專利名稱：使用稀土類絡合物的發光元件以及發光介質的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種色純度、彩色再現性以及耐久性優良的LED元件之類的發光元件，以及用于LED元件之類的發光元件的發光介質。
背景技術：
目前在發光元件中，LED(發光二極管)例如無機LED的發光效率得到了飛躍的提升，特別是白色LED，將來其發光效率可能會凌駕于熒光燈之上。然而，LED在用于照明裝置時，有許多用途要求其不僅在發光效率，還包括在彩色再現性方面都是優良的，而對于只使用無機熒光體的LED，目前的現狀是還不能完全滿足這些特性。
將有機熒光體用于LED的這一概念早已是公知的，但是將有機熒光體用作發光體的LED卻由于以下的問題，目前還沒有實際應用到照明用途中去。
1)特別是用現在正成為主流的近紫外LED作為光源，在使用R、G、B的發光體LED中采用有機熒光體時，由于紫外線而引起的有機化合物的劣化顯著。這是因為有機化合物對于紫外線的抵抗力一般較弱。特別是在基于近紫外區域中的n-π*遷移范圍內有吸收的情況下，劣化較快。
2)有機熒光體根據其濃度的不同，其熒光光譜會有所變化，難以控制熒光光譜。此外，熒光強度對于濃度也有依賴性，在高濃度區域中會產生濃度消光。
3)根據分散有機熒光體的聚合物種類的不同，熒光光譜會發生變化。
一般的，由稀土類絡合物形成的熒光體和一般的有機熒光體相比，可以舉出以下這些優點。用于低分子類的有機EL元件的稀土類絡合物的例子如下式(6)所示。
…式(6)由菲咯啉和β二酮作為配位體形成如上述式(6)所示的稀土類絡合物。菲咯啉吸收光后成為激發狀態，在三重激發態下引起能量轉移處于至中心的銪，得到銪特有的612nm的發光。
由于通過菲咯啉進行光吸收，該稀土類絡合物的吸光系數增大，發光強度增強。由這種稀土類絡合物形成的熒光體和一般的由有機化合物形成的熒光體相比，顯示出具有以下這些優點。
1)發光波長是稀土類特有的，不會受到色素濃度、分散的聚合物的種類的影響，熒光光譜穩定。
2)配位體是有機化合物，但配位體吸收光后成為激發狀態，通過相對于中心元素的能量轉移而返回到基態，因此減少了在激發狀態下產生不可逆的化學變化的機會。因此其對于紫外線的耐久性是值得期待的。
但是這種含有菲咯啉作為配位體的稀土類絡合物存在所謂對于溶劑的溶解性、對于樹脂的分散性都較差的問題。
與此相對，由如下述式(7)所示的稀土類絡合物形成的熒光體對于溶劑的溶解性優良，而且可以均勻地分散在樹脂中。
…式(7)
但是上述式(7)所示的稀土類絡合物存在所謂在近紫外光下的吸光系數較小、得不到足夠的發光強度的問題。
與此相對，如下述式(8)所示，提出了一種將氧化三苯膦用作配位體的稀土類絡合物(例如，參照化學和工業vol.53，no.2(2000)pp126-130、有機合成化學協會志vol.58，no.10(2000)pp945-955.、Chem.Lett.(1999)pp35-36)。
式(8)如上述式(8)所示的化合物雖然具有比上述式(7)所示的化合物更大的發光強度，但是不足以用于LED方面的用途，其發光強度有必要進一步提高。
發明內容
本發明的目的是提供一種使用對溶劑的溶解性、樹脂分散性優良且發光強度大的稀土類絡合物的高發光強度和長壽命的發光元件(例如LED元件)以及發光介質。
根據本發明的第一方面，提供一種具有發光介質的LED元件，該發光介質含有由下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物。
…式(1)(式中，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R4不會完全相同，n是2以上、20以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團)。
根據本發明的第二方面，提供一種具有發光介質的LED元件，該發光介質含有由下述式(5)所示的稀土類絡合物。
…式(5)(式中，Ln是稀土類離子，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同的或不同的、碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R3的組合和R4～R6的組合不同，R7和R9是相同的或不同的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R8是鹵原子、重氫原子、碳原子數為1～22以下的具有直鏈或支鏈結構的脂肪族基)。
根據本發明的第三方面，提供一種含有由下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物的發光介質。
…式(1)(式中，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取你物，R1～R4不會完全相同，n是2以上、20以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團)。
附圖的簡要說明
圖1是表示用于本發明一個實施例中的LED元件的稀土類絡合物的雙氧化膦配位體的合成路線圖，以及圖2是本發明一個實施例中的LED元件的示意圖。
具體實施例方式
本發明一個實施例中的發光元件以LED元件為代表，具有LED的發光部分和含有由下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物的發光介質。另外，本發明中所用的發光部分并不限于LED，也可以是半導體激光之類的發光部分。
用于本發明一個實施例中的LED元件的稀土類絡合物，特別優選是含有如上述式(1)所示的配位體和β二酮配位體的絡合物，作為這類稀土類絡合物，可以使用如下述式(2)所示的絡合物。
…式(2)(式中，Ln是稀土類離子，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6選自碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R4不會完全相同，n是2以上、20以下的整數，m和p是1以上、5以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團)。
在式(2)中，R5和R6之間的氫(H)可以被重氫(D)、鹵素或烷基取代，這樣可以使配位體穩定化。
在一個稀土類原子中，若和結構不同的多種(特別是2種)的磷化合物配位，使配位場更加地不對稱，則基于分子吸光系數的提高，發光強度將增強。特別是將如式(1)所示的不對稱結構的磷化合物作為稀土類絡合物的配位體時，與將不同分子結構的磷化合物配位至如式(7)所示的化合物中的情況相比，可以實現發光強度的進一步的提高。此外，由于化合物的無定形性提高，對樹脂的分散性也進一步提高。
如后所述，雖然使結構不同的2種磷化合物配位，也可以得到不對稱結構，但在這種情況下有時會形成對稱結構和不對稱結構的混合物。與此相對，將如式(1)所示的不對稱結構的磷化合物用于配位體時，可以確保種類不同的2種磷化合物配位在一個稀土類元素上。
此外，將如式(1)所示的化合物用作配位體時，可以觀察到稀土類絡合物的發光壽命的提高。稀土類絡合物一般是由呈路易斯堿性的配位體和呈路易斯酸性的稀土類元素形成配位鍵而構成的。若路易斯堿性較強的雜質起作用，則引起配位體的交換，發光強度將會衰減。若是如氧化膦這類在一個位置上成鍵的情況，配位體交換的機會較大，壽命縮短。與此相對的雙氧化膦配位體由于在多個位置上形成配位鍵，基于螯合效應，配位體難以離去，因此壽命提高。
如式(1)所示的磷化合物(雙氧化膦等)的配位體可以是手性(光學活性)的。手性(光學活性)的磷化合物可以通過例如圖1所示的反應而制得。沒有光學活性的磷化合物(雙氧化膦等)也可以根據如圖1所示的方法而制得。
此外，如前所述，若將結構不同的多種磷化合物配位于一個稀土類原子上，則可以增加發光強度，將如式(1)所示的不對稱結構的磷化合物用于配位體時，如果和β二酮配位體聯用，則可以增大不對稱的效果，并顯著增加發光強度。
另外，在上述式(2)以及后述式(5)中的稀土類Ln優選是銪(Eu)、鋱(Tb)、釓(Gd)。
使上述的稀土類絡合物分散在聚合物中，可以形成發光介質。聚合物中的稀土類絡合物的量沒有特別的限定，一般優選在2～95重量％。
作為分散稀土類絡合物的聚合物，希望是高透光率(可見光紫外光)、高玻璃化點、高堅牢度、低透氣性、高防濕性的氟類樹脂。另外，為了防止稀土類絡合物從激發狀態轉向配位體的振動失活，希望在稀土類原子附近的結構中不存在CH鍵、OH鍵、本發明的發明者們從上述的角度出發進行了專心的研究，結果發現通過使用由下述式(3)、式(4)所示的分子結構的聚合物，可以同時提高LED的發光強度和壽命。
…式(3)(式中，q和r為1以上的整數，Rf1和Rf2為在其結構中至少含有1個氟原子的碳原子數在20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基)。
…式(4)(式中，s和t為1以上的整數)。
本發明中所用的稀土類絡合物如上所述，并不限于只將雙氧化膦用作配位體的情況，也可以通過使用2種的氧化膦發生作用而得到。
例如，在將2種氧化膦(1)、(2)與如式(7)所示的化合物作用的情況下，生成只有氧化膦(1)配位的絡合物、只有氧化膦(2)配位的絡合物、由氧化膦(1)和氧化膦(2)配位的絡合物的混合物。這時，通過由氧化膦(1)和氧化膦(2)配位的稀土類絡合物，可以得到較大的發光強度。
作為這種由2種膦配位得到的稀土類絡合物，例如如下述式(5)所示。
…式(5)(式中，Ln是稀土類離子，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同的或不同的、碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基以及其取代物，R1～R3的組合和R4～R6的組合不同，R7和R9是相同的或不同的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R8是鹵原子、重氫原子、碳原子數為1～22以下的具有直鏈或支鏈結構的脂肪族基)。
由2種膦配位得到的稀土類絡合物如上所述，也可以分散在聚合物中，形成發光介質。
在本發明中，R1～R9的氫可以被鹵素或重氫取代，作為鹵素特別優選氟。理由是其可以防止由C-H鍵產生的振動失活。此外，氟的位阻效應小，可以防止雜質配位至稀土類原子中。還有，在分散稀土類絡合物的聚合物中含有C-H鍵和O-H鍵時，由于位阻效應，中心稀土類離子和該C-H鍵、O-H鍵之間的距離變大，可以防止振動失活。
下面所示的是本發明的實施例以及比較例，但是本發明并不受到這些實施例的任何限制。
實施例1根據下述式(9)所示的反應式，合成稀土類絡合物。即通過使氧化三苯膦和氧化三辛基膦這2種氧化膦作為配位體作用于稀土類金屬化合物，得到稀土類絡合物。該稀土類絡合物溶解于作為氟類溶劑的バ-トレルXF(商品名デユポン公司制造)，然后進一步溶解2重量％的作為如上述式(3)所示的氟類聚合物之一的テフロンAF(商品名デユポン公司制造)的顆粒。
…式(9)如圖2所示，將如上述調制的溶液收集至具有LED片1(發光波長395nm、InGaN)的池內4中，在氮氣氛圍中加熱干燥形成發光介質2，制造LED元件3。在圖2中，參照符號5、6各自表示電極端子。
使LED片1發光，測定LED元件3的發光強度以及亮度半衰期。使LED片1在20mA、3.43V的條件下發光，用積分球光度計測定發光強度以及亮度半衰期。發光強度用光通量(1m)或光強度(mcd)進行評價，此外亮度半衰期使用發光后亮度半衰的時間(h)進行評價。
結果得到良好的紅光，得到如下述表1所示的測定值。由下述表1可以明顯看出，本實施例中的LED元件3顯示出良好的發光強度，亮度半衰期為25000小時的優良的性能。
比較例1在如上述式(9)所示的反應式中，除了只用氧化三苯基膦作為氧化膦形成配位體以外，其余按照和實施例1同樣的方法合成稀土類絡合物，由此制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度降低為72，而且亮度半衰期為15000小時，和實施例1的LED元件相比則大幅減少。
比較例2在如上述式(9)所示的反應式中，除了只用氧化三辛基膦作為氧化膦形成配位體以外，其余按照和實施例1同樣的方法合成稀土類絡合物，由此制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度降低為90，而且亮度半衰期為15000小時，和實施例1的LED元件相比則大幅減少。
實施例2在如上述式(9)所示的反應式中，除了只用如下述式(10)所示結構的雙氧化膦作為氧化膦形成配位體以外，其余按照和實施例1同樣的方法合成稀土類絡合物，由此制造LED元件。
…式(10)按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至110，而且亮度半衰期為45000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。
這種亮度半衰期的大幅增加認為是由使用作為配位體的雙氧化膦產生的螯合效應而造成的。
實施例3在如上述式(9)所示的反應式中，除了只用如下述式(11)所示結構的雙氧化膦作為氧化膦形成配位體以外，其余按照和實施例1同樣的方法合成稀土類絡合物，由此制造LED元件。
…式(11)
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至130，而且亮度半衰期為45000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。
這種亮度半衰期的大幅增加認為是由配位體的更加不對稱化而產生的效應而造成的。
實施例4除了使用サイトツプ(商品名旭硝子公司制造)作為分散稀土類絡合物的氟類聚合物以外，其余按照和實施例1完全相同的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，發光強度以及亮度半衰期和實施例1的LED元件相比略低，得到基本可以滿足實際應用的結果。
實施例5將在實施例2中得到的紅色稀土類絡合物和綠色(InGaN，520nm)以及藍色(InGaN，450nm)的無機熒光體分散至實施例1中所用的聚合物中，其余按照和實施例1同樣的方法制造有機-無機混合型的白色LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，為40000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。
實施例6氟類聚合物可以是由氟乙烯、氟丙烯、偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)的單體形成的氟類聚合物。例如作為分散稀土類絡合物的氟類聚合物，可以使用ダイニオンTHV220(商品名住友3M公司制造)，按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，得到基本可以滿足實際應用的結果。
實施例7氟類聚合物可以是具有如下述式(12)所示的分子結構的聚合物。例如作為分散稀土類絡合物的氟類聚合物，可以使用SIFEL(商品名信越化學公司制造)，按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，得到基本可以滿足實際應用的結果。
…式(12)(式中，R11～R16是直鏈或支鏈結構的相同或不同的烷基(部分或者全部的氫可以被氟等的鹵素取代)，u是1以上的整數)。
實施例8將在實施例1中得到的紅色稀土類絡合物(銪絡合物)和通過如下述式(13)所示的反應制得的綠色的鋱絡合物以及藍色(InGaN，450nm)的無機熒光體分散至實施例1中所用的聚合物中，按照和實施例1同樣的方法制造熒光體層為有機-無機混合型的白色LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，為35000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。此外，相對發光強度為150，得到了比實施例1更好的結果。可以認為這是由于，通過將紅色和綠色的熒光體形成有機熒光體，減少了無機微粒子的比例，減小了光散射，因此提高了LED元件的光提取效率。
…式(13)實施例9將在實施例1中得到的紅色稀土類絡合物(銪絡合物)和通過如是述式(13)所示的反應制得的綠色鋱絡合物分散至如下述式(14)所示的藍色熒光聚合物中，按照和實施例1同樣的方法制造含有熒光體層的白色LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該白色LED元件的亮度半衰期，如下述表1所示，為30000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。此外，相對發光強度為180，得到了比實施例1更好的結果。可以認為這是由于，通過將紅色和綠色、和藍色的熒光體形成有機熒光體，減小了光散射，同時提高了LED元件的光提取效率。
…式(14)(式中，v是1以上的整數)。
比較例3在如上述式(9)所示的反應式中，除了用如下述式(15)所示結構的雙氧化膦作為氧化膦形成配位體以外，按照和實施例1同樣的方法合成稀土類絡合物，以此制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，發光強度為90，亮度半衰期為15000小時。由此可以看出，式(1)中n若不是大于1的整數，發光強度以及亮度半衰期都不能增大。
…式(15)實施例10除了將如下述式(16)所示的化合物用作稀土類絡合物以外，其余按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至120，而且亮度半衰期為25000小時，和實施例1的LED元件一樣。
…式(16)實施例11除了將如下述式(17)所示的化合物用作稀土類絡合物以外，其余按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至150，而且亮度半衰期為45000小時，和實施例1的LED元件相比大幅增加。
…式(17)實施例12除了將如下述式(18)所示的セフラル(商品名セントラルガラス公司制造)作為氟類聚合物，二甲苯作為溶劑以外，其余按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至極高的250，此外亮度半衰期為20000小時。
可以認為發光強度極度增大的主要原因是由于，セフラル比テフロンAF的光散射強度小，從而提高了LED元件的光提取效率。
…式(18)(式中，X為鹵素，R17～19為直鏈或支鏈結構的烷基)。
實施例13除了將如下述式(19)所示的ルミフロン(商品名旭硝子公司制造)作為氟類聚合物，醋酸乙酯作為溶劑以外，其余按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度高至200，此外亮度半衰期為25000小時。
可以認為發光強度增大的主要原因是由于，ルミフロン比テフロンAF的光散射強度小，從而提高了LED元件的光提取效率。
…式(19)(式中，X為鹵素，R20為直鏈或支鏈結構的烷基，n為整數)。
實施例14除了將如下述式(20)所示的聚硅烷用作氟類聚合物以外，其余按照和實施例1同樣的方法制造LED元件。
按照和實施例1同樣的方法測定該LED元件的發光強度以及亮度半衰期，如下述表1所示，若將實施例1的LED元件的發光強度作為100，則該LED元件的發光強度為105，此外亮度半衰期為20000小時。
…式(20)(式中，R21、R22為甲基，n為整數)。
表1.LED元件的發光強度和亮度半衰期發光強度(以實施例1為基準的相對強度)亮度半衰期(h)實施例1 100 25000實施例2 110 45000實施例3 130 45000實施例4 9520000實施例5 - 40000實施例6 120 25000實施例7 110 20000實施例8 150 35000實施例9 180 30000實施例10 120 25000實施例11 150 45000實施例12 250 20000實施例13 200 25000實施例14 105 20000比較例1 7215000比較例2 9015000比較例3 9015000在以上的實施例中，是針對使用氧化膦作為稀土類絡合物的配位體而示例的，但是本發明不限于氧化膦，使用硫化膦、硒化膦也可以達到同樣的效果。
其它優點和改變可以很容易被所述領域的技術人員想到。因此，在其延伸的范圍內，本發明不受到在此處所述的一些具體細節以及代表性的實施例的限制。由此，只要在不背離如附屬權利要求以及與之等價的總的發明構思的主旨或范圍內，可以進行各種的改變。
權利要求
1.一種發光元件，包含發光部分和發光介質，該發光介質含有以下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物 式(1)式中，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R4不會完全相同，n是2以上、20以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團。
2.如權利要求1所記載的發光元件，其中前述稀土類絡合物含有β二酮配位體和如前述式(1)所示的配位體。
3.如權利要求2所記載的發光元件，其中前述稀土類絡合物如下述式(2)所示 式(2)式中，Ln是稀土類離子，X和Y是選自O、S以及Se中的原子，R1～R6是碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R4不會完全相同，n是2以上、20以下的整數，m和p是1以上、5以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團。
4.如權利要求1所記載的發光元件，其中前述發光介質是由前述稀土類絡合物分散至氟類聚合物中而形成的。
5.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物具有如下述式(3)所示的分子結構 式(3)式中，q和r為1以上的整數，Rf1和Rf2為在其結構中至少含有1個氟原子的碳原子數在20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基。
6.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物如下述式(4)所示 式(4)式中，s和t為1以上的整數。
7.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述發光介質是通過使得前述氟類聚合物中同時含有無機熒光體和前述稀土類絡合物而制成的。
8.如權利要求1所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色熒光體的前述稀土類絡合物和作為綠色、藍色熒光體的無機熒光體，前述稀土類絡合物為銪絡合物。
9.如權利要求1所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色、綠色熒光體的前述稀土類絡合物和作為藍色熒光體的無機熒光體，前述稀土類絡合物中紅色的熒光體為銪絡合物，綠色的熒光體為鋱絡合物或鉺絡合物中的至少一種。
10.如權利要求1所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色、綠色熒光體的前述稀土類絡合物和作為藍色熒光體的聚合物熒光體，前述稀土類絡合物中紅色的熒光體為銪絡合物，綠色的熒光體為鋱絡合物或鉺絡合物中的至少一種。
11.一種發光元件，包含發光部分和發光介質，該發光介質含有如下述式(5)所示的稀土類絡合物 式(5)式中，Ln是稀土類離子，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R6是相同或不同的、碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R3的組合和R4～R6的組合不同，R7和R9是相同或不同的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R8是鹵原子、重氫原子、碳原子數為1～22以下的具有直鏈或支鏈結構的脂肪族基團。
12.如權利要求11所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色熒光體的前述稀土類絡合物和作為綠色、藍色熒光體的無機熒光體，前述稀土類絡合物為銪絡合物。
13.如權利要求11所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色、綠色熒光體的前述稀土類絡合物和作為藍色熒光體的無機熒光體，前述稀土類絡合物中紅色的熒光體為銪絡合物，綠色的熒光體為鋱絡合物或鉺絡合物中的至少一種。
14.如權利要求11所記載的發光元件，其中前述發光介質含有作為紅色、綠色熒光體的前述稀土類絡合物和作為藍色熒光體的聚合物熒光體，前述稀土類絡合物中紅色的熒光體為銪絡合物，綠色的熒光體為鋱絡合物或鉺絡合物中的至少一種。
15.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物是由選自氟乙烯、氟丙烯以及偏二氟乙烯中的至少1種單體合成的氟類聚合物。
16.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物具有如下述式(12)所示的分子結構 式(12)式中，R11～R16是直鏈或支鏈結構的相同或不同的烷基(部分或者全部的氫可以被氟等的鹵素取代)，u是1以上的整數。
17.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物具有如下述式(18)所示的分子結構 式(18)式中，X為鹵素，R17-19為直鏈或支鏈結構的烷基。
18.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物具有如下述式(19)所示的分子結構 式(19)式中，X為鹵素，R20為直鏈或支鏈結構的烷基，n為整數。
19.如權利要求4所記載的發光元件，其中前述氟類聚合物具有如下述式(20)所示的分子結構 式(20)式中，R21、R22為甲基，n為整數。
20.如權利要求1～19所記載的發光元件，其中發光元件為LED元件。
21.一種發光介質，其中包含以下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物 式(1)式中，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R1～R4是碳原子數為20以下的具有直鏈或支鏈結構的烷基或烷氧基、苯基、聯苯基、萘基、雜環基及其取代物，R1～R4不完全相同，n是2以上、20以下的整數，Z和W是選自氫原子、重氫原子、鹵原子以及烷基中相同或不同的基團。
全文摘要
本發明的特征在于具有一種發光介質，該發光介質含有以下述式(1)所示的化合物作為配位體的稀土類絡合物。左式中，X和Y是選自O、S以及Se中相同或不同的原子，R
文檔編號H05B33/14GK1575066SQ20041005503
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月24日 優先權日2003年6月24日
發明者巖永寬規, 相賀史彥, 信田直美, 天野昌朗 申請人:株式會社東芝