專利名稱：采用大氣開放式金屬有機物化學氣相沉積制備ZnO晶須的方法及其裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種采用金屬有機物化學氣相沉積法，在大氣開放式條件下制備ZnO晶須材料的制備方法及其裝置。
背景技術：
ZnO是II-VI族化合物半導體，屬于纖鋅礦結構，由于它具有多樣優異的物理性質和化學性質，因此無論作為結構材料還是功能材料，目前已經在相當大的范圍內得到了應用。ZnO材料本身具有優良的光電、透明導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。寬禁帶ZnO半導體為直接躍遷，室溫帶隙為3.37eV，且束縛激子能高達60meV，是一種具有很大潛在應用價值的紫外半導體光電器件材料。它除了對可見光范圍透明，對紅外光有較強的反射以及有較低的電阻率外，還對玻璃有較強的附著力并且有良好的耐磨性和化學穩定性，在透明導體、發光元件、電極材料等方面有廣泛的應用。
化學氣相沉積法是一類用化學反應的來制備薄膜等低維材料的常用方法。其原理是利用輔助手段(包括熱源，電子束，離子束等)作用于反應前驅物使之升華，并以氣相形式相互之間發生化學反應，生成中間反應物并沉積到基片上得到最終產物——薄膜或是其他低維材料。常見的化學氣相沉積法有微波等離子體化學氣相沉積，熱絲化學氣相沉積，有機金屬化學氣相沉積等。
有機金屬化學氣相沉積是利用金屬有機物在不太高的溫度(一般低于500℃)下就容易發生分解，利用其分解反應得到產物的一類低維材料制備方法。
傳統晶須由于優異的機械性能和一維方向上延長的幾何形狀，在結構復合材料中作為增強體已經被廣泛地應用。然而作為低維材料中的一種，其本身的光、電、聲等功能特性的研究尚未引起人們的足夠重視。晶須具有無晶界、晶體缺陷少和具有特殊的尖端等特點，無論是單獨地作為低維材料，還是作為微型器件、低維復合材料的構成體，在功能材料領域都將展現出其廣泛的應用前景。影響晶須作為功能材料的一個關鍵問題是如何使得晶須定向生長和規則排列。只有解決傳統晶須雜亂分布的問題，才能利用晶須材料本身所具有的功能方面的特性。傳統晶須雜亂分布見圖5所示。
發明內容
本發明的目的之一是提供一種生長高度定向規則排列ZnO晶須的制備方法。經該方法沉積出的ZnO一維材料具有規整排列、定向生長、高密度的形貌特征。與傳統金屬有機物化學氣相沉積的方法不同的是，該技術采用沿基片法向方向垂直沉積金屬有機物，在垂直于基片的方向上形成濃度梯度和溫度梯度，使得材料在此方向上的生長速度較快，有利于一維晶須的形成和生長。
本發明的目的之二是提供一種制備高度定向規整排列ZnO晶須的裝置。該裝置在沉積過程中通過改變氣化溫度、基片溫度和載氣N2流速來作為晶須生長的控制因素，從而得到不同形貌特征(直徑、長度、分布密度、規則度)的ZnO一維材料。該裝置獨特的噴嘴設計，大容積小口徑，能夠使得在基片表面形成一個具有較大過飽和度的濃度場，促進ZnO的結晶。
本發明的一種采用大氣開放式金屬有機物化學氣相沉積制備ZnO晶須的方法，包括下列步驟，(A)基片處理選取基片，將其切成所需大小的載體，依次放到丙酮、無水乙醇和去離子水中，在超聲波清洗器中分別清洗15～20分鐘去除基片表面的污垢，待用；(B)參數設定氣化室溫度(Tv)100～125℃；基片溫度(Ts)500～600℃；載氣N2流速(v)0.5～1.2L/min； 沉積時間(t) 保持為100min；噴嘴到基片臺的距離(h)保持為14mm；(C)氣路通道預熱液氮冷阱至氣化室的氣路通道預熱溫度130～150℃；氣化室預熱溫度80～105℃；氣化室至噴嘴裝置的氣路通道預熱溫度200～250℃；(D)預通N2待氣化室溫度上升到80～105℃時，開始對基片臺加熱；打開氮氣瓶總開關，將低壓閥調至0.3MPa，打開氣路中N2閥門、調節流量計，將流速調為0.3～0.4L/min，使氣路通道中的雜質氣體排除；與此同時向液氮冷阱中加入液氮用于除去氣路中氮氣含有的水分；
(E)待氣化室溫度(Tv)為100～125℃、基片溫度(Ts)為500～600℃，并確保各參數在15分鐘以內保持平衡穩定狀態后，關閉流量計；再將基片放到基片臺上并調節基片臺到噴嘴底面的距離h＝14mm；(F)再次打開流量計并調節流速(V)0.5～1.2L/min，氣相沉積開始，并計算沉積時間t＝100min；(G)取出試樣并進行測試。
所述的制備方法中，采用的基片可以是單晶Si(001)、Si(111)、Al2O3(0001)，也可以是玻璃、Al箔、Cu箔、不銹鋼。
所述的制備方法制備得到的ZnO一維材料晶須陣列為定向生長、規整排列的形貌特征，其形貌特征可以是圓柱狀晶須陣列或長錐狀晶須陣列或板條狀晶須陣列。
所述的制備方法，置于氣化室中的金屬有機物為純度99％的乙酰丙酮化鋅(Zn(C5H7O2)2·H2O)。
本發明采用的裝置包括順著氣路通道依次有氮氣瓶以及計量N2流量的流量計、液氮冷阱、氣化室、噴嘴裝置，以及提供基片加熱的基片臺，所述氮氣瓶、液氮冷阱、氣化室、噴嘴裝置由氣路通道連通；所述的氮氣瓶至流量計之間設有對流量計進行保護的截止氣閥；所述的液氮冷阱至氣化室之間的氣路通道上安裝有熱電偶、其外壁上纏繞有加熱帶，其加熱帶上連接有調壓器，其熱電偶的測溫端緊貼氣路通道外壁，其接線端接入溫度顯示儀表；所述的氣化室外壁纏繞有加熱帶，其加熱帶上連接有調壓器，在氣化室內安裝有熱電偶，熱電偶接線端伸出氣化室并連接在溫度顯示儀表上；所述的氣化室至噴嘴裝置的氣路通道上設有封閉氣路的截止氣閥、熱電偶，氣路通道的外壁上纏繞有加熱帶，其加熱帶上連接有調壓器，其熱電偶的測溫端緊貼氣路通道外壁，其接線端接入溫度顯示儀表；所述的基片臺與基片設有緊貼兩者的熱電偶，其接線端接入溫度顯示儀表；所述的基片表面應與噴嘴裝置中的噴口底面相平行，與其法向方向相垂直。
本發明的制備裝置也可以由三路氣路通道以及各個氣路通道上的流量計、液氮冷阱、氣化室，同一噴嘴裝置、基片臺組成，此種制備裝置即可以同時進行三種不同金屬有機物的沉積，也可單獨使用其中一路氣路通道進行氣相沉積，還可以采用兩路氣路通道進行沉積。此制備裝置中多氣路的的配合使用可以用來進行精確的組分摻雜或多組分體系氧化物晶須的生長。
本發明的制備方法與傳統金屬有機物化學氣相沉積的方法不同的是，采用沿基片法向方向垂直沉積金屬有機物，因而在垂直于基片的方向上存在濃度梯度和溫度梯度，使得材料在此方向上的生長速度較快，有利于一維晶須的形成和生長。
本發明裝置的優點是獨特的噴嘴設計，大容積小口徑，能夠使得在基片表面形成一個具有較大過飽和度的濃度場，促進ZnO的結晶。該裝置包括有三路獨立的封閉氣路，可以進行含有三種不同成分材料的沉積，可單獨使用也可共同沉積。兩路或是三路氣的配合使用可以用來進行精確的組分摻雜或多組分體系化合物晶須的生長。
圖1是本發明設備原理框圖。
圖2是本發明氣路通道上設備安裝的結構示意圖。
圖3是本發明噴嘴裝置剖視圖。
圖4是本發明制備ZnO材料的流程框圖。
圖5是傳統晶須雜亂分布掃描電鏡照片。
圖6是本發明制得的ZnO晶須陣列的掃描電鏡照片。
圖7是本發明制得的ZnO晶須陣列的側視掃描電鏡照片。
圖8是本發明制得的ZnO晶須陣列傾斜45°掃描電鏡照片。
圖9是本發明制得的ZnO晶須陣列的X射線衍射圖。
圖10是本發明制得的ZnO晶須陣列的陰極射線發光光譜圖。
圖中1.氮氣瓶 2.氣路通道 3.流量計 4.液氮冷阱 5.氣化室6.加熱帶 7.噴嘴裝置 8.基片 9.基片臺 10.進氣口 11.噴口具體實施方式
下面將結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。
首先對氣路通道上的設備安裝進行說明請參見圖1、2所示，氣路通道2的一端連接在氮氣瓶1上，氣路通道2的另一端連接在噴嘴裝置7上。當為三路氣路通道時，每路通道并行排列，且其上安裝的設備相同，下面用一路通道上安裝的設備進行說明設備的相對位置關系。在氣路通道2上按氮氣輸入方向依次安裝有截止氣閥、流量計3、液氮冷阱4、氣化室5、噴嘴裝置7，在液氮冷阱4至氣化室5的氣路通道2的外壁上纏繞有加熱帶，加熱帶上連接有調壓器，此段的氣路通道2在纏繞加熱帶時安裝有用于測定溫度的一個熱電偶，熱電偶的測溫端緊貼在氣路通道2外壁上，其接線端連接在溫度顯示儀表上，通過儀表鍵盤進行設定溫度操作(儀表為單輸入通道數字式智能儀表，型號XST/D-F、北京天辰自動化儀表廠)；在氣化室5的外壁上纏繞有加熱帶，加熱帶上連接有調壓器，在氣化室5內安裝有熱電偶，熱電偶接線端伸出氣化室5并連接在溫度顯示儀表上(儀表為單輸入通道數字式智能儀表，型號XST/D-F、北京天辰自動化儀表廠)；在氣化室5至噴嘴裝置7的氣路通道2上設有封閉氣路的截止氣閥，在此段氣路通道2的外壁上纏繞有加熱帶，加熱帶上連接有調壓器，此段的氣路通道2在纏繞加熱帶時安裝有用于測定溫度的一個熱電偶，熱電偶的測溫端緊貼在氣路通道2的外壁，其接線端連接在溫度顯示儀表上(儀表為單輸入通道數字式智能儀表，型號XST/D-F、北京天辰自動化儀表廠)；基片8固緊在基片臺9上，且基片臺9上安裝有緊貼基片8與基片臺9兩者的一個熱電偶，其接線端連接在溫度顯示儀表上(儀表為智能數字顯示儀表，型號CH402/IMCH01-E2，日本RKC自動化儀表設備公司)；基片8的位置應當與噴嘴裝置7中的噴口11底面的法向方向相垂直。所述噴嘴裝置7為一個立方體形式的容積，可容納約0.6升含有金屬有機物的氣體。噴嘴裝置7下端設有一個50mm×0.5mm狹長噴口11，使其內部的氣體集中由此噴口11噴出，得到較大的金屬有機物濃度，形成大的過飽和度，促進材料生長。
在本發明的制備裝置，如圖1所示的結構中，可以通過轉接件將從氮氣瓶1中輸出的氮氣轉接成三路氣路通道形式，而到噴嘴裝置7時同樣通過轉接件將其組合為一個氣路通道，各氣路通道通過各自的閥門進行控制氮氣的輸入或輸出。在氣化室5至噴嘴裝置7的氣路通道上，通過控制各個氣化室5的截止氣閥來控制氣路的通/斷，將不同金屬有機物攜帶至噴嘴混合并發生分解反應以得到不同配比的多組分化合物一維材料。
本發明ZnO一維材料的制備過程如下本發明中提及的大氣開放，是指在基片上沉積ZnO材料時，不是在真空氛圍中進行，而是在常壓大氣環境下進行的化學氣相沉積。
沉積ZnO材料時，首先將純度99％的乙酰丙酮化鋅Zn(C5H7O2)2·H2O(美國Alpha公司)置于氣化室中，由于乙酰丙酮化鋅被加熱到一定的溫度(105℃～120℃)時，產生一定Zn金屬有機源的飽和蒸氣壓，再在N2(純度為99.5％)用作載氣條件下，將氣化室里的Zn(C5H7O2)2蒸氣送到噴嘴裝置，在噴嘴裝置7內的氮氣溫度下(約為200～280℃)，少量的Zn(C5H7O2)2會發生以下一系列的水解反應(1)(2)已經部分分解的Zn(C5H7O2)2由噴口11噴出，與空氣中的水繼續發生上述反應，生成Zn(OH)2，在噴口11到基片臺9的過程中，由于溫度升高的原因，Zn(C5H7O2)2的乙酰丙酮基受熱直接分解。當Zn(OH)2向溫度為500℃～600℃的基片8上沉積時，會進一步受熱分解得到ZnO小團簇，從而在基片8上發生沉積。
在本發明裝置中的預熱帶的加熱及氣化室的升溫均由相應的調壓器進行，測溫由同熱電偶連接的儀表實現；基片臺9的升溫由電阻絲提供，對溫度的設定、控制由同熱電偶連接的儀表實現；噴口11到基片臺9的距離由升降臺調節，并用鋼尺量度(由于整個制備過程中高度是保持不變的)；沉積過程是通過控制載氣N2來進行控制的，正式通入N2時沉積過程開始，停止N2的通入則結束整個沉積過程，時間為100min。
在本發明中采用的大氣壓MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)法制備ZnO晶須的過程中，影響晶須生長的因素有以下幾個氣化室溫度Tv、基片溫度Ts、載氣流速V、噴口11到基片臺9的距離h和沉積時間t。在制備試樣的過程中，噴嘴到基片臺的距離h始終保持為14mm，而沉積時間t始終保持為100min。氣化溫度Tv的為100℃～125℃，基片溫度Ts的為500℃～600℃，載氣流速v的為0.5L/min～1.2L/min。基片8預處理將玻璃切成約為10×5mm2大小，將硅片切成約為5×3mm2大小，將切好的基片8依次放到丙酮、無水乙醇和去離子水中，在超聲波清洗器中分別清洗15～20分鐘，去掉基片表面的污垢，并用洗耳球吹干基片表面的水分。
第一步通過儀表設定好各組試樣的參數；
上述表中，氣化室的溫度由安裝于氣化室內的熱電偶連接的儀表測定，溫度升高由加熱帶提供；基片溫度由基片臺中的電阻絲實現，由熱電偶連接的儀表進行控制和設定；載氣流速的控制通過氣路通道上的流量計實現。
第二步調整各段加熱帶上的調壓器的電壓對氣路通道進行預熱；液氮冷阱4至氣化室5的氣路通道加溫到130～150℃，氣化室5內溫度為80～105℃，氣化室5至噴嘴裝置7的氣路通道加溫到200～250℃，所述的溫度值由相應熱電偶接線端連接的儀表顯示；第三步待氣化室5溫度上升到80～105℃時，開始對基片臺加熱，與此同時將液氮放入液氮冷阱4中，打開氮氣瓶1的開關，調壓至0.3MPa，并打開流量計3，預通N2(流速約為0.3～0.4L/min)，排除氣路通道2的雜質氣體；第四步直至氣化溫度Tv、基片溫度Ts達到預設值，確保各參數在15分鐘以內保持平衡穩定狀態后，關閉流量計暫時停止通入N2，此時將一組基片(事先裁好大小)用鑷子輕放到基片臺上，將基片8調整對準噴口11后，調整基片臺9到噴嘴裝置7的高度為14mm(用鋼尺量度)；第五步再次打開流量計3并調至預設值，開始計算沉積時間t＝100min。實驗過程中嚴格控制氣化室溫度和基片溫度的變化，是它們的值在±1℃的變化范圍內；第六步沉積100min以后，先記錄好各個參數值(噴嘴的溫度、預熱帶的溫度等)，然后關閉所有調壓器，再關閉基片臺的電路，之后依次關閉氣瓶的高壓閥和低壓閥，最后關閉流量計。在取試樣的同時必須打開通風櫥排氣，用鑷子取出試樣時，可以看到試樣表面上沉積上一層薄薄的淡黃色的物質，對試樣作好編號，置于干凈和干燥的實驗盒，以待進一步的分析和觀察。在取試樣和放置試樣的過程中，務必輕拿輕放，絕對不能碰到試樣的表面。
制備完成后，取出試樣并進行了如下測試掃描電子顯微鏡觀察了晶須取向性、規則性、以及晶須直徑、長徑比、尖端曲率半徑等形貌特征(如圖6、7、8所示)；如圖6(a)所示的照片為圓柱狀晶須陣列，圖6(b)所示的照片為長錐狀晶須陣列，圖6(c)所示的照片為板條狀晶須陣列。X射線衍射(XRD)分析了ZnO晶須的晶體結構和晶體取向(如圖9所示)；采用陰極射線發光光譜對ZnO晶須的發光特性進行了研究(如圖10所示)。
圖9為在玻璃基片上沉積的ZnO晶須典型的X射線衍射譜(制備條件為氣化溫度115℃，基片溫度550℃，氣流速度0.8L/min)。在2θ＝34.5°出現了較強ZnO(0002)衍射峰，同時在2θ＝72.5°處也出現了強烈的ZnO(0004)譜峰。在2θ＝15°～20°之間則出現了基板玻璃的衍射波包。衍射數據分析表明玻璃基片上得到的是六方纖鋅礦型結構的ZnO，該結構與SEM觀察到的ZnO六角形狀的截面相吻合。整個圖譜上幾乎只存在ZnO(0001)的衍射特征峰，充分說明了ZnO晶須沿c軸高度的取向性。ZnO(0002)衍射峰的半高寬(FWHM)只有0.30°，表明了晶須良好的結晶性能。
圖10中陰極射線發光光譜研究發現，ZnO晶須陣列在紫外光區有強烈的發光，發光光譜中在370nm處出現尖銳的譜峰，帶邊發光對應的發光的能帶寬度為3.36eV。
根據本發明制備得到的ZnO晶須具有亞微米級的柱狀結晶特點，使其能夠形成單獨的Fabry-perot諧振腔并具有了合適增益的橫向限制，這樣ZnO晶須在結構上尤其適合于受激輻射光頻放大器的激光發射和直接躍遷，可作為激光器材料。ZnO的發光性質及電子輻射穩定性使其成為一種很好的單色場發射低壓平面顯示器材料。利用ZnO晶須陣列形式規則定向排布的特性，可以在冷陰極發射顯示元件中得到應用。在室溫下，便可利用其納米級的尖端(曲率半徑約幾十納米)在電場作用下發射出電子。ZnO具有機電耦合系數大、介電常數低等良好的壓電特性。在傳統1-3型壓電陶瓷聚合物復合材料中，壓電材料普遍采用對體材料進行微加工，得到規則排列的壓電陶瓷柱。這樣造成了壓電材料的宏觀損傷，對于復合材料的耦合性能產生不良的影響。如果利用定向生長的ZnO晶須來代替壓電陶瓷柱，再與聚合物進行復合，將會得到性能優良的1-3型壓電復合材料。ZnO材料光電導隨表面吸附的氣體種類和濃度不同會發生很大變化，并且晶須的比表面積很大，據此特點，規則排列的ZnO晶須可用來制作表面型氣敏器件，其經某些元素摻雜之后對有害性氣體、可燃氣體、有機蒸汽等具有很好的敏感性，可制成各種氣敏傳感器。
權利要求
1.一種采用大氣開放式金屬有機物化學氣相沉積制備ZnO晶須陣列的方法，其特征在于包括下列步驟，(A)基片處理選取基片，將其切成所需大小的載體，依次放到丙酮、無水乙醇和去離子水中，在超聲波清洗器中分別清洗15～20分鐘去除基片表面的污垢，待用；(B)參數設定氣化室溫度(Tv)100～125℃； 基片溫度(Ts)500～600℃；載氣N2流速(v)0.5～1.2L/min； 沉積時間(t)100min；噴嘴到基片臺的距離(h)保持為14mm；(C)氣路通道的預熱液氮冷阱至氣化室的氣路通道預熱溫度130～150℃；氣化室預熱溫度80～105℃；氣化室至噴嘴裝置的氣路通道預熱溫度200～250℃；(D)預通N2待氣化室溫度上升到80～105℃時，開始對基片臺加熱；打開氮氣瓶總開關，將低壓閥調至0.3MPa，打開氣路中N2閥門，調節流量計，將流速調為0.3～0.4L/min，使氣路通道中的雜質氣體排除；與此同時向液氮冷阱中加入液氮用于除去氣路中氮氣含有的水分；(E)待氣化室溫度(Tv)為100～125℃、基片溫度(Ts)為500～600℃，并確保各參數在15分鐘以內保持平衡穩定狀態后，關閉流量計；再將基片放到基片臺上并調節基片臺到噴嘴底面的距離h＝14mm；(F)再次打開流量計并調節流速(V)為0.5～1.2L/min，氣相沉積開始，并計算沉積時間t＝100min；(G)取出試樣并進行測試。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的基片可以是單晶Si(001)或Si(111)或Al2O3(0001)，也可以是玻璃或Al箔或Cu箔或不銹鋼。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于制備得到的ZnO材料為定向生長、規整排列的一維晶須陣列材料。
4.根據權利要求1、3所述的制備方法，其特征在于ZnO晶須陣列形貌特征有圓柱狀晶須陣列或長錐狀晶須陣列或板條狀晶須陣列。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于置于氣化室中的金屬有機物為純度99％的乙酰丙酮化鋅(Zn(C5H7O2)2·H2O)。
6.根據權利要求1所述的制備方法使用的裝置，包括氮氣瓶、基片臺，其特征在于還包括流量計(3)、液氮冷阱(4)、氣化室(5)、噴嘴裝置(7)，所述的裝置順著氣路通道(2)依次安裝有氮氣瓶(1)、控制氮氣流量的流量計(3)、去除氮氣中水分的液氮冷阱(4)、將金屬有機物氣化的氣化室(5)、容納金屬有機物氣體的噴嘴裝置(7)，以及位于噴嘴裝置(7)下方對基片(8)加熱的基片臺(9)；所述的氮氣瓶(1)至流量計(2)之間設有對流量計進行保護的截止氣閥，所述的液氮冷阱(4)至氣化室(5)之間的氣路通道的外壁上纏繞有加熱帶，其加熱帶連入調壓器，其在氣路通道外壁間還設有熱電偶，其熱電偶的測溫端緊貼氣路通道外壁，其接線端接入溫度顯示儀表；所述的氣化室(5)外壁纏繞有加熱帶，其加熱帶連入調壓器，其在氣化室內設有熱電偶，其接線端伸出氣化室接入溫度顯示儀表；所述的氣化室(5)至噴嘴裝置(7)的氣路通道上設有封閉氣路的截止氣閥，其上纏繞有加熱帶，其加熱帶連入調壓器，其在氣路通道外壁間還設有熱電偶，其熱電偶的測溫端緊貼氣路通道外壁，其接線端接入溫度顯示儀表；所述的基片臺(9)上與基片(8)相接觸設有緊貼兩者的熱電偶，其接線端接入溫度顯示儀表，所述的基片(8)表面與噴嘴裝置(7)中的噴口(11)底面相平行，與其法向方向相垂直。
7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于可設置多路并行排列的氣路通道至同一噴嘴裝置進行氣相沉積得到多組分材料。
8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于所述的噴嘴裝置底部設有一個狹長噴口，其尺寸為50mm×0.5mm。
9.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于基片上沉積ZnO材料處于大氣環境中。
10.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于所述的噴嘴裝置中的進氣口可設有3個，其進氣口的軸線方向在同一平面內相互夾角為60°。
全文摘要
本發明公開了一種采用大氣開放式金屬有機物化學氣相沉積制備ZnO晶須的方法及其裝置，經該方法沉積出的ZnO一維晶須材料具有規整排列、定向生長、高密度的形貌特征；與傳統金屬有機物化學氣相沉積的方法不同的是，該技術采用沿基片法向方向垂直沉積金屬有機物，在垂直于基片的方向上形成一定的濃度梯度和溫度梯度，使得材料在此方向上的生長速度較快，有利于一維晶須的形成和生長；制備得到的ZnO晶須陣列為圓柱狀晶須陣列、長錐狀晶須陣列、板條狀晶須陣列；該裝置中噴嘴裝置可以同時進行三種不同的金屬有機物摻混沉積，用來進行精確的組分摻雜或多組分體系化合物晶須的生長。
文檔編號C30B29/00GK1546742SQ20031012111
公開日2004年11月17日 申請日期2003年12月15日 優先權日2003年12月15日
發明者張躍, 袁洪濤, 谷景華, 張 躍 申請人:北京航空航天大學