專利名稱：高效有機電致發光顯示器及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種平板顯示器，并尤其涉及一種有機電致發光顯示器及其制造方法，該顯示器能夠通過區分各個R、G和B單元像素的陽極電極的厚度來提高發光效率和色彩再現性。
背景技術：
一般地，有機電致發光顯示器(organic electroluminescent display，OLED)的類型依據發光表面而分為正面發射型顯示器和背面發射型顯示器。以基板為基礎，在背面發射型OLED的情形中，從電致發光層發出光束并透過基板，而在正面發射型OLED的情形中，從電致發光層發出光束但不透過基板。
依據反射膜和透射陽極電極的光學特性以及包括電致發光層的有機薄膜層的電學特性來決定背面發射結構的效率。因為在發射光波長1/4的厚度處產生光學特性的最大相長干涉，所以形成一個厚度大于電子輸運層的空穴輸運層。就電特性而言，空穴輸運層的遷移率大于電子輸運層的遷移率。因此，在制造背面發射結構的全色OLED時，確定表示最大效率的電致發光層的厚度。
另一方面，正面發射型OLED中用于測量光學厚度和電學厚度的、位于反射陽極電極和半透射半反射陰極電極之間的空穴輸運層、電致發光層和電子輸運層的厚度確定不同于背面發射型OLED的情形。
已經嘗試通過控制組成夾在陽極電極和陰極電極之間的有機薄膜層的空穴注入和輸運層、電致發光層和電子輸運層的厚度來獲得最大效率和最高色彩純度。日本專利JP 2846571公開了一項關于背面發射型有機電致發光顯示器領域的技術，通過設置陽極電極、陰極電極以及陽極電極和陰極電極之間的有機薄膜層的光學膜厚，以獲得電致發光層的發光強度的峰值，能夠獲得很高的色彩純度和效率。另外，日本特開專利申請JP 2000-323277公開了一項關于背面發射型有機電致發光顯示器領域的技術，通過依據R、G和B單元像素，對夾在陽極電極和陰極電極之間的有機薄膜層中除電致發光層以外的薄膜層形成不同的厚度，能夠獲得高效和色彩純度。
但是，正面發射型有機電致發光顯示器的問題在于，雖然薄膜層的厚度設置為所需光波長的1/4，但很難獲得理想的效率和色彩純度，因為電致發光層位于反射陽極的反射部分和半透射陰極之間。
另一方面，在正面發射型電致發光顯示器中，美國專利申請US10/385,453(2003.03.12)公開了一項能夠通過形成多層結構的陽極電極而提高發光特性的技術。
在一個絕緣基板上形成各個R、G和B單元像素的陽極電極。陽極電極包括第一陽極和第二陽極。形成像素限定層以暴露部分陽極電極，由此形成各個R、G和B單元像素的孔徑。在孔徑中，在R、G和B單元像素的陽極電極上分別形成包括R、G和B電致發光層的R、G和B單元像素的有機薄膜層。在基板的整個表面上形成一個半透射陰極電極。
正面發射型有機電致發光顯示器上形成有兩層結構的陽極電極，采用第一陽極電極作為具有高反射率的金屬膜，和采用第二陽極電極作為能夠與功函數相符的金屬膜，由此通過增大反射率和空穴注入特性來提高發光效率。
但是，在正面發射型有機電致發光顯示器中，各個R、G和B單元像素的所有第二陽極電極具有相同的厚度。因此，不可能獲得理想的色彩再現和效率，因為具有良好反射率的第一陽極電極和半透射陰極電極具有彼此不同的各自的光學相長干涉長度。
發明內容
因此，為了解決上述問題，本發明的目的在于提供一種有機電致發光顯示器及其制造方法，能夠獲得最大的色彩再現和最高的效率。
本發明的另一目的在于提供一種有機電致發光顯示器及其制造方法，通過形成不同厚度的各個R、G和B單元像素的陽極電極，能夠獲得理想的色彩再現和發光效率。
本發明的另一目的在于提供一種有機電致發光顯示器及其制造方法，利用形成不同厚度的各個R、G和B單元像素的陽極電極而無需額外掩模工序的簡單工藝，能夠提高色彩再現和發光效率。
為了實現上述目的，本發明提供了一種有機電致發光顯示器，包括形成在基板上的、彼此分開的R、G和B單元像素的陽極電極；形成在陽極電極上的R、G和B單元像素的有機薄膜層；和形成在基板整個表面上的陰極電極；其中R、G和B單元像素中的至少一個單元像素的陽極電極具有不同于其它單元像素的陽極電極的厚度。
在本發明的實施例中，每個單元像素的陽極電極包括具有高反射率的第一膜和用于調節功函數的第二膜，并且至少一個單元像素的第二膜具有不同于其它單元像素的第二膜的厚度。R單元像素的第二膜比其它單元像素的第二膜厚。
在本發明的優選實施例中，R單元像素的第二膜的厚度處于250～450X或700～750X的范圍內，并且G和B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍。R單元像素的第二膜的厚度處于250～450X或700～750X的范圍，G單元像素的第二膜的厚度處于200～300X的范圍，并且B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍。
在本發明的另一實施例中，為了獲得最大的效率，在R、G和B單元像素中，R單元像素的第二膜的厚度為375X，G單元像素的第二膜的厚度為250X，和B單元像素的第二膜的厚度為125X。而且，為了獲得最大的色彩再現，R單元像素的第二膜的厚度為750X，G單元像素的第二膜的厚度為250X，和B單元像素的第二膜的厚度為125X。
每個單元像素的第一膜由Al、Ag或它們的合金膜組成，第二膜由ITO或IZO組成。
另外，本發明提供了一種包括大量像素的有機電致發光顯示器，每個像素至少包括一個陽極電極，其中大量像素中相鄰像素的陽極電極具有彼此不同的厚度。
在本發明的實施例中，每個像素的陽極電極包括具有高反射率的第一膜和用于調節功函數的第二膜，相鄰像素的陽極電極的第二膜具有彼此不同的厚度。
另外，本發明提供了一種用于制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上形成R、G和B單元像素的第一陽極；通過在R單元像素的第一陽極上形成R單元像素的第二陽極而形成R單元像素的陽極電極；通過在G和B單元像素的第一陽極上形成G和B單元像素的第二陽極而形成G和B單元像素的陽極電極；分別在R、G和B單元像素的陽極電極上形成有機薄膜層；和在基板的整個表面上形成陰極電極；其中R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極的厚度不同于其它單元像素的第二陽極的厚度。
另外，本發明包括一種制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上依次形成R、G和B單元像素的第一陽極電極材料和第二陽極電極材料；通過蝕刻第一和第二陽極電極材料而形成R、G和B單元像素的陽極電極，每個陽極電極包括第一陽極和第二陽極；在R、G和B單元像素的陽極電極上分別形成有機薄膜層；和在基板的整個表面上形成陰極電極；其中R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極的厚度不同于其它單元像素第二陽極的厚度。
另外，本發明包括一種制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上形成R、G和B單元像素的第一陽極；在基板的整個表面上形成第二陽極電極材料；蝕刻第二陽極電極材料，從而分別在R、G和B單元像素的第一陽極上形成第二陽極，以形成R、G和B單元像素的陽極電極；分別在R、G和B單元像素的陽極電極上形成有機薄膜層；和在基板的整個表面上形成陰極電極；其中R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極的厚度不同于其它單元像素第二陽極的厚度。
通過下面結合附圖所做的詳細描述，可以對本發明的各個方面及優點有更全面的理解，其中附圖中用相同的標記表示相同或類似的部件，其中圖1是現有技術中有機電致發光顯示器的截面圖；圖2是根據本發明實施例的有機電致發光顯示器的截面圖；圖3A～3E是根據本發明第一實施例制造有機電致發光顯示器的工藝的截面圖；圖4A～4D是根據本發明第二實施例制造有機電致發光顯示器的工藝的截面圖；
圖5A～5D是根據本發明第三實施例制造有機電致發光顯示器的工藝的截面圖；和圖6A～6C分別表示根據本發明的有機電致發光顯示器中R、G和B色彩的光譜。
具體實施例方式
下文中，本發明優選實施例的詳細描述結合附圖將變得更加清晰。
圖1是現有技術中有機電致發光顯示器的截面圖。如圖1所示，在絕緣基板100上形成各個R、G和B單元像素的陽極電極110、120和130。陽極電極110、120和130分別包括第一陽極111、121、131和第二陽極115、125和135。形成的像素限定層140暴露部分陽極電極110、120和130，由此形成各個R、G和B單元像素的孔徑141、143和145。在孔徑141、143和145中的R、G和B單元像素的陽極電極110、120和130上分別形成包括R、G和B電致發光層的、R、G和B單元像素的有機薄膜層150、160和170。
正面發射型有機電致發光顯示器具有兩層結構的陽極電極，采用第一陽極電極作為高反射率的金屬膜，并用第二陽極電極作為能夠與功函數相符的金屬膜，由此通過增大反射率和空穴注入特性來提高發光效率。
但是，在正面發射型有機電致發光顯示器中，各個R、G和B單元像素的所有第二陽極電極都具有相同的厚度。因此，不可能獲得理想的色彩再現和效率，因為具有良好反射率的第一陽極電極和半透射陰極電極具有彼此不同的各自的光學相長干涉長度。
圖2是根據本發明實施例的有機電致發光顯示器的截面圖。
參見圖2，在透明絕緣基板200上形成緩沖層210，并在緩沖層210上分別形成配置有源/漏區221和225、231和235、以及241和245的R、G和B單元像素的半導體層220、230和240。在柵極絕緣膜250上形成各個單元像素的柵極261、263和265，并且在層間絕緣膜270上形成經接觸孔(未示出)連接到各個像素單元的源/漏區221和225、231和235以及241和245的各個像素單元的源/漏電極281和285、291和295以及301和305。
另外，在平坦化膜310上形成R、G和B單元像素的陽極電極320、330和340，從而分別連接到單元像素薄膜晶體管的源/漏電極之一，如分別經由通孔311、313和315連接到漏電極285、295和305。此時，R、G和B單元像素的每個陽極電極320、330和340包括具有高反射率的第一陽極321、331和341以及用于調節功函數的第二陽極325、335和345，并且將R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極形成為具有不同于其它單元像素第二陽極厚度的厚度。
在本發明的實施例中，形成的R單元像素的第二陽極325比G和B單元像素的第二陽極335和345厚，并且G和B單元像素的第二陽極335和345的厚度相同。或者，R單元像素的第二陽極325形成為比G和B單元像素的第二陽極335和345厚，并且G單元像素的第二陽極335形成為比B單元像素的第二陽極345厚。
在平坦化膜310上形成一個用于分開各個單元像素的陽極電極320、330和340的像素限定層360。像素限定層360配置有分別用于暴露部分陽極電極320、330和340的孔徑371、373和375。像素限定層360可以采用常規的熱固型樹脂或光敏樹脂。在孔徑371、373和375中的各個單元像素的陽極電極320、330和340上形成各個單元像素的有機薄膜層381、383和385，并且在基板的整個表面上形成陰極電極390。各個單元像素的有機薄膜層381、383和385包括各個單元像素的電致發光層，包括空穴注入層、空穴輸運層、空穴阻擋層、電子注入層和電子輸運層中的至少一個。
根據本發明的有機電致發光顯示器通過分別將R、G和B單元像素的陽極電極320、330和340的第二陽極325、335和345的厚度形成得依據于單元像素而不同，來獲得最高的發光效率。
下面將描述根據本發明制造有機電致發光顯示器的方法，其中該顯示器具有依據于R、G和B單元像素的彼此不同厚度的陽極電極。在根據本發明制造有機電致發光顯示器的方法中，因為形成陽極電極之前的工藝與常規的方法類似，因此下面將僅描述依據R、G和B單元像素形成彼此不同厚度的陽極電極的工藝以及之后的工藝。
下面將參考圖3A～3E描述根據本發明第一實施例制造有機電致發光顯示器的方法。
參見圖3A，利用DC濺射設備，在透明絕緣基板400如玻璃基板上，用具有高反射率的金屬膜如Al、Ag或其合金形成厚度為2000X的第一陽極電極材料410。參見圖3B，使第一陽極電極材料410圖案化以形成第一陽極421、423和425，在所有的R、G和B單元像素中具有相同的厚度。
參見圖3C，用具有合適功函數的材料如ITO或IZO，在基板的整個表面上沉積具有預定厚度的第二陽極電極材料，并對其圖案化以便僅在R單元像素的第一陽極421上形成R單元像素的第二陽極431。R單元像素的第二陽極431形成的厚度為250～450X或700～750X，優選為375X。
參見圖3D，在基板的整個表面上沉積與R單元像素的第二陽極電極材料相同的材料(如ITO或IZO)，厚度為50～150X，并且對其構圖，以分別在第一陽極423和425上形成G和B單元像素的第二陽極433和435。由此形成R、G和B單元像素的陽極電極441、443和445，其中包括具有高反射率的第一陽極421、423和425以及具有合適功函數的第二陽極431、433和435。
另一方面，通過增加掩模工藝替代相等形成G和B單元像素的第二陽極的厚度，形成厚度為200～300X優選為250X的G單元像素的第二陽極433，并且形成厚度為50～150X優選為125X的B單元像素的第二陽極435，由此分別形成彼此厚度不同的R、G和B單元像素的第二陽極431、433和435。
參見圖3E，當在基板的整個表面上沉積由熱固性樹脂或光敏樹脂組成的有機絕緣膜后，通過常規的方法對其構圖，從而形成用于分開各個單元像素的陽極電極441、443和445的像素限定層450。完成像素限定層450的形成之后，利用水、異丙醇和丙酮依次清潔層450。然后，利用UV/O3清潔器清潔。此時，取決于像素限定層450的形成，各個單元像素的陽極電極的發光部分被打開并具有2mm×2mm的圖案尺寸。
隨后，盡管未示出，在于陽極電極441、443和445上形成有機薄膜層的工藝中，依次形成與R、G和B單元像素的空穴注入層、空穴輸運層、電致發光層、空穴阻擋層和電子輸運層中相對應的有機膜。利用Idemitsu公司的IDE406通過真空沉積形成厚度為250X的空穴注入層，并且利用NBP{N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-聯二苯-聯苯胺}通過真空沉積以0.1nm/秒的速度形成厚度為100X的空穴輸運層。
連續地，將CBP{4，4’-雙(carozol-9-基)-聯苯)}和熒光紅以100∶12的混合重量比熱沉積，以形成厚度為300X的R單元像素的電致發光層。將CBP和IrPPy{三(苯基吡啶)銥}以100∶5的混合重量比熱沉積，以形成厚度為250X的G單元像素的電致發光層。將藍基質和藍摻雜劑以100∶4的混合重量比熱沉積，以形成厚度為150X的B單元像素的電致發光層。
接下來，沉積厚度為50X的BAlq以形成空穴阻擋層，并且真空沉積Alq3{三(8-喹啉酯)-鋁}以形成厚度為250X的電子輸運層。將鎂(Mg)和銀(Ag)以10∶1～30∶1的混合重量比熱沉積，以形成厚度為50～150X優選為100X的半透射陰極。然后利用濺射設備在真空條件下以0.2nm/秒的速度和1×10-5Pa的壓強沉積IZO，以形成透射陰極電極。
最后，形成鈍化層以防止氧氣和濕氣穿透外表并保護內部有機薄膜層。利用UV黏合劑在氮氣氣氛下和無水條件下接合包封基板并封裝。然后，在約70EC的溫度下熱固化1小時，從而制造正面發射型有機電致發光顯示器。
下面參考圖4A～4D描述根據本發明的第二實施例制造有機電致發光顯示器的方法。根據本發明第二實施例的制造方法利用與第一實施例相同的條件完成，除了通過利用半色調掩模比第一實施例減少了掩模工藝。
參見圖4A，在絕緣基板500上依次沉積第一陽極材料510和第二陽極材料520。參見圖4B，在第二陽極電極材料上涂覆光敏膜530。然后，通過利用半色調掩模540執行光刻工藝。半色調掩模540包括用于完全阻擋光的光阻擋部分541，對應于形成R單元像素的陽極電極的部分；半透射部分543和545，用于透射一部分光，對應于形成G和B單元像素的陽極電極的部分；和用于完全透射光的透射部分547。
參見圖4C，通過利用半色調掩模540的光刻工藝，形成依據于R、G和B單元像素彼此厚度不同的光敏膜圖案531、533和535。形成的R單元像素的光敏膜圖案531比G和B單元像素的光敏膜圖案533和535厚，并且G和B單元像素的光敏膜圖案533和535具有相同的厚度。
參見圖4C和4D，通過利用光敏膜圖案531、533和535對第一和第二陽極電極材料510和520構圖，從而形成依據R、G和B單元像素而厚度彼此不同的陽極電極551、553和555。此時，R、G和B單元像素的陽極電極551、553和555中的第一陽極511、513和515具有相同的厚度，并且依據光敏膜圖案531、533和555的厚度差，第二陽極521、523和525具有彼此不同的厚度。
也就是說，形成的R單元像素的第二陽極521比G和B單元像素的第二陽極523和525厚，并且形成的G和B單元像素的第二陽極523和525具有相同的厚度。在第二實施例中，在利用圖4B所示的半色調掩模對光敏膜530構圖時，通過使半色調掩模540的半透射圖案543和545的厚度不同，可以形成具有不同厚度的G和B單元像素的第二陽極523和525。
下面將參考圖5A～5D描述根據本發明第三實施例制造有機電致發光顯示器的方法。根據本發明第三實施例的制造方法在與第一實施例相同的條件下完成，除了通過利用半色調掩模而相對于第一實施例減少了掩模工藝。
參見圖5A，在絕緣基板600上沉積第一陽極電極材料并對其構圖，從而形成具有相同厚度的、R、G和B單元像素的第一陽極611、613和615。隨后，在包括第一陽極611、613和615的基板600上沉積第二陽極電極材料620。
參見圖5B，在第二陽極電極材料上涂覆光敏膜630。然后，利用半色調掩模640執行光刻工藝。半色調掩模640包括用于完全阻擋光的光阻擋部分641，對應于R單元像素的第一陽極611；用于透射一部分光的半透射部分643和645，對應于G和B單元像素的第二陽極613和615；和用于完全透射光的透射部分647。
參見圖5C，通過光刻工藝，利用半色調掩模640形成依據于R、G和B單元像素具有不同厚度的光敏膜圖案631、633和635。形成的R單元像素的光敏膜圖案631比G和B單元像素的光敏膜圖案633和635厚，并且G和B單元像素的光敏膜圖案633和635具有相同的厚度。
參見圖5C和5D，利用光敏膜圖案631、633和635對第二陽極電極材料620構圖，從而分別形成依據于R、G和B單元像素彼此具有不同厚度的第二陽極621、623和625。也就是說，形成的R單元像素的第二陽極621比G和B單元像素的第二陽極623和625厚，并且形成的G和B單元像素的第二陽極623和625具有相同的厚度。
因此，R、G和B單元像素的陽極電極651、653和655分別由各自具有相同厚度的第一陽極611、613和615以及各自具有不同厚度的第二陽極521、523和525組成，由此依據于R、G和B單元像素彼此具有不同的厚度。在第三實施例中，在利用圖5B所示的半色調掩模對光敏膜630構圖時，通過使半透射圖案643和645的厚度彼此不同，可以將G和B單元像素的第二陽極623和625形成為分別具有不同的厚度。
表1、表2和表3表示依據本發明第二陽極厚度的R、G和B單元像素的效率、亮度和色度坐標。
<表1 R單元像素>
<表2 G單元像素>
<表3 B單元像素>
從表1看出，當厚度為375X時，R單元像素具有最高的效率和亮度，并且當厚度為750X時，具有最高的色度坐標值。因此，考慮所有的效率、亮度和色度坐標，優選將R單元像素中陽極電極的第二陽極形成為375X的厚度。
從表2看出，因為當厚度為125X時G單元像素具有最高的效率和亮度，并且色度坐標也穩定，因此優選將G單元像素中陽極電極的第二陽極形成為125X的厚度。
從表3看出，因為厚度為125X時B單元像素具有最高的效率和亮度，并且色度坐標也穩定，因此優選將B單元像素中陽極電極的第二陽極形成為125X的厚度。
圖6A～6C分別示出了根據本發明的有機電致發光顯示器中R、G和B的光譜。
根據本發明的實施例，因為在多層結構的陽極電極中為了與功函數相符而使電極的厚度依據R、G和B單元像素而彼此有所不同，所以各個單元像素能夠獲得最高的效率。另外，當實施全色裝置時，R和B單元像素能夠獲得最高的效率和最大的色彩純度。
另外，當形成具有不同厚度的陽極電極時，因為通過采用半色調掩模消除了額外的工藝，所以產生了簡化工藝并提高產量的效果。
雖然結合目前認為最實際和優選的實施例描述了本發明，但應該理解，本發明不限于這些公開的實施例，相反，各種改型都將落在所附權利要求的實質和范圍之內。
權利要求
1.一種有機電致發光顯示器，包括設置在基板上且彼此分開的R、G和B單元像素的陽極電極；設置在該些陽極電極上的R、G和B單元像素的有機薄膜層；和設置在該基板的整個表面上的陰極電極；其中R、G和B單元像素中的至少一個單元像素的陽極電極具有不同于R、G和B單元像素的其它單元像素的陽極電極的厚度。
2.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的陽極電極比所述其它單元像素的陽極電極厚。
3.如權利要求1所述的有機電致發光顯示器，其中每個單元像素的陽極電極包括具有高反射率的第一膜和用于調節功函數的第二膜，并且其中R、G和B單元像素中所述至少一個單元像素的第二膜具有不同于R、G和B單元像素的其它單元像素的第二膜的厚度。
4.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的第二膜比所述其它單元像素的第二膜厚。
5.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的第二膜的厚度處于250～450X以及700～750X的范圍內，并且所述G和B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍內。
6.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的第二膜的厚度處于250～450X以及700～750X的范圍內，所述G單元像素的第二膜的厚度處于200～300X的范圍內，并且所述B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍內。
7.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的第二膜的厚度大致為375X，所述G單元像素的第二膜的厚度大致為250X，且所述B單元像素的第二膜的厚度大致為125X，由此在R、G和B單元像素中獲得最大效率。
8.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中所述R單元像素的第二膜的厚度大致上為750X，所述G單元像素的第二膜的厚度大致上為250X，且所述B單元像素的第二膜的厚度大致上為125X，由此在R、G和B單元像素中獲得最大效率。
9.如權利要求3所述的有機電致發光顯示器，其中每個單元像素的第一膜由Al、Ag以及它們的合金膜組成，且第二膜由ITO和IZO中的一種組成。
10.一種有機電致發光顯示器，包括多個像素，每個像素至少包括一陽極電極；其中相鄰像素的陽極電極彼此具有不同的厚度。
11.如權利要求10所述的有機電致發光顯示器，其中每個像素的陽極電極包括具有高反射率的第一膜和用于調節功函數的第二膜，和其中相鄰像素的陽極電極的第二膜彼此具有不同的厚度。
12.一種用于制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上設置R、G和B單元像素的第一陽極；通過在所述R單元像素的所述第一陽極上設置該R單元像素的第二陽極而形成該R單元像素的陽極電極；通過在所述G和B單元像素的所述第一陽極上設置所述G和B單元像素的第二陽極而分別形成所述G和B單元像素的陽極電極；在所述R、G和B單元像素的所述陽極電極上設置各個有機薄膜層；和在所述基板的整個表面上設置陰極電極；其中所述R、G和B單元像素中至少一個單元像素的所述第二陽極具有不同于所述R、G和B單元像素中其它單元像素的第二陽極厚度的厚度。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述R單元像素的第二膜比所述R、G和B單元像素中其它單元像素的第二膜厚。
14.如權利要求12所述的方法，其中所述R單元像素的第二膜的厚度處于250～450X以及700～750X的范圍內，所述G單元像素的第二膜的厚度處于50～150X和200～300X的范圍內，且所述B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍內。
15.一種制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上依次設置R、G和B單元像素的第一陽極電極材料和第二陽極電極材料；蝕刻所述第一和第二陽極電極材料以形成所述R、G和B單元像素的陽極電極，每個陽極電極包括第一陽極和第二陽極；在所述R、G和B單元像素的陽極電極上設置各個有機薄膜層；和在所述基板的整個表面上設置陰極電極；其中所述R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極具有不同于所述R、G和B單元像素中其它單元像素第二陽極厚度的厚度。
16.如權利要求15所述的方法，其中所述R單元像素的第二膜比其它單元像素的第二膜厚。
17.如權利要求15所述的方法，其中所述R單元像素第二膜的厚度處于250～450X以及700～750X的范圍內，所述G單元像素的第二膜的厚度處于50～150X和200～300X的范圍內，且所述B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍內。
18.一種制造有機電致發光顯示器的方法，包括步驟在基板上設置R、G和B單元像素的第一陽極；在該基板的整個表面上設置第二陽極電極材料；蝕刻該第二陽極電極材料，以便在所述R、G和B單元像素的該些第一陽極上形成各個第二電極，從而形成所述R、G和B單元像素的各個陽極電極；和在所述R、G和B單元像素的各個陽極電極上設置有機薄膜層；和在該基板的整個表面上設置陰極電極；其中所述R、G和B單元像素中至少一個單元像素的第二陽極具有不同于所述R、G和B單元像素中其它單元像素第二陽極厚度的厚度。
19.如權利要求18所述的方法，其中所述R單元像素的第二膜比其它單元像素的第二膜厚。
20.如權利要求18所述的方法，其中所述R單元像素第二膜的厚度處于250～450X以及700～750X的范圍內，所述G單元像素的第二膜的厚度處于50～150X和200～300X的范圍內，且所述B單元像素的第二膜的厚度處于50～150X的范圍內。
全文摘要
本發明公開一種高效有機電致發光顯示器及其制造方法，該顯示器包括設置在基板上的、彼此分開的R、G和B單元像素的陽極電極；形成在陽極電極上的R、G和B單元像素的有機薄膜層；和形成在基板整個表面上的陰極電極。R、G和B單元像素中的至少一個單元像素的陽極電極具有不同于其它單元像素的陽極電極的厚度。每個單元像素的陽極電極包括具有高反射率的第一膜和用于調節功函數的第二膜。單元像素中至少一個單元像素的第二膜具有不同于其它單元像素第二膜的厚度。R單元像素第二膜比其它單元像素的第二膜厚。
文檔編號H05B33/00GK1543284SQ200410028710
公開日2004年11月3日 申請日期2004年3月10日 優先權日2003年5月1日
發明者李寬熙, 柳承潤, 李憲貞, 樸商一, 具在本 申請人:三星Sdi株式會社