括以各向異性材料的納米線形式形成在體材料內的配位納米線，該納米線易于受到化學蝕刻的作用用于形成真正納米路徑。
11.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于所述薄膜襯底選自塑料材料并給定200和30μm之間的厚度。
12.根據權利要求1或11所述的處理過的薄膜襯底，特征在于所述薄膜襯底由芳族聚合物材料形成，當利用化學劑來形成開口真正納米路徑時，在堿性和/或濕氧化環境下進行蝕刻。
13.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“b”期間，將所述動能選擇在200和7000MeV每離子之間。
14.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“b”期間，通過“Coulomb”爆炸和/或通過熱瞬變現象提供所述納米線。
15.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于在“c”期間，使用包含次氯酸鈉或氧化鉀的溶液。
16.根據權利要求1所述的處理過的薄膜襯底，特征在于例如利用乙醇預處理在“c”期間形成的所述真正穿越開口納米路徑，用于潤濕內路徑表面。
17.一種用于處理為了生產印制電路卡或板的薄膜襯底的方法，該薄膜襯底具有多個通過或穿過所述薄膜襯底，并且沿著背對表面電連接以形成電路的微通孔，其中；a；利用例如以離子形式的加速粒子處理所述薄膜襯底的至少某些選擇的表面部分；b；當所述粒子轟擊所述選擇的表面部分時，所述粒子的速度和質量應該相互調整到這樣的值以至于選擇與粒子相關的動能，從而使至少一些所述粒子會完全確定地穿過所述薄膜襯底，以便這樣允許形成穿越所述薄膜襯底的納米線或潛在納米路徑；c；例如以已知方式處理所選擇的潛在穿越納米路徑，以便形成穿越該薄膜襯底的真正納米路徑；d；以本身是已知的方法使所述真正納米路徑填充有具有選定的導電特性的材料，用于形成穿孔微通孔；e；多個穿孔微通孔或通孔通過一種或者兩種施加到該薄膜襯底的背對表面上并且具有選定的導電特性的材料進行電互連，第一數量的所述真正納米路徑填充有具有選定電特性的第一材料(M1)，用于形成第一數量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50)，而第二數量的所述真正納米路徑填充有具有選定電特性的第二材料(M2)，用于形成第二數量的在此命名的第二通孔(V20、V40、V60)，特征在于選擇所選擇的第一和第二通孔(V10-V60)的所述第一材料(M1)和所述第二材料(M2)具有相互不同的電特性，分布和/或調整表面施加到該薄膜襯底和涂敷在該薄膜襯底兩側上的材料以便允許分配了所述第一材料的第一通孔與分配了所述第二材料的第二通孔電互連，并且使包含在串聯連接中的第一通孔(V10)和包含在所述串聯連接中的最后一個通孔(V60)配位以提供熱電偶和/或電路裝置。
18.根據權利要求17所述的方法，特征在于處理過的薄膜襯底，適合包含在適于光譜分析的檢測器中作為信號接收器，所述處理過的薄膜襯底具有與熱電偶有關的特性。
19.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“a”期間，利用重加速離子處理所述整個薄膜襯底的外表面。
20.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“b”期間，選擇分配給粒子或離子的動能以至于至少80％的所述粒子確定會穿過所述薄膜襯底。
21.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“c”期間，通過掩模工藝形成所述真正納米路徑。
22.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“d”期間，所選擇的真正納米路徑通過選定的工藝填充有第一材料以便形成第一通孔。
23.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“d”期間，第二選擇的真正納米路徑通過選定的工藝填充有第二材料以便形成第二通孔。
24.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“e”期間，多個第一通孔和多個第二通孔通過經過掩模工藝施加到該薄膜襯底兩個表面中的一個上的材料電互連。
25.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“e”期間，多個第一通孔和多個第二通孔通過經過掩模工藝施加到該薄膜襯底的兩個表面中的第二個表面上的材料電互連。
26.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“b”期間，限定的潛在穿越納米路徑最初包括以各向異性材料的納米線形式形成在體材料內的配位納米線，該納米線易于受到化學蝕刻的作用用于形成真正納米路徑。
27.根據權利要求17所述的方法，特征在于所述薄膜襯底選自塑料材料并給定200和30μm之間的厚度。
28.根據權利要求17或17所述的方法，特征在于所述薄膜襯底由芳族聚合物材料形成，當利用化學劑來形成開口真正納米路徑時，在堿性和/或濕氧化環境下進行蝕刻。
29.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“b”期間，將所述動能選擇在200和7000MeV每離子之間。
30.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“b”期間，通過“Coulomb”爆炸和/或通過熱瞬變現象提供所述納米線。
31.根據權利要求17所述的方法，特征在于在“c”期間，使用包含次氯酸鈉或氧化鉀的溶液。
32.根據權利要求17所述的方法，特征在于例如利用乙醇預處理在“c”期間形成的所述真正穿越開口納米路徑，用于潤濕內路徑表面。
全文摘要
本發明包括處理過的薄膜襯底(10)及其方法，以便生產彈性印制電路卡，其具有多個通過或穿過薄膜襯底并且沿著背對的表面電連接的微通孔，從而形成電路。第一數量的真正納米路徑填充有具有良好電特性的第一材料(M1)，用于形成第一數量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50)，而第二數量的真正納米路徑填充有具有良好電特性的第二材料(M2)，用于形成第二數量的在此命名的第二通孔(V20、V40、V60)。選擇所述第一和第二通孔(V10－V60)的第一材料(M1)和第二材料(M2)具有相互不同的熱電特性。分布和/或調整表面施加到薄膜襯底和涂敷在薄膜襯底(10)的兩側(10a、10b)上的材料以便允許分配了第一材料(M1)的第一通孔與分配了第二材料(M2)的第二通孔電互連，并且使包含在串聯連接中的第一通孔(V10)和包含在串聯連接中的最后一個通孔(V60)串聯配位以便形成熱電偶(100)或其他電路裝置。
文檔編號H05K3/00GK1781350SQ200480011643
公開日2006年5月31日 申請日期2004年4月21日 優先權日2003年4月29日
發明者漢斯·約蘭·埃瓦爾德·馬丁, 克拉斯·安德斯·約爾特, 米卡埃爾·彼得·埃里克·林德貝里 申請人:森謝爾公司